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「プロセス技術(エレクトロニクス)」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「プロセス技術(エレクトロニクス)」に関する情報が集まったページです。

湯之上隆のナノフォーカス(39):
日本の半導体ブームは“偽物”、本気の再生には学校教育の改革が必要だ
今や永田町界隈は「半導体」の大合唱であるが、筆者はそれを「偽物のブーム」と冷めた目で見ている。もはや“戦後の焼け野原状態”である日本の半導体産業を本気で再生するには、筆者は学校教育の改革から必要だと考えている。(2021/6/22)

福田昭のデバイス通信(303) imecが語る3nm以降のCMOS技術(6):
フィンFET(FinFET)の次に来るトランジスタ技術
今回からは「FinFETの次に来るトランジスタ技術(ナノシートFETとフォークシートFET)」の講演部分を報告していく。(2021/6/21)

福田昭のデバイス通信(302) imecが語る3nm以降のCMOS技術(5):
電源供給配線網(PDN)をシリコンダイの裏面に配置して電源をさらに安定化
今回は、CMOSロジックの基本セル(スタンダードセル)に電源を分配する電源供給配線網(PDN:Power Delivery Network)のレイアウトを解説する。(2021/6/17)

福田昭のデバイス通信(301) imecが語る3nm以降のCMOS技術(4):
埋め込み電源配線の構造と材料選択
今回は、BPR(Buried Power Rail)の複雑な構造を説明する略語を定義するとともに、金属材料の候補を解説する。(2021/6/11)

NoCとは(2):
なぜNoCがクロスバースイッチに取って代わったのか
インターコネクト機能として単純なクロスバー方式を採用するという選択もあり得るでしょう。しかしシステム内のエレメントの数が増え始め、さらにエレメント間の距離が意図されたクロック周期に対して長くなってくると、クロスバーではもはやどうにもならず、NoC(Network-on-Chip)方式を採用する必要があります。(2021/6/16)

2021 Technology Symposium:
TSMCの微細化は2nmまで? 以降はパッケージングが肝に
ムーアの法則はこれまで長年にわたり、「半導体チップのトランジスタ密度は、2年ごとに2倍になる」との見解を維持してきたが、3nmプロセスにおいて数々の問題が提示されるようになった。それでもTSMCは、引き続き楽観的な見方をしているようだ。(2021/6/10)

14nm比で電力効率が35%向上:
Samsung、RFチップ向け8nmプロセス技術を発表
Samsung Electronics(以下、Samsung)は2021年6月9日(韓国時間)、マルチチャンネル/マルチアンテナをサポートする5G通信向けに、8nm世代のRFチップ製造向けプロセス技術(8nm RF)を発表した。サブ6GHz帯からミリ波帯までサポートする1チップのRFソリューションを製造できるとする。(2021/6/9)

福田昭のデバイス通信(300) imecが語る3nm以降のCMOS技術(3):
電源/接地線の埋め込みで回路ブロックの電圧降下を半分以下に低減
電源/接地配線を基板側に埋め込む「BPR(Buried Power Rails)」について解説する。(2021/6/8)

製造マネジメントニュース:
先端ロジック半導体のファウンドリを国内誘致へ、半導体・デジタル産業の国家戦略
経済産業省は2021年6月4日、半導体産業やデジタル産業を国家戦略として推進する「半導体・デジタル産業戦略」を取りまとめ公開した。全ての産業の根幹にデジタル産業、半導体産業があると位置付け、先端ロジック半導体の量産化に向けたファウンドリの国内誘致推進などの戦略を紹介した。(2021/6/7)

「S32G2」と「S32R294」の2製品:
NXP、車載プロセッサをTSMCの16nm技術で量産
NXP Semiconductorsは、車載ネットワークプロセッサ「S32G2」とレーダープロセッサ「S32R294」について、TSMCの16nm FinFETプロセス技術を用いて、2021年第2四半期(4〜6月)より量産を始めた。(2021/6/4)

福田昭のデバイス通信(299) imecが語る3nm以降のCMOS技術(2):
CMOSロジックの高密度化を後押しする次世代の電源配線技術
今回は、CMOSロジックの高密度化手法を簡単に解説する。(2021/6/4)

