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「福田昭のデバイス通信」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「福田昭のデバイス通信」に関する情報が集まったページです。

福田昭のデバイス通信(146) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(6):
imecが研究中のシリコンフォトニクス・プラットフォーム
今回は、imecのシリコンフォトニクス・プラットフォームを解説する。このプラットフォームは、200mm(8インチ)あるいは300mm(12インチ)のシリコンウエハーに、ありとあらゆる光部品を作り込もうとするものだ。(2018/5/11)

福田昭のデバイス通信(145) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(5):
光送受信モジュールの技術開発ロードマップ
今回は、実装技術と光送受信モジュール技術のロードマップを解説する。光送受信モジュールの高速化と広帯域化では、波長分割多重(WDM)技術が重要になってくる。(2018/5/7)

福田昭のデバイス通信(144) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(4):
シリコンフォトニクスの技術開発ロードマップ
今回は、シリコンフォトニクスの技術開発ロードマップを解説する。シリコンフォトニクスの性能向上とコストを、16/14nmから5nm、3nmの技術ノードに沿って見ていこう。(2018/4/24)

福田昭のデバイス通信(143) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(3):
シリコンフォトニクスとは何か
今回は、「シリコンフォトニクス」技術を紹介する。そもそも「シリコンフォトニクス」とは何か、そしてその利点と課題について解説したい。(2018/4/18)

福田昭のデバイス通信(142) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(2):
電気通信と光通信の境界
データセンターで信号伝送を担うのは、銅ケーブル(電気通信)と光ファイバーケーブル(光ファイバー通信)だ。今回は、この2つにおける通信速度と通信距離の関係や、光ネットワークの帯域を向上する上で鍵となる技術を解説する。(2018/4/10)

福田昭のデバイス通信(141) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(1):
光ファイバー通信の基礎知識
今回から、「IEDM 2017」で開催されたチュートリアルから、シリコンフォトニクス技術を紹介する。まずは、光ファイバー通信の基礎から始めていこう。(2018/4/3)

福田昭のデバイス通信(140):
半導体メモリのチップとパッケージとシリコンダイ(後編)
半導体メモリの場合、1個のパッケージあるいはチップに搭載されているシリコンダイは、1個(1枚)とは限らない。多い時には16枚という場合もある。シリコンダイの枚数を知るには、いくつか方法がある。(2018/2/23)

福田昭のデバイス通信(139):
半導体メモリのチップとパッケージとシリコンダイ(前編)
「チップ」「デバイス」という単語から想像するイメージは、業界やコミュニティーによってずれがある。では、どのようなずれがあり、なぜ、ずれが生じたのだろうか。(2018/2/21)

福田昭のデバイス通信(138):
IEDM 2017の記者室にVLSIシンポジウムの実行委員会が乱入
2017年12月のこと。米国サンフランシスコで開催される「IEDM 2017」で、米国ハワイで2018年6月に開催する「VLSIシンポジウム」の非公式ブリーフィングを行うという、何とも不思議な案内状が届いた。一体、どういうことだったのか。(2018/2/14)

福田昭のデバイス通信(137) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(13):
技術講演の最終日午後(その2)、東芝が次世代無線LAN用トランシーバーを発表
「ISSCC 2018」の技術講演を紹介するシリーズ、最終回となる今回は、最終日のセッション28〜31を紹介する。東芝グループは次世代の無線LAN技術「802.11ax」に対応する送受信SoC(System on a Chip)を発表する。その他、114本の短針プローブによって脳神経信号を並列に取得するシステムや、カーボンナノチューブFETとReRAMによる脳型コンピューティング回路などが発表される。(2018/2/8)

福田昭のデバイス通信(136) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(12):
技術講演の最終日午後(その1)、サブテラヘルツのセンサーアレイで近視野像を撮影
今回は「ISSCC 2018」最終日午後から、セッション26と27の注目講演を紹介する。0.56THzを検出するセンサーアレイシステムや、過渡回復時間が6マイクロ秒の昇降圧型DC-DCコンバーターなどが登場する。(2018/2/6)

福田昭のデバイス通信(135) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(11):
技術講演の最終日午前(その4)、周波数を88倍に高めるクロック発生回路
「ISSCC 2018」最終日の技術講演から、セッション23〜25のハイライトをお届けする。周波数が300GHzと極めて高い発振器の他、GaNデバイスを駆動する電源回路技術、5GHzのクロックを発生する回路などが紹介される。(2018/1/31)

