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「SOI」最新記事一覧

Silicon On Insulator

テープアウトは完了:
ARMの10nmチップ、2016年末にもスマホに搭載か
ARMは2016年1月に、TSMCの10nm FinFETプロセス向けにSoC(System on Chip)のテストチップをテープアウトしたことを明らかにした。この10nm SoCは、2016年末までに携帯端末に搭載される予定だという。同プロセス技術は、比較的コストが高いが、低消費電力化に注力している。(2016/5/20)

フランスのGaN専業メーカー:
8インチ基板でGaNデバイスのコスト競争力を強化
パワーエレクトロニクスの最新技術が一堂に会する「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日、ドイツ・ニュルンベルク)で、フランスのGaNパワーデバイスメーカーExaganが、8インチ(200mm)のGaN on Siウエハーや、耐圧650VのGaN FETなどを展示した。(2016/5/17)

SYSTEM DESIGN JOURNAL:
SoC設計者がIPに関心を持つべきタイミング
SoCが自律走行車やIoTなどの分野に進出しようとしていますが、求められる要件は分野によって大きく異なります。その結果、SoC開発者がIP(Intellectual Property)を評価・統合する方法に変化が見られます。(2016/5/16)

企業動向を振り返る 2016年4月版:
熊本地震で影響を受けた各社工場一部再開へ/インテル大規模人員削減計画
過去1カ月間のエレクトロニクス関連企業の動向をピックアップしてお届け! 2016年4月は、熊本地震の影響を受けた製造業各社の生産再開見込みに関する速報や、国内外の大手企業による人員整理の話題に注目が集まりました。(2016/5/12)

10nm、7nm世代の開発方針も公表:
Samsung、2016年内に14nm LPCプロセス提供へ
Samsung Semiconductorは、第1世代の14nmプロセス技術「14LPP」よりもコストを抑えられる第2世代14nmプロセス技術「14LPC」を2016年中にも提供するとの方針を明らかにした。10nmプロセス技術でも、第1世代の「10LPE」と第2世代の「10LPP」を提供するという。(2016/4/27)

新しいトランジスタのアイデアも:
FinFETの父、「半導体業界は次の100年も続く」
“FinFETの父”と呼ばれる研究者のChenming Hu氏は、Synopsysのユーザー向けイベントで、「半導体業界が次の100年も続くと確信している」と述べ、業界の未来が決して暗いものではないと主張した。同氏は新しいトランジスタのアイデアとして、NC-FET(負性容量トランジスタ)についても言及した。(2016/4/7)

「i.MX8/i.MX9」にも:
NXP、マイコンに28nm FD-SOIプロセスを採用へ
NXP Semiconductorsは、同社のLPCマイコンに28nm FD-SOIを適用すると発表した。FD-SOIは、Freescale Semiconductorがプロセッサ「i.MX」シリーズに採用を決めていたものだ。(2016/1/22)

福田昭のデバイス通信 ISSCC 2016プレビュー(9):
IoE向けの超低消費電力無線チップ
今回はセッション24〜26を紹介する。「ワイヤレス通信」がテーマとなっているセッション24では、IoE(Internet of Everything)向けの低消費電力無線チップの発表が相次ぐ。ソニーとソニーLSIデザインが開発した、消費電力が1.5mW〜2.3mWと低いGNSS(全地球航法衛星システム)受信器などが発表される。(2016/1/19)

「DevOps」が誤解されてきたこれだけの理由:
なぜDevOpsは正しく理解されてこなかったのか?〜ベンダーキーパーソンが徹底討論〜(前編)
IoTやFinTechトレンドの本格化に伴い、DevOpsが今あらためて企業からの注目を集めている。だがDevOpsは、いまだ正しい理解が浸透しているとは言いがたい状況だ。そこで@IT編集部では、国内のDevOpsの取り組みをリードしてきた五人のベンダーキーパーソンによる座談会を実施した。前後編に分けてその模様をお伝えする。(2016/1/21)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(8):
折り曲げ可能なNANDフラッシュメモリ
カンファレンス2日目に予定されているセッション19〜21の内容を紹介しよう。セッション19では、折り曲げ可能なX線イメージング技術や、折り曲げ可能なNANDフラッシュメモリなど、さまざまなフレキシブルエレクトロニクス技術に関する講演が行われる。折り曲げ可能なNANDフラッシュメモリは、韓国の研究チームが発表するもので、30万回折り曲げた後でも、安定した電気接続を維持したという。(2015/11/20)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(6):
ナノワイヤと非シリコン材料で「ムーアの限界」を突破
今回はセッション13〜15の概要を取り上げたい。セッション15では、「モア・ムーア(More Moore)」と「モアザン・ムーア(More Than Moore)」の両方に関する研究成果が発表される。「モアザン」については、フランスの研究チームが折り曲げ可能なCMOS回路を紹介する。(2015/11/13)

