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「SiC」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「SiC」に関する情報が集まったページです。

面積を約20%削減、信頼性は2倍に:
東芝、SiCモジュール向けパッケージ技術を開発
東芝デバイス&ストレージは、SiC(炭化ケイ素)モジュール向けパッケージ技術を開発したと発表した。従来のパッケージ技術に比べ、面積を約20%削減でき、製品の信頼性は2倍に向上するという。(2021/5/12)

高まる需要に応える:
Infineonと昭和電工、SiC材料の供給で契約
Infineon Technologies(以下、Infineon)は2021年5月6日(ドイツ時間)、昭和電工と、エピタキシーを含む広範囲なSiC材料の供給契約を締結したと発表した。これによりInfineonは、SiC製品の需要拡大に対応するための基材を確保できたと述べている。契約期間は2年間で、延長のオプションがある。(2021/5/7)

電子ブックレット(FA):
東芝300mmウエハーライン増強/キオクシア四日市第7棟起工
MONOistに掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、2021年1〜3月に公開した工場関係のニュース(16本)をぎゅっとまとめた「工場ニュースまとめ――2021年1〜3月」をお送りします。(2021/4/26)

微小電流から大電流まで幅広く対応:
岩崎通信機、電流プローブを一新し8機種を投入
岩崎通信機は、電流プローブを一新し「SS-500シリーズ」として8機種を市場に投入する。専用電源2機種も同時に発売する。デジタルオシロスコープ「DS-8000シリーズ」と組み合わせ、パワーエレクトロニクス分野を中心に提案していく。(2021/4/15)

パッケージはクリップボンド構造:
新日本無線、小型SiC-SBDのサンプル出荷を開始
新日本無線は、小型形状で熱抵抗が小さい最大定格650V/10AのSiCショットキーバリアダイオード「NJDCD010A065AA3PS」を開発、サンプル出荷を始めた。(2021/4/2)

筑波事業所で車載ヒューズを生産:
Littelfuseジャパン、日本でのサポート体制を強化
Littelfuseジャパンは、筑波事業所を活用したローカルサポート体制の強化などにより、日本市場での2桁成長を持続し、2025年には全社に占める日本での売上高構成比を現在の約2倍となる10%規模に拡大していく計画だ。(2021/3/19)

「パワー半導体」高性能化・小型化の技術 電動車の航続距離アップに期待
関西学院大と豊田通商が、ハイブリッド車や電気自動車など電動車への需要拡大が見込まれる「パワー半導体」材料の炭化ケイ素基板の品質と生産性を高める技術を共同開発した。実用化できれば、電動車の航続距離アップが期待できる。(2021/3/12)

高品質で低コストの量産技術確立へ:
SiCウエハー製造技術、産学官が連携して共同研究
産業技術総合研究所(産総研)は、次世代パワー半導体用の高品質SiC(炭化ケイ素)ウエハーを低コストで製造するための技術開発に向けて、大型共同研究を始めた。ウエハーメーカーを含む民間企業17社や公的3機関と連携し開発に取り組む。(2021/3/11)

東芝 MG800FXF2YMS3:
産業機器向けデュアルSiC MOSFETモジュール
東芝デバイス&ストレージは、電圧定格3300V、電流定格800AのデュアルSiC MOSFETモジュール「MG800FXF2YMS3」を発表した。鉄道車両向け電力変換装置や再生可能エネルギー発電システムなどでの利用を見込む。(2021/3/5)

FAニュース:
SiCウエハーの欠陥を無害化するプロセスを開発、SiCデバイスのコスト低減へ
関西学院大学は、高効率のSiCデバイスの製造に必要なSiCウエハーの欠陥を無害化するプロセス技術「Dynamic AGE-ing」を豊田通商と共同開発し、6インチSiCウエハーでの性能検証を完了したと発表した。(2021/3/3)

インフィニオン CoolSiC Hybrid IGBT:
還流SiC-SBDを搭載したIGBT
インフィニオン テクノロジーズは、ブロッキング電圧が650Vの「CoolSiC Hybrid IGBT」ファミリーの販売を開始した。IGBTと併せて還流SiCショットキーバリアダイオード(SiC-SBD)を採用し、スイッチング損失を低減した。(2021/3/3)

