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「不揮発性メモリ」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「不揮発性メモリ」に関する情報が集まったページです。

関連キーワード

「ストレージクラスメモリ」の可能性と市場動向【後編】
次世代メモリ「SCM」に挑むMicron、キオクシア、Samsung Optaneを追うのは?
主要メモリベンダー各社が「ストレージクラスメモリ」(SCM)の開発を進めており、ストレージアレイやサーバへの採用も進む。市場はどう動くのか。(2020/7/23)

「ストレージクラスメモリ」の可能性と市場動向【前編】
「ストレージクラスメモリ」(SCM)は何の役に立つのか? 実現可能な使い方
メインメモリとストレージの中間的な役割を果たす「ストレージクラスメモリ」(SCM)。メモリやストレージとどう違い、どう使えるのだろうか。(2020/7/14)

大容量FeRAMなどの開発に期待:
岡山大ら、強誘電体の傾斜したバンド構造を初観測
岡山大学と高輝度光科学研究センター(JASRI)、産業技術総合研究所(産総研)、東京工業大学、パリサクレー大学の共同研究グループは、電気分極に由来する強誘電体の傾斜したバンド構造の観測に初めて成功した。(2020/7/7)

リコー RN5T5610シリーズ:
過酷な温度環境下で各電源系統を制御可能なPMIC
リコー電子デバイスは、産業機器向けシステム電源管理IC「RN5T5610」シリーズを発表した。主要なSoC、FPGAに広く対応し、105℃まで使用できるため、過酷な温度環境で動作するモーター制御機器や組み込み機器用途に適している。(2020/6/30)

クラスタの回転運動も直接観察:
低電流密度のパルス電流でスキルミオンを制御
理化学研究所(理研)の于秀珍氏らは、低電流密度のパルス電流で直径100nm以下の磁気渦「スキルミオン」を制御することに成功した。(2020/6/23)

2次元配列の「配線問題」を解決:
多層ニューラルネットワークを1チップに多層構造で実装 東京大学生産技術研究所の小林正治氏らが3次元集積デバイスを開発
東京大学生産技術研究所の准教授を務める小林正治氏らは、IGZOトランジスタと抵抗変化型不揮発性メモリを3次元集積したデバイスの開発に成功した。ディープラーニングの多層ニューラルネットワークを1チップ上に多層構造で実装可能になる。(2020/6/18)

書き込み60MHz、読み出し90MHzを達成:
「世界初」SOT-MRAMチップの動作実証に成功、東北大
東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター(以下、CIES)と同大電気通信研究所は2020年6月15日、スピン軌道トルク型磁気トンネル接合(SOT-MTJ)素子を用いた不揮発性メモリ(SOT-MRAM)チップを試作し、その動作実証に世界で初めて成功した、と発表した。(2020/6/18)

多層ニューラルネットを1チップに:
東京大、IGZOトランジスタとRRAMを3次元集積
東京大学生産技術研究所の小林正治准教授らは、膜厚が極めて薄い酸化物半導体「IGZO」を用いたトランジスタと、抵抗変化型不揮発性メモリ(RRAM)を3次元集積したデバイスを開発し、インメモリコンピューティングの機能実証に成功した。(2020/6/17)

名刺サイズの超小型PC「ラズパイ」で遊ぶ(第21回):
「圧倒的に速い」──ラズパイにOSをインストールする新ツール「Raspberry Pi Imager」
小さなマイクロコンピュータ「Raspberry Pi」(通称ラズパイ)で作る、自分だけのガジェット。今回は、公式から登場したOSインストールの新ツールを解説します。(2020/6/5)

サンケン電気 MD6752:
2コンバーター構成電源を1パックで制御するIC
サンケン電気は、2コンバーター構成電源を1パッケージで制御可能なデジタル制御電源IC「MD6752」を開発した。コンバーター回路の簡素化により、電源基板サイズを10%小型化できる。(2020/6/3)

