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「トランジスタ」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「トランジスタ」に関する情報が集まったページです。

THzトランジスタの商用化を可能に:
製造コストを削減できるグラフェン製造法を開発
東北大学は、グラフェンを用い低環境負荷で超高速のデバイスを製造する方法を開発した。テラヘルツ(THz)帯で動作する高品質のグラフェントランジスタを、これまでに比べ100分の1以下という安価な製造コストで実現できるという。(2021/2/8)

ネクスペリア NHDTx、NHUMxシリーズ:
車載、高電圧回路向け80V抵抗内蔵トランジスタ
ネクスペリアは、48V車載システムや高電圧バス回路向けに、80V抵抗内蔵トランジスタ「NHDTx」「NHUMx」シリーズ42製品を発表した。従来の50V製品と同等のバイアス抵抗を採用しつつ、大きなスパイクやパルスにも対応できる。(2021/1/26)

デンソー 昇圧用パワーモジュール:
燃料電池自動車向けの昇圧用パワーモジュール
デンソーは、燃料電池自動車向けにSiCパワー半導体を搭載した次期型昇圧用パワーモジュールの量産を開始した。新開発の車載用SiCトランジスタと車載用SiCダイオードを組み合わせた、小型で効率的なモジュールだ。(2020/12/18)

200℃以下でSi層とGe層を積層:
日台が連携、2nm世代に向けた「hCFET」を開発
日本と台湾の国際共同研究グループは、2nm世代に向けた積層型Si/Ge異種チャネル相補型電界効果トランジスタ「hCFET」を開発した。(2020/12/10)

シリコンIGBTの性能向上を実証:
両面ゲートIGBT、スイッチング損失を6割低減
東京大学生産技術研究所は、シリコンIGBTの表裏両面にMOSトランジスタのゲートを設けた「両面ゲートIGBT」を作製し、表面だけの従来構造に比べ、スイッチング損失を62%低減できることを実証した。(2020/12/9)

n型有機半導体単結晶薄膜を利用:
4.3MHz動作の高速n型有機トランジスタを開発
東京大学と筑波大学の研究者らによる共同研究グループは、印刷が可能でバンド伝導性を示すn型有機半導体単結晶薄膜を用い、4.3MHzで動作する高速n型有機トランジスタを開発した。(2020/11/25)

600Vの産業用も、日本TI:
ドライバや保護回路を集積した車載用650V GaN FET
日本テキサス・インスツルメンツは2.2MHzの高速スイッチングゲートドライバや保護回路を集積した車載用650V耐圧GaN(窒化ガリウム)FET(電界効果トランジスタ)製品を発表した。(2020/11/11)

最終製品の大幅な小型、軽量化を実現:
ハーフブリッジドライバとGaN-HEMTを集積したSiP
STマイクロエレクトロニクスは、ハーフブリッジゲートドライバと2つのGaN-HEMT(窒化ガリウムを用いた高電子移動度トランジスタ)を集積したSiP(System in Package)製品プラットフォーム「MasterGaN」を開発した。(2020/11/6)

詳細なメカニズムの解明にも成功:
GaN-HEMT、表面電子捕獲の時空間挙動を直接観測
東北大学の研究グループと住友電気工業、高輝度光科学研究センターは、窒化ガリウム(GaN)を用いた超高速トランジスタ(GaN-HEMT)が動作している時に、表面電子捕獲の時空間挙動を直接観測することに成功し、その詳細なメカニズムも解明した。(2020/11/5)

遮断周波数は最速の45MHz:
有機半導体トランジスタの高速応答特性をモデル化
東京大学と産業技術総合研究所(産総研)、物質・材料研究機構(NIMS)の共同研究グループは、有機半導体トランジスタの高速応答特性をモデル化することに成功した。製造した有機半導体トランジスタの遮断周波数は、最速となる45MHzを達成した。(2020/9/29)

量子デバイスへの応用などに期待:
東北大とローム、GaN FET構造で量子ドットを観測
東北大学とロームの研究グループは、窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)構造で、量子ドットが形成されることを観測した。半導体量子ビットや量子センサーへの応用、材料内のミクロな不純物評価などへの活用が期待される。(2020/9/28)

組み込み開発ニュース:
インテルの新プロセッサ「Tiger Lake」、トランジスタやメタル改良で高性能化
インテルは2020年9月3日、報道関係者向けのプレスセミナーをオンライン開催し、動作周波数の向上と消費電力の削減を同時に達成する「SuperFinプロセステクノロジー」や、新グラフィック機能などを実装した第11世代インテル Core プロセッサ ファミリーを発表した。同プロセッサの開発コード名は「Tiger Lake」である。(2020/9/7)

