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「SOI」最新記事一覧

Silicon On Insulator

トンネルFET:
新原理のトランジスタによるLSI動作実証に成功
産業技術総合研究所は2016年12月5日、新原理のトランジスタ「トンネルFET」を用いたLSIの動作実証に成功したことを明らかにした。(2016/12/6)

今、求められるサービス・インテグレーションという考え方:
PR:企業内エンドユーザーに必要とされるITリソースとは何か? IBMとレノボの戦略的アライアンスの今[パートナー対談:日本アイ・ビー・エム]
企業がITに求めている価値とは何だろうか。さまざまなテクノロジー、ソリューションが日進月歩で市場投入され、企業はその情報収集・選定に時間を費やしている現状が否めない。一方で、先進ITによって競合優位性を格段に高められる時代になっていることも確かだ。テクノロジーやリソースの「組み合わせ」ソリューションではなく、顧客のビジネスにフィットしたITをサービスレベルで提供する、いわゆるシステム・インテグレーターからサービス・インテグレーターへの転換を目指すIBM、そして2年前IBMのx86サーバーを事業継承し、ITインフラポートフォリオをハイパーコンバージド・インフラ(HCI)やソフトウエア・ディファインド・ストレージ(SDS)へ急拡大しているLenovo。今回、同じDNAを持つ両社のトップから協業の理由とその可能性を探る。(2016/11/25)

「EyeQ」には7nm FinFETも活用:
次期MCUはFD-SOI、STトップ「シリコン回帰」強調
MEMS製品やARMマイコンに強みを持つSTMicroelectronics(STマイクロエレクトロニクス)。同社のCEOであるCarlo Bozotti氏は、FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)などが、他社との差異化技術になると強調する。(2016/11/22)

FinTech時代、銀行系システムはどうあるべきか(3):
FinTech時代の銀行に求められるSoE/SoRアーキテクチャとAPI管理とは
本連載では、銀行系システムについて、その要件や歴史を整理しつつ、スマートフォンを使う銀行取引やブロックチェーンなど、新しい技術が及ぼす影響を考察していきます。今回は、FinTech時代に求められる銀行業務のシステム要件として、Systems of EngagementとSystems of Record、API連携基盤(API管理)に必要な機能や課題、OpenAPIの在り方などについて考察。(2016/11/21)

i.MX8はどうなる?:
QualcommのNXP買収、業界に及ぼす影響(後編)
後編となる今回は、NXP Semiconductors(NXPセミコンダクターズ)の「i.MX8」アーキテクチャや、プロセス技術、マシンビジョンなどの側面から、今回の買収による影響を掘り下げる。(2016/11/7)

半導体史上最高額の買収劇:
QualcommのNXP買収、業界に及ぼす影響(前編)
Qualcomm(クアルコム)が、NXP Semiconductors(NXPセミコンダクターズ)の買収を正式に発表した。この買収の影響を、車載分野を中心に検証していきたい。(2016/11/4)

DELL EMC World 2016:
DellのEMC買収、日本国内への影響は? 両日本法人トップが明かしたメッセージ
DellのEMC買収は、日本国内の企業にどのような影響を及ぼすのか――両日本法人のトップが「DELL EMC World 2016」で方針を明かした。(2016/10/24)

Weekly Top 10:
Note 7の発火問題、“対岸の火事”ではない
EE Times Japanで2016年10月8〜14日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2016/10/17)

EE Times Japan Weekly Top10:
うまくいかない半導体製造装置メーカー間のM&A
EE Times Japanで2016年10月1〜7日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2016/10/11)

電子ブックレット:
ソニーの低消費ICはウェアラブルの希望になるか
EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、ソニーが展開するウェアラブル端末向けのGPS受信IC「CXD5602」について、同社IoTビジネス部の仲野研一氏へのインタビューから紹介します。(2016/10/9)

Huamiのスマートウォッチ:
ソニー製チップの採用でFD-SOIへの関心高まる?
28nm FD-SOIプロセスを採用したソニーのGPSチップが、中国のスマートウォッチに搭載された。FD-SOIプロセスに対する関心が高まる可能性がある。(2016/10/6)

