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「FD-SOI」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

Fully Depleted Silicon On Insulator:完全空乏型SOI

28nm FD-SOIプロセス製品第2弾:
競合比2倍のIO密度を実現する低消費電力汎用FPGA
ラティスセミコンダクターは2020年6月25日、28nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン ・インシュレーター)を採用した低消費電力FPGAプラットフォーム「Nexus」の第2弾製品となるFPGA「Certus-NX」を発表した。低消費電力、小型で同等の競合FPGAと比較し1mm△△2△△あたり最大2倍のIO(入出力)密度を実現するなど、「低消費電力の汎用FPGAを再定義し、エンドユーザーに喜ばれる製品のイノベーションを可能にする」と説明している。(2020/6/25)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
SamsungがNVIDIAの7nm EUVを失注/5nmレースの行方
エレクトロニクス/組み込み業界の動向をウオッチする連載。今回は、2020年5月の業界動向の振り返りとして、SamsungがNVIDIAの7nm EUVを失注した話題と、5nmプロセスの各社動向など昨今のプロセス周りの話をお届けする。(2020/6/10)

「これからの40年」がテーマ:
「VLSIシンポジウム2020」は初のオンライン開催に
2020年6月15〜18日(以下、特に記載がない限り全てハワイ時間)に開催される半導体デバイス/回路技術に関する国際会議「VLSIシンポジウム 2020」。本来は米国・ハワイで開催される予定だったが、新型コロナウイルス感染症(COVID-19)の影響で、初のオンライン開催となる。VLSIシンポジウム委員会は2020年5月20日、記者説明会をオンラインで開催し、概要を説明した。(2020/5/22)

Siの代替材料が期待される:
5Gの導入で変わる? RFチップの材料
「Mobile World Congress(MWC) 2020」の中止にもかかわらず、特に5G(第5世代移動通信) RFのフロントエンドモジュールでシリコン性能の限界に到達しつつあるエレクトロニクス企業の中で、5Gの追及は時間単位でより劇的に高まっている。(2020/3/6)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
Z-WaveのOpen化/CobhamのRISC-V参入/FPGAが続々RISC-Vに対応
エレクトロニクス/組み込み業界の動向をウオッチする連載。今回は、2019年12月の業界動向の振り返りとして、Z-WavenのOpen化とRISC-V Summit絡みの小ネタをお届けする。(2020/1/22)

オートモーティブワールド2020:
28nm FD-SOI車載マイコンやSiCパワーデバイスを公開
STMicroelectronics(以下、ST)は2020年1月15日から東京ビッグサイトで開催されている展示会「オートモーティブ ワールド」(会期:1月17日まで)で、新しい車載マイコン製品群「Stellarファミリ」やSiC(炭化ケイ素)を用いたパワーデバイス製品などを展示している。(2020/1/16)

政治に翻弄された1年に:
2019年のエレクトロニクス業界を記事で振り返る
2019年の主なニュースを、EE Times Japanに掲載された記事で振り返ります。(2019/12/27)

「エッジAIに最適」と強調:
ラティス、28nmFD-SOIの新FPGAプラットフォーム
Lattice Semiconductor(ラティスセミコンダクター)は2019年12月10日(米国時間)、28nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン ・インシュレーター)を採用した新たな低消費電力FPGAプラットフォーム「Nexus」および、その最初の製品となる「CrossLink-NX」を発表した。(2019/12/12)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
昨今のArm MCU事情、そして今後の方向性
エレクトロニクス/組み込み業界の動向をウオッチする連載。今回は、2019年10月の業界動向の振り返りとして、昨今のArm MCU事情を考察する。(2019/11/22)

NXP i.MX RT1170:
エッジ先進機械学習に向けたマイコン
NXPセミコンダクターズは、ギガヘルツ級の高速性能を備えたマイクロコントローラー「i.MX RT1170」を発表した。最大1GHz駆動のArm Cortex-M7と最大400MHz駆動のARM Cortex-M4を使用したデュアルコアアーキテクチャなどを搭載している。(2019/10/25)

