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「IEDM」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「IEDM」に関する情報が集まったページです。

福田昭のストレージ通信(148) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(9):
「3D XPointメモリ」開発のオープン・モードとステルス・モード
今回は、「3D XPointメモリ」の研究開発が、オープン・モードで始まり、後半はステルス・モードとなっていたことを説明する。(2019/6/5)

京都で2019年6月9〜14日開催:
VLSIシンポジウム 2019 開催概要を発表
2019年6月9〜14日に京都市で開催される半導体デバイス/回路技術に関する国際会議「VLSIシンポジウム」の開催概要に関する記者説明会が2019年4月17日、東京都内で開催された。(2019/4/19)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
車載向けで進む28nmプロセス採用――ルネサス、STマイクロを追従するカギはNVM
エレクトロニクス/組み込み業界の動向をウォッチする連載。今回は、2019年2月の業界動向の振り返りとして、ドイツ・ニュルンベルクで開催された「embedded world 2019」に絡めて“MCUの話題”を2つ紹介する。(2019/3/14)

ロジックへの統合が容易:
Samsung、28nm FD-SOIプロセス適用のeMRAMを出荷へ
Samsung Electronics(以下、Samsung)は、28nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター、以下FDS)プロセスをベースにした最初のeMRAM(組み込み型磁気抵抗メモリ)製品の量産を発表した。(2019/3/12)

ISSCC 2019:
Intel、22nm FinEFT適用MRAMの概要を発表
Intelは、22nm FinFETプロセス適用デバイスで採用する、組み込みSTT-MRAM(スピン注入磁化反転方式の磁気抵抗メモリ)向け技術について、詳細を明らかにした。(2019/2/22)

湯之上隆のナノフォーカス(9):
10nmで苦戦するIntel、問題はCo配線とRuバリアメタルか
Intelは2016年以降、今日に至るまで、10nmプロセスを立ち上げることができていない。一方で、配線ピッチは同等であるはずの、TSMCとSamsung Electronicsの7nmプロセスは計画通りに進んでいる。ではなぜ、Intelは10nmプロセスの立ち上げに苦戦しているのだろうか。(2019/2/18)

28nm FD-SOI技術で製造:
ST、相変化メモリ搭載の車載用マイコンを出荷
STMicroelectronics(STマイクロエレクトロニクス)は、組み込み型相変化メモリ(ePCM)を内蔵した車載用マイコンのサンプル出荷を始めた。このマイコンは28nm FD-SOI技術を用いて製造される。(2018/12/21)

DNNの学習を成功:
IBMの8ビットAIに向けた取り組み
IBMは、「8ビットの浮動小数点数を使用して、深層学習モデルとデータセットのスペクトル精度を完全に維持した深層ニューラルネットワーク(DNN)のトレーニングを初めて成功させた」とするAIチップを披露した。(2018/12/11)

湯之上隆のナノフォーカス(4) ドライエッチング技術のイノベーション史(4):
チャージングダメージの障壁を乗り越えた日米の情熱
1980年代初旬、プラズマを用いたエッチング技術は、チャージングダメージという大きな壁に直面した。だが、日米によるすさまじい研究の結果、2000年までにほぼ全ての問題が解決された。本稿では、問題解決までの足跡をたどる。(2018/10/24)

福田昭のデバイス通信(166) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(26):
化合物レーザーをシリコンにモノリシック集積する試み(前編)
本シリーズも、いよいよ最終章となる。最後は、シリコン基板に、化合物半導体レーザーをモノリシックに集積する試みを、前後編にわたって解説する。(2018/10/12)

福田昭のデバイス通信(165) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(25):
光送受信システムのリンクバジェット計算事例
今回は、光送受信システムのリンクバジェットを計算した事例を説明する。(2018/10/4)

福田昭のデバイス通信(164) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(24):
光変調器を駆動する高速CMOS回路の試作事例
今回は、光変調器を高速で駆動する電気回路、すなわちシリコンCMOSのドライバ回路を試作した事例を説明する。(2018/9/26)

