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「SOI」最新記事一覧

Silicon On Insulator

新たなビジネスモデルの構築へ:
車載分野に本腰を入れるGLOBALFOUNDRIES
GLOBALFOUNDRIESが、新たな自動車プラットフォームである「AutoPro」を発表した。車載分野向けの技術提供に本腰を入れるGLOBALFOUNDRIESは、ティア1や半導体メーカーではなく、自動車メーカーと直接パートナーシップを結ぶという、これまでになかったビジネスモデルを築こうとしている。(2017/10/17)

17年に7nmをテープアウト:
TSMC、7nm/EUVの開発状況をアップデート
TSMCは2017年9月、米国で開催されたイベントで7nmプロセス技術やEUV(極端紫外線)リソグラフィの開発状況などを説明した。(2017/9/25)

超高速ネットワークの挫折と復活【第2回】
25G/40GBASE-Tの普及を阻む「大きすぎる消費電力」
期待は大きいのに普及が遅れている“10Gbps級”ネットワークの問題克服への挑戦を記したこの物語。ようやく問題解決の道筋が見えてくる……はずだったが。(2017/8/23)

柔軟性とスケーラビリティが鍵
いまさら聞けない「SoE」、従来の「SoR」とは何が違う?
データ管理の分野では今、イノベーションを創出するシステムとして「Systems of Engagement」(SoE)を構築する動きが活発化している。鍵となるのは、柔軟性とスケーラビリティ。そして「Systems of Record」(SoR)との違いは?(2017/8/17)

ADASや自動運転を視野に:
タワージャズ、車載用アナログ製造技術を提供
タワージャズは、ADASや自動運転システムを支える車載用の先端RFICと高性能アナログ(HPA)ICに対応する製造プロセスを提供していくと発表した。(2017/8/15)

FinFET代替なるか:
IBM、5nmナノシートで画期的成果を発表
IBMなどが積層シリコンナノシートをベースにした新しいトランジスタ(シリコンナノシートトランジスタ)アーキテクチャを開発した。5nmノードの実現に向けて、FinFETに代わる技術として注目される。(2017/6/12)

基幹業務のSoRはどこまでクラウド化できるのか(2):
「ハイブリッドIT」におけるアーキテクチャとその意義、変革への3ステップ
「ハイブリッドIT」が具体的に「どのような形態を持つものであり、企業にとってどういった意義があるのか」を述べるとともに、ハイブリッドITへの変革の鍵となるクラウドマイグレーション&モダナイゼーションの手法を紹介する。(2017/6/5)

2018年に7nmと12FDX立ち上げへ:
EUVと液浸、FinFETとFD-SOI、GFの強みは2点張り
2017年5月31日、来日したGLOBALFOUNDRIES(グローバルファウンドリーズ/GF)CMOSプラットフォーム事業部シニアバイスプレジデントのGregg Bartlett氏に7nm FinFET、12nm FD-SOIの開発状況などについてインタビューした。(2017/6/1)

「MBCFET」を製造:
Samsung、2020年に4nmのリスク生産を開始
Samsung Electronicsは、ファウンドリー技術のロードマップを発表した。2020年に4nmプロセスを用いて、同社独自の「MBCFET(Multi Bridge Channel FET)」のリスク生産を開始する予定だという。(2017/5/29)

IoTエッジ市場に注力:
ラティス、28nm FD-SOIのFPGA開発を決断
Lattice Semiconductor(ラティスセミコンダクター)は、IoT(モノのインターネット)エッジ市場に向けた製品展開や事業の方向性を示す中で、28nm完全空乏型SOI(FD-SOI)技術を用いたFPGAのサンプル出荷を2018年中に行う計画であることを明らかにした。(2017/5/22)

製造業×IoT キーマンインタビュー:
ルネサスの「e-AI」が切り開く組み込みAIの未来、電池レス動作も可能に
ルネサス エレクトロニクスは、安価なマイコンにもAIを組み込める技術「e-AI」を発表した。同社 執行役員常務 兼 第二ソリューション事業本部本部長の横田善和氏に、e-AI投入の狙い、製品開発に適用する次世代技術などについて聞いた。(2017/5/18)

