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「IGBT」最新記事一覧

Insulated Gate Bipolar Transistor、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ

ON Semiconductor日本法人 社長 滝口修氏:
オンセミ、日本で“パワーデバイスリーダー”目指す
2017年3月にON Semiconductor日本法人社長に就任した滝口修氏にインタビューし、日本での成長戦略、事業戦略について聞いた。(2017/6/15)

電気自動車など車載向けスマートゲート駆動フォトカプラなど:
PR:付加価値の高い絶縁デバイスを提供するブロードコムの注目フォトカプラ一挙紹介
ブロードコム(Broadcom)は産業分野、車載分野を中心に、最新技術を駆使した絶縁デバイス/フォトカプラを提供し続けている。本稿では、ブロードコムの数あるフォトカプラ製品の中から、注目の最新製品をピックアップし紹介する。(2017/5/25)

ADI ADuM4120/ADuM4121:
SiC、GaNパワー半導体対応の絶縁ゲートドライバ
アナログ・デバイセズ(ADI)は2017年5月23日、高いコモンモード過渡電圧耐性性能と低伝搬遅延を両立した小型の絶縁ゲートドライバ4製品を発表した。(2017/5/24)

PCIM 2017:
SiCだけではない、パワー製品群の展示に注力 ローム
ロームは、パワー半導体の展示会「PCIM Europe 2017」(2017年5月16〜18日、ドイツ・ニュルンベルク)にて、Si-IGBTやSiC-MOSFET向けゲートドライバーICなどを展示した。(2017/5/22)

“第3勢力”として挑む:
SiCデバイスの開発を加速するリテルヒューズ
Littelfuseは、パワー半導体の展示会「PCIM Europe 2017」(2017年5月16〜18日、ドイツ・ニュルンベルク)で、SiCパワーデバイスと、それらを搭載した評価ボードやデモボードを展示した。回路保護素子のイメージが強い同社だが、SiCパワーデバイス市場の成長を見込んで開発を加速している。(2017/5/19)

三菱電機 XシリーズLV100タイプ:
最大級の電流密度を誇るパワー半導体モジュール
三菱電機は、電鉄や電力などの大型産業機器向けに、大容量パワー半導体モジュール「HVIGBTモジュールXシリーズ LV100タイプ」2種を発表した。大電流密度により、インバーターの高出力化や高効率化に寄与する。(2017/5/17)

モーター専用回路の活用:
PR:高性能マイコンを活用した複数モーターを制御するシステムの設計について
洗濯機やエアコンなどの家電機器をはじめとして、複数のモーターを同時に制御するアプリケーションは多い。昨今では、複数のモーター制御を安全を担保しながら実現しなければならず、設計者の悩みの種になっている。そこで今回は最新の高性能マイコンを活用した複数のモーター制御システム設計方法を空調システムを例に挙げて紹介する。(2017/4/24)

FAニュース:
電力損失約20%低減のパワー半導体、大型産機の省電力に効果
三菱電機は、鉄道車両や大型産業機械などに使用するパワー半導体モジュール「HVIGBTモジュール Xシリーズ」に、耐電圧3.3kV/4.5kV/6.5kVクラスの計8種類を追加した。従来品に比べて電力損失を約20%低減した。(2017/4/21)

テクノフロンティア 2017:
三菱電機がSiC-SBDを単体で提供、高いニーズ受け
三菱電機は「TECHNO-FRONTIER 2017(テクノフロンティア2017)」(2017年4月19〜21日、幕張メッセ)で、SiCパワーデバイスや、鉄道や大型産業機械向けの高電圧IGBTモジュール、水を流して直接冷却できる自動車用パワーモジュールなどを展示した。(2017/4/20)

実車で、すぐに評価が可能:
ルネサス、100kW級インバーターソリューション
ルネサス エレクトロニクスはHEV、EV用モーター向けに「100kW級インバーターソリューション」を開発した。同等出力のインバーターと比べ、最小クラスの容積を実現することが可能となる。(2017/4/11)

STマイクロ STNRGPF01:
SMPS用のインタリーブ型力率改善制御IC
STマイクロエレクトロニクスは、スイッチング電源(SMPS)用のインタリーブ型力率改善コントローラーIC「STNRGPF01」を発表した。平均電流モード制御を用いて、固定周波数の連続電流モード(CCM)で動作する。(2017/4/11)

