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「3D XPoint」をIntelと共同開発したMicron Technologyが、その製品化を活発化させ始めた。この動きは、Intel「Optane」が先行する新興メモリ市場に変化をもたらすのか。
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Micron Technologyが2019年10月24日（米国時間）に米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催した自社イベント「Micron Insight 2019」は、Micronが単なるメモリベンダーにはとどまらない、という決意が現れたものとなった。
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Intelは2019年9月26日、世界各国の報道機関を対象に同社のメモリ／ストレージの新製品や戦略、採用事例を紹介する「Intel Memory and Storage Day」を韓国・ソウルで開催。同イベントに合わせて、「Optane DC Persistent Memory」の第2世代となる「Barlow Pass」（開発コード名）、QLC（Quad Level Cell）を用いた144層の3D（3次元） NANDフラッシュメモリなどを発表した。
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2018年における半導体メーカー売上高ランキングで第4位、米国企業としてはIntelに次ぐ2位を獲得した、メモリメーカーのMicron Technology（以下、Micron）。同社で、Executive Vice President兼CBO（Chief Business Officer）を務めるSumit Sadana氏に、今後の投資予定や製品戦略などを聞いた。
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IntelとMicron Technology（以下、Micon）が、共同開発プログラムを終了する予定であると発表した。両社が共同開発しているメモリ「3D XPoint」の将来に何が待ち受けているのかは、誰にその問いかけをするかによって答えが異なるだろう。
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Intel（インテル）は、メモリ事業において、「3D NAND」と「Optane」の2つの先端不揮発性メモリ技術をベースとしたSSD（Solid State Drive）製品などに注力していく。
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EUV（極端紫外線）リソグラフィ技術は、着実に進化を遂げている。業界には、2018年ごろの実用化を望む声も多いが、当面の課題は光源の強さをどう向上するかにありそうだ。
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米国で開催された「ISS（Industry Strategy Symposium）」において、IntelとMicron Technologyが共同開発した次世代メモリ技術「3D XPoint」の要素技術の一部が明らかになった。カルコゲナイド材料と「Ovonyx」のスイッチを使用しているというのである。この2つについては、長い研究開発の歴史がある。前後編の2回に分けて、これらの要素技術について解説しよう。
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IntelとMicron Technologyが開発した「3D XPoint」は、製造の段階へと移る見込みだ。量産には12〜18カ月かかるとみられている。また、3D XPointでは、カルコゲナイド材料と「Ovonyx」スイッチが使われていることが明らかになった。
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IntelとMicron Technologyが、不揮発メモリ「3D XPoint（クロスポイント）」を発表した。NAND型フラッシュメモリよりも1000倍高速で、DRAMよりも8〜10倍、記憶密度が高いという。両社は、25年ぶりに新しい不揮発メモリのカテゴリを作り出したとしている。
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高いセキュリティ機能を備えた企業向けSSDをコンシューマユーザー目線で検証する。
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サンディスクからハイエンドラインアップの最新SSDが登場した。「この製品ができたから日本市場に本格参入する」と彼らが語る高性能をチェックした。
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SSD業界では、SanDiskがエンタープライズ向けSSDメーカーのSMART Storage Systemsを買収するなど、買収の動きが進んでいる。
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OCZがSSDコントローラメーカーのIndilinxを買収してから1年。メモリチップ以外はOCZ Technology自主開発の新型SSDが登場した。その実力を検証する。
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IntelとMicron Technologyは業界最小の20ナノメートルプロセスルールによる128GビットのNANDフラッシュメモリを発表した。
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NAND型フラッシュメモリは、2Xnm世代での競争が激しくなっている。東芝は2ビット/セル品としては最もチップサイズが小さいと主張する容量64GビットのNAND型フラッシュメモリの製造を開始した。
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新NANDフラッシュは前世代の半分のチップ数で同容量のストレージを実現でき、スマートフォンやSDDの容量増大が可能になるとしている。
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IntelのMicronの新しい34nmフラッシュメモリは、1セル当たり3ビットのデータを記録でき、従来よりも記録密度が高くなっている。
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IntelとMicronの合弁企業が、172平方ミリのSSD向けNAND型フラッシュの量産を開始した。
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供給過剰によるNAND型フラッシュメモリの価格下落を受け、Micronは生産量を縮小する。
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新しい34ナノメートル製造の32GビットNAND型フラッシュメモリは、SSDへの採用を主目的としている。
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米国のサブプライム危機による景気後退で消費が低迷し、NAND型フラッシュメモリの需要も低下する見通しという。
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まもなく始まるISSCC（国際固体回路会議）でIntelは多数の論文を発表する。そのなかには、“Silverthorne”に言及するものも用意される。
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新しい高速NANDをハイブリッドHDDに採用すれば、従来のHDDより2〜4倍高速にデータを転送できるとIntelとMicronは述べている。
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Intelは巨大だ。1人で何でもできるし1人で何でもやっつけてしまえる。しかし、その巨人でもフラッシュメモリ事業では1人で生き残ることはできないのだ。
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IntelとMicronの合弁会社が、50ナノメートルプロセスによる、マルチレベルセル型16GビットNANDフラッシュメモリのサンプル出荷を開始した。
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IntelとMicronの合弁企業IM Flash Technologiesが、シンガポールにNAND型フラッシュメモリ製造工場を新設する。
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IntelとMicronは合弁を通じ、50ナノメートル技術で製造したNANDフラッシュメモリをサンプル出荷した。
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AppleはHynix、Intel、Micron、Samsung Electronics、東芝の5社に計12億5000万ドルを前払いし、iPod用のNANDフラッシュメモリを2010年まで確保する。
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IntelとMicronが家電・携帯機器向けNANDフラッシュメモリ製造を手掛ける合弁会社「IM Flash Technologies」を新設。製品の「相当部分」をAppleに供給する。
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