今あらためて「ハイパーコンバージドインフラ」とは何か?:
Dell EMCに聞く、ハイパーコンバージドインフラの適用基準と今目指すべき企業ITの姿とは?
IT活用の在り方がビジネスの成果に直結する現在、ITインフラの運用管理にも一層のスピードと柔軟性が求められている。これに伴い運用管理者には「求められたリソースを迅速に配備する」など「サービスブローカー」としての役割が求められているが、いまだ仮想環境の運用管理などに手を焼いている企業が多いのが現実だ。ではサービスブローカーへの変革を実現できる最も効率的な方法とは何か? 統合インフラに幅広いラインアップを持つDell EMCへのインタビューに、その1つの回答を探る。(2017/4/28)

電子ブックレット:
ソニー製チップの採用でFD-SOIへの関心高まる?
EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、28nm FD-SOIプロセス採用のソニー製GPSチップが中国のスマートウォッチに搭載されたことを紹介する。(2017/4/16)

カチャカチャ打てるタイプライター風キーボード「PENNA」登場 キーマクロ登録が可能なリターンバー付き
キートップは2種から選択可能。メカニカルスイッチも、CHERRY製の茶軸・赤軸・青軸から選べます。(2017/4/15)

競合に対する優位性を示す?:
Intelが10nmプロセスの詳細を明らかに
Intelは2017年に10nmチップ製造を開始する予定だ。さらに、22nmの低電力FinFET(FinFET low power、以下22nm FFL)プロセスも発表した。GLOBALFOUNDRIESなどが手掛けるFD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)に真っ向から挑み、ファウンドリービジネスで競い合う。(2017/4/4)

NXP i.MX 7ULP:
FD-SOIベースの超低消費電力プロセッサ
NXPセミコンダクターズは、完全空乏型SOI技術(FD-SOI)をベースとして、超低消費電力を可能にする汎用アプリケーションプロセッサ「i.MX 7ULP」を発表した。サスペンド時の消費電力を従来のi.MX 7製品の17分の1となる15μW未満に低減した。(2017/3/28)

FD-SOIを意識:
TSMCが7nmなど最新プロセスの開発状況を報告(前編)
TSMCは2017年3月15日(米国時間)にカリフォルニア州で開催したイベント「TSMC Technology Symposium」で、最先端プロセスの開発状況を報告した。その発表からは、FD-SOIプロセスへの対抗心が垣間見えた。(2017/3/23)

成都に100億ドル規模を投資:
GFが中国に工場建設、痛手を負うのは?
GLOBALFOUNDRIES(GF)が中国の成都に工場を建設する。巨額の資金を投じて半導体産業の強化を進める中国にとって、これは朗報だろう。では、痛手を被る可能性があるのは誰なのか。(2017/2/16)

中古スマホ販売/買取ランキング:
中古iPhone 6も人気、5sから首位奪還も近い?――ゲオ1月編【価格訂正】
ゲオ店舗で扱っている中古スマホの販売/買取ランキングを紹介。1月の販売は3キャリアとSIMフリーでiPhone 5sが1位。ドコモとauではiPhone 6も人気だ。(2017/2/10)

Appleに先手を打つ:
SamsungがMEMSアンテナチューニングアレイ採用へ
Samsung Electronicsが、スマートフォンに、MEMS可変容量素子を搭載したアンテナチューナーを採用する。現在、多くのスマートフォンメーカーは、アンテナにSOI(Silicon on Insulator)スイッチを用いているが、SamsungがMEMSスイッチを採用することで、今後はMEMSスイッチに移行していくのではないかと専門家はみている。(2017/2/3)

低価格な衛星測位の実力は?:
PR:自動車・低空・農地で「誤差数センチ」、小型GNSS受信モジュールの性能が分かった
人工衛星を利用した高精度測位が変わろうとしている。低コストのモジュールを利用して、従来と同等の位置精度「数cm」を確保できそうだからだ。民生市場に広く役立つ見込みがある。研究者が発表した同モジュールの評価・検証結果を紹介する。(2017/1/26)