組み込み開発ニュース:
デュアルコア搭載、最大1GHzで駆動するクロスオーバープロセッサを発表
NXP Semiconductorsは、28nm FD-SOIプロセスを採用し、最大1GHzで駆動する新しいクロスオーバープロセッサ「i.MX RT1170」ファミリーを発表した。産業、IoT、車載アプリケーション向けエッジコンピューティングの性能向上に貢献する。(2019/10/25)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
Appleは訴えたのにAMDは見逃し、GLOBALFOUNDRIESによるTSMC提訴の背景
エレクトロニクス/組み込み業界の動向をウオッチする連載。今回は、2019年8月の業界動向の振り返りとして、GLOBALFOUNDRIESによるTSMCおよび顧客企業への訴訟とその背景を考察する。(2019/9/12)

IoTセキュリティ:
Azure Sphere用新プロセッサの開発に向けNXPとマイクロソフトが協業
NXP Semiconductorsは、Microsoftと協業し、新しいAzure Sphere認証済みクロスオーバーアプリケーションプロセッサを開発する。i.MX 8アプリケーションプロセッサの拡張版で、高い性能とエッジクラウド間のセキュアな接続を提供する。(2019/7/19)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
ファーウェイ、生き残るための“次善の策”
エレクトロニクス/組み込み業界の動向をウオッチする連載。今回は、2019年5月の業界動向の振り返りとして、2018年末から話題となっているファーウェイを巡る話を紹介する。(2019/6/28)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
車載向けで進む28nmプロセス採用――ルネサス、STマイクロを追従するカギはNVM
エレクトロニクス/組み込み業界の動向をウォッチする連載。今回は、2019年2月の業界動向の振り返りとして、ドイツ・ニュルンベルクで開催された「embedded world 2019」に絡めて“MCUの話題”を2つ紹介する。(2019/3/14)

ロジックへの統合が容易:
Samsung、28nm FD-SOIプロセス適用のeMRAMを出荷へ
Samsung Electronics(以下、Samsung)は、28nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター、以下FDS)プロセスをベースにした最初のeMRAM(組み込み型磁気抵抗メモリ)製品の量産を発表した。(2019/3/12)

ISSCC 2019:
Intel、22nm FinEFT適用MRAMの概要を発表
Intelは、22nm FinFETプロセス適用デバイスで採用する、組み込みSTT-MRAM(スピン注入磁化反転方式の磁気抵抗メモリ)向け技術について、詳細を明らかにした。(2019/2/22)

オートモーティブ ワールド2019:
STのイメージセンサー、運転手の集中度を検知
STマイクロエレクトロニクスは、「オートモーティブ ワールド2019」で、自動車の電子化や電動化の流れを加速させる「Smart Driving」向け半導体ソリューションを紹介した。(2019/1/18)

車載半導体:
組み込み型相変化メモリ内蔵の車載マイコン、サンプル出荷を開始
STマイクロエレクトロニクスは、組み込み型相変化メモリ「ePCM」を内蔵した車載マイコンのサンプル出荷を開始した。AEC-Q100 Grade 0準拠のePCMを組み込んだ同マイコンは、高温下でもデータの安全性を確保する。(2019/1/9)

28nm FD-SOI技術で製造:
ST、相変化メモリ搭載の車載用マイコンを出荷
STMicroelectronics(STマイクロエレクトロニクス)は、組み込み型相変化メモリ(ePCM)を内蔵した車載用マイコンのサンプル出荷を始めた。このマイコンは28nm FD-SOI技術を用いて製造される。(2018/12/21)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
勢いづく7nmプロセスへの移行、多くのベンダーが殺到する理由はどこにあるのか
2018年11月を振り返ってみると、「長らく10nm台で足踏みをしていた半導体業界が、ついに7nm世代に足を踏み出した月」といえる。今、多くのベンダーが7nmプロセス技術へ移行する理由はどこにあるのか。(2018/12/19)