ルネサス ZSSC3240:
産業、医療、IoT向けのセンサーシグナルコンディショナーIC
ルネサス エレクトロニクスは、24ビットA-Dコンバーター搭載のセンサーシグナルコンディショナーIC「ZSSC3240」を発売した。最大540V/V対応のアナログフロントエンド、26ビットDSP、16ビットD-Aコンバーター、不揮発性メモリなどを搭載する。(2020/5/29)

Q&Aで学ぶマイコン講座(55):
マイコン内蔵フラッシュメモリの書き込み&消去動作
マイコンユーザーのさまざまな疑問に対し、マイコンメーカーのエンジニアがお答えしていく本連載。55回目は、初級者の方からよく質問される「マイコンに内蔵されたフラッシュメモリの書き込み&消去動作」についてです。(2020/5/28)

Oracle JDK 14の新機能やプレビュー版機能を解説
「Java 14」は何が新しいのか? 注目要素をおさらい
Oracleが公開したJava開発・実行環境の最新バージョン「Oracle JDK 14」(「Java 14」)には、どのような新要素があるのか。注目すべき要素を解説する。(2020/5/16)

NAND型フラッシュメモリの進化と現実【後編】
「QLC」と「TLC」の違いとは? NAND型フラッシュメモリの賢い選び方
「QLC」方式と「TLC」方式のNAND型フラッシュメモリのどちらが適切かは、どのような基準で判断すればよいのか。用途に注目して両者を比較する。(2020/5/2)

電流を用いてワイル粒子を制御:
ワイル粒子を用いた不揮発性メモリの原理を検証
東京大学物性研究所らの研究グループは、反強磁性体中でワイル粒子を電気的に制御する手法を開発した。ワイル粒子が作りだす巨大な電圧信号を用いた不揮発性メモリの動作原理についても実証した。(2020/4/22)

性能向上でNORフラッシュからの移行進む:
PR:人工知能を実装する組み込みシステムにシリアルNANDフラッシュを採用すべき理由
この記事では、人工知能(AI)を組み込みシステムに実装する開発者がブートコードおよびアプリケーションコード格納用に、シリアルNORフラッシュからシリアルNANDフラッシュに移行することの利点に目を向け、NANDフラッシュの信頼性や寿命、パフォーマンスについて改めて検討すべき理由を説明します。(2020/4/15)

「ストレージクラスメモリ」に関する5つのQ&A【前編】
次世代メモリ「ストレージクラスメモリ」(SCM)とは? 利点と用途を解説
ストレージとメモリの“いいとこ取り”を目指す「ストレージクラスメモリ」(SCM)。SCMが自社に適しているかどうかを判断する基準として、その技術的特性やメリット、用途などを紹介する。(2020/4/16)

フラッシュストレージが主流になる理由【前編】
SATA/SAS接続型SSDではなく、なぜ「NVMeフラッシュ」が選ばれるのか
ストレージインタフェースにSATAやSASを採用したSSDよりも、NVMeを採用したフラッシュストレージが選ばれる傾向があるという。その理由とは何か。(2020/3/16)

ピカリング 41-761:
32チャンネルのPXI絶縁型熱電対シミュレーター
ピカリング インタフェースは、熱電対シミュレーション用モジュール「41-761」を発表した。1つのPXIスロットで最大32個の独立絶縁チャンネルに対応し、±20mV、±50mV、±100mVの電圧範囲をカバーする。(2020/3/4)

「SSD」「HDD」使い分けのポイント【前編】
SSDに“主役”を譲っても「HDD」の出荷容量が伸び続ける理由
ストレージ市場でHDDからSSDなどのフラッシュストレージへの移行が進む。ところがHDDの出荷容量は増加傾向にあり、HDDベンダーは大容量化に寄与する技術開発を進めている。ストレージ市場の現状を整理してみよう。(2020/3/2)

