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» 2009年08月12日 09時01分 UPDATE

IntelとMicron、従来より高密度のフラッシュメモリ開発

IntelのMicronの新しい34nmフラッシュメモリは、1セル当たり3ビットのデータを記録でき、従来よりも記録密度が高くなっている。

[ITmedia]

 米Intelと米Micron Technologyは8月11日、34nm(ナノメートル)プロセスを使った3ビット/セル(3bpc)マルチレベルセル(MLC)NANDフラッシュメモリを開発したと発表した。従来よりも大容量のフラッシュメモリが可能になる。

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 このフラッシュメモリは1セル当たり3ビットのデータを記録するため、現行の標準の2ビット/セル技術よりも大幅に記録密度が高い。高密度化によって小型化も可能になるため、3bpc 32ギガビットチップは、126平方ミリという業界最小サイズになるとしている。

 3bpc 32ギガビットフラッシュメモリはIntelとMicronの合弁会社であるIM Flash Technologies(IMFT)が設計、製造する。現在はサンプル出荷の段階で、第4四半期に量産に入る予定。

 米SanDiskと東芝も3ビット/セルのフラッシュメモリを開発しており、今年下半期に量産を開始するという。

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