福田昭のデバイス通信(162) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(22):
896Gbpsの伝送帯域を実現する超高速光送受信モジュール(前編)
今回は、16チャンネルの光送受信モジュール(光トランシーバー)の試作例を紹介する。試作した光トランシーバーは、1チャンネル当たり56Gbpsの速度で光信号を変調する。つまり、16チャンネルの合計では、896Gbpsの帯域幅を実現できることになる。(2018/9/11)

福田昭のデバイス通信(161) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(21):
超高速光送受信モジュールの構成例
今回は、超高速光送受信器(光送受信モジュール)の構成例を紹介する。(2018/9/4)

福田昭のデバイス通信(160) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(20):
光送受信器の構造と性能向上手法
光送受信器の構造と性能向上(スケーリング)について解説する。性能向上の手法は主に、高速化、多値化、多チャンネル化の3つの方向性がある。(2018/8/27)

福田昭のデバイス通信(158) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(18):
半導体レーザーとシリコン光導波路を接続する技術(前編)
今回は、光源となる半導体レーザーとシリコン光導波路を結合する技術を解説する。(2018/8/16)

福田昭のデバイス通信(157) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(17):
光ファイバーとシリコン光導波路を結合する技術
今回は、光ファイバーとシリコン光導波路を結合する技術を解説する。(2018/8/7)

福田昭のデバイス通信(156) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(16):
100Gbpsを超える光ファイバー高速伝送へのアプローチ
今回は、100Gビット/秒(bps)と極めて高速な変調信号を光ファイバーで伝送する実験結果を紹介する。(2018/7/30)

福田昭のデバイス通信(155) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(15):
シリコンフォトニクスの光検出器
今回は、光信号を電気信号に変換する「光検出器」について解説するとともに、ゲルマニウム光検出器の試作品について動特性を示す。(2018/7/25)

福田昭のストレージ通信(109) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(9):
2xnm技術で試作した40Mビット埋め込みMRAM(前編)
2xnm世代のCMOSロジック製造技術によって記憶容量が40Mビット(5Mバイト)の埋め込みMRAMマクロを試作した結果を、前後編で報告する。前編では、高温動作での読み出し電圧マージンの確保と、低温動作での書き込み電圧マージンの維持について紹介する。(2018/7/18)

福田昭のデバイス通信(153) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(13):
光変調器の試作例(電界吸収(EA)変調器)とまとめ(前編)
今回は、エレクトロアブソープション効果(フランツケルディッシュ効果)を利用する変調器(EA変調器)を解説する。さらに、EA変調器でゲルマニウムシリコン(GeSi)を使う理由も併せて説明する。(2018/7/10)

福田昭のストレージ通信(108) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(8):
磁気トンネル接合(MTJ)におけるSRAM代替用とフラッシュ代替用の違い
SRAM代替用MRAMとフラッシュメモリ代替用MRAMでは、磁気トンネル接合(MTJ)の特性がどのように異なるのだろうか。(2018/7/6)

福田昭のデバイス通信(152) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(12):
光変調器の試作例(マッハツェンダ変調器とリング変調器)
「マッハツェンダ変調器(MZ変調器)」と「リング変調器」の試作例を取り上げ、構造と性能を紹介する。(2018/7/3)

福田昭のストレージ通信(107) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(7):
埋め込みMRAMの磁気トンネル接合(MTJ)に要求される条件
多層配線の製造工程に磁気トンネル接合(MTJ)の製造プロセスを組み込むと、どのようなことがMTJに要求されるようになるのか。今回は、その要求を解説する。(2018/6/29)

福田昭のデバイス通信(151) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(11):
シリコン中のキャリア密度の増減によって光の位相を変調する
シリコンフォトニクスの代表的な光変調器「マッハツェンダ変調器(MZ変調器)」と「リング変調器」の基本原理である、シリコン半導体中のキャリア密度によって屈折率が変わる様子を解説する。(2018/6/25)

福田昭のストレージ通信(106) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(6):
埋め込みMRAMのメモリセルと製造プロセス
今回は、ロジックへの埋め込みに向けたMRAMのメモリセルと製造プロセスについて解説する。(2018/6/21)

福田昭のデバイス通信(150) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(10):
シリコンフォトニクスで使われる主な光変調器
前回、光信号の振幅や位相などを連続的に変化させるデバイス「光変調器」の基礎を説明した。今回からは、光変調器の具体的な解説に入る。(2018/6/15)

