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「パワー半導体」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「パワー半導体」に関する情報が集まったページです。

<新連載>高根英幸「クルマのミライ」:
トヨタ、ホンダ、スバル、日産が減産 自動車用半導体がひっ迫した3つの理由
世界中の自動車生産工場が新型コロナウイルスに翻弄されている。2020年後半に急速に業績を回復させたメーカーが多い一方で、ここへきて再び生産を調整しなければならない状況に追い込まれている。その理由となっているのが、半導体部品の不足だ。(2021/1/21)

エントリークラスの3種類を追加:
ルネサス、64ビットMPU「RZ/G2」製品を拡充
ルネサス エレクトロニクスは、汎用64ビットMPU「RZ/G2」製品として、Arm Cortex-A55コアを搭載したエントリークラスの3種類を新たに追加、サンプル出荷を始めた。(2021/1/20)

トレックス・セミコンダクター 代表取締役社長 芝宮孝司氏:
PR:“アナログの泥臭さ”が生きる低電圧出力が勝負どころに、設計力を底上げしタイムリーな製品投入を狙う
小型・低消費電力の電源ICに強みを持つトレックス・セミコンダクター。新しい中期経営計画の初年度となる2021年度は、主力製品のラインアップ拡充を図る他、資本提携したインドのアナログICメーカーとの協業による設計力の底上げと、半導体受託製造を手掛ける子会社フェニテックセミコンダクターの工場移管による高収益体制の確立を目指す。同社社長の芝宮孝司氏に、事業戦略を聞いた。(2021/1/13)

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 社長 川崎郁也氏:
PR:日本での事業規模は2倍に、サイプレス買収でパワーアップした「新しいインフィニオン」を打ち出し飛躍を目指す
インフィニオン テクノロジーズは2020年4月にサイプレス セミコンダクタを買収し、事業基盤を大幅に拡充した。世界トップクラスのシェアを誇る製品分野を数多く抱え、リアルとデジタルの世界をつなぐためのあらゆるデバイス製品を取りそろえるようになった。さらに、日本市場の売り上げ規模も2倍程度に拡大。「2021年は、(サイプレス買収で)大きく変わった新しいインフィニオンを強く打ち出していく」と語るインフィニオン テクノロジーズ ジャパン社長の川崎郁也氏に2021年事業戦略を聞いた。(2021/1/13)

三菱電機 HVIGBTモジュール Xシリーズ dualタイプHV100:
定格電流600Aの大型産業機器向けHVIGBT
三菱電機は、耐電圧3.3kV、絶縁耐圧10kVrmsの「HVIGBTモジュール Xシリーズ dualタイプHV100」2品種のサンプル提供を2021年4月から開始する。定格電流600Aにより、大型産業機器向けインバーターの高出力、高効率化に対応する。(2021/1/8)

ルネサス R-Car V3U:
ADAS/自動運転向けの車載用SoC
ルネサス エレクトロニクスは、ADASや自動運転向けの車載用SoC「R-Car V3U」を発表した。セーフティメカニズムを搭載し、信号処理の大部分において、自動車向け安全規格で最も高い機能安全レベル「ASIL D」の要件を達成する見込みだ。(2021/1/6)

デンソー 昇圧用パワーモジュール:
燃料電池自動車向けの昇圧用パワーモジュール
デンソーは、燃料電池自動車向けにSiCパワー半導体を搭載した次期型昇圧用パワーモジュールの量産を開始した。新開発の車載用SiCトランジスタと車載用SiCダイオードを組み合わせた、小型で効率的なモジュールだ。(2020/12/18)

自動車業界の1週間を振り返る:
EV販売より取り扱い終了を選ぶディーラーも? Uberは自動運転と空飛ぶクルマ手放す
みなさんこんにちは、金曜日です。寒いですね。1週間、お疲れさまでした。東京都が2030年までに都内で販売する新車を全て電動車にする方針を示したこともあり、先週に引き続き、今週も電動化の動向が話題になりましたね。(2020/12/11)

車載半導体:
デンソーのSiCパワー半導体、新型ミライのFC昇圧コンバータで採用
デンソーは2020年12月10日、SiCパワー半導体を搭載した昇圧用パワーモジュールの量産を開始したと発表した。トヨタ自動車が同年12月9日に全面改良して発売した燃料電池車(FCV)「MIRAI(ミライ)」に搭載されている。(2020/12/11)

