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「不揮発性メモリ」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「不揮発性メモリ」に関する情報が集まったページです。

福田昭のストレージ通信(146) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(7):
次世代メモリ技術の最有力候補はPCMとMRAM、ReRAM
今回は、次世代メモリの立ち位置を再確認した上で、相変化メモリ(PCM)、磁気抵抗メモリ(MRAM)、抵抗変化メモリ(ReRAM)という3つの最有力候補について解説する。(2019/5/22)

最先端の研究が進む:
微弱な刺激で発光、変形する「ソフトクリスタル」
「結晶」でありながら、蒸気にさらしたり、こすったりといった極めて弱いマクロな刺激によって、発光や変色、変形など目に見える変化を見せる――。そんな、これまでの常識を覆すような新しい物質群「ソフトクリスタル」の研究が進められている。研究者らは、2019年4月、東京都内で公開シンポジウムを開催し、最新の研究内容を紹介した。(2019/5/10)

TDK HAL1890:
SENTプロトコルを備えたリニアホールセンサー
TDK-Micronasの製品に、SENT出力を備えたリニアホールセンサー「HAL1890」が追加された。デジタル出力信号監視機能を備え、SENTデータフォーマットや、高速・低速信号伝達チャンネルにおけるエラー情報の送信をサポートする。(2019/4/25)

エッジ利用を視野
HDDも追加可能な低遅延のオールフラッシュ Western Digitalが国内発売
HDDやSSDを中心に事業展開してきたWestern Digitalが、フラッシュアレイやコンポーザブルインフラの国内販売を開始した。レイテンシを抑え、HDDを追加可能にしたオールフラッシュモデルなど2モデルを用意する。(2019/4/15)

Micron Technology Sumit Sadana氏:
メモリを取り巻く状況、19年後半には改善へ Micron
2018年における半導体メーカー売上高ランキングで第4位、米国企業としてはIntelに次ぐ2位を獲得した、メモリメーカーのMicron Technology(以下、Micron)。同社で、Executive Vice President兼CBO(Chief Business Officer)を務めるSumit Sadana氏に、今後の投資予定や製品戦略などを聞いた。(2019/4/1)

Q&Aで学ぶマイコン講座(45):
フラッシュメモリにはウェイトステートがなぜ必要なのか
マイコンユーザーのさまざまな疑問に対し、マイコンメーカーのエンジニアがお答えしていく本連載。45回目は、初心者の方からよく質問される「フラッシュメモリのウェイトステート」についてです。(2019/3/28)

あらゆる工夫を盛り込んだ:
超低消費電力のシリアルフラッシュ、標準品比で70%減
Adesto Technologies(以下、Adesto)は、組み込み技術の国際展示会「embedded world 2019」(2019年2月26〜28日、ドイツ・ニュルンベルク)で、2月25日(米国時間)に発表したばかりの不揮発性メモリ「Fusion HD(Higher Density)」のデモを展示した。(2019/3/22)

核心的テクノロジーに注目
2019年注目のストレージスタートアップ“えりすぐりの9社”
ストレージのスタートアップ企業は、成功するよりも失敗に終わる可能性が高い。それでも、意欲のある企業がクラウド、バックアップ、コンバージェンス、フラッシュの革新的テクノロジーに挑んでいる。(2019/3/20)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
車載向けで進む28nmプロセス採用――ルネサス、STマイクロを追従するカギはNVM
エレクトロニクス/組み込み業界の動向をウォッチする連載。今回は、2019年2月の業界動向の振り返りとして、ドイツ・ニュルンベルクで開催された「embedded world 2019」に絡めて“MCUの話題”を2つ紹介する。(2019/3/14)

ロジックへの統合が容易:
Samsung、28nm FD-SOIプロセス適用のeMRAMを出荷へ
Samsung Electronics(以下、Samsung)は、28nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター、以下FDS)プロセスをベースにした最初のeMRAM(組み込み型磁気抵抗メモリ)製品の量産を発表した。(2019/3/12)

