ITmedia総合  >  キーワード一覧  >  I

  • 関連の記事

「IGBT」最新記事一覧

Insulated Gate Bipolar Transistor、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ

STMicroelectronics AEC-Q101:
EV/HEV向けSiCパワー半導体およびAEC-Q101認定取得スケジュールを発表
STマイクロエレクトロニクスは、ハイブリッド自動車と電気自動車向けに、高効率なSiCパワー半導体を発表。同時に、車載用製品規格「AEC-Q101」の認定取得スケジュールを公表している。(2016/6/15)

PCIM Europe 2016:
SiC技術、成熟期はすぐそこに――ローム
パワー半導体の展示会「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日、ドイツ・ニュルンベルク)で、ROHM SemiconductorはSiCパワーデバイスの製品群を展示した。コスト面ではシリコンに比べて不利なSiCだが、業界では6インチウエハーへの移行も始まっていて、低コスト化が進むと期待されている。(2016/6/13)

STマイクロエレクトロニクス:
SiCパワー半導体製造を6インチウエハーに移行へ
STマイクロエレクトロニクスは、ハイブリッド自動車と電気自動車向けのSiCパワー半導体とAEC-Q101認定取得スケジュールを発表した。2016年末までに6インチウエハーへ移行する。(2016/6/1)

熱流体解析技術と熱抵抗測定で熱問題を解決:
車載向けIGBT、最大128個を同時にテスト可能
メンター・グラフィックスは、EV/HEVなどに搭載されるパワー半導体/モジュールのパワーサイクル試験装置「MicReD Power Tester 600A」を発表した。実測値を活用することで、シミュレーション精度を大幅に向上することができるという。(2016/5/25)

設計開発ツール:
車載パワーデバイスのシミュレーションエラーを20%から0.5%に低減
メンター・グラフィックス・ジャパンは、電気自動車やハイブリッド車に搭載するパワーデバイスの信頼性を評価する新製品「MicReD Power Tester(マイクレッドパワーテスター) 600A」を発表した。非破壊的な診断法によってパワーデバイスの熱特性や劣化を評価するとともに、1回のシステム試験で最大128個のIGBTについてパワーサイクル試験を実施できるようにした。(2016/5/24)

電源メーカーにとって:
SiCは好機会でも、GaNはまだ不透明――RECOM
RECOM Powerは「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日、ドイツ・ニュルンベルク)で、SiC-MOSFET専用の2WのDC-DCコンバーターなど同社の製品群を展示した。これまで同社は低電力・中電力のDC-DCコンバーターやAC-DCコンバーターを中核としてきたが、今後は500Wなど高電力市場も視野に入れる。(2016/5/23)

人テク展2016 開催直前情報:
充電機やインバータ、非接触給電など電動車両向けの全製品を展示
田淵電機は、「人とくるまのテクノロジー展2016」(2016年5月25〜27日、パシフィコ横浜)において、「xEV時代における高信頼性/高性能」をテーマにハイブリッド車や電気自動車に向けた全製品を展示する。(2016/5/20)

三菱電機 IPM G1:
第7世代IGBT搭載のパワー半導体モジュール
三菱電機は、第7世代IGBTを搭載したパワー半導体モジュール「IPM G1」シリーズのサンプル提供を開始した。(2016/5/16)

PCIM Europe 2016:
フルSiCは時期尚早? コスト面での不利さ拭えず
パワー半導体の展示会「PCIM Europe 2016」で、耐圧650VのSiC SBD(ショットキーバリアダイオード)や同1200VのSiC MOSFETなどを紹介したToshiba Electronics Europe。SiCのSBDとMOSFETを組み合わせた“フルSiC”のパワーモジュールは登場しているが、コストの壁は大きいと同社は述べる。(2016/5/11)

PCIM Europe 2016:
インフィニオン初のSiC MOSFETを披露、量産は2017年
Infineon Technologiesは、ドイツで開催中のパワー半導体の展示会「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日、ニュルンベルク)で、耐圧1200VのSiC MOSFETなどを展示した。(2016/5/11)