製造現場向けAI技術:
技術者知見を学習する不良原因解析AIを東芝が開発、自社半導体工場へ導入
東芝は2020年12月10日、現場技術者の知見を加えることで半導体工場や化学プラントなど変数が多項目に及ぶ工場において、不良原因解析を容易化するAIを開発したと発表した。同技術は、機械学習分野における最大級の国際会議の1つである「NeurIPS 2020」に採択されている。(2020/12/10)

シリコンIGBTの性能向上を実証:
両面ゲートIGBT、スイッチング損失を6割低減
東京大学生産技術研究所は、シリコンIGBTの表裏両面にMOSトランジスタのゲートを設けた「両面ゲートIGBT」を作製し、表面だけの従来構造に比べ、スイッチング損失を62%低減できることを実証した。(2020/12/9)

組み込み開発ニュース:
両面ゲートIGBTのスイッチング損失を最大62%低減、東京大学が新技術開発
東京大学 生産技術研究所は2020年12月7日、ゲート両面の動作タイミングを最適化することなどを通じて、両面ゲートIGBTのスイッチング損失を、片面ゲートIGBTと比較して最大62%低減することに成功したと発表。(2020/12/8)

NXP FS26:
車載向けセーフティパワーマネジメントIC
NXPセミコンダクターズは、セーフティ機能を備えた車載向けパワーマネジメントIC「FS26」を発表した。ECU開発に必要なハードおよびソフトウェア、セーフティ機能を備えており、自動車安全水準の「ASIL B」「ASIL D」に対応する。(2020/12/2)

電子ブックレット:
注目分野の市場予測 〜AIから製造装置、パワー半導体など〜
「EE Times Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、AIや半導体製造装置、パワー半導体、スマートフォンなど、注目分野の市場予測をまとめた1冊をお届けします。(2020/11/26)

マキシム MAX77655:
4出力を集積、小型かつ高電力密度のSIMO PMIC
Maxim Integrated Productsは、4出力のSIMO PMIC「MAX77655」を発表した。競合品よりサイズを70%縮小し、電力密度を85%向上。ウェアラブル機器、IoTセンサーノード、ヘルスモニターなどの利用を見込む。(2020/11/24)

古河電工、電装エレクトロニクス材料事業:
コロナ影響「回復基調」、5Gやクルマ向け市場開拓へ
古河電気工業(古河電工)は2020年11月17日、電装エレクトロニクス材料事業の事業説明会を実施、同事業の通期予想や今後の戦略などについて説明した。(2020/11/19)

最終製品の大幅な小型、軽量化を実現:
ハーフブリッジドライバとGaN-HEMTを集積したSiP
STマイクロエレクトロニクスは、ハーフブリッジゲートドライバと2つのGaN-HEMT(窒化ガリウムを用いた高電子移動度トランジスタ)を集積したSiP(System in Package)製品プラットフォーム「MasterGaN」を開発した。(2020/11/6)

ソフトウェアの再利用性など強みに:
CASEからPACEへ、コロナ後に向けたルネサスの車載戦略
ルネサス エレクトロニクスは2020年10月28日、オンラインで車載事業に関する説明会を実施し、新型コロナウイルス感染症(COVID-19)が車載市場に与える影響およびコロナ後に向けた同社のソリューションなどについて語った。(2020/11/4)

車載半導体:
新型コロナでCASEからPACEへ変わる自動車業界、ルネサスは開発効率化で貢献
ルネサスエレクトロニクスは2020年10月28日、メディアやアナリスト向けにオンラインで車載事業の説明会を開催した。新型コロナウイルス感染症(COVID-19)が自動車市場に与える影響や、成長が見込まれる分野での戦略を解説した。(2020/10/29)

この10年で起こったこと、次の10年で起こること(47):
「iPhone」は半導体進化のバロメーターである
2020年10月に発売された「iPhone 12 Pro」を分解し、基本構造を探る。さらに、搭載されている主要チップの変遷をたどってみよう。そこからは、iPhoneが半導体の進化のバロメーターであることが見えてくる。(2020/10/29)