実装密度を従来の12倍に向上:
ビアスイッチでプログラムするFPGAチップを開発
大阪大学の橋本昌宜教授らによる研究グループは、配線層内に設けたビアスイッチで論理機能をプログラムする「ビアスイッチFPGAチップ」を開発した。(2020/2/27)

パナソニック MN67S3C0シリーズ:
内部で認証鍵の生成と消去ができるセキュアIC
パナソニックは、多機能セキュアIC「MN67S3C0」シリーズを発表した。IC内部で固有認証鍵の生成と消去ができることから、IoTや産業用機器に追加実装するだけで、重要データを保護できる。(2020/2/17)

膨大な取材を終えて:
「CES 2020」で感じた10の所感
膨大な数の記者会見やインタビューが行われた「CES 2020」。CESでの取材を終えて筆者が感じた「10の所感」をまとめる。(2020/1/24)

「Optane」で進化するメモリ技術【後編】
次世代メモリ「Optane」はDRAMと何が違う? 2つの動作モードを解説
Intelの新メモリ技術「3D XPoint」をベースにしたメモリモジュール「Optane DCPM」は、Memory ModeとApplication Direct Modeの2つのモードで動作する。それぞれの違いを解説する。(2019/12/10)

「Optane」で進化するメモリ技術【前編】
Intelが次世代メモリOptaneで実現した「ストレージクラスメモリ」とは?
Intelは次世代メモリ技術「3D XPoint」をベースにしたメモリ製品群「Optane」を市場に投入した。従来のメモリのどのような課題を解消したのか。(2019/12/4)

NXP LPC552x、LPC55S2x:
Cortex-M33ベースのMCU、40nm NVMプロセスで性能を向上
NXPセミコンダクターズは、高い性能効率を誇るマイクロコントローラー「LPC552x」「LPC55S2x」ファミリーを発表した。ピンや周辺機器と互換性があり、開発期間の短縮に貢献する。また、複数の高速インタフェース、先進セキュリティ機能を備える。(2019/11/22)

コスト競争力をどう実現するのか:
次世代メモリのPCM、「Optane」以外の動向は?
PCM(相変化メモリ)は2019年の初めに、注目すべき3つの新しいメモリ技術の一つとして取り上げられた。その主な理由は、Intelが「3D XPoint」メモリ(PCMであることが明らかになっている)を「Optane」ブランドで本格的に展開し始めたからだろう。では、3D XPoint以外のPCMについてはどうだろうか。(2019/11/20)

マキシム DS28C40:
AEC-Q100グレード1のセキュア認証用IC
Maxim Integrated Productsは、DeepCover車載グレードセキュア認証用IC「DS28C40」を発表した。同社は、車載システム用AEC-Q100規格のグレード1性能を満たす「唯一の認証用IC」としている。(2019/11/19)

メモリ新技術を巡る動き【後編】
Intelが構想する「144層3D NAND」「PLC」フラッシュメモリ実用化までの道のり
メモリ技術の進化は現時点でどこまで見えているのだろうか。Intelやキオクシア(旧東芝メモリ)、Western Digitalなどの動向から、144層3D NAND、PLC NANDといったメモリ新技術の動向を紹介する。(2019/11/19)

NORはIoT機器などで採用進むか:
NORフラッシュのSLC NANDへの置き換えが進む?
NOR型フラッシュメモリが微細化の限界に達しつつある中、キオクシア(旧東芝メモリ)は一部の用途において、プレーナ型SLC(Single Level Cell) NAND型フラッシュメモリが優れた代替製品になるのではないかと考えている。(2019/11/18)

AIやセキュリティの製品も:
もはや単なる“メモリベンダー”ではないMicron
Micron Technologyが2019年10月24日(米国時間)に米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催した自社イベント「Micron Insight 2019」は、Micronが単なるメモリベンダーにはとどまらない、という決意が現れたものとなった。(2019/11/8)

