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「IGBT」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

Insulated Gate Bipolar Transistor、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ

2021年は「良い年になる」:
ルネサス、2020年12月期業績を発表
ルネサス エレクトロニクスは2021年2月10日、2020年12月期(2020年度)通期決算を発表した。2020年度通期業績(Non-GAAPベース)は、売上高7157億円(前年比0.4%減)、営業利益1375億円(同48.6%増/営業利益率19.2%)、純利益1115億円(同46.9%増)と減収増益となった。売上総利益率は、47.3%で前年よりも4.4ポイント上昇した。(2021/2/12)

大山聡の業界スコープ(39):
半導体不足という「有事」が問うニッポン半導体産業のあるべき姿
2021年2月6日付の日本経済新聞1面に「半導体『持たざる経営』転機 有事の供給にリスク」という記事が掲載された。昨今はこの記事以外にも半導体業界に関する記事が注目を集めているようで、この業界に長らく関わっている筆者としてもありがたいことだ。ただ、半導体業界関連の記事をよく読んでみると「そうかな?」と首をかしげる記事も少なくない。冒頭に挙げた記事も、分かりやすく簡潔にまとまっているように見えるが、逆にまとまり過ぎていて、筆者の主張したいことが多々こぼれ落ちているように読めた。そこで、今回は半導体産業のあるべき姿について、私見を述べさせていただくことにする。(2021/2/10)

トレックス・セミコンダクター 代表取締役社長 芝宮孝司氏:
PR:“アナログの泥臭さ”が生きる低電圧出力が勝負どころに、設計力を底上げしタイムリーな製品投入を狙う
小型・低消費電力の電源ICに強みを持つトレックス・セミコンダクター。新しい中期経営計画の初年度となる2021年度は、主力製品のラインアップ拡充を図る他、資本提携したインドのアナログICメーカーとの協業による設計力の底上げと、半導体受託製造を手掛ける子会社フェニテックセミコンダクターの工場移管による高収益体制の確立を目指す。同社社長の芝宮孝司氏に、事業戦略を聞いた。(2021/1/13)

三菱電機 HVIGBTモジュール Xシリーズ dualタイプHV100:
定格電流600Aの大型産業機器向けHVIGBT
三菱電機は、耐電圧3.3kV、絶縁耐圧10kVrmsの「HVIGBTモジュール Xシリーズ dualタイプHV100」2品種のサンプル提供を2021年4月から開始する。定格電流600Aにより、大型産業機器向けインバーターの高出力、高効率化に対応する。(2021/1/8)

第7世代「Xシリーズ」素子を搭載:
富士電機、低損失の新型IGBTモジュールを発売
富士電機は、IGBTモジュール「XシリーズIGBT-IPM」を発売した。第7世代と位置付けるIGBT素子「Xシリーズ」を搭載することで損失を低減した。NC工作機械や産業用ロボットなどの用途に向ける。(2020/12/24)

シリコンIGBTの性能向上を実証:
両面ゲートIGBT、スイッチング損失を6割低減
東京大学生産技術研究所は、シリコンIGBTの表裏両面にMOSトランジスタのゲートを設けた「両面ゲートIGBT」を作製し、表面だけの従来構造に比べ、スイッチング損失を62%低減できることを実証した。(2020/12/9)

EV用充電回路のサイズは半分に:
PR:ドライバ統合で電力密度が倍増、次世代GaN FETが電源設計に新たな価値をもたらす
10年間、GaNパワーデバイスの研究開発に投資し、性能と信頼性を向上してきたTexas Instruments(TI)。同社が開発した新しい650Vおよび600VのGaN FETは、Siliconドライバや保護回路を統合することで、電力密度をさらに高めた製品となっている。(2020/12/11)

組み込み開発ニュース:
両面ゲートIGBTのスイッチング損失を最大62%低減、東京大学が新技術開発
東京大学 生産技術研究所は2020年12月7日、ゲート両面の動作タイミングを最適化することなどを通じて、両面ゲートIGBTのスイッチング損失を、片面ゲートIGBTと比較して最大62%低減することに成功したと発表。(2020/12/8)