プロセス微細化を精力的に進める:
TSMCの7nm FinFET、2017年4月には発注可能に?
TSMCは米国カリフォルニア州サンノゼで開催されたイベントで、7nm FinFETプロセス技術について言及した。3次元(3D)パッケージングオプションを強化して、数カ月後に提供を開始する計画だという。(2016/9/28)

“完成形”にこだわらず:
次世代不揮発メモリ、まずは出荷を――Everspin
次世代不揮発メモリは幾つか候補はあるものの、実用化には至っていないものも多い。MRAM(磁気抵抗メモリ)メーカーEverspin TechnologiesでCEOを務めるPhillip LoPresti氏は、“完成形”にこだわらず、まずは量産して市場に投入することが重要だと主張する。(2016/9/27)

メルマガバックナンバー:
モノづくり総合版 メールマガジン 2016/09/23
「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」編集部が毎週木曜日にお届けしている『モノづくり総合版 メールマガジン』の内容をご紹介!(メルマガ配信日:2016年9月23日)(2016/9/23)

ギガビット未満の混載MRAMもサポート:
GFの7nm FinFETプロセス、2018年にも製造開始へ
GLOBALFOUNDRIES(GF)が、7nm FinFETプロセスの開発計画を発表した。2018年後半には同プロセスでの製造を開始する予定だという。さらに、同じく2018年には、22nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)プロセスで製造するチップにおいて、ギガビット未満の低容量の混載MRAM(磁気抵抗メモリ)をサポートする予定だ。(2016/9/21)

2025年までは28nm FinFETが優勢だが:
半導体プロセス技術、開発競争が過熱
FinFETの微細化が進む一方で、FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)にも注目が集まっている。専門家によれば、2025年までは28nm FinFETプロセスが優勢だとするが、それ以降はFD-SOIが伸びる可能性もある。(2016/9/15)

10nm FinFETプロセスを超える性能?:
GF、12nm FD-SOIプロセス「12FDX」を発表
GLOBALFOUNDRIES(GF)が、22nmプロセスを用いたFD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ)のプラットフォーム「22FDX」の後継となる次世代FD-SOIプロセス「12FDX」を発表した。GFによると、「10nm FinFETプロセスを超える性能を提供することが可能」とし、2019年の製造開始を計画する。(2016/9/14)

設計に最も使われているのは65nm以前:
ムーアの法則、実質的には28nmが最後か
7nm、5nmプロセスの実現に向けて微細化の研究開発が進められているが、設計の現場は当然ながら、より現実的だ。28nm以前のプロセスを適用した製品が大半を占め、さらに設計で最も多く使われているのは65nm以前のプロセス、という統計データがある。(2016/9/5)

単3電池1本で動作:
1000コア搭載のプロセッサ、米大学が披露
米国カリフォルニア大学デービス校工学部の学生たちが、6億2100万個のトランジスタを集積した1000コアのプロセッサを設計した。(2016/6/28)

見据える先は「IoT」:
ソニーの低消費ICはウェアラブルの希望になるか
ソニーは、ウェアラブル端末向けにGPS(全地球測位システム)受信IC「CXD5602」を新しく展開した。28nmのFD-SOIを採用し、従来製品より大幅に消費電力を低減。パワーマネジメントICと無線通信用LSIを組み合わせたシステムでの展開も進める。その見据える先はIoTという。(2016/6/22)

「ITF 2016」で語られた半導体の未来(3):
FinFETサイズの物理的な限界は?
ベルギーで開催された「IMEC Technology Forum(ITF) 2016」では、2.5D(2.5次元)のチップ積層技術や、FinFETのサイズの物理的な限界についても触れられた。(2016/6/17)

「ITF 2016」で語られた半導体の未来(2):
EUVは、微細化の“万能策”ではない
半導体製造プロセスの微細化を進めるには、EUV(極端紫外線)リソグラフィーが鍵になるといわれている。ばく大な資金が、同技術の開発に投入されているが、その進捗は必ずしも期待通り、予定通りではないようだ。(2016/6/9)