福田昭のデバイス通信(134) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(10):
技術講演の最終日午前(その3)、72Gサンプル/秒の8ビット超高速A-D変換回路
「ISSCC 2018」最終日午前の技術講演から、セッション21と22を紹介する。データ転送速度が10Gビット/秒で消費電力が150μWのシリコンフォトニクス送受信回路や、72Gサンプル/秒の8ビットSAR型A-D変換回路などについて、開発成果が披露される。(2018/1/25)

福田昭のデバイス通信(133) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(9):
技術講演の最終日午前(その2)、ついに1Tビットに到達した3D NANDフラッシュ
「ISSCC 2018」最終日午前の講演から、セッション19と20を紹介する。シリコン面積が0.00021平方mmと極めて小さな温度センサーや、3D(3次元) NANDフラッシュメモリの大容量化および高密度化についての論文が発表される。(2018/1/23)

福田昭のデバイス通信(132) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(8):
ISSCC技術講演の最終日午前ハイライト(その1)、バラつきに強いオンチップ電源と高速低消費のLDOレギュレーター
「ISSCC 2018」技術講演の最終日、午前は8本のセッションが予定されている。プロセス、電圧、温度、時間経過による変動を補償する電源回路や、低消費電力で高速のLDOレギュレーター技術に関する研究成果が発表される。(2018/1/19)

福田昭のデバイス通信(131) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(7):
ISSCC技術講演の2日目午後ハイライト(その2)、低ジッタの高周波PLL、全天周撮影のカプセル内視鏡など
前回に続き、「ISSCC 2018」2日目午後の技術講演から、見どころを紹介する。低消費電力の2.4GHz帯無線端末用PLL回路や、全天周をVGA解像度で撮影するカプセル内視鏡などが登場する。(2018/1/15)

福田昭のデバイス通信(130) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(6):
ISSCC技術講演の2日目午後ハイライト(その1)、深層学習の高速実行エンジンと超低消費電力のA-D変換器チップ
「ISSCC 2018」2日目午後の技術講演から、見どころを紹介する。SRAMダイとDNN(深層ニューラルネットワーク)推論エンジンを積層した機械学習チップや、消費電力が4.5μWと極めて低い15ビットA-D変換器チップなどの研究論文が発表される。(2018/1/11)

福田昭のデバイス通信(129) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(5):
ISSCC技術講演の2日目午前ハイライト(その2)、GPS不要の超小型ナビ、16Gビット高速大容量DRAMなど
「ISSCC 2018」2日目午前に行われるセッションのうち、セッション9〜12の見どころを紹介する。76GHz〜81GHz帯を使用する車載用ミリ波レーダー送受信回路や、超小型の慣性式ナビゲーションシステム、GDDR6準拠の16GビットDRAMなどが登場する。(2018/1/9)

福田昭のデバイス通信(128) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(4):
ISSCC技術講演の2日目午前ハイライト(その1)、強化学習する超小型ロボット、Wi-Fi電波からエネルギーを収穫する回路など
「ISSCC 2018」2日目午前から、注目講演を紹介する。低ジッタのクロック回路技術や、2.4GHz帯のWi-Fi電波からエネルギーを収穫する環境発電回路などについての講演が発表される。(2017/12/26)

福田昭のデバイス通信(127) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(3):
ISSCC技術講演の初日午後ハイライト(その2)、超高速無線LANや測距イメージセンサーなど
「ISSCC 2018」技術講演の初日(2018年2月12日)。午後のハイライトとして、ミリ波無線、イメージセンサー、超高速有線通信をテーマにした注目論文を紹介する。ミリ波無線では「IEEE 802.11ad」に準拠した送受信回路チップが登場。イメージセンサーでは、ソニーやパナソニックが研究成果を披露する。有線通信では、PAM-4によって100Gビット/秒の通信速度を実現できる回路が発表される。(2017/12/21)

福田昭のデバイス通信(126) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(2):
ISSCC技術講演の初日午後ハイライト(その1)、プロセッサとアナログの最先端技術
「ISSCC 2018」技術講演の初日(2018年2月12日)。午後のハイライトは、最先端のプロセッサおよびアナログ技術の論文発表だ。プロセッサでは、IntelやIBM、AMDが、アナログ技術ではQualcommやMediaTekが、それぞれの研究成果を披露する。(2017/12/19)

福田昭のデバイス通信(125) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(1):
ISSCC(国際固体回路会議)とは何か
毎年2月に開催される、半導体チップの回路技術とシステム技術に関する国際学会「ISSCC(国際固体回路会議)」。えり抜きの論文が発表される重要なイベントだ。今回から始まる本シリーズでは、開催を2カ月後に控えたISSCCについて、概要と注目論文を紹介する。(2017/12/13)

