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「不揮発性メモリ」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「不揮発性メモリ」に関する情報が集まったページです。

STマイクロ STNRGPF12:
産業機器向けデジタルPFCコントローラー
STマイクロエレクトロニクスは、産業機器向けのデジタルPFC(力率改善)コントローラー「STNRGPF12」を発表した。平均電流モード制御を使用し、固定周波数の連続導通モード(CCM)で動作する。(2019/8/29)

福田昭のデバイス通信(195) 2019年度版実装技術ロードマップ(6):
電子産業が「医療・生命科学」に期待するもの
今回は、「メディカル・ライフサイエンス(医療・生命科学)」から前半部分の概要を報告する。同分野でのエレクトロニクス技術に対するニーズや、エレクトロニクス技術が貢献できそうな事柄には、どんなものがあるのだろうか。(2019/8/6)

将来のクラウド活用やDXを見据えた選択を:
PR:「オールフラッシュはまだ高い」は本当か? 限られた予算でデータ管理を“モダナイズ”するための最適解
オールフラッシュのメリットは十分に理解しているが、問題は価格──。中堅・中小企業からはそんな声を聞く機会が増えてきた。オールフラッシュストレージは、エントリー向けの最小構成モデルでも導入時に500万円を超えるケースがほとんど。そんな中、ネットアップが中堅・中小企業でも手が届く新たなオールフラッシュモデルを提供開始した。最小構成で270万円からという新モデル「AFF C190」を投入した狙いを、ネットアップの神原豊彦氏と大野靖夫氏に伺った。(2019/8/8)

福田昭のストレージ通信(156) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(15):
新材料で次々世代を狙う「強誘電体メモリ(FeRAM)」
今回は「強誘電体メモリ(FeRAM)」を取り上げる。FeRAMの記憶原理と、60年以上に及ぶ開発の歴史を紹介しよう。(2019/7/24)

3年プロジェクトが発足:
エッジAI向け低電力チップ、EUが総力を挙げて開発へ
ベルギーの研究機関imecをはじめとする19の研究機関および企業が、EUの3年間プログラム「TEMPO(Technology & hardware for nEuromorphic coMPuting)」で、複数の新しいメモリ技術をベースとした低消費電力のエッジAIチップの開発を進めているという。(2019/7/11)

福田昭のストレージ通信(155):
ハードディスク業界の国内最大イベント、今年は7月末に開催(後編)
2019年7月25〜26日に開催される「国際ディスクフォーラム」のプログラムを紹介する。後編では、2日目(7月26日)のプログラム内容を取り上げたい。(2019/7/10)

福田昭のストレージ通信(153) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(14):
次々世代の不揮発性メモリ技術「カーボンナノチューブメモリ(NRAM)」
次世代メモリの有力候補入りを目指す、カーボンナノチューブメモリ(NRAM:Nanotube RAM)について解説する。NRAMの記憶原理と、NRAMの基本技術を所有するNanteroの開発動向を紹介しよう。(2019/7/2)

2020年からは好転の見通し:
DRAM価格、2019年に40%下落と予測、Yole
フランスの市場調査会社Yole Développementは6月、最新のメモリ市場に関する予測を発表した。同社は、2018年から続くメモリの供給過剰によって、「DRAMの価格が2019年に40%下落する。2020年までに再び上昇することはないだろう」としている。(2019/7/1)

福田昭のストレージ通信(152) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(13):
抵抗変化メモリ(ReRAM)の製品化動向と製造コスト見通し
抵抗変化メモリ(ReRAM)の製品化動向と製造コスト見通しを紹介する。特に、ReRAMの製品化で大きな役割を果たしているベンチャー企業各社を取り上げたい。(2019/6/24)

湯之上隆のナノフォーカス(14):
メモリ不況の夜明けは近い、市場動向から見たDRAMとNANDの挙動
世界半導体市場統計(WSTS)のデータを用いて市場動向をグラフにしてみたところ、両者の挙動が大きく異なることを発見した。本稿では、その挙動を示すとともに、その理由を考察する。その上で、二つのメモリ市場の未来を展望する。(2019/6/17)