フォトロン FASTCAM MH6:
自動車衝突安全試験用高速度カメラ、最大6ヘッド接続による完全同期撮影を実現
フォトロンは、超小型カメラヘッドを最大6つ同時接続できるハイスピードカメラ「FASTCAM MH6」の販売開始を発表した。(2019/3/8)

AIとIoTでの活用が進む
データレイクを「沼地」にしないために 2019年ストレージ技術予測
専門家によると2019年は、ビッグデータ分析、AI(人工知能)、機械学習、IoT(モノのインターネット)のための「ストレージアーキテクチャの見直し」が重要になるという。(2019/3/5)

福田昭のストレージ通信(134) 半導体メモリの勢力図(5):
既存のメモリと次世代のメモリを比較する
今回は、DRAMやNANDフラッシュメモリなど既存のメモリと、MRAM(磁気抵抗メモリ)やReRAM(抵抗変化メモリ)といったエマージング・メモリ(次世代メモリ)の特徴を比較する。(2019/2/8)

10nmプロセスやハイブリッドCPUを導入:
Intel、次世代のコンピューティングをけん引する多数の新技術を披露
Intelは「CES 2019」向けに、PCプラットフォームや、クラウド、ネットワーク、エッジを支える基盤、人々のエクスペリエンスを拡張する技術に関する多くの発表を行った。(2019/1/10)

車載半導体:
組み込み型相変化メモリ内蔵の車載マイコン、サンプル出荷を開始
STマイクロエレクトロニクスは、組み込み型相変化メモリ「ePCM」を内蔵した車載マイコンのサンプル出荷を開始した。AEC-Q100 Grade 0準拠のePCMを組み込んだ同マイコンは、高温下でもデータの安全性を確保する。(2019/1/9)

どちらもコンピュータの記憶領域
メモリとストレージは何が違うのか?
メモリとストレージがそれぞれコンピュータに対して果たす役割は似ているが、両者は別物だ。その違いは、コンピュータの電源が切れた時に、それぞれの保存データがそのまま保持されるかどうかにある。(2019/1/8)

データセンターの革新に向け:
Intelは「データの移動・保存・処理」で貢献
Intelの日本法人であるインテルは2018年12月17日、都内で開催した記者説明会で2018年の活動の振り返りと今後の展望について説明した。(2018/12/20)

組み込み開発ニュース:
AIに“全方位”で挑むインテル、GPUや専用プロセッサとどう戦うか
インテルは2018年12月17日、東京都内で記者説明会を開催し、2018年における同社の活動の振り返りと2019年以降の展望について説明した。本稿では、説明会で示された内容の中でAI(人工知能)やB2Bコンピューティングに関するトピックを中心に紹介する。(2018/12/18)

日本企業のクラウド化を阻む“最大の要因”とは?:
PR:IBM Cloudなら「国内AZ」で安全・確実に移行できる、これだけの理由
金融、製造、流通など、あらゆる業種で「既存システムのクラウド移行」の議論が進む中、企業がクラウドに求める要件も高度化しつつある。では今、多くの企業が求めている「エンタープライズシステムに不可欠な要件」とは何か? IBM Cloudはそれにどう応えているのか? 国内AZ(アベイラビリティゾーン)の提供をはじめ、リフト&シフトの技術的・心理的ハードル解消に向けて大掛かりなアップデートが施されたIBM Cloudの強化ポイントを聞いた。(2019/1/9)

どのようなデータに復旧の必要性があるのか
バックアップ用セカンダリーストレージを比較 フラッシュ、HDD、クラウドで最適なのは?
セカンダリーストレージが、データ保護の重要な要素になる可能性がある。本格的に導入する前に、使い勝手、処理速度、スケーラビリティ、コストなどを分析しておきたい。(2018/12/14)