トンネル障壁層に新材料を採用:
MRAM用単結晶MTJ素子を300mmウエハー上に作製
産業技術総合研究所(産総研)は、MRAM用の単結晶MTJ(磁気トンネル接合)素子をシリコンLSIに集積化するための3次元積層プロセス技術を開発した。(2021/6/3)

PC/モバイル向け:
「Armv9」ベースの新CPU/GPUを発表、Arm
Armは2021年4月に、サーバ向けCPUコア「Neoverse」から、インフラ向けプラットフォームとなる新シリーズ「Arm Neoverse V1」「Arm Neoverse N2」などを発表したばかりだが、今回立て続けにPC/モバイル用途向けの新製品をリリースした。(2021/6/1)

福田昭のデバイス通信(298) imecが語る3nm以降のCMOS技術(1):
微細化の極限を目指すCMOSロジックの製造技術
「IEDM2020」から、imecでTechnology Solutions and Enablement担当バイスプレジデントをつとめるMyung‐Hee Na氏の講演内容を紹介する。CMOSを3nm以下に微細化するための要素技術を解説する講演だ。(2021/5/28)

研究開発の最前線:
フォノンの応用で遠赤外線センサーを進化、パナソニックのフォノニック結晶構造
パナソニックは、フォトン(photon、光子)ではなく、フォノン(phonon、音子)の応用となる「フォノニック結晶構造」をシリコンウエハー上で量産するための作成方法を開発した。このフォノニック結晶構造は、遠赤外線センサーの感度を約10倍向上できるという画期的な技術である。(2021/5/27)

200mmの供給は限界間近か:
半導体不足、解消の鍵は「300mmウエハーへの移行」
8インチ(200mm)ウエハーのサプライチェーンは、控えめに言っても、かなり厳しい状況にある。これは、決して新しい問題ではない。台湾の市場調査会社TrendForceが2020年11月に発表したプレスリリースでは、「8インチウエハーの生産能力に関しては、2019年後半から深刻な不足状態が続いている」と述べている。(2021/5/25)

頭脳放談:
第252回 IBMが2nmプロセスを発表、その先にIntelとの共同開発が見える?
IBMが「2nm」という極微細な半導体製造プロセス技術を発表した。現在の最先端プロセスは7nmなので、ロードマップ上の5nmと3nmを飛ばして2nmである。でも、この製造プロセスをIBMは、何に使うのか。その背景には、何かありそうだ。(2021/5/21)

SK hynixも生産能力増強を発表:
韓国、半導体への投資を加速
韓国の報道によれば、SK hynixが、ファウンドリー事業用の生産能力を2倍に拡大する予定だという。同社はプレスリリースで、「実行可能な計画によって、ファウンドリーの生産能力を2倍に増強すべく検討しているところだ」としている。(2021/5/18)

この10年で起こったこと、次の10年で起こること(52):
Apple、Samsung、Huawei――出そろった5nmチップを比較する
Apple「iPhone 12」シリーズを皮切りに、ハイエンドスマートフォン市場では5nmプロセスを適用したプロセッサを搭載したモデルが続々と投入されている。一通り出そろった5nmチップを比較してみよう。(2021/5/13)

GAAアーキテクチャを採用:
IBMが「2nm」プロセスのナノシートトランジスタを公開
IBMは、米国ニューヨーク州アルバニーにある研究開発施設で製造した「世界初」(同社)となる2nmプロセスを適用したチップを発表した。同チップは、IBMのナノシート技術で構築したGAA(Gate-All-Around)トランジスタを搭載している。(2021/5/10)

2.6兆個のトランジスタを搭載:
お皿サイズの巨大AIチップ「WSE2」、Cerebrasが発表
Cerebras Systems(セレブラスシステムズ/以下、Cerebras)は、同社のウエハースケールチップ「Wafer Scale Engine(WSE)」の計算能力をさらに向上させた第2世代品「Wafer Scale Engine 2(WSE2)」を発表した。TSMCの7nmプロセスで製造している。WSEを搭載したディープラーニングシステム「CS-2」は、2021年第3四半期に入手可能になる。(2021/4/30)