最先端ICではFinFETが主流だが:
GLOBALFOUNDRIES、22nm以降のFD-SOI開発に着手
GLOBALFOUNDRIESは、22nmプロセスを用いたFD-SOIのプラットフォーム「22FDX」の後継プラットフォームを開発中だという。とはいえ、最先端ICの世界では、FinFETが主流だ。GLOBALFOUNDRIESは、アナログ/RF回路ではFinFETよりもFD-SOIが適していると、FinFETに比べた時の利点を主張する。(2016/5/31)

テープアウトは完了:
ARMの10nmチップ、2016年末にもスマホに搭載か
ARMは2016年1月に、TSMCの10nm FinFETプロセス向けにSoC(System on Chip)のテストチップをテープアウトしたことを明らかにした。この10nm SoCは、2016年末までに携帯端末に搭載される予定だという。同プロセス技術は、比較的コストが高いが、低消費電力化に注力している。(2016/5/20)

フランスのGaN専業メーカー:
8インチ基板でGaNデバイスのコスト競争力を強化
パワーエレクトロニクスの最新技術が一堂に会する「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日、ドイツ・ニュルンベルク)で、フランスのGaNパワーデバイスメーカーExaganが、8インチ(200mm)のGaN on Siウエハーや、耐圧650VのGaN FETなどを展示した。(2016/5/17)

SYSTEM DESIGN JOURNAL:
SoC設計者がIPに関心を持つべきタイミング
SoCが自律走行車やIoTなどの分野に進出しようとしていますが、求められる要件は分野によって大きく異なります。その結果、SoC開発者がIP(Intellectual Property)を評価・統合する方法に変化が見られます。(2016/5/16)

企業動向を振り返る 2016年4月版:
熊本地震で影響を受けた各社工場一部再開へ/インテル大規模人員削減計画
過去1カ月間のエレクトロニクス関連企業の動向をピックアップしてお届け! 2016年4月は、熊本地震の影響を受けた製造業各社の生産再開見込みに関する速報や、国内外の大手企業による人員整理の話題に注目が集まりました。(2016/5/12)

10nm、7nm世代の開発方針も公表:
Samsung、2016年内に14nm LPCプロセス提供へ
Samsung Semiconductorは、第1世代の14nmプロセス技術「14LPP」よりもコストを抑えられる第2世代14nmプロセス技術「14LPC」を2016年中にも提供するとの方針を明らかにした。10nmプロセス技術でも、第1世代の「10LPE」と第2世代の「10LPP」を提供するという。(2016/4/27)

新しいトランジスタのアイデアも:
FinFETの父、「半導体業界は次の100年も続く」
“FinFETの父”と呼ばれる研究者のChenming Hu氏は、Synopsysのユーザー向けイベントで、「半導体業界が次の100年も続くと確信している」と述べ、業界の未来が決して暗いものではないと主張した。同氏は新しいトランジスタのアイデアとして、NC-FET(負性容量トランジスタ)についても言及した。(2016/4/7)

「i.MX8/i.MX9」にも:
NXP、マイコンに28nm FD-SOIプロセスを採用へ
NXP Semiconductorsは、同社のLPCマイコンに28nm FD-SOIを適用すると発表した。FD-SOIは、Freescale Semiconductorがプロセッサ「i.MX」シリーズに採用を決めていたものだ。(2016/1/22)

福田昭のデバイス通信 ISSCC 2016プレビュー(9):
IoE向けの超低消費電力無線チップ
今回はセッション24〜26を紹介する。「ワイヤレス通信」がテーマとなっているセッション24では、IoE(Internet of Everything)向けの低消費電力無線チップの発表が相次ぐ。ソニーとソニーLSIデザインが開発した、消費電力が1.5mW〜2.3mWと低いGNSS(全地球航法衛星システム)受信器などが発表される。(2016/1/19)