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版:
スイッチノードリンギングの原因と対策――電子版2016年5月号
「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2016年5月号を発行しました。Cover Storyは、広入力電圧範囲DC-DCコンバーターで発生する「スイッチノードリンギング」を取り上げ、その発生メカニズムと対策を解説しています。その他、「iPhone SE」の製品解剖記事などを掲載しています。(2016/5/9)

メルマガバックナンバー:
モノづくり総合版 メールマガジン 2016/04/28
「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」編集部が毎週木曜日にお届けしている『モノづくり総合版 メールマガジン』の内容をご紹介!(メルマガ配信日:2016年4月28日)(2016/4/28)

三菱電機 IPM G1シリーズ:
第7世代IGBTを搭載したパワー半導体モジュール
三菱電機は、第7世代IGBTを搭載したパワー半導体モジュール「IPM G1」シリーズのサンプル提供を開始した。産業用機器の低消費電力化/小型化に対応するという。(2016/4/25)

TECHNO-FRONTIER 2016:
モーター駆動回路、過渡状態の解析も1台で対応
テレダイン・レクロイ・ジャパンは、「テクノフロンティア 2016」で、モータードライブアナライザー「MDA800シリーズ」を用いた、モータードライブパワー解析ソリューションのデモ展示を行った。(2016/4/22)

上下同時ON防止機能を内蔵:
従来より実装面積30%削減したモータードライバIC
サンケン電気は、「TECHNO-FRONTIER 2016」(2016年4月20〜22日/幕張メッセ)で、サーミスター内蔵3相モータードライバIC「SCM3600C」シリーズを展示した。競合他社の製品にはない、デッドタイムを短くすることができる「上下同時ON防止機能」を搭載しているという。(2016/4/22)

TECHNO-FRONTIER 2016 開催直前情報:
オンセミ、高効率と省スペース化貢献する製品展示
オン・セミコンダクターは、2016年4月20〜22日に千葉・幕張メッセで開催される「TECHNO-FRONTIER 2016(テクノフロンティア)」で、高効率と省スペース化に貢献する民生機器、産業用機器やIoTデバイス向けの各種電源/バッテリー/モーター向けの設計ソリューションを展示する。(2016/4/11)

メルマガバックナンバー:
モノづくり総合版 メールマガジン 2016/04/07
「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」編集部が毎週木曜日にお届けしている『モノづくり総合版 メールマガジン』の内容をご紹介!(メルマガ配信日:2016年4月7日)(2016/4/8)

もはや「次世代」ではなくなった!:
PR:高効率を求めるなら、迷わず「GaN」を選ぶ時代が到来
GaNパワートランジスタの本格的な普及が始まった。長く実用化を阻んできた品質/信頼性面の課題がクリアされ、2015年から量産がスタートした。従来のシリコンパワートランジスタを大きく上回る高い変換効率を求め、サーバやエアコンの電源、太陽光発電パワーコンディショナーへの搭載が進んでいる。“次世代パワーデバイス”から“実用的な最新パワーデバイス”へと進化したGaNパワーデバイスを紹介していこう。(2016/4/4)

ゲート抵抗は共有すべきか否か:
並列接続IGBTの駆動
IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)を並列接続する場合、ゲート抵抗を共有させるか、させないか、という「ゲート間の接続」に関する議論が存在します。何を根拠に、ゲート抵抗の構成を決めるべきかを考えていきましょう。(2016/3/31)

ルネサス エレクトロニクス G8Hシリーズ:
電力変換ロスを大幅削減する第8世代IGBT、太陽光発電やUPSシステム向けに
ルネサス エレクトロニクスは、太陽光発電のパワーコンディショナやUPSシステムのインバータ用途向けパワー半導体として、電力変換損失を極小化し、システムの電力効率を向上する第8世代IGBT「G8Hシリーズ」を発表した。(2016/3/14)

75Aの単品パッケージ化を実現:
ルネサス、電力変換システム向け第8世代IGBT発表
ルネサス エレクトロニクスは、第8世代IGBT「G8Hシリーズ」のサンプル出荷を開始した。プロセス構造に独自のトレンチゲート構造を採用し、性能指数を最大30%改善。太陽光発電のパワーコンディショナーやUPS(無停電電源)システムのインバーターに適しているという。(2016/3/10)