メモリ関連の論文も豊富:
ISSCC 2019の目玉はAIと5Gに、CPUの話題は少ない?
2019年2月17〜21日に米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催される半導体回路技術関連の国際学会「ISSCC 2019」は、発表内容のほとんどが、機械学習(マシンラーニング)や高速ネットワーク、メモリが主役となる“データ時代”に関するものとなりそうだ。(2018/11/26)

超低消費電流を実現したASSP:
環境発電で“欠けていたピース”埋める、ルネサスのSOTB
ルネサス エレクトロニクスはドイツ・ミュンヘンで開催された「electronica 2018」(2018年11月13〜16日)で、エナジーハーベスト(環境発電)で得たエネルギーで駆動できる組み込みコントローラー「R7F0E」を発表した。核となるのはルネサス独自のプロセス技術「SOTB(Silicon On Thin Buried Oxide)」である。(2018/11/20)

electronica 2018:
「e-AI」で破壊的なイノベーションを、ルネサス 横田氏
ドイツ・ミュンヘンで開催中の「electronica 2018」に出展しているルネサス エレクトロニクスの展示内容は、車載製品ではなく、産業機器向けの製品が中心となっている。同社執行役員常務兼インダストリアルソリューション事業本部長を務める横田善和氏に、その狙いなどを聞いた。(2018/11/16)

積極投資する中国と協業すべき:
米国の対中国政策は“修正”が必要
ベテランの半導体アナリストであるHandel Jones氏は、中国から戻った際に、米国の技術政治の展開の仕方が気に入らないと不満を示した。(2018/10/23)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
GLOBALFOUNDRIESの7nmプロセス無期限延期と先端プロセス技術をめぐる競争の行方
「われわれの大口顧客からの7nmチップの需要はない」というメッセージを発し、7nm FinFETプロセス開発の無期限延期を発表したGLOBALFOUNDRIES。この決断が下されるまでの動き、そして今回の騒動と絡めて、昨今の先端プロセス技術をめぐる動向を紹介しよう。(2018/10/11)

7nm開発は中止したが:
GF、FD-SOIのデザインウィン獲得を着実に重ねる
GLOBALFOUNDRIES(GF)は、7nmプロセスの開発を中止してから初めての年次カンファレンスの中で、ある新規顧客が、GFの22nm FD-SOI(完全空乏化型シリコン・オン・インシュレータ)プロセス「22FDX」を用いて、少なくとも3種類のディープラーニング用組み込みチップを製造していることを明らかにした。(2018/10/3)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
AMD復活の立役者がラティス新CEOに、問われるその手腕
Lattice Semiconductorの新CEOに、AMDを「Zen」で復活に導いたJim Anderson氏が就任する。技術畑の出身ながら低迷するAMDを立て直した手腕を見込まれての登用となるが、Zenのような“銀の弾丸”は用意できるのだろうか。(2018/9/18)

AMDはTSMCに委託先を切り替え:
GLOBALFOUNDRIES、7nm開発を無期限停止へ
最先端の半導体プロセス技術をめぐる競争は、今や3社に絞られた。GLOBALFOUNDRIESは、7nm FinFETプロセスの開発を無期限に延期すると発表した。(2018/8/29)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
「プロセッサIPを出せばいい」時代の終了、Armはどう対処するか
Armは2018年5月から6月にかけて多くのプレスリリースを出している。それらを俯瞰してみると、もう単純に「プロセッサIPだけを提供していればいい」という時代ではないことがよく分かる。その時代にArmはどう対処しようとしているのか。(2018/7/13)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
「AMDの組み込み」は今度こそ変わるか
組み込みシステムに古くから携わっていると、「AMDの組み込み」に微妙な感情を持ってしまう。しかし、今のAMDは組み込みに本気であるように見える。歴史を振り返りつつ、AMDの「本気度」を探ってみたい。(2018/6/12)