上海企業がインキュベータを開設:
シリコンバレーで“金の卵”を探す中国
中国が、More than Moore(モアザンムーア)を求めて、ハードウェア分野での新興企業や事業拡大を支援する組織(インキュベータ)を開設した。潜在能力を秘めた新興企業に、よりアクセスしやすくすることが狙いだ。(2015/10/23)

両社のCEOは兄弟:
中国VeriSiliconが米Vivanteを買収へ
中国のIPプロバイダーでカスタム半導体の設計サービスも手掛けるVeriSiliconは2015年10月12日、米GPU IPベンダーVivanteを買収すると発表した。買収を通じ、自動車市場でのビジネス強化などを図る方針。(2015/10/15)

「インサイトエコノミーの時代」そこにデータを資産とする思想はあるか?:
PR:企業価値向上につながるインサイトをIT技術者はどう提供していけるか
クラウドインフラの活用や企業活動データの蓄積が当たり前となったいま、データをどう使い、どう生かすかが問われる時代になった。企業価値向上につながるインサイト(洞察)を提供するプラットフォームは、データに対する思想抜きに選択することはできない。(2015/9/28)

対象は5000人の元IBM従業員なのか:
GLOBALFOUNDRIESが早期退職者を募集
GLOBALFOUNDRIESが、早期退職希望者を募集しているという。ただし、専門家によればファウンドリ市場はそれほど低迷していない。「早期退職募集の対象者は、IBMから移ってきた5000人の従業員なのではないか」と推測する報道機関もある。(2015/9/16)

特集:国内DevOpsを再定義する(2):
DevOps再入門〜DevOpsが生きる領域、ITILが生きる領域〜
市場変化の加速を受けて、国内でも今あらためて見直されているDevOps。その本当の意味と適用領域の考え方を、DevOpsに深い知見を持つガートナー ジャパン リサーチ部門 ITインフラストラクチャ&セキュリティ ITオペレーション担当 マネージング バイス プレジデント 長嶋裕里香氏に聞いた。(2015/9/17)

データセンター管理者が取り組むべき
もはや当然 ITコストを下げる“6つの新常識”
今はITコストの削減に再度取り組むのにうってつけの時期だろう。本稿では、データセンターの管理者がITコストを削減できる6つの分野を紹介する。(2015/7/15)

2018年には年間数十万ウエハーの生産を計画:
GLOBALFOUNDRIES、22nm FD-SOIの製造を2016年から開始
GLOBALFOUNDRIESは、2016年から22nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ)の生産を始めると発表した。2018年ごろには300mmウエハー換算で年間30万枚前後の規模で量産を行う計画で、14nm世代、10nm世代への微細化も検討する方針。(2015/7/14)

EUVとSiGeチャネルで:
IBMが7nm試作チップを発表、Intelに迫る勢い
IBM Researchが、EUV(極端紫外線)リソグラフィとSiGe(シリコンゲルマニウム)チャネルを使用した7nmプロセス試作チップを発表した。IBM Researchはここ最近、最先端プロセスの研究開発成果の発表に力を入れていて、7nmプロセスの技術開発に自信を示してきたIntelに迫る勢いを見せている。(2015/7/13)

EE Times Japan Weekly Top10:
最先端の生体認証技術に注目集まる
EE Times Japanで2015年7月4〜10日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/7/11)

プロセス技術:
「FinFET対FD-SOI」の構図はなくなる? いずれは共存へ
FinFETとFD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ)の両方の技術を、用途などに合わせて採用しようと考える半導体メーカーが増えているという。ファウンドリ側も、こうしたニーズに柔軟に対応することが必要になってくる。(2015/7/6)