福田昭のデバイス通信(171) Intelの「始まり」を振り返る(4):
Intelの創業4年目(前編)、半導体メモリのトップベンダーに成長
Intelの創業4年目(1971年)は、「飛躍の年」となった。不揮発性メモリとマイクロプロセッサという、2つの画期的な製品を開発したのだ。前編では、この2製品と、本社社屋の移転について紹介する。(2018/12/4)

メモリ関連の論文も豊富:
ISSCC 2019の目玉はAIと5Gに、CPUの話題は少ない?
2019年2月17〜21日に米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催される半導体回路技術関連の国際学会「ISSCC 2019」は、発表内容のほとんどが、機械学習(マシンラーニング)や高速ネットワーク、メモリが主役となる“データ時代”に関するものとなりそうだ。(2018/11/26)

コスト、サイズ、スピード、消費電力、セキュリティ:
PR:インダストリー4.0の新たな要件を満たすために、シリアルフラッシュテクノロジーはどのように進化すべきか
インダストリー4.0は、不揮発性メモリにも新たな要件を満たすように求めています。そこで、システム設計者がインダストリー4.0に向けた新しい機器設計を実装する際に役立つ、フラッシュメモリ製品の最新技術革新について紹介します。(2018/11/13)

東芝 TC35681IFTG:
Bluetooth v5.0 Low Energy規格準拠の車載向けIC
東芝デバイス&ストレージは、Bluetooth v5.0 Low Energy規格に準拠した車載向けIC「TC35681IFTG」を発表した。動作温度範囲は−40〜125℃で、車載用電子部品信頼性規格のAEC-Q100準拠を予定しており、厳しい車載環境で使用できる。(2018/11/12)

NANDフラッシュの世代交代はいつ?
3D XPointだけじゃない NANDやDRAMに代わる新たなメモリテクノロジー
NANDフラッシュはメモリ市場で優位に立っている。だが、コストとスケーリングの限界により、徐々にIntelの「3D XPoint」などの新たなテクノロジーにその立場を明け渡すことになるだろう。(2018/11/9)

DRAM搭載VMよりもTCOを削減:
Google Cloudで「Intel Optane DC Persistent Memory」搭載VMのα版を提供
Googleは、「Google Cloud Platform」で新サービスをα版としてリリースした。特徴は不揮発性メモリ「Intel Optane DC Persistent Memory」を搭載する仮想マシンを用いたことだ。インメモリデータベースを使うユーザーに向くという。(2018/11/1)

富士通セミコンダクター:
125℃動作を保証し5V対応、64kビットFRAM
富士通セミコンダクターは、125℃までの動作温度を保証し、最大5.5Vの電源電圧に対応する64kビットFRAM(強誘電体メモリ)「MB85RS64VY」を開発した。(2018/10/30)

組み込み開発ニュース:
離れた位置からデータの更新が可能なバッテリーレス電子ペーパータグ
富士通セミコンダクターは、E Ink Holdingsと共同で、UHF帯RFIDを利用し、電子ペーパーディスプレイの表示をバッテリーレスで変更できる技術を開発した。高速書き込み、低消費電力の不揮発性メモリFRAMを組み込んでいる。(2018/10/26)

インテル・プレスセミナー:
データ中心のコンピューティング新時代においてIntelが強みを発揮できる理由
インテルは、東京都内で「インテル・プレスセミナー」を開催。爆発的に増加するデータ量、そしてデータを中心とした変革が進む中、インテルのデータセンターテクノロジーの優位性はどこにあるのか。(2018/9/28)

その知識、ホントに正しい? Windowsにまつわる都市伝説(119):
最新Windows 10で見つけた謎のコマンド「Convertvhd.exe」の正体は……
Windows 10 バージョン1709には、システムディレクトリに「convertvhd.exe」というコマンドが追加されました。Hyper-VのPowerShellコマンドレットの一つ「Convert-VHD」に似ていますが、果たしてその正体は……。(2018/9/25)