ウェアラブルEXPO:
静止電流が260nAの電源IC、SIIが3月に量産へ
エスアイアイ・セミコンダクタ(SII)は、2017年1月18〜20日に開催している「第3回 ウェアラブルEXPO」で、開発中の同期整流型 降圧スイッチングレギュレーター「S-85S1A/85S1Pシリーズ」や、エナジーハーベスト用電源IC「S-8880A」などを展示した。(2017/1/20)

専門家が見解を披露:
ISS 2017で語られた半導体技術の今後(前編)
米国で開催された「Industry Strategy Symposium(ISS)」(2017年1月8〜11日)では、半導体技術の今後に関する議論が幾つか展開された。ナノワイヤトランジスタやGAA(Gate All Around)トランジスタといった次世代トランジスタ技術や、増加の一途をたどる設計コストなどについて、専門家たちが見解を披露している。(2017/1/19)

FinTech時代、銀行系システムはどうあるべきか(4):
銀行がFinTech時代を勝ち抜くために行うデータ活用の事例とアーキテクチャ、テクノロジー
本連載では、銀行系システムについて、その要件や歴史を整理しつつ、スマートフォンを使う銀行取引やブロックチェーンなど、新しい技術が及ぼす影響を考察していきます。今回は、銀行を取り巻く環境の変化を整理し、顧客理解をより深める「データ分析」について詳細に見ていきます。(2017/1/17)

トンネルFET:
新原理のトランジスタによるLSI動作実証に成功
産業技術総合研究所は2016年12月5日、新原理のトランジスタ「トンネルFET」を用いたLSIの動作実証に成功したことを明らかにした。(2016/12/6)

今、求められるサービス・インテグレーションという考え方:
PR:企業内エンドユーザーに必要とされるITリソースとは何か? IBMとレノボの戦略的アライアンスの今[パートナー対談:日本アイ・ビー・エム]
企業がITに求めている価値とは何だろうか。さまざまなテクノロジー、ソリューションが日進月歩で市場投入され、企業はその情報収集・選定に時間を費やしている現状が否めない。一方で、先進ITによって競合優位性を格段に高められる時代になっていることも確かだ。テクノロジーやリソースの「組み合わせ」ソリューションではなく、顧客のビジネスにフィットしたITをサービスレベルで提供する、いわゆるシステム・インテグレーターからサービス・インテグレーターへの転換を目指すIBM、そして2年前IBMのx86サーバーを事業継承し、ITインフラポートフォリオをハイパーコンバージド・インフラ(HCI)やソフトウエア・ディファインド・ストレージ(SDS)へ急拡大しているLenovo。今回、同じDNAを持つ両社のトップから協業の理由とその可能性を探る。(2016/11/25)

「EyeQ」には7nm FinFETも活用:
次期MCUはFD-SOI、STトップ「シリコン回帰」強調
MEMS製品やARMマイコンに強みを持つSTMicroelectronics(STマイクロエレクトロニクス)。同社のCEOであるCarlo Bozotti氏は、FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)などが、他社との差異化技術になると強調する。(2016/11/22)

FinTech時代、銀行系システムはどうあるべきか(3):
FinTech時代の銀行に求められるSoE/SoRアーキテクチャとAPI管理とは
本連載では、銀行系システムについて、その要件や歴史を整理しつつ、スマートフォンを使う銀行取引やブロックチェーンなど、新しい技術が及ぼす影響を考察していきます。今回は、FinTech時代に求められる銀行業務のシステム要件として、Systems of EngagementとSystems of Record、API連携基盤(API管理)に必要な機能や課題、OpenAPIの在り方などについて考察。(2016/11/21)

i.MX8はどうなる?:
QualcommのNXP買収、業界に及ぼす影響(後編)
後編となる今回は、NXP Semiconductors(NXPセミコンダクターズ)の「i.MX8」アーキテクチャや、プロセス技術、マシンビジョンなどの側面から、今回の買収による影響を掘り下げる。(2016/11/7)

半導体史上最高額の買収劇:
QualcommのNXP買収、業界に及ぼす影響(前編)
Qualcomm(クアルコム)が、NXP Semiconductors(NXPセミコンダクターズ)の買収を正式に発表した。この買収の影響を、車載分野を中心に検証していきたい。(2016/11/4)