製造業国内回帰の一手となるか:
Intelの新戦略「IDM 2.0」、試される新CEOの手腕
IntelのCEO(最高経営責任者)を務めるPat Gelsinger氏が2021年3月23日(米国時間)、重大な発表を行った。独立したファウンドリー事業の設立や、Intelのプロセッサ製造におけるTSMCとのパートナーシップ強化、米国アリゾナ州での新工場設立に向けた巨額の投資を確約するなど、これまでの忍耐が報われたのではないだろうか。(2021/4/30)

半導体製品のライフサイクルに関する考察(3):
減ることのない半導体/電子部品偽造 ―― リスク承知の購入は危険
昨今の半導体/電子部品不足に伴い、通常と異なる購入ルートでの部品調達を検討する機会は多いかもしれない。しかし偽造品の報告例は減らず、以前として少なくない。今回はいくつかの偽造品の報告例も紹介しながら、非正規ルートで購入する際のリスクについて考察する。(2021/4/26)

半導体需要の高まりを受け:
TSMCが2021年の設備投資を300億ドルに再度引き上げ
世界最大の半導体ファウンドリーであるTSMCは、顧客需要が3カ月前の同社の予想を上回ったことを受け、2021年の設備投資額を再度引き上げて、300億米ドルに増額した。(2021/4/21)

2021年は2社で555億ドルの見込み:
TSMCとSamsung、巨額投資でリードをさらに広げるか
IC Insights によると、Samsung Electronics(以下、Samsung)とTSMCは生産技術に対して競合先よりも多くの設備投資を行っていることから、2021年に半導体製造業界でのリードを広げる構えだという。(2021/4/9)

32ビットマイコン「REファミリ」:
ルネサス、Bluetooth 5.0対応低電力マイコンを発売
ルネサス エレクトロニクスは、消費電力が極めて小さい32ビットマイコン「REファミリ」として、Bluetooth 5.0に対応した「RE01B」を新たに発売した。環境発電や小型電池で長時間動作が求められる小型ヘルスケア機器などの用途に向ける。(2021/3/29)

組み込み開発ニュース:
新CEOの「IDM 2.0」がインテルを戒めから解き放つ、ファウンドリー事業にも本腰
インテルが、7nmプロセスの進捗状況や、ファウンドリー事業の立ち上げ、工場の建設計画などについて発表。2021年2月に新CEOに就任したパット・ゲルシンガー氏がグローバルWebキャストに登壇し、同社がこれまで堅持してきたIDM(垂直統合型デバイス製造)を大きく進化させる「IDM 2.0」のビジョンについて説明した。(2021/3/26)

TWS向けにTDKが開発:
1006サイズで高インダクタンスの薄膜金属インダクター
TDKは2021年3月23日、主にTWS(True Wireless Stereo/完全ワイヤレスイヤホン)に向けたインダクター「PLEシリーズ」として、1.0×0.6×0.7mmの「PLEA67BBA2R2M-1PT00」を開発し、量産すると発表した。TWSに搭載されている電源回路用インダクターで、1006サイズと小型ながら、2.2μHと高いインダクタンスと500mAの定格電流を実現している。(2021/3/25)

アリゾナに2棟を建設へ:
Intelがファウンドリー事業を発表、工場にも大規模投資
Intelは2021年3月23日(米国時間)、新CEOであるPat Gelsinger(パット・ゲルシンガー)氏によるウェブキャスト「Intel Unleashed: Engineering the Future」を公開し、米国アリゾナ州での半導体工場の設立や、独立したファウンドリーサービスの開始を含めた製造関連の戦略「IDM 2.0」について語った。(2021/3/24)

IntelのゲルシンガーCEO、「米国の新半導体工場立ち上げに200億ドル投じる」
2月にIntelのCEOに就任したパット・ゲルシンガー氏が「IDM 2.0」戦略を打ち出し、米国内での2つの半導体工場建設に200億ドル(約2兆1726億円)投じる計画や、7nmプロセスの実現について語った。(2021/3/24)