価格はシリコンと同水準、UnitedSiC:
「業界最高の性能指数を実現」する750V耐圧SiC FET
米国UnitedSiCは2020年12月1日(現地時間)、同社の「第4世代SiC FET」として、750V耐圧の新製品を発表した。同社は、単位面積当たりのオン抵抗やスイッチング性能など、「業界最高の性能指数」を実現したと説明している。またコスト面でも、「スーパージャンクション(SJ)構造のシリコンMOSFETのプレミアム品とほぼ同水準の価格だ」という。(2020/12/4)

インフィニオン CoolSiC MOSFET:
1200V対応、自然冷却のパワーMOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、SiCパワーMOSFETファミリー「CoolSiC MOSFET」に1200V用に最適化された新製品を追加した。自然空冷を可能にしたことで冷却ファンや関連設備を不要とし、損失も従来比で最大80%削減できる。(2020/11/26)

ソフトウェアの再利用性など強みに:
CASEからPACEへ、コロナ後に向けたルネサスの車載戦略
ルネサス エレクトロニクスは2020年10月28日、オンラインで車載事業に関する説明会を実施し、新型コロナウイルス感染症(COVID-19)が車載市場に与える影響およびコロナ後に向けた同社のソリューションなどについて語った。(2020/11/4)

産業機器と自動車用途向けに投入:
STとサンケン電気、高耐圧・高出力のIPMを共同開発
STマイクロエレクトロニクスとサンケン電気は、産業機器や自動車用途向けに、高耐圧で高出力のインテリジェントパワーモジュール(IPM)を共同で開発していく。(2020/10/28)

富士経済が新型コロナの影響を検証:
パワー半導体市場、2020年予測を一部下方修正
富士経済は、2020年のパワー半導体世界市場について、2020年2月に発表した予測を一部下方修正した。前回予想に比べSi(シリコン)パワー半導体は大幅に縮小、次世代パワー半導体は伸び率が鈍化する見通しとなった。(2020/10/22)

機器の電力損失を大幅に削減:
東芝、耐圧1200VのSiC MOSFETを発売
東芝デバイス&ストレージは、耐圧1200VのSiC(炭化ケイ素)MOSFET「TW070J120B」を開発、出荷を始めた。産業機器向けAC-DCコンバーターや太陽光インバーター、大容量の双方向DC-DCコンバーターなどの用途に向ける。(2020/10/21)

ゲート抵抗の変化にも対応:
東芝、IGBTとFWD向け回路モデルを新たに開発
東芝デバイス&ストレージは、外部環境の変化に対応して電力効率とEMIノイズを高精度に予測できるIGBTとFWD(Free Wheeling Diode)向けの回路モデルを新たに開発した。(2020/9/28)

電力損失を従来比約70%も低減:
三菱電機、産業用フルSiCパワーモジュール発売
三菱電機は、パワー半導体の新製品として、産業用機器に向けたフルSiC(炭化ケイ素)パワーモジュール9品種を開発、2021年1月から順次発売する。(2020/9/16)

Littelfuseジャパン代表 亥子正高氏:
幅広い製品群をあらゆる用途へ、SiCパワーICにも注力
1927年の創業以来、ヒューズやポリマーPTC、TVSダイオードといった回路保護素子を手掛けてきた米Littelfuse。同社の日本法人であるLittelfuseジャパンでは2020年4月、それまで取締役営業本部長を務めていた亥子正高氏が代表に就任した。同氏に、日本での戦略や、新型コロナウイルス感染症(COVID-19)による影響などを聞いた。(2020/9/2)

半導体リレーの小型/低損失化に向けて:
SJ構造を用いたバイポーラトランジスタ開発
新日本無線と山梨大学は2020年8月、コレクタ領域をスーパージャンクション構造としたシリコンバイポーラトランジスタ(SJ-BJT)を開発したと発表した。半導体を用いたリレー(ソリッドステートリレー/SSR)の小型化、低損失化が実現できるパワーデバイスだという。(2020/9/2)

電源の小型低消費電力化を可能に:
LV100タイプ採用の産業用IGBTモジュールを発売
三菱電機は、パワー半導体の新製品として、LV100タイプパッケージを採用した産業機器向けIGBTモジュール「Tシリーズ」を開発、2020年9月から順次発売する。(2020/8/27)

ローム パワーデバイス事業統括 伊野和英氏:
25年にトップシェアへ、SiC市場をリードする“後発・ローム”
パワー半導体市場に後発として参入しながら、本格的な拡大が見込まれるSiC(炭化ケイ素)パワーデバイス市場において、先進的な研究開発を進めてきたローム。今回、同社取締役 上席執行役員CSO(最高戦略責任者)兼パワーデバイス事業統括の伊野和英氏に話を聞いた。(2020/8/26)