福田昭のデバイス通信(124) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(8):
IEDM 2017の講演3日目(12月6日)午後:絶縁体/金属の相転移が拓く新デバイス
これまで7回にわたり「IEDM 2017」の概要と注目の技術講演を紹介してきた。今回はIEDM 2017レビュー編の最終回として、開催最終日である12月6日午後のセッションから注目講演を紹介する。(2017/12/1)

福田昭のデバイス通信(123) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(7):
IEDM 2017の講演3日目(12月6日)午前:10nm世代と7nm世代の半導体量産技術
12月6日午前のセッションから、注目講演を紹介する。メモリセルと論理演算を統合することで脳神経回路を模倣する研究の成果や、10nm/7nm世代のCMOSロジック量産技術についての発表が行われる。(2017/11/28)

福田昭のデバイス通信(122) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(6):
IEDM 2017の講演2日目(12月5日)午後(その2):次世代トランジスタを狙う負性容量FET技術
12月5日午後の注目講演を紹介する。負性容量トランジスタ、シリコンフォトニクス、非シリコン材料による高耐圧パワーデバイスなどの研究成果が発表される。(2017/11/24)

福田昭のデバイス通信(121) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(5):
IEDM 2017の講演2日目(12月5日)午後(その1):記憶密度を2倍に高める3D NAND技術
今回から、12月5日午後の注目講演を順次紹介していく。電荷ベースのメモリ、最先端CMOSのさらなる微細化手法、最先端の金属ゲート技術やコンタクト技術など、興味深いテーマが並ぶ。(2017/11/21)

福田昭のデバイス通信(120) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(4):
IEDM 2017の講演2日目(12月5日)午前(その2):ソニーの虹彩認識用イメージセンサー
2017年12月5日午前のセッションから注目講演を紹介する。ソニーは、スマートフォン向けを想定した、シリコンの赤外線イメージセンサーについて発表する。その他、III-V族ナノスケールMOSFETや、バイオセンサー、化学センサーなどの講演を取り上げる。(2017/11/17)

福田昭のデバイス通信(119) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(3):
IEDM 2017の講演2日目(12月5日)午前(その1):論理機能可変の不揮発性ロジック
「IEDM 2017」について、技術講演の2日目となる12月5日の午前のセッションから注目講演を紹介する。モアムーアやモアザンムーアを進めていくときの課題や、オールカーボンの次世代多層配線などが発表される。(2017/11/14)

福田昭のデバイス通信(118) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(2):
IEDM 2017の技術講演初日、高密度ReRAMと紙基板の2次元トランジスタ
技術講演初日である2017年12月4日から、注目の講演を紹介する。抵抗変化メモリ(ReRAM)や、折り曲げ可能な電子回路(フレキシブルエレクトロニクス)関連で、興味深い講演が多い。(2017/11/9)

福田昭のデバイス通信(117) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(1):
IEDM 2017の全体スケジュールと基調講演
ことしも「IEDM」の季節がやってきた。最先端電子デバイスの研究開発に関する国際学会「IEDM 2017」が、12月に米国で開催される。本シリーズでは、概要と注目の技術講演を紹介していく。(2017/11/7)

福田昭のデバイス通信(116):
パッケージング産業の再編成(後編)
今回は、パッケージングの組み立て工程(後工程)に関する市場規模などに触れつつ、パッケージ組み立て請負サービス企業(SATS)の再編成について紹介する。(2017/6/16)

福田昭のデバイス通信(115):
パッケージング産業の再編成(前編)
半導体製造工程における「後工程」を担うパッケージング産業の再編成が起こっている。今回から2回にわたり、パッケージ産業再編の動きを紹介する。(2017/6/13)

福田昭のデバイス通信(114) TSMCが解説する最先端パッケージング技術(13):
多層プリント基板にICや受動素子などを内蔵する「ESP」技術
本シリーズの最後として紹介するのは「ESP(Embedded Substrate Packaging)」だ。その名の通り、多層プリント基板にICや受動部品を埋め込む技術である。電源モジュールや高周波無線モジュールでの採用が多く、これらモジュールの小型化に貢献してきた。(2017/6/6)