矢野経済研究所 パワー半導体市場:
パワー半導体市場の将来予測、2025年は300億ドル超
2015年のパワー半導体世界市場規模は、前年比7.0%減の148億2000万ドルとマイナス成長となる見込み――。矢野経済研究所はパワー半導体の世界市場に関する調査結果を発表した。(2016/2/26)

パワー半導体世界市場予測:
SiC/GaNパワー半導体、本格普及は2020年以降か
矢野経済研究所は、2015年のパワー半導体市場規模が前年比7.0%減の148億2000万米ドルになった模様だと発表した。SiCやGaNパワー半導体の本格的な普及は2020年以降になるという。(2016/2/15)

「2016〜17年のシェアは縮むけれど」:
ルネサス、2020年に車載半導体シェア首位奪回へ
ルネサス エレクトロニクスの自動車向け事業を統括する執行役員常務の大村隆司氏は、2016年1月13〜15日に開催されている「国際カーエレクトロニクス技術展」でインタビューに応じ、2020年に世界車載半導体シェアでNXP Semiconductorsを抜き、首位に躍り出る見込みであると明かした。(2016/1/14)

FAニュース:
電力損失を低減する高速ディスクリートIGBTの新シリーズ
富士電機はパワー半導体の新製品として、高速ディスクリートIGBT「High-Speed W」シリーズを発売した。従来製品に比べ、スイッチング動作時の電力損失を約40%低減した。(2016/1/5)

覚えておきたい「電源測定」のきほん手順(2):
制御回路の確認から効率改善、仕様適合チェックまで
今回は、プロトタイプの電源測定の続きです。デジタル/アナログ制御回路のデバッグからリップル、ノイズ、短絡の回路保護、トランジェント応答、効率などの仕様に適合しているどうかのチェックまでを行います。(2015/12/10)

IRの買収が早くも功を奏す:
インフィニオン、2015年度売上高は前年比34%増
Infineon Technologiesが2015年度(2015年9月期)の業績を発表した。それによると、売上高は前年比34%増の57億9500万ユーロ。2015年1月に買収が完了したInternational Rectifier(IR)が、早くも利益に貢献しているとする。さらに、自動運転なども追い風となっている。(2015/12/9)

覚えておきたい「電源測定」のきほん手順(1):
部品選定から低電圧/高電圧回路測定まで
電源設計に求められる要件は、多くなっています。高効率/高電力密度、迅速な市場投入、規格への対応、コストダウンなどを考慮せざるを得ず、電源設計におけるテスト要件も複雑化しています。そこで、本連載では、3回にわたって、複雑な電源設計プロセスの概要と、プロセスごとのテスト要件について説明していきます。(2015/12/3)

普及価格帯モデル向けに最適化:
ルネサス、エアコン向け第7世代IGBTを発表
ルネサス エレクトロニクスは2015年11月16日、エアコンの力率改善回路(PFC)向けパワー半導体として、同社第7世代IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)技術を用いた新製品「RJP65T54DPM-E0」を発表した。(2015/11/16)

“QCDD”を徹底して世界白物家電市場で年率30%成長!:
PR:コストパフォーマンスの良い“高効率/低損失”で躍進するサンケン電気のモータードライバ事業
サンケン電気は、白物家電向けモータードライバ市場で過去10年の年平均売上高成長率30%という急成長を遂げてきた。国内外の競合がひしめく同市場で、なぜこれほどの躍進を遂げることができたのか――。サンケン電気モータードライバ事業の強さの秘訣に迫る。(2015/11/16)

日本TI UCC27714:
従来より40%高速動作する600VゲートドライバIC
日本テキサス・インスツルメンツは、サーバや産業用製品の電源により高い電力密度を供給するゲートドライバ「UCC27714」を発表した。既存のICと比較して40%高速動作を可能にするという。(2015/10/19)

ルネサス DevCon 2015:
歩行者に優しい横断歩道、スマホのWi-Fi利用で
ルネサス エレクトロニクスが米国で開催したプライベートイベント「DevCon 2015」では、車載製品からアナログ・パワー製品、「Synergyプラットフォーム」まで、多数の製品デモが行われた。車載向けでは、車車間・路車間通信(V2X)向けの最新SoC「R-Car W2R」を使い、Wi-FiとIEEE 802.11pの通信を組み合わせて、“歩行者に優しい”横断歩道を提案するデモを見せていた。(2015/10/16)