インフィニオン HybridPACK DC6i:
トラクションインバーター向けパワーモジュール
インフィニオン テクノロジーズは、中出力電気自動車用トラクションインバーター向けのIGBTパワーモジュール「HybridPACK DC6i」を発表した。最新の車載向けIGBT「EDT2」を搭載している。(2020/8/25)

コロナ禍の減少「リーマンショック時の半分程度」:
パワー半導体世界市場、2025年に243億5100万ドルに
矢野経済研究所は2020年7月27日、パワー半導体の世界市場予測を発表した。新型コロナウイルス感染症(COVID-19)の影響でパワー半導体の世界市場は2020年にマイナス成長を見せるものの、2021年に一部分野から回復基調に転じ、2025年には243億5100万米ドルにまで成長すると予測している。(2020/7/28)

PCIM Europe digital days 2020 Infineon:
過酷な環境下のIGBTモジュールの寿命を20年以上に
Infineon Technologies(インフィニオン・テクノロジー)はオンライン開催となったパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe digital days 2020」(2020年7月7〜8日、ドイツ時間)に出展。過酷な環境下での20年以上の寿命を実現するIGBTモジュール「EconoPACK+モジュール」などを紹介した。(2020/7/22)

PCIM Europe digital days 2020、ローム:
バーチャルブースで第4世代SiC-MOSFETなど展示
ロームは、オンライン開催となったパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe digital days 2020」(2020年7月7〜8日、ドイツ時間)に出展。バーチャルブースを用意し、第4世代SiC-MOSFETなどの製品を紹介していた。(2020/7/17)

PCIM Europe digital days 2020、三菱電機:
再エネ、一般産業向け「LV100タイプ」IGBTモジュール
三菱電機は、オンライン開催となったパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe digital days 2020」(2020年7月7〜8日、ドイツ時間)に出展。新製品として、高い信頼性と拡張性を持つ一般産業用途向けのLV100モジュールを紹介した。耐圧1200V、1700Vをラインアップし、風力発電用コンバーターや太陽光発電セントラルインバーターなどの用途に向け、2020年中に製品化する予定だ。(2020/7/17)

三菱電機 SiC-MOSFET 1200V-N:
低電力損失と高い誤動作耐量を備えるSiC-MOSFET
三菱電機は、パワー半導体の新製品「SiC-MOSFET 1200V-N」シリーズ6品種のサンプル提供を開始する。低電力損失と高い誤動作耐量を両立しており、車載充電器や太陽光発電などの電源システムの低消費電力化、小型化に貢献する。(2020/7/8)

東芝 TPD4162F:
600V耐圧の小型インテリジェントパワーデバイス
東芝デバイス&ストレージは、600V耐圧の小型インテリジェントパワーデバイス「TPD4162F」を発売した。高耐圧SOIプロセスの採用により、電力損失を従来品から10%低減。機器の変換効率向上に貢献する。(2020/6/16)

売上高は前期比で−14〜−10%減:
ルネサスの2020年4〜6月業績予測、車載需要が減少
ルネサス エレクトロニクス(以下、ルネサス)は2020年5月29日、2020年12月期第2四半期(2020年4〜6月)の業績予想を発表した。(2020/5/29)

WBGパワー半導体を使う:
SiCスイッチの特性と設計上の注意点
年々注目度が増すワイドバンドギャップ(WBG)半導体。その中で、現在最もシェアが高いのはSiC(炭化ケイ素)だ。SiCスイッチの特性と、同素子を使う際の設計上の注意点を説明する。(2020/5/27)

かつてない電力需要増に応える:
PR:IoT/AI時代の“立役者”、次世代パワーICはさらなる高電力密度化へ
IoTとAIの時代が到来し、さまざまな機器で膨大な量のデータが処理され、グローバルなレベルでデータが行き交うことから、増加する電力需要に応えられる拡張機能を備えたパワーエレクトロニクス製品が求められている。Texas Instruments(TI)は、こうした要件を満たす、高い電力密度や変換効率を実現した最新のGaN製品や降圧型DC/DCコンバータを展開している。(2020/5/27)