2000℃の高温で「歪みを出し切る」:
SiCウエハー欠陥の無害化技術を開発、関学大と豊田通商
関西学院大学と豊田通商は2021年3月1日、SiC(炭化ケイ素)ウエハー基板における基底面転位と呼ばれる欠陥を無害化する表面ナノ制御プロセス技術を開発したと発表した。(2021/3/2)

組み込み開発ニュース:
Fin状トレンチ型SiC-MOSFETを製品化、サンプル出荷開始へ
日立パワーデバイスは、Fin状トレンチ型SiC-MOSFET「TED-MOS」を製品化した。2021年3月よりサンプル出荷を開始する。デバイス設計の自由度が向上したほか、耐久性と低消費電力を両立した。(2021/2/17)

テレダイン・レクロイ HVD3220:
帯域400MHz、電圧範囲2kVの高電圧差動プローブ
テレダイン・レクロイは、400MHz帯域、電圧範囲2kVの高電圧差動プローブ「HVD3220」を発表した。最高0.35%のゲイン精度と優れたCMMRを備え、高速動作するパワーエレクトロニクスの測定に適している。(2021/2/12)

THzトランジスタの商用化を可能に:
製造コストを削減できるグラフェン製造法を開発
東北大学は、グラフェンを用い低環境負荷で超高速のデバイスを製造する方法を開発した。テラヘルツ(THz)帯で動作する高品質のグラフェントランジスタを、これまでに比べ100分の1以下という安価な製造コストで実現できるという。(2021/2/8)

FAニュース:
パワー半導体の生産性を大幅に向上する、欠陥特定装置を共同開発
Mipoxと名古屋大学は、パワー半導体の生産性を大幅に高める欠陥特定システムを共同開発した。SiCなどを材料とする半導体基板中の結晶欠落の種類や位置、キラー欠陥を非破壊で自動的に検出する。(2021/2/5)

工場ニュース:
SiCパワーデバイスの生産能力強化のため、環境配慮型の新棟を建設
ロームは、SiCパワーデバイスの生産能力を強化するため、グループ会社のローム・アポロの筑後工場に新棟を建設した。使用電力を100%再生可能エネルギーとする、環境配慮型の最新工場となる。(2021/2/2)

コロナ禍で勝機を見いだす分野も:
半導体業界 2021年に注目すべき10の動向
2021年の半導体/エレクトロニクス業界において、注目しておきたい10の動向を挙げる。(2021/1/29)

トレックス・セミコンダクター 代表取締役社長 芝宮孝司氏:
PR:“アナログの泥臭さ”が生きる低電圧出力が勝負どころに、設計力を底上げしタイムリーな製品投入を狙う
小型・低消費電力の電源ICに強みを持つトレックス・セミコンダクター。新しい中期経営計画の初年度となる2021年度は、主力製品のラインアップ拡充を図る他、資本提携したインドのアナログICメーカーとの協業による設計力の底上げと、半導体受託製造を手掛ける子会社フェニテックセミコンダクターの工場移管による高収益体制の確立を目指す。同社社長の芝宮孝司氏に、事業戦略を聞いた。(2021/1/13)

主要な生産工程を環境配慮型へ:
ローム、SiCパワーデバイスの生産能力強化
ロームは、SiC(炭化ケイ素)パワーデバイスの製造拠点となるローム・アポロ筑後工場(福岡県筑後市)の新棟が完成したと発表した。製造に用いる電力を100%再生可能エネルギーで賄う環境配慮型の最新工場で、製造設備を順次導入し2022年の稼働を目指す。(2021/1/7)

コロナ禍と進む分断:
2020年の半導体業界を振り返る
新型コロナウイルス感染症(COVID-19)が世界中で猛威をふるい、その影響が多方面に及んだ2020年。半導体/エレクトロニクス業界にとっては、COVID-19の他にも、米中ハイテク戦争というもう一つの懸念を抱えたままの1年となりました。この2020年を、EE Times Japanに掲載した記事とともに振り返ります。(2020/12/25)