IGZOと次世代機能性材料を融合:
東大生研、大容量&低消費電力のFeFETを開発
 東京大学生産技術研究所は2019年6月10日、大容量で低消費電力な8nmの極薄IGZOチャネルを有するトランジスタ型強誘導体メモリ(FeFET)を開発した、と発表した。同所は、「IoTデバイスのエネルギー効率が飛躍的に向上し、より高度で充実したネットワーク、サービスの展開が期待される」としている。(2019/6/12)

福田昭のストレージ通信(149) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(10):
磁気抵抗メモリ(MRAM)の長所と短所
今回から磁気抵抗メモリ(MRAM)について解説する。まずはMRAMの構造と、長所、短所をそれぞれ説明しよう。(2019/6/11)

福田昭のストレージ通信(147) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(8):
一度消えたPCMが「3D XPointメモリ」で劇的にカムバック
今回は、相変化メモリ(PCM)が市場から一度消えた後に、「3D XPointメモリ」で劇的に復活したことをご説明しよう。(2019/6/3)

2019年に盛り上がる「データ分析トレンド」トップ10とは?――ガートナー
これらの10のトレンドが市場にもたらすデジタルディスラプション(破壊)は、膨大なデータやデータ環境の複雑化をもたらすと同時に、「新たな機会を創出する」という。(2019/5/31)

福田昭のストレージ通信(146) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(7):
次世代メモリ技術の最有力候補はPCMとMRAM、ReRAM
今回は、次世代メモリの立ち位置を再確認した上で、相変化メモリ(PCM)、磁気抵抗メモリ(MRAM)、抵抗変化メモリ(ReRAM)という3つの最有力候補について解説する。(2019/5/22)

最先端の研究が進む:
微弱な刺激で発光、変形する「ソフトクリスタル」
「結晶」でありながら、蒸気にさらしたり、こすったりといった極めて弱いマクロな刺激によって、発光や変色、変形など目に見える変化を見せる――。そんな、これまでの常識を覆すような新しい物質群「ソフトクリスタル」の研究が進められている。研究者らは、2019年4月、東京都内で公開シンポジウムを開催し、最新の研究内容を紹介した。(2019/5/10)

TDK HAL1890:
SENTプロトコルを備えたリニアホールセンサー
TDK-Micronasの製品に、SENT出力を備えたリニアホールセンサー「HAL1890」が追加された。デジタル出力信号監視機能を備え、SENTデータフォーマットや、高速・低速信号伝達チャンネルにおけるエラー情報の送信をサポートする。(2019/4/25)

エッジ利用を視野
HDDも追加可能な低遅延のオールフラッシュ Western Digitalが国内発売
HDDやSSDを中心に事業展開してきたWestern Digitalが、フラッシュアレイやコンポーザブルインフラの国内販売を開始した。レイテンシを抑え、HDDを追加可能にしたオールフラッシュモデルなど2モデルを用意する。(2019/4/15)

Micron Technology Sumit Sadana氏:
メモリを取り巻く状況、19年後半には改善へ Micron
2018年における半導体メーカー売上高ランキングで第4位、米国企業としてはIntelに次ぐ2位を獲得した、メモリメーカーのMicron Technology(以下、Micron)。同社で、Executive Vice President兼CBO(Chief Business Officer)を務めるSumit Sadana氏に、今後の投資予定や製品戦略などを聞いた。(2019/4/1)

Q&Aで学ぶマイコン講座(45):
フラッシュメモリにはウェイトステートがなぜ必要なのか
マイコンユーザーのさまざまな疑問に対し、マイコンメーカーのエンジニアがお答えしていく本連載。45回目は、初心者の方からよく質問される「フラッシュメモリのウェイトステート」についてです。(2019/3/28)

あらゆる工夫を盛り込んだ:
超低消費電力のシリアルフラッシュ、標準品比で70%減
Adesto Technologies(以下、Adesto)は、組み込み技術の国際展示会「embedded world 2019」(2019年2月26〜28日、ドイツ・ニュルンベルク)で、2月25日(米国時間)に発表したばかりの不揮発性メモリ「Fusion HD(Higher Density)」のデモを展示した。(2019/3/22)