最先端パワエレ技術で社会に貢献中!!:
PR:「フライホイール」の長所を引き出し20年以上メンテ不要の蓄電システムを実現――サンケン電気の総合力
再生可能エネルギーの不安定さを補う蓄電池として現在一般的なのは化学バッテリーであるリチウムイオンやNAS電池だ。しかしこれらの化学バッテリーよりも寿命が長く環境耐性のある機械式バッテリー「フライホイール」が注目を浴びている。しかし、フライホイールは価格/電力効率面で課題を抱え、実用化が思うように進んでいない。その中で、半導体デバイスからパワエレシステムまでを扱うサンケン電気が、その総合力を生かして、実用性に富むフライホイール蓄電システムをこのほど開発した。(2015/10/15)

エコカー技術:
新型「プリウス」は目標燃費40km/lをどうやって達成するのか
2015年12月に発売予定の新型「プリウス」に搭載される新技術が発表された。JC08モード燃費40km/l(リットル)を目標に開発されている新型プリウスだが、エンジンやモーターの改良の他にもさまざまな技術を積み重ねることでその目標を実現しようとしている。(2015/10/14)

電子ブックレット:
IGBTの熱計算により電力設計の有効性を最大化
EDN Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、IGBTとダイオードを1パッケージに封止したパワーモジュールにおける、平均およびピーク時のジャンクション(接合部)温度を計算する方法を解説します。(2015/8/31)

【講座】回路設計の新潮流を基礎から学ぶ:
PR:絶縁型DC/DCコンバータを簡単に実現する「Fly-Buck」対応品の品ぞろえが広がる
(2015/8/31)

FAニュース:
機器の小型化に対応するIGBTモジュールのサンプル出荷を開始
富士電機はパワー半導体の新製品として、第7世代「Xシリーズ」IGBTモジュールのサンプル出荷を開始した。1200V耐圧製品からサンプル出荷を開始し、650V/1700V耐圧製品のラインアップを順次拡充する。(2015/8/24)

インバータ動作時の電力損失をさらに低減:
富士電機が第7世代IGBTのサンプル出荷を開始
富士電機は、同社として第7世代となるIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)モジュール「Xシリーズ」のサンプル出荷を2015年8月より始めた。従来製品に比べてインバータ動作時の電力損失を低減することが可能となる。(2015/8/6)

マスク4枚を追加するだけの低コスト製造対応:
SRAM同様、自由に配置できる混載フラッシュ
不揮発メモリIPを手掛ける国内ベンチャー企業が、LSIのどこにでも配置できる新たな混載フラッシュメモリ技術を開発した。通常のCMOSプロセスに3〜4枚のマスクを追加するだけで実現できるといい、2016年中の量産対応を目指す。(2015/7/27)

FAニュース:
従来比最大1.5倍の高出力化を可能にしたSiCハイブリッドモジュール
富士電機は、次世代パワー半導体デバイスSiC素子を使用したSBDと、Si素子を使用したIGBTで構成されるハイブリッドモジュールのサンプル出荷を開始した。従来のSiデバイスに比べ、電力変換時の損失を大幅に低減できる。(2015/7/15)

ほぼ2台に1台はオンセミ製?:
拡大する車載カメラ市場、裏面照射型CMOSイメージセンサー投入でシェア堅持へ
ON Semiconductor(オン・セミコンダクター)は、車載ADAS(先進運転支援システム)/ビューイングカメラ向けに、同社としては初めてとなる裏面照射(BSI:Back Side Illumination)型CMOSイメージセンサーを発表した。(2015/7/10)

インフィニオン 6.5kVパワーモジュール:
IGBTとダイオード機能を集積した6.5kVパワーモジュール
インフィニオンテクノロジーズは、IGBTとフリーホイールダイオード機能をシングルチップに集積した、6.5kVパワーモジュールを発表した。同じ実装面積の従来型モジュールに比べて電流密度が33%向上し、高い放熱性能を備えた。(2015/7/7)