インフィニオン 62mm IGBTモジュール:
62mmパッケージを採用したIGBTモジュールの新製品
インフィニオンテクノロジーズは、62mmパッケージを採用したIGBTモジュールのラインアップを拡大することを発表した。最大定格電流は1200V品が600A、1700V品が500Aとなる。(2017/4/7)

オンリーワン技術×MONOist転職(10):
成熟したアナログ技術を武器に――イサハヤ電子
日本の“オンリーワンなモノづくり技術”にフォーカスしていく連載の第10回。今回は、アナログ技術の需要が急増する中で“アナログ専業の国産半導体メーカー”として存在感を示しているイサハヤ電子を紹介する。(2017/4/4)

TechFactory通信 編集後記:
歌う電車と次世代パワー半導体
ファソラシドレミファソー。(2017/4/1)

電子ブックレット:
“後発・ローム”がパワーデバイスで成長できる理由
EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、“後発ながら”パワーMOSFETやIGBTなどのパワーデバイス分野で売り上げ規模を拡大させているロームに、その理由を聞いた記事を紹介します。(2017/3/5)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
Siemensが目指す「エコシステム」の構築
Mentor Graphicsを買収した独Siemensだが、Mentor以外にもさまざまな企業と提携し、単一的な事業構造とならないよう留意している。Bentley Systemsとの電力分野における提携もその1つだ。(2017/2/14)

ルネサス 執行役員常務 大村隆司氏インタビュー:
PR:自動運転車の実車デモを作れるまで生まれ変わったルネサスの“これまで”と“これから”
ルネサス エレクトロニクスの自動車向け半導体事業が好調だ。2015年度には、将来の5000億円分の売り上げにつながるデザインインを獲得したという。過去3年間、半導体メーカーのビジネスモデルから脱却し、ソリューションプロバイダーへと変革してきた成果だ。同社の自動車向け半導体事業を率いる大村隆司執行役員常務に、変革に取り組んだこれまで3年間と、今後の成長戦略について聞いた。(2017/4/7)

めざせ高効率! モーター駆動入門講座(4):
中国の最新市場動向から誘導モーターの高効率化について考えよう
ここまでの3回を通して、モーターの駆動原理、高効率・長寿命を実現できるブラシレスDCモーターの高効率駆動、最も普及しているブラシ付きDCモーターの性能線図を元に、高効率駆動を実現するためには印加電圧位相を考慮する必要があることを解説した。4回目となる今回は、筆者が赴任している中国の市場動向を交えながら中国で多く使われている誘導モーターの動作原理・高効率駆動について解説する。(2017/2/1)

ノイズに強いゲート駆動用、最大15MBdで双方向通信対応品など:
PR:産業用モータ駆動/電源制御に安全性、信頼性などの価値をもたらす「Broadcomの最新フォトカプラ」
産業分野における高電圧/大電流のモーター駆動や電源制御に欠かすことができない絶縁デバイス「フォトカプラ」。Avago時代から、高い安全性、信頼性を確保しながら、小型、高速など業界をリードする高付加価値フォトカプラを提供し続けるBroadcom(ブロードコム)の最新フォトカプラ製品(3製品)を見ていこう。(2017/2/1)

国際カーエレクトロニクス技術展:
最大15cmの距離でジェスチャーを認識
オン・セミコンダクターは、「第9回国際カーエレクトロニクス技術展」で、「快適空間ソリューション」や「駆動系ソリューション」「安全走行ソリューション」を提案するとともに、関連する新技術/新製品を紹介した。(2017/1/20)

3分の1スケーリングで実証:
東工大、微細化でIGBTのオン抵抗を半減
東京工業大学は、微細加工技術によりシリコンパワートランジスタの性能を向上させることに成功したと発表した。従来に比べオン抵抗を約50%低減できることを実証した。(2016/12/7)

ON Semiconductor:
旧三洋の組織消えるも、日本への積極投資継続
ON Semiconductor(オン・セミコンダクター)は2016年11月、都内で戦略説明会を実施。Fairchild Semiconductor(フェアチャイルド・セミコンダクター)の買収に合わせて実施した事業組織の狙いや、日本への投資方針などを明らかにした。(2016/12/1)