核心的テクノロジーに注目
2019年注目のストレージスタートアップ“えりすぐりの9社”
ストレージのスタートアップ企業は、成功するよりも失敗に終わる可能性が高い。それでも、意欲のある企業がクラウド、バックアップ、コンバージェンス、フラッシュの革新的テクノロジーに挑んでいる。(2019/3/20)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
車載向けで進む28nmプロセス採用――ルネサス、STマイクロを追従するカギはNVM
エレクトロニクス/組み込み業界の動向をウォッチする連載。今回は、2019年2月の業界動向の振り返りとして、ドイツ・ニュルンベルクで開催された「embedded world 2019」に絡めて“MCUの話題”を2つ紹介する。(2019/3/14)

ロジックへの統合が容易:
Samsung、28nm FD-SOIプロセス適用のeMRAMを出荷へ
Samsung Electronics(以下、Samsung)は、28nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター、以下FDS)プロセスをベースにした最初のeMRAM(組み込み型磁気抵抗メモリ)製品の量産を発表した。(2019/3/12)

フォトロン FASTCAM MH6:
自動車衝突安全試験用高速度カメラ、最大6ヘッド接続による完全同期撮影を実現
フォトロンは、超小型カメラヘッドを最大6つ同時接続できるハイスピードカメラ「FASTCAM MH6」の販売開始を発表した。(2019/3/8)

AIとIoTでの活用が進む
データレイクを「沼地」にしないために 2019年ストレージ技術予測
専門家によると2019年は、ビッグデータ分析、AI(人工知能)、機械学習、IoT(モノのインターネット)のための「ストレージアーキテクチャの見直し」が重要になるという。(2019/3/5)

福田昭のストレージ通信(134) 半導体メモリの勢力図(5):
既存のメモリと次世代のメモリを比較する
今回は、DRAMやNANDフラッシュメモリなど既存のメモリと、MRAM(磁気抵抗メモリ)やReRAM(抵抗変化メモリ)といったエマージング・メモリ(次世代メモリ)の特徴を比較する。(2019/2/8)

10nmプロセスやハイブリッドCPUを導入:
Intel、次世代のコンピューティングをけん引する多数の新技術を披露
Intelは「CES 2019」向けに、PCプラットフォームや、クラウド、ネットワーク、エッジを支える基盤、人々のエクスペリエンスを拡張する技術に関する多くの発表を行った。(2019/1/10)

車載半導体:
組み込み型相変化メモリ内蔵の車載マイコン、サンプル出荷を開始
STマイクロエレクトロニクスは、組み込み型相変化メモリ「ePCM」を内蔵した車載マイコンのサンプル出荷を開始した。AEC-Q100 Grade 0準拠のePCMを組み込んだ同マイコンは、高温下でもデータの安全性を確保する。(2019/1/9)

どちらもコンピュータの記憶領域
メモリとストレージは何が違うのか?
メモリとストレージがそれぞれコンピュータに対して果たす役割は似ているが、両者は別物だ。その違いは、コンピュータの電源が切れた時に、それぞれの保存データがそのまま保持されるかどうかにある。(2019/1/8)

データセンターの革新に向け:
Intelは「データの移動・保存・処理」で貢献
Intelの日本法人であるインテルは2018年12月17日、都内で開催した記者説明会で2018年の活動の振り返りと今後の展望について説明した。(2018/12/20)

組み込み開発ニュース:
AIに“全方位”で挑むインテル、GPUや専用プロセッサとどう戦うか
インテルは2018年12月17日、東京都内で記者説明会を開催し、2018年における同社の活動の振り返りと2019年以降の展望について説明した。本稿では、説明会で示された内容の中でAI(人工知能)やB2Bコンピューティングに関するトピックを中心に紹介する。(2018/12/18)