「DevOps」が誤解されてきたこれだけの理由:
なぜDevOpsは正しく理解されてこなかったのか?〜ベンダーキーパーソンが徹底討論〜(前編)
IoTやFinTechトレンドの本格化に伴い、DevOpsが今あらためて企業からの注目を集めている。だがDevOpsは、いまだ正しい理解が浸透しているとは言いがたい状況だ。そこで@IT編集部では、国内のDevOpsの取り組みをリードしてきた五人のベンダーキーパーソンによる座談会を実施した。前後編に分けてその模様をお伝えする。(2016/1/21)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(8):
折り曲げ可能なNANDフラッシュメモリ
カンファレンス2日目に予定されているセッション19〜21の内容を紹介しよう。セッション19では、折り曲げ可能なX線イメージング技術や、折り曲げ可能なNANDフラッシュメモリなど、さまざまなフレキシブルエレクトロニクス技術に関する講演が行われる。折り曲げ可能なNANDフラッシュメモリは、韓国の研究チームが発表するもので、30万回折り曲げた後でも、安定した電気接続を維持したという。(2015/11/20)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(6):
ナノワイヤと非シリコン材料で「ムーアの限界」を突破
今回はセッション13〜15の概要を取り上げたい。セッション15では、「モア・ムーア(More Moore)」と「モアザン・ムーア(More Than Moore)」の両方に関する研究成果が発表される。「モアザン」については、フランスの研究チームが折り曲げ可能なCMOS回路を紹介する。(2015/11/13)

上海企業がインキュベータを開設:
シリコンバレーで“金の卵”を探す中国
中国が、More than Moore(モアザンムーア)を求めて、ハードウェア分野での新興企業や事業拡大を支援する組織(インキュベータ)を開設した。潜在能力を秘めた新興企業に、よりアクセスしやすくすることが狙いだ。(2015/10/23)

両社のCEOは兄弟:
中国VeriSiliconが米Vivanteを買収へ
中国のIPプロバイダーでカスタム半導体の設計サービスも手掛けるVeriSiliconは2015年10月12日、米GPU IPベンダーVivanteを買収すると発表した。買収を通じ、自動車市場でのビジネス強化などを図る方針。(2015/10/15)

「インサイトエコノミーの時代」そこにデータを資産とする思想はあるか?:
PR:企業価値向上につながるインサイトをIT技術者はどう提供していけるか
クラウドインフラの活用や企業活動データの蓄積が当たり前となったいま、データをどう使い、どう生かすかが問われる時代になった。企業価値向上につながるインサイト(洞察)を提供するプラットフォームは、データに対する思想抜きに選択することはできない。(2015/9/28)

対象は5000人の元IBM従業員なのか:
GLOBALFOUNDRIESが早期退職者を募集
GLOBALFOUNDRIESが、早期退職希望者を募集しているという。ただし、専門家によればファウンドリ市場はそれほど低迷していない。「早期退職募集の対象者は、IBMから移ってきた5000人の従業員なのではないか」と推測する報道機関もある。(2015/9/16)

特集:国内DevOpsを再定義する(2):
DevOps再入門〜DevOpsが生きる領域、ITILが生きる領域〜
市場変化の加速を受けて、国内でも今あらためて見直されているDevOps。その本当の意味と適用領域の考え方を、DevOpsに深い知見を持つガートナー ジャパン リサーチ部門 ITインフラストラクチャ&セキュリティ ITオペレーション担当 マネージング バイス プレジデント 長嶋裕里香氏に聞いた。(2015/9/17)

データセンター管理者が取り組むべき
もはや当然 ITコストを下げる“6つの新常識”
今はITコストの削減に再度取り組むのにうってつけの時期だろう。本稿では、データセンターの管理者がITコストを削減できる6つの分野を紹介する。(2015/7/15)

2018年には年間数十万ウエハーの生産を計画:
GLOBALFOUNDRIES、22nm FD-SOIの製造を2016年から開始
GLOBALFOUNDRIESは、2016年から22nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ)の生産を始めると発表した。2018年ごろには300mmウエハー換算で年間30万枚前後の規模で量産を行う計画で、14nm世代、10nm世代への微細化も検討する方針。(2015/7/14)