Wired, Weird:
3万円のオシロスコープを修理する
修理の仕事を始めた2012年に“3万円”というとても安い値段のオシロスコープを購入した。値段こそ安いが、かなり役に立ったオシロスコープ。しかし、試作した高電圧パルス電源を評価するときに壊れてしまった。今回はこの3万円で購入したオシロスコープの電源基板の修理を報告する。(2015/7/6)

N700系で試験走行「高速鉄道で世界初」:
SiCモジュール、東海道新幹線でも採用へ――JR東海
JR東海は新幹線車両向けに開発したSiC(炭化ケイ素)パワーデバイスを採用した駆動システムの実用化メドが立ち、今後、東海道新幹線への導入を検討すると発表した。(2015/6/25)

超高分解能エンコーダ、SiC/GaN対応ゲート駆動フォトカプラ:
PR:モーターを高効率、高精度へ導く“革新的アイソレーション&エンコーダ”
モーター駆動/制御関連技術が一堂に集まる展示会「TECHNO-FRONTIER」が5月に開催された。その中で、アイソレーション/エンコーダの大手ベンダーであるアバゴ・テクノロジー(Avago Technologies)は未発売の製品も含め、革新的な機能/性能を実現したアイソレーション/エンコーダを披露した。(2015/6/25)

STマイクロ Sシリーズ:
低レベルの飽和電圧を実現、耐圧1200VのIGBTに新シリーズ
STマイクロエレクトロニクスは、耐圧1200VのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)「Sシリーズ」を発表した。導通損失が極めて低く、最大8kHzのスイッチング周波数で小さいターンオフ損失を実現した。(2015/6/19)

Wired, Weird:
白い雪ならぬ“白いゴミ”が積もった基板――光源機器の修理
ハンダ面が真っ白になった直流ランプを内蔵した光源機器の修理依頼があった。白くなった基板は、初めてだ。白い物質を降らせた原因とともに、修理していこう。(2015/6/10)

電源設計:
IGBTの熱計算により 電力設計の有効性を最大化
1つのダイで構成される半導体デバイスのジャンクション(接合部)温度の計算方法はよく知られています。ダイの電力損失を測定し、ダイとパッケージ間の熱抵抗を掛けて、ケースから接合部への温度上昇を計算すれば求められます。しかし、IGBTとダイオードを1パッケージに封止したパワーモジュールの場合はどうすれば良いでしょう。ここでは、IGBTとダイオードの熱抵抗を用いて平均およびピーク時のジャンクション温度を計算する方法を解説します。(2015/6/9)

アナログ・デバイセズ ADuM4135:
伝搬遅延特性50nsの絶縁IGBTゲート・ドライバ
アナログ・デバイセズは、モーターの電力効率、信頼性、システム制御性能を改善する絶縁IGBTゲート・ドライバ「ADuM4135」を発表した。50nsの伝搬遅延と15nsの遅延スキューにより、デッド・タイムを最小化できる。(2015/5/28)

人とくるまのテクノロジー展2015:
燃料電池バスにSiCダイオードを採用、燃費向上効果は0.5%を想定
トヨタ自動車は、「人とくるまのテクノロジー展2015」において、電動システムにSiC(シリコンカーバイド)デバイスを搭載した車両による実証実験の概要を紹介した。(2015/5/26)



7月29日で無料アップグレード期間が終了する、Microsoftの最新OS。とんでもないレベルで普及している自社の基幹製品を無料でアップグレードさせるというビジネス上の決断が、今後の同社の経営にどのような影響をもたらすのか、その行方にも興味が尽きない。

ドイツ政府が中心となって推進する「第四次産業革命」。製造業におけるインターネット活用、スマート化を志向するもので、Internet of Things、Industrial Internetなど名前はさまざまだが、各国で類似のビジョンの実現を目指した動きが活発化している。

資金繰りが差し迫る中、台湾の鴻海精密工業による買収で決着がついた。寂しい話ではあるが、リソースとして鴻海の生産能力・規模を得ることで、特にグローバルで今後どのような巻き返しがあるのか、明るい話題にも期待したい。