富士経済が新型コロナの影響を検証:
パワー半導体市場、2020年予測を一部下方修正
富士経済は、2020年のパワー半導体世界市場について、2020年2月に発表した予測を一部下方修正した。前回予想に比べSi(シリコン)パワー半導体は大幅に縮小、次世代パワー半導体は伸び率が鈍化する見通しとなった。(2020/10/22)

5G市場の成長を後押し:
NXPが150mm GaN工場を新設、RFチップの製造能力拡大
NXP Semiconductors(以下、NXP)は2020年9月、米国アリゾナ州チャンドラーに新設した150mm(6インチ)ウエハーのGaN工場の稼働を開始すると発表した。主に、5G(第5世代移動通信)無線システム向けの通信インフラ市場に注力しながら、将来的には6G(第6世代移動通信)への技術移行を目指していくという。(2020/10/6)

従来装置に比べ生産性は約3倍に:
SiCパワー半導体用高温イオン注入装置、納入開始
日新イオン機器は、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体製造用高温イオン注入装置「IMPHEAT−II」の納入を始めた。従来装置に比べ、生産性が約3倍向上するという。(2020/10/6)

ルネサス 5DB0148:
DDR5メモリモジュール用データバッファー
ルネサス エレクトロニクスは、JEDEC準拠のDDR5メモリモジュール用データバッファー「5DB0148」を発売した。高速転送と低消費電力を特長とし、多くのメモリや帯域幅を必要とするデータセンター、高性能ワークステーション用途に適している。(2020/9/24)

電力損失を従来比約70%も低減:
三菱電機、産業用フルSiCパワーモジュール発売
三菱電機は、パワー半導体の新製品として、産業用機器に向けたフルSiC(炭化ケイ素)パワーモジュール9品種を開発、2021年1月から順次発売する。(2020/9/16)

京大が再び快挙:
SiC-MOSFETの電子移動度が倍増、20年ぶりに大幅向上
京都大学が、SiCパワー半導体の研究で再び快挙を成し遂げた。京都大学 工学研究科 電子工学専攻の木本恒暢教授と同博士課程学生の立木馨大氏らの研究グループは2020年9月8日、新たな手法による酸化膜形成により、SiCと酸化膜(SiO2)の界面に発生する欠陥密度を低減し、試作したn型SiC-MOSFETにおいて従来比2倍の性能を実現したと発表した。(2020/9/9)

モノづくり総合版 メールマガジン 編集後記:
「数十年に一度のブレークスルー」が当たり前の世界
30年って長いですよね……。人生の3分の1ですもん。(2020/9/3)

Littelfuseジャパン代表 亥子正高氏:
幅広い製品群をあらゆる用途へ、SiCパワーICにも注力
1927年の創業以来、ヒューズやポリマーPTC、TVSダイオードといった回路保護素子を手掛けてきた米Littelfuse。同社の日本法人であるLittelfuseジャパンでは2020年4月、それまで取締役営業本部長を務めていた亥子正高氏が代表に就任した。同氏に、日本での戦略や、新型コロナウイルス感染症(COVID-19)による影響などを聞いた。(2020/9/2)

半導体リレーの小型/低損失化に向けて:
SJ構造を用いたバイポーラトランジスタ開発
新日本無線と山梨大学は2020年8月、コレクタ領域をスーパージャンクション構造としたシリコンバイポーラトランジスタ(SJ-BJT)を開発したと発表した。半導体を用いたリレー(ソリッドステートリレー/SSR)の小型化、低損失化が実現できるパワーデバイスだという。(2020/9/2)

電源の小型低消費電力化を可能に:
LV100タイプ採用の産業用IGBTモジュールを発売
三菱電機は、パワー半導体の新製品として、LV100タイプパッケージを採用した産業機器向けIGBTモジュール「Tシリーズ」を開発、2020年9月から順次発売する。(2020/8/27)

ローム パワーデバイス事業統括 伊野和英氏:
25年にトップシェアへ、SiC市場をリードする“後発・ローム”
パワー半導体市場に後発として参入しながら、本格的な拡大が見込まれるSiC(炭化ケイ素)パワーデバイス市場において、先進的な研究開発を進めてきたローム。今回、同社取締役 上席執行役員CSO(最高戦略責任者)兼パワーデバイス事業統括の伊野和英氏に話を聞いた。(2020/8/26)