村田製作所 KCM、KRMシリーズ:
高耐圧大電流スナバ回路向け金属端子タイプMLCC
村田製作所は、金属端子タイプの温度補償用積層セラミックコンデンサーとして、自動車用「KCM」シリーズと、一般用「KRM」シリーズの量産を発表した。車載、産業機器用IGBTのスナバ回路への適用を見込む。(2020/5/21)

イリソ電子工業 18021シリーズ:
共振吸収機能搭載のIGBT向けコネクター
イリソ電子工業は、共振吸収機能を備えた車載インバーターIGBT向けコネクター「18021」シリーズを発表した。基板接続に適したボトム嵌合方式で、XY方向の可動に加えてZ方向にも動くため、基盤の共振を吸収しつつ高い接続性を保つ。(2020/5/7)

FAニュース:
電力原単位を5%低減、溶解効率の高い新型誘導炉
富士電機は、新型誘導炉「F-MELT100G」を発売した。炉体構造の最適化により溶解効率を向上した結果、電力原単位を5%低減。鋳物生産の省エネ化に貢献する。(2020/4/24)

DC-CDコンバーター活用講座(33):
DCDCコンバーターの信頼性(4)コンデンサーの信頼性
前回に引き続き、DC-DCコンバーターの信頼性に関して説明していきます。今回は、DCDCコンバーターに使用される、積層セラミックコンデンサー(MLCC)やタンタルまたは電解コンデンサーの信頼性について解説します。(2020/4/30)

日米の大学が研究成果を発表:
ダイヤモンド基板のGaN-HEMT、新接合技術で熱伝導が向上
米Georgia Institute of Technology(ジョージア工科大学)機械工学部が主導する開発チームが、室温での表面活性化接合(SAB)をベースとして、GaNと単結晶ダイヤモンドを別の中間層と接合するという成果を発表した。(2020/4/9)

パワー・インテグレーションズ 1SP0351:
新しいプレスパックIGBTモジュール用ゲートドライバ
パワー・インテグレーションズは、プラグアンドプレイゲートドライバ「1SP0351」を発表した。同社のSCALE-2チップセットをベースにしており、同チップセットの高度な制御技術により、従来と比較して部品点数を85%削減できる。(2020/4/3)

東芝 TLP5231:
パワーデバイス向けプリドライブ用フォトカプラ
東芝デバイス&ストレージは、保護機能を搭載した中大電流IGBTとMOSFETプリドライブ用フォトカプラ「TLP5231」の量産出荷を開始した。産業用インバーターや太陽光発電用パワーコンディショナーなどの用途を見込む。(2020/4/1)

富士電機 電子デバイス事業本部長 宝泉徹氏:
5年で1200億円投資、拡大市場狙い攻勢強める富士電機
富士電機がパワー半導体市場で攻勢を強めている―――。2019年に発表した2019〜2023年度中期経営計画(以下、中計)において、同社は成長戦略の中核にパワエレシステム/パワー半導体を置いた。特にパワー半導体については2023年度の売上高目標を1750億円(2018年度比57%増)とするなど、主力のIGBTを原動力に市場での存在感を高めていく方針だ。今回、同社電子デバイス事業本部長、宝泉徹氏からその戦略や開発方針などを聞いた。(2020/3/30)

電力計の基礎知識(1):
電力計の種類と選定ポイント
電力を測るニーズの拡大にあわせて、さまざまなタイプの電力測定器が登場している。今回の記事では高性能、高機能が要求されるベンチトップ電力計に絞って基礎知識を解説していく。(2020/3/17)

ロームが無償提供を開始:
パワー素子とICを一括検証できるWebシミュレーター
ロームは2020年2月、Webサイト上で電子回路シミュレーションを実施できる無償ツール「ROHM Solution Simulator」の提供を開始した。提供開始時点で、SiC(炭化ケイ素)パワーデバイスや駆動IC、電源ICなどのローム製半導体製品を使用した44種の回路でシミュレーション検証を実施でき、今後、回路種や対応半導体製品を広げていく。(2020/3/4)

新型肺炎の影響:
電子機器成長率、工場停止1カ月ごとに1%減か
現時点で、市場調査会社のアナリストは、コロナウイルスによる影響をどのように見ているのか。インフォ―マインテリジェンス(旧IHS Markitテクノロジー部門)のアナリストである南川明氏に、電子機器市場への影響について尋ねた。(2020/2/25)