福田昭のデバイス通信(113) TSMCが解説する最先端パッケージング技術(12):
大型パネルで大量のパッケージを一括組み立てする「FOPLP」技術
前回説明したウエハーレベルのファンアウトパッケージング技術「FOWLP(Fan Out Wafer Level Packaging)」における一括製造の考え方を、パネル状の基板に適用したのが、パネルレベルのファンアウトパッケージング技術「FOPLP(Fan-Out Panel Level Packaging)」だ。今回は、FOPLPの強みや、どんなパッケージングに適しているかなどを説明する。(2017/5/30)

福田昭のデバイス通信(112) TSMCが解説する最先端パッケージング技術(11):
モバイル端末向けパッケージング技術「FOWLP」(後編)
前回に引き続き、ウエハーレベルのファンアウトパッケージング技術「FOWLP(Fan Out Wafer Level Packaging)」を取り上げる。今回はTSMCなど各社のFOWLPによるパッケージ開発事例を見ていく。(2017/5/24)

福田昭のデバイス通信(111) TSMCが解説する最先端パッケージング技術(10):
モバイル端末向けパッケージング技術「FOWLP」(前編)
ウエハーレベルのファンアウトパッケージング技術「FOWLP(Fan Out Wafer Level Packaging)」の製造工程は、開発企業によって大きく異なる。そこで、いくつかに大別される製造工程の違いを紹介する。(2017/5/17)

福田昭のデバイス通信(110) TSMCが解説する最先端パッケージング技術(9):
モバイル端末向けの最先端パッケージング技術
今回から、モバイル端末向けのパッケージング技術について解説する。大きく分けて、ウエハーレベルのファンアウトパッケージング(FOWLP)、パネルレベルのファンアウトパッケージング(FOPLP)、プリント基板へ回路素子を埋め込むパッケージング(ESP)がある。まずは、パッケージング技術における「ファンアウト」の意味を確認しつつ、Infineon Technologiesが開発した“元祖FOWLP”を説明したい。(2017/5/15)

福田昭のデバイス通信(109) TSMCが解説する最先端パッケージング技術(8):
Intelの高性能・高密度パッケージング技術「EMIB」の概要
今回は、Intelが開発した2.nD(2.n次元)のパッケージング技術「EMIB(Embedded Multi-die Interconnect Bridge)」を解説する。EMIBではシリコンインターポーザの代わりに「シリコンブリッジ」を使う。その利点とは何だろうか。(2017/5/10)

福田昭のデバイス通信(108) TSMCが解説する最先端パッケージング技術(7):
シリコンインターポーザを導入した高性能パッケージの製品例
シリコンインターポーザを導入したパッケージの製品化時期は、おおむね、2012年の第1期と、2015〜2016年の第2期に分けられる。それぞれの時期を代表する製品例と、それらの特徴を紹介する。(2017/5/8)

福田昭のデバイス通信(107) TSMCが解説する最先端パッケージング技術(6):
TSMCの高性能・高密度パッケージング技術「CoWoS」(後編)
「CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)」の解説の後編では、パッケージの構造とパッケージの製造工程について説明する。パッケージの信頼性を大きく左右するのが、シリコンインターポーザの反りだが、CoWoSの製造工程では、この反りを抑えることができる。(2017/4/28)

福田昭のデバイス通信(106) TSMCが解説する最先端パッケージング技術(5):
TSMCの高性能・高密度パッケージング技術「CoWoS」(前編)
今回から前後編に分けて「CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)」を解説する。CoWoSの最大の特長はシリコンインターポーザを導入したことだが、では、なぜシリコンインターポーザが優れているのだろうか。シリコンインターポーザに至るまでの課題と併せて説明する。(2017/4/26)

福田昭のデバイス通信(105) TSMCが解説する最先端パッケージング技術(4):
高性能コンピューティング向けの2.nD(2.n次元)パッケージング技術
2012年ごろから、主に高性能コンピューティング(HPC)分野では「CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)」の製品化が進んだ。その最大の特長であるシリコンインターポーザは優れた技術なのだが、コストが高いのが難点だった。そのため、CoWosの低コスト版ともいえる2.nD(2.n次元)のパッケージング技術の提案が相次いだ。(2017/4/21)

福田昭のデバイス通信(104) TSMCが解説する最先端パッケージング技術(3):
2.5D(2.5次元)の新世代パッケージング技術
TSMCが開発した2.5次元のパッケージング技術「CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)」と「InFO(Integrated Fan-Out wafer level packaging)」を解説する。CoWoSでは、「シリコンインターポーザ」の導入により、樹脂基板では困難な微細配線が可能になった。InFOは、樹脂基板とバンプを省いたことで、低コストで高密度な再配線構造を形成できるようになり、パッケージの小型化と薄型化を実現した。(2017/4/17)