デンソー 昇圧用パワーモジュール:
燃料電池自動車向けの昇圧用パワーモジュール
デンソーは、燃料電池自動車向けにSiCパワー半導体を搭載した次期型昇圧用パワーモジュールの量産を開始した。新開発の車載用SiCトランジスタと車載用SiCダイオードを組み合わせた、小型で効率的なモジュールだ。(2020/12/18)

自動車業界の1週間を振り返る:
EV販売より取り扱い終了を選ぶディーラーも? Uberは自動運転と空飛ぶクルマ手放す
みなさんこんにちは、金曜日です。寒いですね。1週間、お疲れさまでした。東京都が2030年までに都内で販売する新車を全て電動車にする方針を示したこともあり、先週に引き続き、今週も電動化の動向が話題になりましたね。(2020/12/11)

車載半導体:
デンソーのSiCパワー半導体、新型ミライのFC昇圧コンバータで採用
デンソーは2020年12月10日、SiCパワー半導体を搭載した昇圧用パワーモジュールの量産を開始したと発表した。トヨタ自動車が同年12月9日に全面改良して発売した燃料電池車(FCV)「MIRAI(ミライ)」に搭載されている。(2020/12/11)

FCVってEVと何が違うの? トヨタ、燃料電池車「MIRAI」をフルモデルチェンジ 満タン850キロ走行可能に
「空気をきれいにする機能」も搭載……!?!?(2020/12/10)

電気自動車:
トヨタの燃料電池車「MIRAI」に新型登場、航続距離850kmで給電機能も向上
トヨタ自動車は2020年12月9日、フルモデルチェンジした燃料電池車(FCV)「MIRAI(ミライ)」を発表。従来モデルより航続距離を高めた他、外部給電の機能も刷新。2つのグレードを用意し、価格は710万円〜805万円(税込)となっている。(2020/12/10)

燃料電池車:
新型ミライの燃料電池システム、乗用車以外への活用も視野に刷新
トヨタ自動車は2020年12月9日、燃料電池車(FCV)「MIRAI(ミライ)」をフルモデルチェンジして発売した。税込みメーカー希望小売価格は先代モデルからほぼ据え置きの710万円から。優遇税制や補助金を組み合わせることにより、ベーシックなGグレードの場合でおよそ139万5700円の購入補助が受けられる。生産は同社の元町工場(愛知県豊田市)で行う。(2020/12/10)

シリコンIGBTの性能向上を実証:
両面ゲートIGBT、スイッチング損失を6割低減
東京大学生産技術研究所は、シリコンIGBTの表裏両面にMOSトランジスタのゲートを設けた「両面ゲートIGBT」を作製し、表面だけの従来構造に比べ、スイッチング損失を62%低減できることを実証した。(2020/12/9)

EV用充電回路のサイズは半分に:
PR:ドライバ統合で電力密度が倍増、次世代GaN FETが電源設計に新たな価値をもたらす
10年間、GaNパワーデバイスの研究開発に投資し、性能と信頼性を向上してきたTexas Instruments(TI)。同社が開発した新しい650Vおよび600VのGaN FETは、Siliconドライバや保護回路を統合することで、電力密度をさらに高めた製品となっている。(2020/12/11)

組み込み開発ニュース:
両面ゲートIGBTのスイッチング損失を最大62%低減、東京大学が新技術開発
東京大学 生産技術研究所は2020年12月7日、ゲート両面の動作タイミングを最適化することなどを通じて、両面ゲートIGBTのスイッチング損失を、片面ゲートIGBTと比較して最大62%低減することに成功したと発表。(2020/12/8)

価格はシリコンと同水準、UnitedSiC:
「業界最高の性能指数を実現」する750V耐圧SiC FET
米国UnitedSiCは2020年12月1日(現地時間)、同社の「第4世代SiC FET」として、750V耐圧の新製品を発表した。同社は、単位面積当たりのオン抵抗やスイッチング性能など、「業界最高の性能指数」を実現したと説明している。またコスト面でも、「スーパージャンクション(SJ)構造のシリコンMOSFETのプレミアム品とほぼ同水準の価格だ」という。(2020/12/4)