福田昭のストレージ通信(105) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(5):
MRAMのメモリセルと読み書きの原理
今回は、MRAMのメモリセルの構造と、データの読み出しと書き込みの原理をご説明する。(2018/6/12)

福田昭のデバイス通信(149) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(9):
シリコン光変調器の基礎
今回から、光信号の振幅や位相などを変化させる能動素子「光変調器」を解説していく。光の変調方式は、「直接変調」と「外部変調」に大別される。それぞれについて説明していこう。(2018/6/6)

福田昭のストレージ通信(104) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(4):
IoT/自動車向けMRAMに対する要求仕様とデータ書き換え特性
埋め込みフラッシュメモリの置き換えを想定したMRAM(eMRAM-F)と、埋め込みSRAMの置き換えを想定したMRAM(eMRAM-S)が、IoT(モノのインターネット)や自動車で使われる場合、どういった仕様が要求されるのか。データの書き換え特性を中心に解説する。(2018/6/4)

福田昭のデバイス通信(148) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(8):
WDM伝送を支える光波長フィルターの特性とその制御
波長分割多重(WDM)伝送に必須の受動素子である光波長フィルターの特性と、その制御について解説する。(2018/5/30)

福田昭のストレージ通信(103) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(3):
埋め込みMRAM技術がフラッシュとSRAMを置き換えへ
今回は、GLOBALFOUNDRIESが提供する埋め込みMRAMマクロの概要を解説する。(2018/5/25)

福田昭のデバイス通信(147) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(7):
シリコン光導波路と基本的な光波長フィルター
光回路を形成する受動素子(パッシブデバイス)を解説する。具体的にはシリコン光導波路と、基本的なシリコン光波長フィルターを取り上げる。(2018/5/23)

福田昭のストレージ通信(102) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(2):
微細化限界に達したフラッシュをMRAMで置き換え
埋め込みフラッシュメモリが直面する課題は、微細化の限界である。GLOBALFOUNDRIESは、2xnm以下の技術世代に向けた埋め込み不揮発性メモリとして、MRAM(磁気抵抗メモリ)を考えている。(2018/5/15)

福田昭のデバイス通信(146) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(6):
imecが研究中のシリコンフォトニクス・プラットフォーム
今回は、imecのシリコンフォトニクス・プラットフォームを解説する。このプラットフォームは、200mm(8インチ)あるいは300mm(12インチ)のシリコンウエハーに、ありとあらゆる光部品を作り込もうとするものだ。(2018/5/11)

福田昭のストレージ通信(101) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(1):
記憶容量と書き換え回数から最適な埋め込みメモリを選択
半導体デバイス技術に関する国際会議「IEDM」で行われたセミナー「Embedded MRAM Technology for IoT & Automotive(IoTと自動車に向けた埋め込みMRAM技術)」の概要を今回からシリーズで紹介する。(2018/5/9)

福田昭のデバイス通信(145) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(5):
光送受信モジュールの技術開発ロードマップ
今回は、実装技術と光送受信モジュール技術のロードマップを解説する。光送受信モジュールの高速化と広帯域化では、波長分割多重(WDM)技術が重要になってくる。(2018/5/7)

福田昭のストレージ通信(100) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(13):
多層配線工程に記憶素子を埋め込む不揮発性メモリ技術(後編)
後編では、多層配線工程の中に記憶素子を作り込むタイプの埋め込み不揮発性メモリについて、その利点と、メモリセルの記憶素子を実現する技術を解説する。(2018/4/27)

福田昭のデバイス通信(144) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(4):
シリコンフォトニクスの技術開発ロードマップ
今回は、シリコンフォトニクスの技術開発ロードマップを解説する。シリコンフォトニクスの性能向上とコストを、16/14nmから5nm、3nmの技術ノードに沿って見ていこう。(2018/4/24)

福田昭のストレージ通信(99)STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(12):
多層配線工程に記憶素子を埋め込む不揮発性メモリ技術(前編)
多層配線工程の中に記憶素子を作り込むタイプの埋め込み不揮発性メモリ技術について解説する。(2018/4/20)