高真空とリソのプロセスを不要に:
無電解めっきを用い高性能有機トランジスタを製造
東京大学らの共同研究グループは、「無電解めっき」でパターニングをした金電極を有機半導体に貼り付けた、「高性能有機トランジスタ」の製造に成功した。(2020/8/12)

アニメ「宇崎ちゃんは遊びたい!」2話振り返り トランジスタグラマー宇崎ちゃんはあっちもこっちもSUGOI
2人を観察する者、マスター登場回。(2020/7/19)

成膜速度は従来の2000倍以上:
有機トランジスタ用結晶膜成膜の高速化に成功
東京工業大学は、有機トランジスタ用半導体の超高速塗布成膜に成功した。ディップコート法と液晶性有機半導体を活用することで、従来の溶液プロセスに比べ成膜速度は2000倍以上も速い。(2020/7/9)

2次元配列の「配線問題」を解決:
多層ニューラルネットワークを1チップに多層構造で実装 東京大学生産技術研究所の小林正治氏らが3次元集積デバイスを開発
東京大学生産技術研究所の准教授を務める小林正治氏らは、IGZOトランジスタと抵抗変化型不揮発性メモリを3次元集積したデバイスの開発に成功した。ディープラーニングの多層ニューラルネットワークを1チップ上に多層構造で実装可能になる。(2020/6/18)

多層ニューラルネットを1チップに:
東京大、IGZOトランジスタとRRAMを3次元集積
東京大学生産技術研究所の小林正治准教授らは、膜厚が極めて薄い酸化物半導体「IGZO」を用いたトランジスタと、抵抗変化型不揮発性メモリ(RRAM)を3次元集積したデバイスを開発し、インメモリコンピューティングの機能実証に成功した。(2020/6/17)

研究開発の最前線:
半導体ナノ結晶を用いて光電流増幅効果の高い電界効果トランジスタを作製
電力中央研究所と早稲田大学、Fluximの共同研究グループは、二重構造を持つ半導体ナノ結晶を用いて、これまでより大きな光電流増幅効果を持つ電界効果トランジスタを作製することに成功した。(2020/3/2)

高移動度と短チャネル化を両立:
遮断周波数が38MHzの有機トランジスタを開発
東京大学らによる共同研究グループは、有機半導体単結晶の薄膜上でチャネル長1μmを実現する微細加工手法を開発した。この手法を用い、遮断周波数が38MHzの有機トランジスタを実現した。(2020/2/7)

実用レベルの移動度を実現:
東大、シールのように貼れる有機半導体膜を開発
東京大学は、印刷法で製膜をした極めて薄い有機半導体膜を、別の基板上に貼り付ける手法を開発した。この技術を用いて作製した電界効果トランジスタの移動度は、実用レベルの約10cm2/Vsを実現している。(2019/12/20)

頭脳放談:
第234回 ヤァヤァヤァ、有機トランジスタの時代がやってくる?
東京大学などが有機トランジスタの実用性を向上させる印刷技術を開発したという。有機トランジスタは、既存のシリコントランジスタを置き換えることができるのだろうか?(2019/11/18)

実用レベルの移動度を実現:
東大ら、簡便な印刷法で有機半導体ウエハー作製
東京大学らによる共同研究グループは、実用レベルの有機トランジスタを実現できる有機半導体ウエハーを、簡便な印刷法で作製することに成功した。(2019/11/8)

Beyond-Silicon:
MIT、カーボンナノチューブでRISC-Vプロセッサを開発
米Massachusetts Institute of Technology(MIT)の研究グループが、カーボンナノチューブ(CNT)トランジスタを使った16ビットのRISC-Vマイクロプロセッサの開発に成功したと発表した。業界標準の設計フローとプロセスを適用し、シリコンプロセッサと比べて10倍以上高いエネルギー効率を実現するという。(2019/9/13)

研究開発の最前線:
三菱電機とAISTがダイヤモンド基板GaN-HEMTの開発に成功、無線機器の高効率化に
三菱電機は2019年9月2日、産業技術総合研究所(産総研)と共同で、放熱基板として単結晶ダイヤモンドを用いたマルチセル構造のGaN(窒化ガリウム)-HEMT(高電子移動度トランジスタ)を世界で初めて(同社調べ)開発したと発表した。(2019/9/3)

直接アリール化重縮合法を採用:
東工大、電子輸送型有機半導体高分子を合成
東京工業大学は、直接アリール化重縮合法を用いて、電子輸送型(n型)の有機半導体高分子の合成に成功した。作製した高分子トランジスタは、室温大気環境で長期保存しても性能が安定しているという。(2019/8/13)

Nexperia BAS16TH、BAS21TH、BC807Hシリーズ、BC817KHシリーズ:
定格温度175℃のダイオードとトランジスタ
Nexperiaは、SOT23パッケージを採用した定格温度175℃のダイオードと汎用トランジスタ製品を発売した。AEC-Q101準拠で車載用途に適しており、許容損失が増加していることから、ギアボックスなどの高温設計が可能になる。(2019/7/29)