「ムーアの法則」から抜け出す時?:
GLOBALFOUNDRIES、22nm FD-SOIプロセスでの製造を2016年に開始か
GLOBALFOUNDRIESは、22nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ)プロセスの導入について、2016年末の量産開始を目指すという。同社は「28nm FinFETと同程度のコストで、14nm FinFETと同等の性能を実現できる」としている。(2015/6/25)

『EE Times Japan 10周年』特別編集:
EE Times Japanは、創刊10周年を迎えました
2015年6月、EE Times Japanは、読者の皆さまに支えられて、創刊10周年を迎えることができました。紙媒体から出発し、オンラインニュースサイトとして落ち着くまでに紆余曲折はありましたが、次の10年に向けて、日本のエレクトロニクス業界の発展に少しでも貢献すべく、まい進していきたいと思います。(2015/6/24)

プロセス技術:
CMOSプロセスでInGaAs FinFETを形成、Si/SOI基板上に
IBMがIII-V族化合物半導体を使ったFinFETの開発成果を積極的に発表している。IBMは、局所横方向エピタキシャル成長(CELO)技術により、シリコンおよびSOI基板の両方に、通常のCMOSプロセスで、InGaAsのFinFETを形成したと発表した。(2015/6/23)

プロセス技術:
「ムーアの法則」継続の鍵となるか、Si/III-V族の“ハイブリッド”ナノワイヤ
IBM研究所が、Si(シリコン)とIII-V族化合物半導体を組み合わせたナノワイヤを形成する技術を発表した。独自の「TASE(Template-Assisted Selective Epitaxy)」という技術を使って形成する。TASEで作成したInAs(インジウムヒ素)のナノワイヤは、5400cm2/Vsの電子移動度を達成したという。「ムーアの法則」を継続させる鍵になるかもしれない。(2015/6/12)

業界動向:
FD-SOIの利用加速へ、欧州で専門プロジェクトが発足
CEA-Letiとそのパートナー各社が、FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ)を使ったデバイスの開発を加速するためのプロジェクト「Silicon Impulse」をスタートする。FD-SOIの開発メーカーは、アーキテクチャレベルからシステム実装まで、幅広い範囲にわたり専門家からアドバイスや提案を受けられる予定だ。(2015/6/12)

“デジタル化”が行き着く先とは?
どういうこと? ナデラCEO「MicrosoftはAppleやGoogleと競合していない」
MicrosoftのCEOナデラ氏は、Convergence 2015の基調講演で「あらゆるビジネスがソフトウェアビジネスになる」と語った。さらに、AppleやGoogleとの関係に言及した。(2015/5/15)

Computer Weekly:
どういうこと? ナデラCEO「MicrosoftはAppleやGoogleと競合していない」
MicrosoftのCEOナデラ氏は、Convergence 2015の基調講演で「あらゆるビジネスがソフトウェアビジネスになる」と語った。さらに、AppleやGoogleとの関係に言及した。(2015/5/7)

VLSIシンポジウム 2015 プレビュー(2):
デバイス技術の注目論文 〜7nm以降を狙う高移動度トランジスタ
今回は、メモリ分野、先端CMOS分野、非シリコン分野における採択論文の概要を紹介する。抵抗変化メモリ(ReRAM)や3次元縦型構造の相変化メモリ(PCM)に関する論文の他、GaNやSiGe、InGaAsなど、次世代の高移動度の化合物半導体を用いたトランジスタに関する技術論文の概要が紹介された。(2015/4/28)

プロセス技術:
14nm FinFETへの移行は「難しい決断だった」――サムスン
Samsung Electronics(サムスン電子)の最新スマートフォン「Galaxy S6」には、14nm FinFETを適用したプロセッサが搭載されている。同社は、14nm FinFETの生産量において、Intelに次ぐ第2位のポジションを確保したい考えだ。Samsung Semiconductorの幹部は、14nmプロセスへの移行を決断するのは、たやすいことではなかったと振り返る。(2015/4/20)

幾度となく覆される“終えん説”:
ムーアの法則、その行方を聞く
これまで何度となく“終えん説”が唱えられてきたムーアの法則だが、半導体業界は多大な労力でこの法則を維持している。今後、ムーアの法則はどうなっていくのか。業界のキーマンに、ムーアの法則の行方や、ムーアの法則の維持に関わる技術などについて話を聞いた。(2015/4/17)