福田昭のデバイス通信(143) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(3):
シリコンフォトニクスとは何か
今回は、「シリコンフォトニクス」技術を紹介する。そもそも「シリコンフォトニクス」とは何か、そしてその利点と課題について解説したい。(2018/4/18)

福田昭のストレージ通信(98)STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(11):
車載用埋め込みフラッシュメモリ技術のまとめ
今回は、本シリーズで、これまで述べてきた車載用埋め込みフラッシュメモリ技術を総括する。(2018/4/13)

福田昭のデバイス通信(142) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(2):
電気通信と光通信の境界
データセンターで信号伝送を担うのは、銅ケーブル(電気通信)と光ファイバーケーブル(光ファイバー通信)だ。今回は、この2つにおける通信速度と通信距離の関係や、光ネットワークの帯域を向上する上で鍵となる技術を解説する。(2018/4/10)

福田昭のストレージ通信(97) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(10):
マイコン大手Infineon Technologiesの埋め込みフラッシュメモリ技術
今回は、Infineon Technologiesが開発した埋め込みフラッシュメモリ技術「HS3P(Hot Source Triple Poly)」を取り上げる。HS3Pによるメモリセルトランジスタの動作原理や、どういった分野で実用化されているかを解説する。(2018/4/5)

福田昭のデバイス通信(141) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(1):
光ファイバー通信の基礎知識
今回から、「IEDM 2017」で開催されたチュートリアルから、シリコンフォトニクス技術を紹介する。まずは、光ファイバー通信の基礎から始めていこう。(2018/4/3)

福田昭のストレージ通信(96) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(9):
マイコン大手ルネサスの埋め込みフラッシュメモリ技術
今回は、ルネサス エレクトロニクスのマイコン用埋め込みフラッシュメモリ技術「SG(Split Gate)-MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)」を解説する。(2018/3/30)

福田昭のストレージ通信(95) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(8):
埋め込みフラッシュIP大手ベンダーSSTのメモリ技術
今回は、SST(Silicon Storage Technology)が開発した埋め込みフラッシュメモリ技術を紹介する。同社は「SuperFlash(スーパーフラッシュ)」と呼んでいるが、その最大の特徴はスプリットゲート方式にある。(2018/3/27)

福田昭のストレージ通信(94) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(7):
STMicroelectronicsの埋め込みフラッシュメモリ技術(後編)
今回は、STMicroelectronicsの1トランジスタのNORフラッシュ(1T NOR eFlash)技術の製造プロセスと、フラッシュ内蔵車載用マイコンの開発史について紹介する。(2018/3/22)

福田昭のストレージ通信(93) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(6):
STMicroelectronicsの埋め込みフラッシュメモリ技術(前編)
今回は、開発各社の埋め込みフラッシュメモリ技術を前後編にわたって紹介する。前編では、STMicroelectronicsが製品化している、1トランジスタのNORフラッシュ(1T NOR eFlash)技術を取り上げる。(2018/3/19)

福田昭のストレージ通信(92) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(5):
車載用の埋め込みフラッシュメモリ技術
今回は、大容量、具体的には車載用の埋め込み不揮発性メモリ技術を取り上げる。車載用の不揮発性メモリ技術は、1トランジスタのNORフラッシュ(1T NOR Flash)技術と、スプリットゲートフラッシュ技術に大別される。(2018/3/13)



2013年のα7発売から5年経ち、キヤノン、ニコン、パナソニック、シグマがフルサイズミラーレスを相次いで発表した。デジタルだからこそのミラーレス方式は、技術改良を積み重ねて一眼レフ方式に劣っていた点を克服してきており、高級カメラとしても勢いは明らかだ。

言葉としてもはや真新しいものではないが、半導体、デバイス、ネットワーク等のインフラが成熟し、過去の夢想であったクラウドのコンセプトが真に現実化する段階に来ている。
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これからの世の中を大きく変えるであろうテクノロジーのひとつが自動運転だろう。現状のトップランナーにはIT企業が目立ち、自動車市場/交通・輸送サービス市場を中心に激変は避けられない。日本の産業構造にも大きな影響を持つ、まさに破壊的イノベーションとなりそうだ。