日本企業のクラウド化を阻む“最大の要因”とは?:
PR:IBM Cloudなら「国内AZ」で安全・確実に移行できる、これだけの理由
金融、製造、流通など、あらゆる業種で「既存システムのクラウド移行」の議論が進む中、企業がクラウドに求める要件も高度化しつつある。では今、多くの企業が求めている「エンタープライズシステムに不可欠な要件」とは何か? IBM Cloudはそれにどう応えているのか? 国内AZ(アベイラビリティゾーン)の提供をはじめ、リフト&シフトの技術的・心理的ハードル解消に向けて大掛かりなアップデートが施されたIBM Cloudの強化ポイントを聞いた。(2019/1/9)

どのようなデータに復旧の必要性があるのか
バックアップ用セカンダリーストレージを比較 フラッシュ、HDD、クラウドで最適なのは?
セカンダリーストレージが、データ保護の重要な要素になる可能性がある。本格的に導入する前に、使い勝手、処理速度、スケーラビリティ、コストなどを分析しておきたい。(2018/12/14)

福田昭のデバイス通信(171) Intelの「始まり」を振り返る(4):
Intelの創業4年目(前編)、半導体メモリのトップベンダーに成長
Intelの創業4年目(1971年)は、「飛躍の年」となった。不揮発性メモリとマイクロプロセッサという、2つの画期的な製品を開発したのだ。前編では、この2製品と、本社社屋の移転について紹介する。(2018/12/4)

メモリ関連の論文も豊富:
ISSCC 2019の目玉はAIと5Gに、CPUの話題は少ない?
2019年2月17〜21日に米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催される半導体回路技術関連の国際学会「ISSCC 2019」は、発表内容のほとんどが、機械学習(マシンラーニング)や高速ネットワーク、メモリが主役となる“データ時代”に関するものとなりそうだ。(2018/11/26)

コスト、サイズ、スピード、消費電力、セキュリティ:
PR:インダストリー4.0の新たな要件を満たすために、シリアルフラッシュテクノロジーはどのように進化すべきか
インダストリー4.0は、不揮発性メモリにも新たな要件を満たすように求めています。そこで、システム設計者がインダストリー4.0に向けた新しい機器設計を実装する際に役立つ、フラッシュメモリ製品の最新技術革新について紹介します。(2018/11/13)

東芝 TC35681IFTG:
Bluetooth v5.0 Low Energy規格準拠の車載向けIC
東芝デバイス&ストレージは、Bluetooth v5.0 Low Energy規格に準拠した車載向けIC「TC35681IFTG」を発表した。動作温度範囲は−40〜125℃で、車載用電子部品信頼性規格のAEC-Q100準拠を予定しており、厳しい車載環境で使用できる。(2018/11/12)

NANDフラッシュの世代交代はいつ?
3D XPointだけじゃない NANDやDRAMに代わる新たなメモリテクノロジー
NANDフラッシュはメモリ市場で優位に立っている。だが、コストとスケーリングの限界により、徐々にIntelの「3D XPoint」などの新たなテクノロジーにその立場を明け渡すことになるだろう。(2018/11/9)

DRAM搭載VMよりもTCOを削減:
Google Cloudで「Intel Optane DC Persistent Memory」搭載VMのα版を提供
Googleは、「Google Cloud Platform」で新サービスをα版としてリリースした。特徴は不揮発性メモリ「Intel Optane DC Persistent Memory」を搭載する仮想マシンを用いたことだ。インメモリデータベースを使うユーザーに向くという。(2018/11/1)

富士通セミコンダクター:
125℃動作を保証し5V対応、64kビットFRAM
富士通セミコンダクターは、125℃までの動作温度を保証し、最大5.5Vの電源電圧に対応する64kビットFRAM(強誘電体メモリ)「MB85RS64VY」を開発した。(2018/10/30)

組み込み開発ニュース:
離れた位置からデータの更新が可能なバッテリーレス電子ペーパータグ
富士通セミコンダクターは、E Ink Holdingsと共同で、UHF帯RFIDを利用し、電子ペーパーディスプレイの表示をバッテリーレスで変更できる技術を開発した。高速書き込み、低消費電力の不揮発性メモリFRAMを組み込んでいる。(2018/10/26)