本田雅一の時事想々:
半導体チップ不足が“対岸の火事”とは言えない理由 自動車業界以外にも波及
なぜ、自動車業界で半導体チップが不足しているのか。そして、より身近なデジタルガジェットなどにも影響が広がり、最終的には世界経済の行方も左右する恐れがあり得るのか。その外郭を追いかけたい。(2021/3/24)

ネクスペリア BUK7V4R2-40H、BUK9V13-40H:
定格40Vの車載向けハーフブリッジMOSFET
ネクスペリアは、定格40Vの車載向けハーフブリッジMOSFET「BUK7V4R2-40H」「BUK9V13-40H」を発表した。MOSFET間を内部クリップ接続することで、寄生インダクタンスを60%低減し、基板上の配線も不要なため、実装面積を30%削減できる。(2021/3/10)

FAニュース:
ソニー、有効1億2768万画素の産業機器向け大型CMOSイメージセンサーを商品化
ソニーは2021年3月9日、産業機器向けに有効1億2768万画素のグローバルシャッター機能搭載大型CMOSイメージセンサー「IMX661」を商品化すると発表した。(2021/3/10)

レファレンスデザインを開発:
日本ガイシとルネサス、二次電池+マイコンで協業
日本ガイシとルネサス エレクトロニクスは、メンテナンスフリーIoTデバイスのさらなる普及を目指して協業を行う。第一弾として、日本ガイシ製リチウムイオン二次電池と、ルネサス製マイコンを組み合わせた、ワイヤレス空気質センシングシステムのレファレンスデザインを開発した。(2021/3/4)

FAニュース:
SiCウエハーの欠陥を無害化するプロセスを開発、SiCデバイスのコスト低減へ
関西学院大学は、高効率のSiCデバイスの製造に必要なSiCウエハーの欠陥を無害化するプロセス技術「Dynamic AGE-ing」を豊田通商と共同開発し、6インチSiCウエハーでの性能検証を完了したと発表した。(2021/3/3)

2000℃の高温で「歪みを出し切る」:
SiCウエハー欠陥の無害化技術を開発、関学大と豊田通商
関西学院大学と豊田通商は2021年3月1日、SiC(炭化ケイ素)ウエハー基板における基底面転位と呼ばれる欠陥を無害化する表面ナノ制御プロセス技術を開発したと発表した。(2021/3/2)

TechInsights:
SamsungのEUV適用D1z世代のDRAMを分析
Samsung Electronics(以下、Samsung)がついに、ここ数カ月にわたり待望されていた、EUV(極端紫外線)リソグラフィ技術を導入した「D1z」プロセスのDRAMの量産を開始した。同社は2020年初頭に、「業界初」(同社)となるArF液浸(ArF-i:ArF immersion)ベースのD1z DRAMと、EUVリソグラフィ(EUVL)適用のD1z DRAMの両方を開発すると発表していた。(2021/2/26)

「信頼される施設」の認定へ:
米国での重要度が増すGF、DoDとの連携強化
米ファウンドリーのGLOBALFOUNDRIES(GF)は、米国の輸出管理下において機密性の高い軍用/航空宇宙アプリケーション向けチップを製造するための認定を確保したのを経て、現在は同社が米国に置く最も高度な製造施設に対する“信頼性認定評価”を求めている。(2021/2/19)

工場ニュース:
COVID-19ワクチン候補原薬の量産強化、富士フイルム子会社が米国2拠点で
富士フイルムは2020年2月15日、バイオ医薬品の開発および製造受託会社(CDMO)であるFUJIFILM Diosynth Biotechnologies(以下、FDB)の米国テキサス拠点で新型コロナウイルス感染症(COVID-19)ワクチン候補の原薬製造を開始したことを発表した。FDBによるCOVID-19ワクチン候補原薬の製造はノースカロライナ拠点に続き2拠点目で、原薬量産を加速させる方針だ。(2021/2/17)

増え続けるニーズ:
半導体不足は車以外でも、生産強化を急ぐファウンドリー
自動車メーカーが、半導体チップの供給を確保できていない。これは、半導体業界全体で広く不足が生じるということを反映する。この先いつになれば安定した状況に回復するのかは、誰にも分からない。(2021/2/3)