メモリ新技術を巡る動き【前編】
Intelの「Optane」新世代メモリはNANDフラッシュメモリよりどれだけ優秀か?
Intelが「3D XPoint」技術をベースにしたメモリ「Optane」搭載の次世代製品に関するロードマップを公開した。NANDフラッシュメモリの性能とはどう違い、市場に出るのはいつ頃になるのだろうか。(2019/11/11)

車載半導体:
粗悪な交換部品がクルマに使われないようにする、ICでセキュア認証
Maxim Integrated Products(マキシム)は2019年10月31日(現地時間)、セキュア認証用車載ICの新製品「DS28C40」を発表した。(2019/11/1)

PCの新たな可能性を切り開く「Optane Persistent Memory」――「Intel Memory & Storage Day」レポート その2
Intelが、SSDを含むストレージ関連の半導体技術を一挙に紹介する「Intel Memory & Storage Day」を韓国で開催した。この記事では、同社のメモリ事業の命運を握る「Optane Persistent Memory」に関する動向を紹介する。(2019/10/21)

バンガロールに続き2つ目:
Micron、インドにグローバル開発センターを開設
Micron Technology(以下、Micron)は2019年10月4日(現地時間)、インド・テランガーナ州ハイデラバードにグローバル開発センターを正式に開設した。(2019/10/10)

3D NANDは144層へ、Optaneも更新:
SCMで主導権目指すIntel、最新メモリを一挙に発表
Intelは2019年9月26日、世界各国の報道機関を対象に同社のメモリ/ストレージの新製品や戦略、採用事例を紹介する「Intel Memory and Storage Day」を韓国・ソウルで開催。同イベントに合わせて、「Optane DC Persistent Memory」の第2世代となる「Barlow Pass」(開発コード名)、QLC(Quad Level Cell)を用いた144層の3D(3次元) NANDフラッシュメモリなどを発表した。(2019/10/10)

「QLC」の期待と課題【前編】
「QLC」方式のNAND型フラッシュメモリはHDDの代わりになるのか?
QLC方式のNAND型フラッシュメモリはデータを高密度で保持できる利点があるが、犠牲になる性能もある。それを理解する上で役立つのが、データを保持する仕組みを知ることだ。(2019/9/27)

STマイクロ STNRGPF12:
産業機器向けデジタルPFCコントローラー
STマイクロエレクトロニクスは、産業機器向けのデジタルPFC(力率改善)コントローラー「STNRGPF12」を発表した。平均電流モード制御を使用し、固定周波数の連続導通モード(CCM)で動作する。(2019/8/29)

福田昭のデバイス通信(195) 2019年度版実装技術ロードマップ(6):
電子産業が「医療・生命科学」に期待するもの
今回は、「メディカル・ライフサイエンス(医療・生命科学)」から前半部分の概要を報告する。同分野でのエレクトロニクス技術に対するニーズや、エレクトロニクス技術が貢献できそうな事柄には、どんなものがあるのだろうか。(2019/8/6)

将来のクラウド活用やDXを見据えた選択を:
PR:「オールフラッシュはまだ高い」は本当か? 限られた予算でデータ管理を“モダナイズ”するための最適解
オールフラッシュのメリットは十分に理解しているが、問題は価格──。中堅・中小企業からはそんな声を聞く機会が増えてきた。オールフラッシュストレージは、エントリー向けの最小構成モデルでも導入時に500万円を超えるケースがほとんど。そんな中、ネットアップが中堅・中小企業でも手が届く新たなオールフラッシュモデルを提供開始した。最小構成で270万円からという新モデル「AFF C190」を投入した狙いを、ネットアップの神原豊彦氏と大野靖夫氏に伺った。(2019/8/8)

福田昭のストレージ通信(156) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(15):
新材料で次々世代を狙う「強誘電体メモリ(FeRAM)」
今回は「強誘電体メモリ(FeRAM)」を取り上げる。FeRAMの記憶原理と、60年以上に及ぶ開発の歴史を紹介しよう。(2019/7/24)