DELL EMC World 2016:
DellのEMC買収、日本国内への影響は? 両日本法人トップが明かしたメッセージ
DellのEMC買収は、日本国内の企業にどのような影響を及ぼすのか――両日本法人のトップが「DELL EMC World 2016」で方針を明かした。(2016/10/24)

Weekly Top 10:
Note 7の発火問題、“対岸の火事”ではない
EE Times Japanで2016年10月8〜14日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2016/10/17)

EE Times Japan Weekly Top10:
うまくいかない半導体製造装置メーカー間のM&A
EE Times Japanで2016年10月1〜7日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2016/10/11)

電子ブックレット:
ソニーの低消費ICはウェアラブルの希望になるか
EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、ソニーが展開するウェアラブル端末向けのGPS受信IC「CXD5602」について、同社IoTビジネス部の仲野研一氏へのインタビューから紹介します。(2016/10/9)

Huamiのスマートウォッチ:
ソニー製チップの採用でFD-SOIへの関心高まる?
28nm FD-SOIプロセスを採用したソニーのGPSチップが、中国のスマートウォッチに搭載された。FD-SOIプロセスに対する関心が高まる可能性がある。(2016/10/6)

プロセス微細化を精力的に進める:
TSMCの7nm FinFET、2017年4月には発注可能に?
TSMCは米国カリフォルニア州サンノゼで開催されたイベントで、7nm FinFETプロセス技術について言及した。3次元(3D)パッケージングオプションを強化して、数カ月後に提供を開始する計画だという。(2016/9/28)

“完成形”にこだわらず:
次世代不揮発メモリ、まずは出荷を――Everspin
次世代不揮発メモリは幾つか候補はあるものの、実用化には至っていないものも多い。MRAM(磁気抵抗メモリ)メーカーEverspin TechnologiesでCEOを務めるPhillip LoPresti氏は、“完成形”にこだわらず、まずは量産して市場に投入することが重要だと主張する。(2016/9/27)

メルマガバックナンバー:
モノづくり総合版 メールマガジン 2016/09/23
「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」編集部が毎週木曜日にお届けしている『モノづくり総合版 メールマガジン』の内容をご紹介!(メルマガ配信日:2016年9月23日)(2016/9/23)

ギガビット未満の混載MRAMもサポート:
GFの7nm FinFETプロセス、2018年にも製造開始へ
GLOBALFOUNDRIES(GF)が、7nm FinFETプロセスの開発計画を発表した。2018年後半には同プロセスでの製造を開始する予定だという。さらに、同じく2018年には、22nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)プロセスで製造するチップにおいて、ギガビット未満の低容量の混載MRAM(磁気抵抗メモリ)をサポートする予定だ。(2016/9/21)

2025年までは28nm FinFETが優勢だが:
半導体プロセス技術、開発競争が過熱
FinFETの微細化が進む一方で、FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)にも注目が集まっている。専門家によれば、2025年までは28nm FinFETプロセスが優勢だとするが、それ以降はFD-SOIが伸びる可能性もある。(2016/9/15)

10nm FinFETプロセスを超える性能?:
GF、12nm FD-SOIプロセス「12FDX」を発表
GLOBALFOUNDRIES(GF)が、22nmプロセスを用いたFD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ)のプラットフォーム「22FDX」の後継となる次世代FD-SOIプロセス「12FDX」を発表した。GFによると、「10nm FinFETプロセスを超える性能を提供することが可能」とし、2019年の製造開始を計画する。(2016/9/14)

設計に最も使われているのは65nm以前:
ムーアの法則、実質的には28nmが最後か
7nm、5nmプロセスの実現に向けて微細化の研究開発が進められているが、設計の現場は当然ながら、より現実的だ。28nm以前のプロセスを適用した製品が大半を占め、さらに設計で最も多く使われているのは65nm以前のプロセス、という統計データがある。(2016/9/5)

単3電池1本で動作:
1000コア搭載のプロセッサ、米大学が披露
米国カリフォルニア大学デービス校工学部の学生たちが、6億2100万個のトランジスタを集積した1000コアのプロセッサを設計した。(2016/6/28)