インフィニオン CoolSiC MOSFET:
1200V対応、自然冷却のパワーMOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、SiCパワーMOSFETファミリー「CoolSiC MOSFET」に1200V用に最適化された新製品を追加した。自然空冷を可能にしたことで冷却ファンや関連設備を不要とし、損失も従来比で最大80%削減できる。(2020/11/26)

三菱電機 SiC-MOSFET 1200V-Nシリーズ TO-247-4パッケージ:
4端子構成パッケージのSiC-MOSFET
三菱電機は、「SiC-MOSFET 1200V-Nシリーズ TO-247-4パッケージ」6品種のサンプル提供を2020年11月に開始する。4端子パッケージ採用により、従来品と比較してスイッチング損失を約30%低減した。(2020/11/17)

600Vの産業用も、日本TI:
ドライバや保護回路を集積した車載用650V GaN FET
日本テキサス・インスツルメンツは2.2MHzの高速スイッチングゲートドライバや保護回路を集積した車載用650V耐圧GaN(窒化ガリウム)FET(電界効果トランジスタ)製品を発表した。(2020/11/11)

最終製品の大幅な小型、軽量化を実現:
ハーフブリッジドライバとGaN-HEMTを集積したSiP
STマイクロエレクトロニクスは、ハーフブリッジゲートドライバと2つのGaN-HEMT(窒化ガリウムを用いた高電子移動度トランジスタ)を集積したSiP(System in Package)製品プラットフォーム「MasterGaN」を開発した。(2020/11/6)

高速大容量通信の実現に向けて:
NTTら、帯域100GHz超の直接変調レーザーを開発
NTTは東京工業大学と共同で、炭化ケイ素(SiC)基板上に作製したインジウムリン(InP)系メンブレンレーザーを開発した。直接変調レーザーとして、3dB帯域は100GHzを超え、毎秒256Gビットの信号を2km伝送できることを確認した。(2020/10/23)

富士経済が新型コロナの影響を検証:
パワー半導体市場、2020年予測を一部下方修正
富士経済は、2020年のパワー半導体世界市場について、2020年2月に発表した予測を一部下方修正した。前回予想に比べSi(シリコン)パワー半導体は大幅に縮小、次世代パワー半導体は伸び率が鈍化する見通しとなった。(2020/10/22)

機器の電力損失を大幅に削減:
東芝、耐圧1200VのSiC MOSFETを発売
東芝デバイス&ストレージは、耐圧1200VのSiC(炭化ケイ素)MOSFET「TW070J120B」を開発、出荷を始めた。産業機器向けAC-DCコンバーターや太陽光インバーター、大容量の双方向DC-DCコンバーターなどの用途に向ける。(2020/10/21)

湯之上隆のナノフォーカス(31):
Lam Researchが打ち立てた金字塔、“1年間メンテナンスフリー”のドライエッチング装置
Lam Researchが「365日メンテナンスフリー」と銘打ったドライエッチング装置「Sense.i」を開発した。Sense.iは何がすごいのか。その特長と、Sense.iがもたらすであろう製造装置分野への影響、さらになぜLam Researchがこのような装置を開発できるに至ったかを解説する。【訂正あり】(2020/10/14)

従来装置に比べ生産性は約3倍に:
SiCパワー半導体用高温イオン注入装置、納入開始
日新イオン機器は、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体製造用高温イオン注入装置「IMPHEAT−II」の納入を始めた。従来装置に比べ、生産性が約3倍向上するという。(2020/10/6)

不断の研究開発が支える:
PR:電源業界の“不変の課題”、高電力密度をかなえる4つのイノベーション
電源において、常に最も重要な課題の一つとなっているのが電力密度だ。電力密度の向上は、電源サイズの縮小、部品点数の減少、システムコストの削減など、多くのメリットに直結している。Texas Insrtuments(TI)は、4つの主要分野において、電力密度の向上におけるイノベーションをけん引している。(2020/9/29)

電力損失を従来比約70%も低減:
三菱電機、産業用フルSiCパワーモジュール発売
三菱電機は、パワー半導体の新製品として、産業用機器に向けたフルSiC(炭化ケイ素)パワーモジュール9品種を開発、2021年1月から順次発売する。(2020/9/16)