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版:
FPD最前線 ―― 電子版2月号
EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版 2020年2月号を発行致しました。今号の電子版限定先行公開記事(EE Exclusive)では、薄型パネルディスプレイ(FPD)市場の最新トレンドをまとめた「FPD最前線」をお送りします。(2020/2/14)

FAニュース:
位置決め機能内蔵タイプのACサーボアンプ、システム簡素化に貢献
山洋電気は、ACサーボアンプ「SANMOTION R 3E Model」の位置決め機能内蔵タイプを発売した。豊富なアンプ容量と電源電圧に対応し、パラレル、シリアルタイプのインタフェースを備える。(2020/2/4)

オン・セミコンダクター:
RAWとYUVを1台で同時出力するイメージセンサーSoC
On Semiconductorは、「オートモーティブワールド2020」(2020年1月15〜17日/東京ビッグサイト)に出展。RAWデータとYUVデータを同時に出力することでセンシングとビューイングの2用途に1台で対応するイメージセンサーSoC(System on Chip)「AS0149AT」などを公開した。(2020/2/3)

三菱電機 SLIMDIP-W:
白物家電インバーターのパワー半導体モジュール
三菱電機は、白物家電のインバーターを駆動するパワー半導体モジュール「SLIMDIP-W」を発表した。低ノイズ化と高キャリア周波数時の電力損失を低減し、白物家電の省エネおよび騒音低減を可能にする。(2020/1/17)

オートモーティブワールド2020:
28nm FD-SOI車載マイコンやSiCパワーデバイスを公開
STMicroelectronics(以下、ST)は2020年1月15日から東京ビッグサイトで開催されている展示会「オートモーティブ ワールド」(会期:1月17日まで)で、新しい車載マイコン製品群「Stellarファミリ」やSiC(炭化ケイ素)を用いたパワーデバイス製品などを展示している。(2020/1/16)

オン・セミコンダクター PSGジャパンサイトマネージャー 夏目正氏:
300mm工場も取得、広範製品群で車載中心に拡大へ
省エネ化/低炭素社会のキーデバイスとして、近年注目を集めるパワー半導体。次世代素材の開発など競争が激化する中、主要メーカーはいかに戦っていくのか。今回は、企業/事業買収を積極的に進め急速に規模を拡大してきたOn Semiconductor(オン・セミコンダクター/以下、オンセミ)のパワー・ソリューションズ・グループ(PSG)ジャパンサイトマネジャー、夏目正氏に話を聞いた。(2020/1/15)

ゲートドライバとの組み合わせで:
TIのGaNパワー半導体ビジネスの狙いと勝算
Texas Instruments(TI)はパワー半導体市場でどのような戦略を立て、競合に対抗していくのか。同社ハイボルテージ・パワー部門バイスプレジデント兼ジェネラル・マネージャを務めるSteve Lambouses氏にインタビューした。(2019/12/6)

IIFES2019:
エッジリッチを描く東芝、OTとITを統合する新製品やSCiB小型モデルを披露
東芝グループは、「IIFES2019」(2019年11月27〜29日、東京ビッグサイト)に出展し、産業用コントローラーやIoT(モノのインターネット)対応インバーター、リチウムイオン二次電池「SCiB」を容易に扱えるBMU(バッテリーマネージメントユニット)新製品などを紹介した。(2019/12/3)

プログラマブル直流安定化電源の基礎知識(3):
プログラマブル直流安定化電源の用途例や保守
直流電源はさまざまな分野で使われているため、多くの製品が市場にある。今回の解説では製品の開発や生産の現場で使われているプログラマブル直流安定化電源のうち、対象物にエネルギーを供給する試験用電源についての基礎知識を紹介していく。連載最終回となる今回は、「用途例」や「保守」について紹介する。(2019/11/15)


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にわかに地球規模のトピックとなった新型コロナウイルス。健康被害も心配だが、全国規模での臨時休校、マスクやトイレットペーパーの品薄など市民の日常生活への影響も大きくなっている。これに対し企業からの支援策の発表も相次いでいるが、特に今回は子供向けのコンテンツの無料提供の動きが顕著なようだ。一方産業面では、観光や小売、飲食業等が特に大きな影響を受けている。通常の企業運営においても面会や通勤の場がリスク視され、サーモグラフィやWeb会議ツールの活用、テレワークの実現などテクノロジーによるリスク回避策への注目が高まっている。