福田昭のストレージ通信(104) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(4):
IoT/自動車向けMRAMに対する要求仕様とデータ書き換え特性
埋め込みフラッシュメモリの置き換えを想定したMRAM(eMRAM-F)と、埋め込みSRAMの置き換えを想定したMRAM(eMRAM-S)が、IoT(モノのインターネット)や自動車で使われる場合、どういった仕様が要求されるのか。データの書き換え特性を中心に解説する。(2018/6/4)

Samsungは2018年内にも適用開始:
量産に向けた「EUV」の導入、最終段階へ
次世代のリソグラフィ技術を立ち上げようとする20年に及ぶ努力が、最終段階に入った。EUV(極端紫外線)ステッパーを量産向けに導入することについて、複雑な課題があるにもかかわらず、専門家らは楽観的な見方を維持している。(2018/6/1)

組み込み開発ニュース:
IoT向けスマートセンシングプロセッサ搭載ボードを発表
ソニーは、IoT向けスマートセンシングプロセッサ搭載ボード「SPRESENSE」のメインボードと拡張ボードを2018年7月31日に発売する。メインボードは、GNSS受信機やハイレゾ対応のオーディオコーデックなどを内蔵している。(2018/5/31)

福田昭のストレージ通信(103) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(3):
埋め込みMRAM技術がフラッシュとSRAMを置き換えへ
今回は、GLOBALFOUNDRIESが提供する埋め込みMRAMマクロの概要を解説する。(2018/5/25)

GNSSやハイレゾ音源に対応:
ソニー、スマートセンシングプロセッサ搭載ボード
ソニーは、ドローンやスマートスピーカーといったIoT(モノのインターネット)端末向けに、スマートセンシングプロセッサ搭載ボード「SPRESENSE(スプレッセンス)」を発売する。(2018/5/22)

次期社長兼CEOらが戦略説明:
有機的成長を図るST、2018年日本市場で2桁成長へ
STMicroelectronics(以下、ST)は2018年3月、同社社長兼最高経営責任者(CEO)のCarlo Bozotti氏と、次期社長兼CEO(2018年第2四半期就任予定)のJean-Marc Chery氏が出席し、都内で会見を開催し、成長戦略などを説明した。(2018/3/12)

embedded world 2018:
いよいよ組み込みプロセッサにFinFETを適用 NXP
NXP Semiconductorsは「embedded world 2018」で、14nm FinFETプロセスを適用した組み込み向けの汎用アプリケーションプロセッサ「i.MX 8M Mini」を発表した。NXPは、「これまで主にスマートフォン向けのプロセッサに使われてきたFinFETプロセスが、いよいよ組み込みプロセッサにも適用される」と強調する。(2018/3/7)

高性能で超省エネ:
AIは“人の脳への回帰”でさらに進化する?
AI(人工知能)をさらに発展させるヒントは、人間の脳にあるかもしれない。「ISSCC 2018」で、フランスCEA-Letiに聞いた。(2018/2/21)

小型、低消費電力FPGAを強みに:
エッジコンピューティング、低電力でAI実現
AI(人工知能)技術をベースとしたエッジコンピューティングを次の成長ドライバーと位置付けるLattice Semiconductor。フォーカスする分野は消費電力が1W以下で、処理性能は1テラOPS(Operations Per Second)までのアプリケーションだ。(2018/2/5)

福田昭のデバイス通信(122) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(6):
IEDM 2017の講演2日目(12月5日)午後(その2):次世代トランジスタを狙う負性容量FET技術
12月5日午後の注目講演を紹介する。負性容量トランジスタ、シリコンフォトニクス、非シリコン材料による高耐圧パワーデバイスなどの研究成果が発表される。(2017/11/24)