インテル・プレスセミナー:
データ中心のコンピューティング新時代においてIntelが強みを発揮できる理由
インテルは、東京都内で「インテル・プレスセミナー」を開催。爆発的に増加するデータ量、そしてデータを中心とした変革が進む中、インテルのデータセンターテクノロジーの優位性はどこにあるのか。(2018/9/28)

その知識、ホントに正しい? Windowsにまつわる都市伝説(119):
最新Windows 10で見つけた謎のコマンド「Convertvhd.exe」の正体は……
Windows 10 バージョン1709には、システムディレクトリに「convertvhd.exe」というコマンドが追加されました。Hyper-VのPowerShellコマンドレットの一つ「Convert-VHD」に似ていますが、果たしてその正体は……。(2018/9/25)

富士通セミコン MB85RS4MT:
リアルタイムデータログに適した4MビットFRAM
富士通セミコンダクターは、4Mビットの不揮発性FRAM「MB85RS4MT」を発表した。10兆回の書き換えが可能で、高速での書き込み、低消費電力を特長とする。(2018/9/18)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
AMD復活の立役者がラティス新CEOに、問われるその手腕
Lattice Semiconductorの新CEOに、AMDを「Zen」で復活に導いたJim Anderson氏が就任する。技術畑の出身ながら低迷するAMDを立て直した手腕を見込まれての登用となるが、Zenのような“銀の弾丸”は用意できるのだろうか。(2018/9/18)

富士通セミコンダクター:
EEPROMの約1000万倍の書き換え回数を実現する4MビットFRAM「MB85RS4MT」
富士通セミコンダクターは、シリアルインタフェースのFRAMファミリーで最大メモリ容量である4Mビット品「MB85RS4MT」を開発し、2018年9月から量産品の提供を開始する。(2018/9/13)

高性能1GbitシリアルNAND:
PR:車載ディスプレイアプリケーションに最適な高容量フラッシュメモリが登場
インストルメントクラスタなど車載ディスプレイでは、よりリッチなグラフィックス表示が求められている。それに伴い、車載ディスプレイで使用する不揮発メモリの大容量化が必要になっている。そうした中で、読み出し速度、信頼性、互換性という車載ディスプレイの必須要件を満たした大容量NANDフラッシュが登場した。(2018/9/12)

メモリが不揮発性に
DIMMスロットに装着できる「Intel Optane」登場でストレージが変わる
Intelが発表した新Optaneは、DDR4 DIMMスロットに装着できることが特徴だ。不揮発性メモリを通常のメモリとして利用できるようになったことで、ストレージアーキテクチャはどう変わるのか。(2018/9/12)

フレキシブルで水中動作も可能:
グラフェンナノリボンで不揮発性メモリ、東北大が開発
東北大学は2018年8月8日、原子オーダーの厚みを持つシート材料である「グラフェンナノリボン(GNR)」を用い、耐環境性に優れた新型メモリの開発に成功したと発表した。水中でも動作可能なフレキシブル不揮発性メモリなど、幅広い応用が期待できる技術としている。(2018/8/9)



2013年のα7発売から5年経ち、キヤノン、ニコン、パナソニック、シグマがフルサイズミラーレスを相次いで発表した。デジタルだからこそのミラーレス方式は、技術改良を積み重ねて一眼レフ方式に劣っていた点を克服してきており、高級カメラとしても勢いは明らかだ。

言葉としてもはや真新しいものではないが、半導体、デバイス、ネットワーク等のインフラが成熟し、過去の夢想であったクラウドのコンセプトが真に現実化する段階に来ている。
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クラウドサービスのレビューサイト:ITreview

これからの世の中を大きく変えるであろうテクノロジーのひとつが自動運転だろう。現状のトップランナーにはIT企業が目立ち、自動車市場/交通・輸送サービス市場を中心に激変は避けられない。日本の産業構造にも大きな影響を持つ、まさに破壊的イノベーションとなりそうだ。