福田昭のデバイス通信(7):
ルネサスの最新半導体ソリューション(5)――デュアルコア対応の開発環境とGUIベースのコード生成ツール
今回は、開発環境に関するソリューションを紹介する。複数の開発環境を用意しなくてもマルチコア・マイコンのデバッグが行える統合開発環境や、「RL78」マイコンのプログラムをGUIベースで自動生成するツールなどが展示された。(2015/2/23)

津田建二の技術解説コラム【歴史編】:
PR:半導体の温故知新(6)――MOSトランジスタの次はTFET?
最先端半導体の世界は今、16nmあるいは14nmのFinFET(フィンフェットと発音)と呼ばれるトランジスタを基本とする集積回路が量産されようとしています。今回は、MOSFETの基本原理に立ち返りながら、今後の集積回路を考察してみます。(2015/2/9)

システムは「記録」から「連係」へ
覚えておきたい新しいIT投資先、「SoE」「SoI」とは
IDCは、2016年までに企業のIT投資の65%が既存の「Systems of Record」ではなく「Systems of Engagement」や「Systems of Insight」になると予想する。(2015/2/5)

プロセッサ/マイコン:
ルネサス、2015年度内にSOTB採用マイコンを製品化へ――消費電力1/10以下、0.4V駆動品も可能に
ルネサス エレクトロニクスは2015年度(2016年3月期)中にも新型トランジスタプロセス技術「薄型BOX-SOI(SOTB:Silicon-on-Thin-Buried Oxide)」を用いたマイコンを製品化する。同技術を用いることで、0.4Vという超低電圧駆動のマイコンが実現できるという。(2015/2/2)

徹底プレビュー「ISSCC2015の歩き方」(9):
高性能デジタル編:PCとモバイルを牽引する最先端プロセッサ
ISSCC最大の注目分野。それが「高性能デジタル」である。それだけに注目すべき発表は多い。今回は、IBMやOracleのサーバ向けの大規模プロセッサや、シリコンダイに固有な信号であるPUFを使ったセキュリティ向けの技術といった講演を紹介したい。(2015/1/14)

STマイクロエレクトロニクス 日本法人代表取締役社長 マルコ・カッシス氏:
PR:独自の方向性でイノベーションを起こし、新たな価値を
STマイクロエレクトロニクスは2015年、「MEMS & センサ」「スマートパワー」「車載用製品」「マイクロコントローラ」「デジタル製品」の注力5分野での一層のビジネス拡大を目指す。本社エグゼクティブ・バイスプレジデントで日本・韓国地区を統括するマルコ・カッシス氏は「われわれは他社にはない独自の技術アプローチによってイノベーションを起こすことに集中している。2015年も、技術革新で注力5分野それぞれに新たな価値を提供したい」と抱負を語る。(2015/1/13)

徹底プレビュー「ISSCC2015の歩き方」(7):
有線通信編:40Gビット/秒の超高速伝送を実現する回路技術
無線、有線ともに、通信技術への関心は高い。今回は、第6回の無線通信技術に続き、有線通信の注目講演を紹介する。具体的には、低消費電力の10Gビット/秒シリアルリンクや、シリコンフォトニクス技術による高速トランシーバなどがある。(2015/1/5)

IEDM 2014:
「微細化は今後10年続く」――インテルの見解
米国で開催された「IEDM(International Electron Devices Meeting)2014」。Intelの14nm FinFETプロセスやTSMCの16nm FinFETなどの開発状況をはじめ、多くの論文が発表された。IEDM 2014のリポートを数回にわたってお届けする。(2014/12/24)

徹底プレビュー「ISSCC2015の歩き方」(3):
アナログ編:低雑音と低消費、高効率を極める
25本もの講演セッションが2日半で一気に公開される「ISSCC2015」。今回は、低雑音のオペアンプ技術、電力密度を高めるスイッチドキャパシタ方式のコンバータ技術など、アナログをテーマに、注目のセッションを紹介する。(2014/12/10)