自社工場のサポートを強みに:
TEの一部を買収したLittelfuse、車載で活路を
回路保護部品を中心に展開するLittelfuseは、2015年11月にTE Connectivityの一部事業を3億5000万米ドルで買収した。買収した事業の日本法人であるLittelfuse ジャパン合同会社で社長を務める蓮沼貴司氏に、国内における自動車分野の取り組みについて聞いた。(2016/11/29)

中期成長戦略を発表:
ルネサスが見据える2020年、車載/汎用事業の行方
ルネサス エレクトロニクスは2016年11月、2016年12月期第2四半期の業績とともに、2020年ごろに向けた車載事業と産業・ブロードベース事業に関する中期成長戦略を発表した。(2016/11/8)

企業動向を振り返る 2016年8月版:
インテルがディープラーニング市場でNVIDIAに挑む!?
過去1カ月間のエレクトロニクス関連企業の動向をピックアップしてお届け! 2016年8月はどのようなM&Aや協業、あるいは事業撤退などが行われたのでしょうか? 各企業の経営戦略に注目です。(2016/9/21)

売上高は約50億米ドルに:
オンセミのフェアチャイルド買収が完了
ON Semiconductor(オン・セミコンダクター)によるFairchild Semiconductor(フェアチャイルド・セミコンダクター)の買収が完了した。2015年11月の買収発表から10カ月、中国当局の承認が得られたことでようやく完了することとなった。(2016/9/20)

SiCはシリコンデバイス採用のトリガー:
“後発・ローム”がパワーデバイスで成長できる理由
ロームはパワーMOSFETやIGBTなどのパワーデバイス分野で売り上げ規模を拡大させている。パワーデバイス市場では、後発のローム。なぜ、後発ながら、自動車や産業機器などの領域でビジネスを獲得できているのか。ローム役員に聞いた。(2016/9/15)

2015年11月の合意発表からようやく:
オンセミのフェアチャイルド買収、規制当局が承認
ON Semiconductor(オン・セミコンダクター)によるFairchild Semiconductor(フェアチャイルドセミコンダクター)の買収が、条件付きで米国連邦取引委員会(FTC)に承認された。(2016/8/26)

省エネ機器:
超省エネ社会に貢献、「ダイヤモンド」パワーデバイスの実用へ前進
さまざな機器の省エネを実現するとして、高性能化に期待が掛かるパワーデバイス。実用化はまだ先とみられているが、「究極のパワーデバイス材料」として注目されているのがダイヤモンドだ。金沢大学などの共同研究グループは。こうしたダイヤモンド半導体を用いたパワーデバイスの実用化で課題となっていた反転層チャネルMOSFETの作製に成功した。(2016/8/24)

アナログ・デバイセズ 代表取締役社長 馬渡修氏:
PR:高性能アナログ技術をベースに“More than Silicon”でIoTを切りひらく
アナログ・デバイセズは、デバイス単体にとどまらずモジュール、ボード、さらにはシステムレベルでの価値提供を行う“More than Silicon”を掲げ、各種ソリューションの構築を加速している。「特にこれから大きな市場を形成するであろうIoT(モノのインターネット)領域は、完成度の高いソリューションを必要としている。当社のコア技術をベースに、価値あるソリューションを構築、提供していく」と語る日本法人社長の馬渡修氏に技術/製品開発戦略について聞いた。(2016/8/22)

オン・セミコンダクター 副社長 David Somo氏:
PR:強みは5万品種に上る製品群、IoT向けプラットフォーム構築を目指す
2006年以降だけで11件にも及ぶM&Aを実施し、積極的に製品群の拡大を行ってきたオン・セミコンダクター(ON Semiconductor)。手掛ける製品は4万8000品種に上る。広範な製品群を武器に、センサー、マイコン、無線接続機能向けの製品をさらに充実させ、IoT(モノのインターネット)機器開発に向けたプラットフォームを構築するというシナリオを描いている。コーポレートストラテジ&マーケティング担当副社長のDavid Somo氏に同社の技術/製品戦略などについて聞いた。(2016/8/22)