IGZOと次世代機能性材料を融合:
東大生研、大容量&低消費電力のFeFETを開発
 東京大学生産技術研究所は2019年6月10日、大容量で低消費電力な8nmの極薄IGZOチャネルを有するトランジスタ型強誘導体メモリ(FeFET)を開発した、と発表した。同所は、「IoTデバイスのエネルギー効率が飛躍的に向上し、より高度で充実したネットワーク、サービスの展開が期待される」としている。(2019/6/12)

損失も低減:
Siの限界を突破する! 3300V IGBTの5Vゲート駆動に成功
2019年5月、東京大学生産技術研究所の更屋拓哉助手、平本俊郎教授を中心とする研究グループは、耐圧3300VクラスのシリコンによるIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)を、ゲート駆動電圧5Vで動作させることに成功したと発表。2019年5月28日に、東京都内で記者会見を開催し、開発技術の詳細を説明した。(2019/5/29)

電子の数と動きやすさ同時に変化:
理研ら、有機トランジスターで超伝導状態を制御
理化学研究所(理研)らの共同研究グループは、有機物の強相関物質を用いた電気二重層トランジスターを作製し、電子の「数」と「動きやすさ」を同時に変化させることで、超伝導状態を制御することに成功した。(2019/5/15)

ダイオードとトランジスタ:
パナソニックが半導体事業の一部をロームに譲渡
ロームは2019年4月23日、パナソニックから、半導体事業部門であるパナソニック セミコンダクターソリューションズのダイオードおよびトランジスタ事業の一部を譲り受けることを決定したと発表した。(2019/4/23)

アスピレーターの原理を応用:
電力供給なしでトランジスタの電流を増幅
静岡大学電子工学研究所/創造科学技術大学院の小野行徳教授らは、NTTや北海道大学の研究グループと共同で、電力供給なしにトランジスタの電流を増幅させることに成功した。(2018/12/20)

イオン注入ドーピングの適用で:
酸化ガリウムパワー半導体、低コスト化へ前進
新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は2018年12月12日、情報通信研究機構(NICT)と東京農工大学が、イオン注入ドーピング技術を用いた縦型酸化ガリウム(Ga2O3)パワー半導体(トランジスタ)の開発に成功したと発表した。「世界初」(NEDO)とする。(2018/12/13)

electronica 2018:
GaNデバイス向けにAEC-Q100の拡張が必要、Exagan
フランスのGaNデバイス専業メーカーExaganは、ドイツ・ミュンヘンで開催された「electronica 2018」(2018年11月13〜16日)で、同社のパワートランジスタ「G-FET」と、GaNゲートドライバー「G-DRIVE」を展示した。(2018/12/4)

福田昭のストレージ通信(123) 3D NANDのスケーリング(11):
垂直方向に並んだセルトランジスタを一気に作る
3D NANDフラッシュ製造におけるキープロセスの1つ、「メモリセルの形成(Cell Formation)」技術について解説する。(2018/11/9)

次世代パワーデバイス:
高速GaNトランジスタ、最適な測定方法とは
GaNトランジスタの出現がもたらしたスイッチング速度の高速化に伴って、優れた測定技術、それとともに高速波形の重要特性を細部まで把握する技術が不可欠になっている。本稿では、測定機器をどのように活用すれば、ユーザーの要求条件および測定技術に適合し、高性能GaNトランジスタを正確に評価することができるかを考察する。(2018/10/26)

NXP MRFX1K80N、MRFX600H、MRFX035H:
スマート産業向け65V LDMOS RFパワートランジスタ
NXPセミコンダクターズは、スマート産業向けのRFパワートランジスタ、65V LDMOS製品「MRFX」シリーズの新たなラインアップ「MRFX1K80N」「MRFX600H」「MRFX035H」を発表した。(2018/10/22)

無線通信デバイスの高出力化へ:
GaN-HEMTの表面電子捕獲機構を解明、東北大など
東北大学電気通信研究所の吹留博一准教授らは、GaN(窒化ガリウム)を用いた無線通信用高速トランジスタ(GaN-HEMT)の出力低下につながる表面電子捕獲のナノスケール定量分析と、その抑制機構の解明に成功した。(2018/9/11)

90年代から開発着手も:
EUVプロセス開発、けん引役をTSMCに譲ったIntel
技術開発をリードするごくわずかな半導体メーカーは、2019年にはEUV(極紫外線)リソグラフィによって、半導体のトランジスタ密度がその物理的限界にさらに一歩近づくと断言している。かつて世界最大の半導体メーカーだったIntelは、EUVで先頭に立とうとすることを諦めたようだ。(2018/9/7)