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版:
2020年度上半期を振り返る 〜新型コロナからNVIDIAのArm買収まで ―― 電子版2020年9月号
EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版2020年9月号。今号のEE Exclusive(電子版限定先行公開記事)は、2020年4〜9月のエレクトロニクス業界を振り返る「2020年度上半期を振り返る 〜新型コロナからNVIDIAのArm買収まで」をお送りする。その他、ロームパワーデバイス事業幹部へのインタビュー記事などを収録している。(2020/9/15)

富士キメラ総研が市場調査:
半導体デバイス16品目、2025年に43兆円規模へ
富士キメラ総研は、半導体デバイス16品目の市場について調査した。2020年見込みの26兆678億円に対し、2025年は43兆470億円と予測した。リモートワークやAI(人工知能)の普及などにより、半導体デバイス需要は引き続き拡大する。(2020/9/10)

京大が再び快挙:
SiC-MOSFETの電子移動度が倍増、20年ぶりに大幅向上
京都大学が、SiCパワー半導体の研究で再び快挙を成し遂げた。京都大学 工学研究科 電子工学専攻の木本恒暢教授と同博士課程学生の立木馨大氏らの研究グループは2020年9月8日、新たな手法による酸化膜形成により、SiCと酸化膜(SiO2)の界面に発生する欠陥密度を低減し、試作したn型SiC-MOSFETにおいて従来比2倍の性能を実現したと発表した。(2020/9/9)

モノづくり総合版 メールマガジン 編集後記:
「数十年に一度のブレークスルー」が当たり前の世界
30年って長いですよね……。人生の3分の1ですもん。(2020/9/3)

Littelfuseジャパン代表 亥子正高氏:
幅広い製品群をあらゆる用途へ、SiCパワーICにも注力
1927年の創業以来、ヒューズやポリマーPTC、TVSダイオードといった回路保護素子を手掛けてきた米Littelfuse。同社の日本法人であるLittelfuseジャパンでは2020年4月、それまで取締役営業本部長を務めていた亥子正高氏が代表に就任した。同氏に、日本での戦略や、新型コロナウイルス感染症(COVID-19)による影響などを聞いた。(2020/9/2)

ローム パワーデバイス事業統括 伊野和英氏:
25年にトップシェアへ、SiC市場をリードする“後発・ローム”
パワー半導体市場に後発として参入しながら、本格的な拡大が見込まれるSiC(炭化ケイ素)パワーデバイス市場において、先進的な研究開発を進めてきたローム。今回、同社取締役 上席執行役員CSO(最高戦略責任者)兼パワーデバイス事業統括の伊野和英氏に話を聞いた。(2020/8/26)

30年来の課題に光明:
新手法の酸化膜形成でSiC-MOSFETの性能が10倍に
SiCパワー半導体で30年来の課題となっていた欠陥の低減が、大きく前進しようとしている。京都大学と東京工業大学(東工大)は2020年8月20日、SiCパワー半導体における欠陥を従来よりも1桁低減し、約10倍の高性能化に成功したと発表した。(2020/8/21)

従来技術に比べ10倍以上に:
新デバイス構造でSiC MOSFETの信頼性を向上
東芝デバイス&ストレージは、SiC MOSFETの内部にSBDを搭載する新たなデバイス構造を開発した。従来技術に比べて、オン抵抗の上昇を抑えつつSiC MOSFETの信頼性を10倍以上も高めることが可能だという。(2020/8/3)


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にわかに地球規模のトピックとなった新型コロナウイルス。健康被害も心配だが、全国規模での臨時休校、マスクやトイレットペーパーの品薄など市民の日常生活への影響も大きくなっている。これに対し企業からの支援策の発表も相次いでいるが、特に今回は子供向けのコンテンツの無料提供の動きが顕著なようだ。一方産業面では、観光や小売、飲食業等が特に大きな影響を受けている。通常の企業運営においても面会や通勤の場がリスク視され、サーモグラフィやWeb会議ツールの活用、テレワークの実現などテクノロジーによるリスク回避策への注目が高まっている。