サンケン電気 執行役員兼技術本部副本部長 中道秀機氏:
PR:自動車、産業、Power IoT―― パワエレ総合力を結集し成長市場に挑む
サンケン電気は、IGBT、MOSFETといったパワー半導体素子から、電源ユニットやUPS、パワコンなどの大型機器までを扱う総合パワーエレクトロニクスメーカーとして、自動車をはじめとした成長市場でエコ/省エネを実現する技術、製品の提供を行っている。さらには、間もなく迎えようとしているIoT(モノのインターネット)時代の新たな電源のカタチとして“Power IoT”を提唱。「素子だけでなく、モジュール、システムレベルでの提案が行えるサンケン電気ならではの強みを生かして、Power IoTなどの新しい価値提供を行っていく」という同社執行役員で技術本部副本部長を務める中道秀機氏に、技術/製品開発戦略を聞いた。(2016/8/22)

SiC/GaNはこれから:
中国のパワー市場は発展途上でも、日米欧を猛追
中国 上海で開催されたパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Asia 2016」では、地元のIGBTデバイス/モジュールメーカーが目立った。専門家は、中国のパワーエレクトロニクス技術は、欧米や日本にまだ及ばないものの、猛スピードで追い上げているという。(2016/7/6)

2021年にはIGBT市場で大きなシェアを占める:
電気自動車、今後のパワー市場のけん引役に
フランスの市場調査会社によると、今後のパワーエレクトロニクス市場をけん引するのは、電気自動車(EV)やハイブリッド自動車(HEV)だという。ただ、EVやHEVは補助金など政策も絡むことから、同市場の未来が明るいかどうかは、政治的な要素も関係してくる。(2016/7/5)

PCIM Asia 2016 リポート:
中国ではEVと家電向けパワエレを強化、三菱電機
三菱電機の中国法人は、中国 上海で開催されているパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Asia 2016」(2016年6月28〜30日)に出展し、鉄道車両や産業用途、電気自動車(EV)向けのIPM(Intelligent Power Module)やIGBTなどを展示した。(2016/6/30)

STMicroelectronics AEC-Q101:
EV/HEV向けSiCパワー半導体およびAEC-Q101認定取得スケジュールを発表
STマイクロエレクトロニクスは、ハイブリッド自動車と電気自動車向けに、高効率なSiCパワー半導体を発表。同時に、車載用製品規格「AEC-Q101」の認定取得スケジュールを公表している。(2016/6/15)

PCIM Europe 2016:
SiC技術、成熟期はすぐそこに――ローム
パワー半導体の展示会「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日、ドイツ・ニュルンベルク)で、ROHM SemiconductorはSiCパワーデバイスの製品群を展示した。コスト面ではシリコンに比べて不利なSiCだが、業界では6インチウエハーへの移行も始まっていて、低コスト化が進むと期待されている。(2016/6/13)

STマイクロエレクトロニクス:
SiCパワー半導体製造を6インチウエハーに移行へ
STマイクロエレクトロニクスは、ハイブリッド自動車と電気自動車向けのSiCパワー半導体とAEC-Q101認定取得スケジュールを発表した。2016年末までに6インチウエハーへ移行する。(2016/6/1)

熱流体解析技術と熱抵抗測定で熱問題を解決:
車載向けIGBT、最大128個を同時にテスト可能
メンター・グラフィックスは、EV/HEVなどに搭載されるパワー半導体/モジュールのパワーサイクル試験装置「MicReD Power Tester 600A」を発表した。実測値を活用することで、シミュレーション精度を大幅に向上することができるという。(2016/5/25)

設計開発ツール:
車載パワーデバイスのシミュレーションエラーを20%から0.5%に低減
メンター・グラフィックス・ジャパンは、電気自動車やハイブリッド車に搭載するパワーデバイスの信頼性を評価する新製品「MicReD Power Tester(マイクレッドパワーテスター) 600A」を発表した。非破壊的な診断法によってパワーデバイスの熱特性や劣化を評価するとともに、1回のシステム試験で最大128個のIGBTについてパワーサイクル試験を実施できるようにした。(2016/5/24)