富士通セミコン MB85RS4MT:
リアルタイムデータログに適した4MビットFRAM
富士通セミコンダクターは、4Mビットの不揮発性FRAM「MB85RS4MT」を発表した。10兆回の書き換えが可能で、高速での書き込み、低消費電力を特長とする。(2018/9/18)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
AMD復活の立役者がラティス新CEOに、問われるその手腕
Lattice Semiconductorの新CEOに、AMDを「Zen」で復活に導いたJim Anderson氏が就任する。技術畑の出身ながら低迷するAMDを立て直した手腕を見込まれての登用となるが、Zenのような“銀の弾丸”は用意できるのだろうか。(2018/9/18)

富士通セミコンダクター:
EEPROMの約1000万倍の書き換え回数を実現する4MビットFRAM「MB85RS4MT」
富士通セミコンダクターは、シリアルインタフェースのFRAMファミリーで最大メモリ容量である4Mビット品「MB85RS4MT」を開発し、2018年9月から量産品の提供を開始する。(2018/9/13)

高性能1GbitシリアルNAND:
PR:車載ディスプレイアプリケーションに最適な高容量フラッシュメモリが登場
インストルメントクラスタなど車載ディスプレイでは、よりリッチなグラフィックス表示が求められている。それに伴い、車載ディスプレイで使用する不揮発メモリの大容量化が必要になっている。そうした中で、読み出し速度、信頼性、互換性という車載ディスプレイの必須要件を満たした大容量NANDフラッシュが登場した。(2018/9/12)

メモリが不揮発性に
DIMMスロットに装着できる「Intel Optane」登場でストレージが変わる
Intelが発表した新Optaneは、DDR4 DIMMスロットに装着できることが特徴だ。不揮発性メモリを通常のメモリとして利用できるようになったことで、ストレージアーキテクチャはどう変わるのか。(2018/9/12)

フレキシブルで水中動作も可能:
グラフェンナノリボンで不揮発性メモリ、東北大が開発
東北大学は2018年8月8日、原子オーダーの厚みを持つシート材料である「グラフェンナノリボン(GNR)」を用い、耐環境性に優れた新型メモリの開発に成功したと発表した。水中でも動作可能なフレキシブル不揮発性メモリなど、幅広い応用が期待できる技術としている。(2018/8/9)

STマイクロエレクトロニクス STUSB4500:
USB Type-Cへの容易な移行を実現するUSB Type-C/PDコントローラー
STマイクロエレクトロニクスは、スタンドアロン型のUSB Type-C/USB Power Delivery(USB PD)コントローラー「STUSB4500」を発表した。(2018/8/1)

マキシム DS28E83:
医療機器などに対応する耐放射線セキュア認証用IC
Maxim Integrated Productsは、DeepCoverセキュア認証用ICの「DS28E83」を発表した。滅菌時に使用するガンマ線や電子線の照射から手術器具のデータを保護し、安全な器具使用管理機能や偽造防止機能など器具のセキュリティを提供する。(2018/7/20)

仕組みやメリットを比較
NAND型フラッシュメモリの「チャージトラップ」と「フローティングゲート」の違い
「チャージトラップ」方式のNAND型フラッシュメモリは、旧式の「フローティングゲート」方式と比べて何が優れているのか。現状の課題は。(2018/7/19)

コストと信頼性で高まるニーズ:
NORフラッシュ、車載分野に活路
NORフラッシュは、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)の後継メモリとして多くのアプリケーションにおいて新たな可能性を見いだしている。(2018/7/6)

勢いづく主要ベンダーと新興ベンダー
「NVMe」はフラッシュストレージ進歩の第一歩、注目すべきはその先
フラッシュ技術はストレージクラスメモリ(SCM)に移行し始めている。ストレージをさらに大きく前進させる第一歩になるのはNVMeだが、その次を見通す必要がある。(2018/7/2)

Publickey:
インメモリDBの「SAP HANA」、Intelの不揮発性メモリに正式対応 サーバダウン時もデータを失わず高速起動
「SAP HANA」がインテルの不揮発性メモリに正式に対応したことを発表しました。インメモリDBに、不揮発性メモリを利用するメリットはどこにあるのでしょうか。SAP HANAの内部構造からそれを解き明かします。(2018/6/18)