SEMICON Japan 2014:
オフィスフロアのスペースに半導体工場ができる! ミニマルファブ向け装置
産業技術総合研究所コンソーシアム・ファブシステム研究会(以下、産総研コンソーシアム)とミニマルファブ技術研究組合は、「SEMICON Japan 2014」(2014年12月3〜5日)で、ミニマルファブ向けの製造装置を実演展示した。「メガファブ」と呼ばれるこれまでの半導体製造工場に比べて、設備投資コストを1/1000に抑えることが可能になるという。(2014/12/4)

頭脳放談:
第174回 GLOBALFOUNDRIESはIBMの半導体部門買収で世界1位を目指す?
AMDの半導体製造部門が分離独立したGLOBALFOUNDRIESが、IBMの半導体部門を買収した。すでにシンガポールのファウンドリ会社「Chartered Semiconductor」を買収しており、ファウンドリ業界で世界1位が射程に入りつつある。(2014/11/25)

ビジネスニュース 企業動向:
IBMがGFに半導体工場を譲渡、GFに15億米ドルを支払う
IBMが、GLOBALFOUNDRIES(グローバルファウンドリーズ/GF)に半導体製造工場を譲渡する。IBMはGLOBALFOUNDRIESに15億米ドルの現金を支払う。両社とも従業員の解雇はない。(2014/10/21)

プロセス技術:
ムーアの法則はまだ終わらない、存続の鍵はGaAs材料
POET Technologiesは、ムーアの法則を続ける鍵になる材料として、GaAs(ガリウムヒ素)を挙げている。高いスイッチング周波数を実現できるだけでなく、光回路と論理回路を同一チップに集積できるという利点もある。(2014/9/22)

医療機器ニュース:
超音波検査装置のコスト節減と小型化を可能に、STの超音波パルサーIC
STマイクロエレクトロニクスは、超音波画像診断装置のコスト節減と小型化を可能とする、8チャネル超音波パルサーIC「STHV800」を発表した。携帯型超音波検査装置やソナー、レーダー、非破壊検査装置などの用途に向ける。(2014/8/13)

電子回路設計技術 自動車:
パワートレインの新しいトレンドに対応した集積回路
本稿では、まずオルタネータとして知られているランデル型電気機械周りの継続的な改良や適切な例をいくつか考察します。加えて、古典的な燃焼エンジンの石油依存度をさらに低減するのに役立つ、多数のセンサーの設置について述べる他、既存の誘導センサー技術を用いてブレーキ・ペダルを改良し、自動車でより多くのエネルギーを節約する方法について説明します。(2014/6/30)

2015年にサムスンもFD-SOI量産へ:
STとサムスンが28nm FD-SOIの製造協力で合意
STマイクロエレクトロニクスとサムスン電子は2014年5月14日、28nmの製造プロセスルールによる完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ(FD-SOI)技術のマルチソース製造協力に関する包括的契約を締結したと発表した。(2014/5/15)

AMD、4980円のRichland世代エントリーAPU「A4-4020」
日本AMDは、Richland世代で4980円のエントリー向けAPU「A4-4020」を発売する。(2014/3/27)

ビジネスニュース 業界動向:
「微細化によるコストダウンは行き詰まり」――シノプシス会長
シノプシスの会長は、同社のユーザーイベントにおいて「ムーアの法則は続く見込みだが、微細化によるコストダウンは望めない」と述べた。(2014/3/26)

ビジネスニュース オピニオン:
ムーアの法則、28nmが“最後のノード”となる可能性も
ムーアの法則というのは、そもそも「部品コストを最小限に抑えるための複雑さ」を示すものだ。その観点で考えると、実質的には28nmが“最後のノード”になる可能性がある。(2014/3/24)



7月29日で無料アップグレード期間が終了する、Microsoftの最新OS。とんでもないレベルで普及している自社の基幹製品を無料でアップグレードさせるというビジネス上の決断が、今後の同社の経営にどのような影響をもたらすのか、その行方にも興味が尽きない。

ドイツ政府が中心となって推進する「第四次産業革命」。製造業におけるインターネット活用、スマート化を志向するもので、Internet of Things、Industrial Internetなど名前はさまざまだが、各国で類似のビジョンの実現を目指した動きが活発化している。

資金繰りが差し迫る中、台湾の鴻海精密工業による買収で決着がついた。寂しい話ではあるが、リソースとして鴻海の生産能力・規模を得ることで、特にグローバルで今後どのような巻き返しがあるのか、明るい話題にも期待したい。