従来に比べ効率を0.2%改善:
インフィニオン、IGBTを300mmウエハーで量産
インフィニオンテクノロジーズは、耐圧1200VのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスター)「TRENCHSTOP IGBT6」を発表した。この製品は300mmウエハーを用いて量産する。(2018/8/15)

機器形状数十分の一、コスト半減:
FLOSFIA、MOSFETのノーマリーオフ動作を実証
京都大学発のベンチャー企業が、コランダム構造の酸化ガリウムを用いて、ノーマリーオフ型MOSFET(絶縁効果型トランジスター)の動作実証に成功した。(2018/8/15)

レーダーの観測範囲は2.3倍に:
GaNトランジスタ、出力を従来の3倍に向上
富士通と富士通研究所は、出力を従来の3倍とした、窒化ガリウム−高電子移動度トランジスタ(GaN−HEMT)を開発した。気象レーダーや5G(第5世代無線通信)システムなどの用途に向ける。(2018/8/14)

安価で高感度なセンサーを可能に:
東大、低ノイズの有機トランジスタを作製
東京大学は、ノイズが極めて小さい有機トランジスタを作製することに成功した。安価で高感度のセンサーデバイス開発が可能となる。(2018/7/25)

高集積化への糸口をつかむ:
有機トランジスタで多値演算、フレキシブルデバイスに
物質・材料研究機構(NIMS)国際ナノアーキテクトニクス研究拠点量子デバイス工学グループの若山裕グループリーダーと早川竜馬主任研究員らによる研究グループは2018年7月、有機トランジスタを使った多値論理演算回路の開発に成功したと発表した。(2018/7/4)

NXP MRF101AN、MRF300AN:
汎用パッケージを採用したRFパワートランジスタ
NXPセミコンダクターズは、汎用的なTO-220、TO-247パワーパッケージを採用したRFパワートランジスタ「MRF101AN」「MRF300AN」を発表した。筐体への垂直実装やプリント配線板(PCB)裏面への実装が可能で、ヒートシンクも簡素化できる。(2018/6/14)

18年後半にはEUV適用の7nmも:
Samsung、3nm「GAA FET」の量産を2021年内に開始か
Samsung Electronicsは、米国カリフォルニア州サンタクララで2018年5月22日(現地時間)に開催したファウンドリー技術の年次フォーラムで、FinFETの後継アーキテクチャとされるGAA(Gate All Around)トランジスタを2021年に3nmノードで量産する計画を発表した。(2018/5/25)

スピントランジスタ実現に道筋:
磁性絶縁体を用いグラフェンのスピン方向を制御
量子科学技術研究開発機構(QST)らの研究チームは、グラフェン回路を用いたスピントランジスタの実現に欠かすことができない、電子スピンの向きを制御する技術を開発した。(2018/4/9)

福田昭のストレージ通信(94) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(7):
STMicroelectronicsの埋め込みフラッシュメモリ技術(後編)
今回は、STMicroelectronicsの1トランジスタのNORフラッシュ(1T NOR eFlash)技術の製造プロセスと、フラッシュ内蔵車載用マイコンの開発史について紹介する。(2018/3/22)

福田昭のストレージ通信(93) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(6):
STMicroelectronicsの埋め込みフラッシュメモリ技術(前編)
今回は、開発各社の埋め込みフラッシュメモリ技術を前後編にわたって紹介する。前編では、STMicroelectronicsが製品化している、1トランジスタのNORフラッシュ(1T NOR eFlash)技術を取り上げる。(2018/3/19)

福田昭のストレージ通信(92) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(5):
車載用の埋め込みフラッシュメモリ技術
今回は、大容量、具体的には車載用の埋め込み不揮発性メモリ技術を取り上げる。車載用の不揮発性メモリ技術は、1トランジスタのNORフラッシュ(1T NOR Flash)技術と、スプリットゲートフラッシュ技術に大別される。(2018/3/13)

高効率動作と小型化が可能に:
大電流で高耐圧、高速動作のGaNパワーデバイス
パナソニックは、大電流、高電圧での高速スイッチング動作を実現した絶縁ゲート(MIS:Metal Insulator Semiconductor)型GaNパワートランジスターを開発した。(2018/2/27)


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にわかに地球規模のトピックとなった新型コロナウイルス。健康被害も心配だが、全国規模での臨時休校、マスクやトイレットペーパーの品薄など市民の日常生活への影響も大きくなっている。これに対し企業からの支援策の発表も相次いでいるが、特に今回は子供向けのコンテンツの無料提供の動きが顕著なようだ。一方産業面では、観光や小売、飲食業等が特に大きな影響を受けている。通常の企業運営においても面会や通勤の場がリスク視され、サーモグラフィやWeb会議ツールの活用、テレワークの実現などテクノロジーによるリスク回避策への注目が高まっている。