福田昭のデバイス通信(121) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(5):
IEDM 2017の講演2日目(12月5日)午後(その1):記憶密度を2倍に高める3D NAND技術
今回から、12月5日午後の注目講演を順次紹介していく。電荷ベースのメモリ、最先端CMOSのさらなる微細化手法、最先端の金属ゲート技術やコンタクト技術など、興味深いテーマが並ぶ。(2017/11/21)

売却破談でも成長続けると明言:
超小型FPGAをエッジに、独自路線を進むLattice
小型で低消費電力のFPGAを手掛けるLattice Semiconductorは、クラウド市場に注力する他のFPGAベンダーとは明確に路線を分け、エッジ向けに力を入れる。(2017/11/7)

新たなビジネスモデルの構築へ:
車載分野に本腰を入れるGLOBALFOUNDRIES
GLOBALFOUNDRIESが、新たな自動車プラットフォームである「AutoPro」を発表した。車載分野向けの技術提供に本腰を入れるGLOBALFOUNDRIESは、ティア1や半導体メーカーではなく、自動車メーカーと直接パートナーシップを結ぶという、これまでになかったビジネスモデルを築こうとしている。(2017/10/17)

17年に7nmをテープアウト:
TSMC、7nm/EUVの開発状況をアップデート
TSMCは2017年9月、米国で開催されたイベントで7nmプロセス技術やEUV(極端紫外線)リソグラフィの開発状況などを説明した。(2017/9/25)

超高速ネットワークの挫折と復活【第2回】
25G/40GBASE-Tの普及を阻む「大きすぎる消費電力」
期待は大きいのに普及が遅れている“10Gbps級”ネットワークの問題克服への挑戦を記したこの物語。ようやく問題解決の道筋が見えてくる……はずだったが。(2017/8/23)

2018年に7nmと12FDX立ち上げへ:
EUVと液浸、FinFETとFD-SOI、GFの強みは2点張り
2017年5月31日、来日したGLOBALFOUNDRIES(グローバルファウンドリーズ/GF)CMOSプラットフォーム事業部シニアバイスプレジデントのGregg Bartlett氏に7nm FinFET、12nm FD-SOIの開発状況などについてインタビューした。(2017/6/1)

「MBCFET」を製造:
Samsung、2020年に4nmのリスク生産を開始
Samsung Electronicsは、ファウンドリー技術のロードマップを発表した。2020年に4nmプロセスを用いて、同社独自の「MBCFET(Multi Bridge Channel FET)」のリスク生産を開始する予定だという。(2017/5/29)

IoTエッジ市場に注力:
ラティス、28nm FD-SOIのFPGA開発を決断
Lattice Semiconductor(ラティスセミコンダクター)は、IoT(モノのインターネット)エッジ市場に向けた製品展開や事業の方向性を示す中で、28nm完全空乏型SOI(FD-SOI)技術を用いたFPGAのサンプル出荷を2018年中に行う計画であることを明らかにした。(2017/5/22)

電子ブックレット:
ソニー製チップの採用でFD-SOIへの関心高まる?
EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、28nm FD-SOIプロセス採用のソニー製GPSチップが中国のスマートウォッチに搭載されたことを紹介する。(2017/4/16)



にわかに地球規模のトピックとなった新型コロナウイルス。健康被害も心配だが、全国規模での臨時休校、マスクやトイレットペーパーの品薄など市民の日常生活への影響も大きくなっている。これに対し企業からの支援策の発表も相次いでいるが、特に今回は子供向けのコンテンツの無料提供の動きが顕著なようだ。一方産業面では、観光や小売、飲食業等が特に大きな影響を受けている。通常の企業運営においても面会や通勤の場がリスク視され、サーモグラフィやWeb会議ツールの活用、テレワークの実現などテクノロジーによるリスク回避策への注目が高まっている。