EUVとSiGeチャネルで:
IBMが7nm試作チップを発表、Intelに迫る勢い
IBM Researchが、EUV(極端紫外線)リソグラフィとSiGe(シリコンゲルマニウム)チャネルを使用した7nmプロセス試作チップを発表した。IBM Researchはここ最近、最先端プロセスの研究開発成果の発表に力を入れていて、7nmプロセスの技術開発に自信を示してきたIntelに迫る勢いを見せている。(2015/7/13)

EE Times Japan Weekly Top10:
最先端の生体認証技術に注目集まる
EE Times Japanで2015年7月4〜10日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/7/11)

プロセス技術:
「FinFET対FD-SOI」の構図はなくなる? いずれは共存へ
FinFETとFD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ)の両方の技術を、用途などに合わせて採用しようと考える半導体メーカーが増えているという。ファウンドリ側も、こうしたニーズに柔軟に対応することが必要になってくる。(2015/7/6)

「ムーアの法則」から抜け出す時?:
GLOBALFOUNDRIES、22nm FD-SOIプロセスでの製造を2016年に開始か
GLOBALFOUNDRIESは、22nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ)プロセスの導入について、2016年末の量産開始を目指すという。同社は「28nm FinFETと同程度のコストで、14nm FinFETと同等の性能を実現できる」としている。(2015/6/25)

『EE Times Japan 10周年』特別編集:
EE Times Japanは、創刊10周年を迎えました
2015年6月、EE Times Japanは、読者の皆さまに支えられて、創刊10周年を迎えることができました。紙媒体から出発し、オンラインニュースサイトとして落ち着くまでに紆余曲折はありましたが、次の10年に向けて、日本のエレクトロニクス業界の発展に少しでも貢献すべく、まい進していきたいと思います。(2015/6/24)

プロセス技術:
CMOSプロセスでInGaAs FinFETを形成、Si/SOI基板上に
IBMがIII-V族化合物半導体を使ったFinFETの開発成果を積極的に発表している。IBMは、局所横方向エピタキシャル成長(CELO)技術により、シリコンおよびSOI基板の両方に、通常のCMOSプロセスで、InGaAsのFinFETを形成したと発表した。(2015/6/23)

プロセス技術:
「ムーアの法則」継続の鍵となるか、Si/III-V族の“ハイブリッド”ナノワイヤ
IBM研究所が、Si(シリコン)とIII-V族化合物半導体を組み合わせたナノワイヤを形成する技術を発表した。独自の「TASE(Template-Assisted Selective Epitaxy)」という技術を使って形成する。TASEで作成したInAs(インジウムヒ素)のナノワイヤは、5400cm2/Vsの電子移動度を達成したという。「ムーアの法則」を継続させる鍵になるかもしれない。(2015/6/12)

業界動向:
FD-SOIの利用加速へ、欧州で専門プロジェクトが発足
CEA-Letiとそのパートナー各社が、FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ)を使ったデバイスの開発を加速するためのプロジェクト「Silicon Impulse」をスタートする。FD-SOIの開発メーカーは、アーキテクチャレベルからシステム実装まで、幅広い範囲にわたり専門家からアドバイスや提案を受けられる予定だ。(2015/6/12)

“デジタル化”が行き着く先とは?
どういうこと? ナデラCEO「MicrosoftはAppleやGoogleと競合していない」
MicrosoftのCEOナデラ氏は、Convergence 2015の基調講演で「あらゆるビジネスがソフトウェアビジネスになる」と語った。さらに、AppleやGoogleとの関係に言及した。(2015/5/15)



多くの予想を裏切り、第45代アメリカ合衆国大統領選挙に勝利。貿易に関しては明らかに保護主義的になり、海外人材の活用も難しくなる見込みであり、特にグローバル企業にとっては逆風となるかもしれない。

携帯機としても据え置き機としても使える、任天堂の最新ゲーム機。本体+ディスプレイ、分解可能なコントローラ、テレビに接続するためのドックといった構成で、特に携帯機としての複数人プレイの幅が広くなる印象だ。

アベノミクスの中でも大きなテーマとされている働き方改革と労働生産性の向上。その実現のためには人工知能等も含むITの活用も重要であり、IT業界では自ら率先して新たな取り組みを行う企業も増えてきている。