福田昭のデバイス通信(103) TSMCが解説する最先端パッケージング技術(2):
3次元集積化(3D IC)の理想と現実
今回は、なぜシステムを複数のチップに分ける必要があるのかを説明する。後半では、パッケージに求められる目標を達成する“究極のパッケージング技術”として期待されたシリコン貫通ビア(TSV: Through Silicon Via)と、旧世代のパッケージング技術との間に存在する、大きなギャップについて解説したい。(2017/4/13)

福田昭のデバイス通信(102) TSMCが解説する最先端パッケージング技術(1):
パッケージング技術がワンチップ化の限界を突破
システムを複数のチップに分けてから高密度に集積化したパッケージは、SiP(System in Package)と呼ばれる。「ムーアの法則」を拡張するために、新しいSiP技術あるいはパッケージング技術が次々に登場している。今回から始まる新シリーズでは、こうした新しいパッケージング技術を紹介したい。(2017/4/11)

福田昭のデバイス通信(101) 高性能コンピューティングの相互接続技術(6):
NVIDIAがエネルギー効率の高い相互接続チップを試作
相互接続(インターコネクト)のエネルギー効率を高める技術の1つである「バランス型電荷再利用バス(BCRB:Balanced Charge Recycling Bus)」。今回は、BCRB技術のバスを搭載したテストチップの概要と、実験結果について解説する。(2017/1/30)

福田昭のデバイス通信(100) 高性能コンピューティングの相互接続技術(5):
NVIDIAがエネルギー効率の高い相互接続技術を解説(後編)
相互接続(インターコネクト)に電荷再利用型バス(Charge Recycling Bus)を利用すると、エネルギー効率を高めることができる。だが、電荷再利用型バスにも弱点は存在する。今回は、電荷再利用型バスの課題とそれを解決する技術を紹介しよう。(2017/1/24)

福田昭のデバイス通信(99) 高性能コンピューティングの相互接続技術(4):
NVIDIAがエネルギー効率の高い相互接続技術を解説(前編)
バスやリンクなどの相互接続(インターコネクト)は大きなエネルギーを消費する。では、どのようにして消費電力を下げ、エネルギー効率を高めればよいのか。前編では、信号振幅を小さくする方法と、電荷を再利用する方法の2つについて解説する。(2017/1/20)

福田昭のデバイス通信(98) 高性能コンピューティングの相互接続技術(3):
NVIDIAがMOSFETの比例縮小則(デナード則)を解説(後編)
後編では、修正版のデナード・スケーリングを解説する。修正版のデナード・スケーリングでは、微細化によってMOSFETの密度は2倍に増えるものの、動作速度は高くならず、消費電力は1.4倍となる。そのため、消費電力を増やさないためには、MOSFETの密度を2倍ではなく、1.4倍にとどめる必要があるのだ。(2017/1/17)

福田昭のデバイス通信(97) 高性能コンピューティングの相互接続技術(2):
NVIDIAがMOSFETの比例縮小則(デナード則)を解説(前編)
1970年代から1990年代にかけて、半導体集積回路は「デナード・スケーリング」という法則に沿って高密度化と高速化を達成してきた。今回は、デナード・スケーリングの内容と、なぜ1990年代以降は、この法則に沿って微細化を進めることが困難になったのかを説明する。(2017/1/13)



ビットコインの大暴騰、「億り人」と呼ばれる仮想通貨長者の誕生、マウントゴックス以来の大事件となったNEM流出など、派手な話題に事欠かない。世界各国政府も対応に手を焼いているようだが、中には政府が公式に仮想通貨を発行する動きも出てきており、国家と通貨の関係性にも大きな変化が起こりつつある。

Amazonが先鞭をつけたAIスピーカープラットフォーム。スマホのアプリが巨大な市場を成したように、スマートスピーカー向けのスキル/アプリ、関連機器についても、大きな市場が生まれる可能性がある。ガジェットフリークのものと思われがちだが、画面とにらめっこが必要なスマホよりも優しいUIであり、子どもやシニアにもなじみやすいようだ。

「若者のテレビ離れが進んでいる」と言われるが、子どもが将来なりたい職業としてYouTuberがランクインする時代になった。Twitter上でのトレンドトピックがテレビから大きな影響を受けていることからも、マスメディア代表としてのテレビの地位はまだまだ盤石に感じるが、テレビよりもYouTubeを好む今の子ども達が大きくなっていくにつけ、少なくとも誰もが同じ情報に触れることは少なくなっていくのだろう。