電源メーカーにとって:
SiCは好機会でも、GaNはまだ不透明――RECOM
RECOM Powerは「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日、ドイツ・ニュルンベルク)で、SiC-MOSFET専用の2WのDC-DCコンバーターなど同社の製品群を展示した。これまで同社は低電力・中電力のDC-DCコンバーターやAC-DCコンバーターを中核としてきたが、今後は500Wなど高電力市場も視野に入れる。(2016/5/23)

人テク展2016 開催直前情報:
充電機やインバータ、非接触給電など電動車両向けの全製品を展示
田淵電機は、「人とくるまのテクノロジー展2016」(2016年5月25〜27日、パシフィコ横浜)において、「xEV時代における高信頼性/高性能」をテーマにハイブリッド車や電気自動車に向けた全製品を展示する。(2016/5/20)

三菱電機 IPM G1:
第7世代IGBT搭載のパワー半導体モジュール
三菱電機は、第7世代IGBTを搭載したパワー半導体モジュール「IPM G1」シリーズのサンプル提供を開始した。(2016/5/16)

PCIM Europe 2016:
フルSiCは時期尚早? コスト面での不利さ拭えず
パワー半導体の展示会「PCIM Europe 2016」で、耐圧650VのSiC SBD(ショットキーバリアダイオード)や同1200VのSiC MOSFETなどを紹介したToshiba Electronics Europe。SiCのSBDとMOSFETを組み合わせた“フルSiC”のパワーモジュールは登場しているが、コストの壁は大きいと同社は述べる。(2016/5/11)

PCIM Europe 2016:
インフィニオン初のSiC MOSFETを披露、量産は2017年
Infineon Technologiesは、ドイツで開催中のパワー半導体の展示会「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日、ニュルンベルク)で、耐圧1200VのSiC MOSFETなどを展示した。(2016/5/11)

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版:
スイッチノードリンギングの原因と対策――電子版2016年5月号
「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2016年5月号を発行しました。Cover Storyは、広入力電圧範囲DC-DCコンバーターで発生する「スイッチノードリンギング」を取り上げ、その発生メカニズムと対策を解説しています。その他、「iPhone SE」の製品解剖記事などを掲載しています。(2016/5/9)

メルマガバックナンバー:
モノづくり総合版 メールマガジン 2016/04/28
「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」編集部が毎週木曜日にお届けしている『モノづくり総合版 メールマガジン』の内容をご紹介!(メルマガ配信日:2016年4月28日)(2016/4/28)

三菱電機 IPM G1シリーズ:
第7世代IGBTを搭載したパワー半導体モジュール
三菱電機は、第7世代IGBTを搭載したパワー半導体モジュール「IPM G1」シリーズのサンプル提供を開始した。産業用機器の低消費電力化/小型化に対応するという。(2016/4/25)

TECHNO-FRONTIER 2016:
モーター駆動回路、過渡状態の解析も1台で対応
テレダイン・レクロイ・ジャパンは、「テクノフロンティア 2016」で、モータードライブアナライザー「MDA800シリーズ」を用いた、モータードライブパワー解析ソリューションのデモ展示を行った。(2016/4/22)

上下同時ON防止機能を内蔵:
従来より実装面積30%削減したモータードライバIC
サンケン電気は、「TECHNO-FRONTIER 2016」(2016年4月20〜22日/幕張メッセ)で、サーミスター内蔵3相モータードライバIC「SCM3600C」シリーズを展示した。競合他社の製品にはない、デッドタイムを短くすることができる「上下同時ON防止機能」を搭載しているという。(2016/4/22)



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意欲的なメディアミックスプロジェクトとしてスタートしたものの、先行したスマホゲームはあえなくクローズ。しかしその後に放映されたTVアニメが大ヒットとなり、多くのフレンズ(ファン)が生まれた。動物園の賑わい、サーバルキャットの写真集完売、主題歌ユニットのミュージックステーション出演など、アニメ最終回後もその影響は続いている。

ITを活用したビジネスの革新、という意味ではこれまでも多くのバズワードが生まれているが、デジタルトランスフォーメーションについては競争の観点で語られることも多い。よくAmazonやUberが例として挙げられるが、自社の競合がこれまでとは異なるIT企業となり、ビジネスモデルレベルで革新的なサービスとの競争を余儀なくされる。つまり「IT活用の度合いが競争優位を左右する」という今や当たり前の事実を、より強調して表現した言葉と言えるだろう。