コロナ禍で勝機を見いだす分野も:
半導体業界 2021年に注目すべき10の動向
2021年の半導体/エレクトロニクス業界において、注目しておきたい10の動向を挙げる。(2021/1/29)

半導体需要の高まりを受け:
TSMCが設備投資を倍増、先端プロセスの開発を強化
TSMCは、今後数年間の堅調な成長を期待して、2021年の設備投資予算を2020年比でほぼ2倍の280億米ドルとした。世界最大のチップファウンドリーであるTSMCは、2021年に設備投資に250億〜280億米ドルを投じることとなる。(2021/1/21)

【特集】2021年、DXのビジョンは:
「薪をくべなくても火がついて炎になる」 AGCのデジタルネイティブを活用したDXとは
独自の素材やソリューションを通じてグローバルに事業を展開するAGCは、「匠KIBIT」や「Data Science Plus」などの取り組みで「DX銘柄2020」に選出された。DX推進部の担当者たちが語るデジタルネイティブを積極的に活用する同社の取り組みとは。(2021/1/20)

次期政権との関係構築も鍵に:
Gelsinger氏の“帰還”、Intelにとっては好機か
CEO(最高経営責任者)の継承は、非常に重要である。最近の報道によると、IntelのCEOであるBob Swan氏が近々退任し、その後任としてPat Gelsinger氏が就任するという。一方Qualcommは、現プレジデントであるCristiano Amon氏にCEOの後任を託すとしている。(2021/1/19)

福田昭のデバイス通信(297) Intelが語るオンチップの多層配線技術(18):
将来の先端半導体を担うモノリシックな3次元集積化技術
本シリーズの最終回となる今回は、シングルダイ(1枚のシリコンダイ)にモノリシックに成長させる3次元集積化技術について解説する。(2021/1/19)

福田昭のデバイス通信(296) Intelが語るオンチップの多層配線技術(17):
異種デバイスの融合を実現する3次元集積化技術
今回は、異種デバイスの融合を実現する3次元(3D)集積化技術の概要を説明する。(2021/1/15)

小型で極めて低い超消費電力を実現:
TDK、CO2検出用のMEMSガスセンサーを発売
TDKは、小型で消費電力が小さく、高い精度でCO▽▽2▽▽濃度を直接検出できるMEMSガスセンサープラットフォーム「TCE11101」を開発、販売を始めた。家電機器や自動車、医療機器などさまざまな分野におけるCO▽▽2▽▽検出用途に向ける。(2021/1/12)

コロナ禍と進む分断:
2020年の半導体業界を振り返る
新型コロナウイルス感染症(COVID-19)が世界中で猛威をふるい、その影響が多方面に及んだ2020年。半導体/エレクトロニクス業界にとっては、COVID-19の他にも、米中ハイテク戦争というもう一つの懸念を抱えたままの1年となりました。この2020年を、EE Times Japanに掲載した記事とともに振り返ります。(2020/12/25)

HSMCの元CEOを幹部に任命:
SMIC、マネジメントチームを再編へ
中国の上海を拠点とするファンドリーであるSMIC(Semiconductor Manufacturing International Corporation)は今週、トップマネジメントに関する2つの変更を発表した。(2020/12/18)

200℃以下でSi層とGe層を積層:
日台が連携、2nm世代に向けた「hCFET」を開発
日本と台湾の国際共同研究グループは、2nm世代に向けた積層型Si/Ge異種チャネル相補型電界効果トランジスタ「hCFET」を開発した。(2020/12/10)


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にわかに地球規模のトピックとなった新型コロナウイルス。健康被害も心配だが、全国規模での臨時休校、マスクやトイレットペーパーの品薄など市民の日常生活への影響も大きくなっている。これに対し企業からの支援策の発表も相次いでいるが、特に今回は子供向けのコンテンツの無料提供の動きが顕著なようだ。一方産業面では、観光や小売、飲食業等が特に大きな影響を受けている。通常の企業運営においても面会や通勤の場がリスク視され、サーモグラフィやWeb会議ツールの活用、テレワークの実現などテクノロジーによるリスク回避策への注目が高まっている。