福田昭のストレージ通信(104) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(4):
IoT/自動車向けMRAMに対する要求仕様とデータ書き換え特性
埋め込みフラッシュメモリの置き換えを想定したMRAM(eMRAM-F)と、埋め込みSRAMの置き換えを想定したMRAM(eMRAM-S)が、IoT(モノのインターネット)や自動車で使われる場合、どういった仕様が要求されるのか。データの書き換え特性を中心に解説する。(2018/6/4)

福田昭のストレージ通信(103) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(3):
埋め込みMRAM技術がフラッシュとSRAMを置き換えへ
今回は、GLOBALFOUNDRIESが提供する埋め込みMRAMマクロの概要を解説する。(2018/5/25)

ハイレベルマイコン講座(1)【セキュリティ編】:
マイコンのセキュリティ機能を詳細解説 〜ハードウェア編
マイコンを使い込んでいる上級者を対象にさらなるスキルアップ、知識習得を目指す連載「ハイレベルマイコン講座」。今回から2回にわたって、マイコンで実現されるセキュリティ機能について詳しく解説する。(2018/5/29)

富士通のサーバに採用:
Arria 10を統合した「Xeon」、Intelが量産開始
Intelは2018年5月17日(米国時間)、データセンターなど向けのプロセッサ「Xeonスケーラブルプロセッサ」について、FPGAを統合した「Xeon Gold 6138P」の量産を開始し、一部のベンダーに向けて提供を開始したと発表した。(2018/5/24)

書き込み電流も同時に評価:
STT-MRAM用テスト装置、測定が2万倍高速に
東北大学とキーサイト・テクノロジーは、STT-MRAM(スピン注入磁化反転型磁気メモリ)の信頼性評価を高速かつ正確に行う技術を開発した。従来システムに比べ2万倍も高速に測定することができる。(2018/5/17)

サイプレス EZ-PD CMG1:
USB Type-C 1.3規格に完全準拠のコントローラー
サイプレス セミコンダクタは、Electronically Markedケーブル向けのUSB-C電源供給コントローラー「EZ-PD CMG1」を発表した。最新のUSB Type-C 1.3規格に完全準拠しており、高速充電に対応する。(2018/5/17)

福田昭のストレージ通信(102) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(2):
微細化限界に達したフラッシュをMRAMで置き換え
埋め込みフラッシュメモリが直面する課題は、微細化の限界である。GLOBALFOUNDRIESは、2xnm以下の技術世代に向けた埋め込み不揮発性メモリとして、MRAM(磁気抵抗メモリ)を考えている。(2018/5/15)

ホワイトペーパー:
徹底解説:次世代のメモリ技術「NVDIMM」の正体
次世代メモリ技術の発展により、ストレージとメモリを統合するアプローチが現実味を帯びてきている。不揮発性メモリをDIMMスロットに搭載する標準仕様「NVDIMM」は既に利用できる製品だ。最近ではOpenStackコミュニティーもNVDIMMの採用を検討している。(2018/5/18)



2013年のα7発売から5年経ち、キヤノン、ニコン、パナソニック、シグマがフルサイズミラーレスを相次いで発表した。デジタルだからこそのミラーレス方式は、技術改良を積み重ねて一眼レフ方式に劣っていた点を克服してきており、高級カメラとしても勢いは明らかだ。

言葉としてもはや真新しいものではないが、半導体、デバイス、ネットワーク等のインフラが成熟し、過去の夢想であったクラウドのコンセプトが真に現実化する段階に来ている。
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クラウドサービスのレビューサイト:ITreview

これからの世の中を大きく変えるであろうテクノロジーのひとつが自動運転だろう。現状のトップランナーにはIT企業が目立ち、自動車市場/交通・輸送サービス市場を中心に激変は避けられない。日本の産業構造にも大きな影響を持つ、まさに破壊的イノベーションとなりそうだ。