30年来の課題に光明:
新手法の酸化膜形成でSiC-MOSFETの性能が10倍に
SiCパワー半導体で30年来の課題となっていた欠陥の低減が、大きく前進しようとしている。京都大学と東京工業大学(東工大)は2020年8月20日、SiCパワー半導体における欠陥を従来よりも1桁低減し、約10倍の高性能化に成功したと発表した。(2020/8/21)

富士経済が市場調査:
ワイヤレス給電送電装置、2035年に3769億円規模へ
EV(電気自動車)やPHV(プラグインハイブリッド車)に向けたワイヤレス給電用送電装置(送電コイル)の市場規模は、2035年に3769億円規模となる見通し。富士経済が調査した。(2020/8/18)

OMDIAアナリスト座談会:
迷走する米中対立、“落とし所なし”の泥沼化
2020年も7カ月が過ぎたが、米中対立は泥沼化している。英調査会社OMDIAのアナリストたちに、米中対立の今と、コロナによるエレクトロニクス業界への影響について語ってもらった。(2020/8/17)

製品の製造継続が合意の条件:
オン・セミコンダクター、新潟工場の売却を検討
オン・セミコンダクターは、新潟工場(新潟県小千谷市)の売却を検討している。既存顧客への継続的な製品供給などを条件に売却先を探す。(2020/8/11)

Yole Developpement:
SiCはウエハー品質が課題、GaNは統合がトレンドに
パワーエレクトロニクスは、GaN(窒化ガリウム)とSiC(炭化ケイ素)の採用によって、興味深い道を歩んできた。フランスの市場調査会社であるYole Developpement(以下、Yole)は、これらのワイドバンドギャップ材料の概観を発表した。(2020/7/30)

コロナ禍の減少「リーマンショック時の半分程度」:
パワー半導体世界市場、2025年に243億5100万ドルに
矢野経済研究所は2020年7月27日、パワー半導体の世界市場予測を発表した。新型コロナウイルス感染症(COVID-19)の影響でパワー半導体の世界市場は2020年にマイナス成長を見せるものの、2021年に一部分野から回復基調に転じ、2025年には243億5100万米ドルにまで成長すると予測している。(2020/7/28)

PCIM Europe digital days 2020 Infineon:
過酷な環境下のIGBTモジュールの寿命を20年以上に
Infineon Technologies(インフィニオン・テクノロジー)はオンライン開催となったパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe digital days 2020」(2020年7月7〜8日、ドイツ時間)に出展。過酷な環境下での20年以上の寿命を実現するIGBTモジュール「EconoPACK+モジュール」などを紹介した。(2020/7/22)

PCIM Europe digital days 2020、TDK:
125℃で連続使用可能な新フィルムコンデンサー技術
TDKは、オンライン開催となったパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe digital days 2020」(2020年7月7〜8日、ドイツ時間)に出展。125℃の高温でも連続使用できる新たなフィルムコンデンサー技術について紹介した。同社は、「新たな誘電体によって高温での小型化や高耐電圧化および、動作温度や許容電流負荷の増加を可能とする」と説明。次世代パワー半導体であるSiC(炭化ケイ素)などを用いた、高温や大電流負荷への対応が必要となるアプリケーション向けの新製品を2021年に量産開始する予定としている。(2020/7/21)

車載半導体:
オン抵抗を40%、スイッチング損失を50%低減したSiC-MOSFETを開発
ロームは、車載パワートレインシステムや産業機器用電源向けに「1200V 第4世代SiC MOSFET」を開発した。短絡耐量時間を短縮せずにオン抵抗を従来品と比較して約40%、スイッチング損失を約50%低減した。(2020/7/15)

組み込み開発ニュース:
SiCパワー半導体の回路シミュレーションを高精度化、三菱電機から新SPICEモデル
三菱電機は2020年7月9日、同社が開発したSiCパワー半導体「SiC-MOSFET」のスイッチング速度を高精度でシミュレーション可能な独自のSPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)モデルを新開発したと発表した。実測とほぼ同等のシミュレーションが可能となり、SiC-MOSFETを搭載したパワーエレクトロニクス機器の回路設計作業を効率化できる、(2020/7/13)