3年プロジェクトが発足:
エッジAI向け低電力チップ、EUが総力を挙げて開発へ
ベルギーの研究機関imecをはじめとする19の研究機関および企業が、EUの3年間プログラム「TEMPO(Technology & hardware for nEuromorphic coMPuting)」で、複数の新しいメモリ技術をベースとした低消費電力のエッジAIチップの開発を進めているという。(2019/7/11)

福田昭のストレージ通信(155):
ハードディスク業界の国内最大イベント、今年は7月末に開催(後編)
2019年7月25〜26日に開催される「国際ディスクフォーラム」のプログラムを紹介する。後編では、2日目(7月26日)のプログラム内容を取り上げたい。(2019/7/10)

福田昭のストレージ通信(153) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(14):
次々世代の不揮発性メモリ技術「カーボンナノチューブメモリ(NRAM)」
次世代メモリの有力候補入りを目指す、カーボンナノチューブメモリ(NRAM:Nanotube RAM)について解説する。NRAMの記憶原理と、NRAMの基本技術を所有するNanteroの開発動向を紹介しよう。(2019/7/2)

2020年からは好転の見通し:
DRAM価格、2019年に40%下落と予測、Yole
フランスの市場調査会社Yole Développementは6月、最新のメモリ市場に関する予測を発表した。同社は、2018年から続くメモリの供給過剰によって、「DRAMの価格が2019年に40%下落する。2020年までに再び上昇することはないだろう」としている。(2019/7/1)

福田昭のストレージ通信(152) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(13):
抵抗変化メモリ(ReRAM)の製品化動向と製造コスト見通し
抵抗変化メモリ(ReRAM)の製品化動向と製造コスト見通しを紹介する。特に、ReRAMの製品化で大きな役割を果たしているベンチャー企業各社を取り上げたい。(2019/6/24)

湯之上隆のナノフォーカス(14):
メモリ不況の夜明けは近い、市場動向から見たDRAMとNANDの挙動
世界半導体市場統計(WSTS)のデータを用いて市場動向をグラフにしてみたところ、両者の挙動が大きく異なることを発見した。本稿では、その挙動を示すとともに、その理由を考察する。その上で、二つのメモリ市場の未来を展望する。(2019/6/17)

IGZOと次世代機能性材料を融合:
東大生研、大容量&低消費電力のFeFETを開発
 東京大学生産技術研究所は2019年6月10日、大容量で低消費電力な8nmの極薄IGZOチャネルを有するトランジスタ型強誘導体メモリ(FeFET)を開発した、と発表した。同所は、「IoTデバイスのエネルギー効率が飛躍的に向上し、より高度で充実したネットワーク、サービスの展開が期待される」としている。(2019/6/12)

福田昭のストレージ通信(149) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(10):
磁気抵抗メモリ(MRAM)の長所と短所
今回から磁気抵抗メモリ(MRAM)について解説する。まずはMRAMの構造と、長所、短所をそれぞれ説明しよう。(2019/6/11)

福田昭のストレージ通信(147) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(8):
一度消えたPCMが「3D XPointメモリ」で劇的にカムバック
今回は、相変化メモリ(PCM)が市場から一度消えた後に、「3D XPointメモリ」で劇的に復活したことをご説明しよう。(2019/6/3)



にわかに地球規模のトピックとなった新型コロナウイルス。健康被害も心配だが、全国規模での臨時休校、マスクやトイレットペーパーの品薄など市民の日常生活への影響も大きくなっている。これに対し企業からの支援策の発表も相次いでいるが、特に今回は子供向けのコンテンツの無料提供の動きが顕著なようだ。一方産業面では、観光や小売、飲食業等が特に大きな影響を受けている。通常の企業運営においても面会や通勤の場がリスク視され、サーモグラフィやWeb会議ツールの活用、テレワークの実現などテクノロジーによるリスク回避策への注目が高まっている。