見据える先は「IoT」:
ソニーの低消費ICはウェアラブルの希望になるか
ソニーは、ウェアラブル端末向けにGPS(全地球測位システム)受信IC「CXD5602」を新しく展開した。28nmのFD-SOIを採用し、従来製品より大幅に消費電力を低減。パワーマネジメントICと無線通信用LSIを組み合わせたシステムでの展開も進める。その見据える先はIoTという。(2016/6/22)

「ITF 2016」で語られた半導体の未来(3):
FinFETサイズの物理的な限界は?
ベルギーで開催された「IMEC Technology Forum(ITF) 2016」では、2.5D(2.5次元)のチップ積層技術や、FinFETのサイズの物理的な限界についても触れられた。(2016/6/17)

「ITF 2016」で語られた半導体の未来(2):
EUVは、微細化の“万能策”ではない
半導体製造プロセスの微細化を進めるには、EUV(極端紫外線)リソグラフィーが鍵になるといわれている。ばく大な資金が、同技術の開発に投入されているが、その進捗は必ずしも期待通り、予定通りではないようだ。(2016/6/9)

最先端ICではFinFETが主流だが:
GLOBALFOUNDRIES、22nm以降のFD-SOI開発に着手
GLOBALFOUNDRIESは、22nmプロセスを用いたFD-SOIのプラットフォーム「22FDX」の後継プラットフォームを開発中だという。とはいえ、最先端ICの世界では、FinFETが主流だ。GLOBALFOUNDRIESは、アナログ/RF回路ではFinFETよりもFD-SOIが適していると、FinFETに比べた時の利点を主張する。(2016/5/31)

テープアウトは完了:
ARMの10nmチップ、2016年末にもスマホに搭載か
ARMは2016年1月に、TSMCの10nm FinFETプロセス向けにSoC(System on Chip)のテストチップをテープアウトしたことを明らかにした。この10nm SoCは、2016年末までに携帯端末に搭載される予定だという。同プロセス技術は、比較的コストが高いが、低消費電力化に注力している。(2016/5/20)

フランスのGaN専業メーカー:
8インチ基板でGaNデバイスのコスト競争力を強化
パワーエレクトロニクスの最新技術が一堂に会する「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日、ドイツ・ニュルンベルク)で、フランスのGaNパワーデバイスメーカーExaganが、8インチ(200mm)のGaN on Siウエハーや、耐圧650VのGaN FETなどを展示した。(2016/5/17)

SYSTEM DESIGN JOURNAL:
SoC設計者がIPに関心を持つべきタイミング
SoCが自律走行車やIoTなどの分野に進出しようとしていますが、求められる要件は分野によって大きく異なります。その結果、SoC開発者がIP(Intellectual Property)を評価・統合する方法に変化が見られます。(2016/5/16)



Twitter&TweetDeckライクなSNS。オープンソースで誰でもインスタンス(サーバ)を立てられる分散型プラットフォームを採用している。日本国内でも4月になって大きくユーザー数を増やしており、黎明期ならではの熱さが感じられる展開を見せている。+ こういったモノが大好きなITmedia NEWS編集部を中心に、当社でもインスタンス/アカウントを立ち上げました! →お知らせ記事

意欲的なメディアミックスプロジェクトとしてスタートしたものの、先行したスマホゲームはあえなくクローズ。しかしその後に放映されたTVアニメが大ヒットとなり、多くのフレンズ(ファン)が生まれた。動物園の賑わい、サーバルキャットの写真集完売、主題歌ユニットのミュージックステーション出演など、アニメ最終回後もその影響は続いている。

ITを活用したビジネスの革新、という意味ではこれまでも多くのバズワードが生まれているが、デジタルトランスフォーメーションについては競争の観点で語られることも多い。よくAmazonやUberが例として挙げられるが、自社の競合がこれまでとは異なるIT企業となり、ビジネスモデルレベルで革新的なサービスとの競争を余儀なくされる。つまり「IT活用の度合いが競争優位を左右する」という今や当たり前の事実を、より強調して表現した言葉と言えるだろう。