回路設計効率化に貢献:
三菱電機、SiC-MOSFETの高精度SPICEモデルを開発
三菱電機は、SiC-MOSFET「1200V-Nシリーズ」を用いた回路設計時のシミュレーションに有用な、高精度の「SPICEモデル」を開発した。実測とほぼ同じシミュレーション結果が得られるという。(2020/7/10)

三菱電機 SiC-MOSFET 1200V-N:
低電力損失と高い誤動作耐量を備えるSiC-MOSFET
三菱電機は、パワー半導体の新製品「SiC-MOSFET 1200V-N」シリーズ6品種のサンプル提供を開始する。低電力損失と高い誤動作耐量を両立しており、車載充電器や太陽光発電などの電源システムの低消費電力化、小型化に貢献する。(2020/7/8)

多様な化合物ウエハー洗浄も可能:
SCREEN、200mmウエハー対応の洗浄装置を発売
SCREENセミコンダクターソリューションズは、直径200mmまでのウエハー処理に適したスピンプロセッサ(枚葉式洗浄装置)「SP-2100」の販売を始めた。(2020/6/29)

進化を続けるダブルトレンチ構造:
ローム、耐圧1200Vの第4世代SiC MOSFETを開発
ロームは、第4世代となるSiC MOSFETを開発し、ベアチップでのサンプル提供を始めた。耐圧1200Vの新製品は、短絡耐量時間を維持しながら低オン抵抗を実現した。(2020/6/18)

次世代パワー半導体:
SiCは自動車、GaNはスマホが普及をけん引
パワーエレクトロニクスでは、GaN(窒化ガリウム)やSiC(炭化ケイ素)などのワイドバンドギャップ(WBG)デバイスの採用が進んでいる。シリコンは依然として市場を独占しているが、GaNやSiCデバイスの登場によって、技術はより効率的な新しいソリューションに向かうと予想される。(2020/6/17)

コラボレーションに重点:
NXP Semiconductors新CEO Sievers氏に聞く
2020年5月27日、NXP SemiconductorsのCEO(最高経営責任者)に2018年9月からNXP社長を務めてきたKurt Sievers氏が就任した。88億米ドルという売上高を誇る大手半導体メーカーを社長兼CEOとして率いることになったSievers氏に、経営方針や今後の市況見通しなどについてインタビューした。(2020/6/16)

シャープ福山事業所の一部を取得:
三菱電機、200億円でパワー半導体新拠点を設置
三菱電機は2020年6月11日、シャープから福山事業所(広島県福山市)の一部を取得し、パワー半導体を製造する新拠点(前工程)を開設する、と発表した。投資額は総額約200億円で、2021年11月の稼働開始を目指す。(2020/6/12)

工場ニュース:
三菱電機がシャープ福山事業所の一部を取得、パワー半導体の前工程拠点に
三菱電機は、パワーデバイス製作所のウエハープロセス工程の新たな製造拠点を広島県福山市に開設すると発表した。シャープから、同社の福山事業所(広島県福山市)の一部の土地と建屋などを取得して製造ラインを構築する。(2020/6/12)

富士経済が調査結果を発表:
パワー半導体市場、2030年に4兆円超の規模へ
富士経済は、世界のパワー半導体市場を調査し、2030年までの市場予測を発表した。これによると、2019年の2兆9141億円に対し、2030年は4兆2652億円に達すると予測した。(2020/6/8)


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にわかに地球規模のトピックとなった新型コロナウイルス。健康被害も心配だが、全国規模での臨時休校、マスクやトイレットペーパーの品薄など市民の日常生活への影響も大きくなっている。これに対し企業からの支援策の発表も相次いでいるが、特に今回は子供向けのコンテンツの無料提供の動きが顕著なようだ。一方産業面では、観光や小売、飲食業等が特に大きな影響を受けている。通常の企業運営においても面会や通勤の場がリスク視され、サーモグラフィやWeb会議ツールの活用、テレワークの実現などテクノロジーによるリスク回避策への注目が高まっている。