「SiC」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

次世代パワー半導体：
酸化ガリウムウエハーの低コスト量産に向け、東北大が新会社を起業
東北大学は、β型酸化ガリウム（β-Ga2O3）ウエハーの低コスト量産化を目指す同大発のスタートアップFOXを起業したと発表した。同大と同大発スタートアップのC＆Aが共同開発した貴金属フリーの単結晶育成技術を用い、シリコンに匹敵する低欠陥のβ-Ga2O3インゴット／基板を、SiCより安価に製造する技術の実用化を目指す。（2024/10/17）

真空チャンバーなどは不要：
パワー半導体向けボイドレスはんだ付け技術を開発
日本アビオニクスは、パワー半導体チップとリードフレームや放熱板を接合する時に発生するボイドを抑えられる「ボイドレスはんだ付け」技術を新たに開発した。同社が保有する「パルスヒートはんだ付け」と「超音波接合」の技術を融合することで実現した。（2024/10/16）

Qorvo UJ4N075004L8S：
定格電圧750V、オン抵抗4mΩのSiC JFET
Qorvoは、750Vでオン抵抗が4mΩのSiC JFET「UJ4N075004L8S」を発表した。半導体回路ブレーカーなどの回路保護用途向けに設計され、TOリードレスパッケージで提供される。（2024/10/11）

たった2つの式で始めるDC/DCコンバーターの設計（10）：
ステップアップ形DC/DCコンバーターの設計（3）CRスナバー回路とチョークの要求特性
今回はCRスナバー回路とチョークの要求特性について説明します。（2024/10/11）

溶液法SiCウエハー事業：
JSファンダリとオキサイド、SiCウエハー国産化目指し協業
JSファンダリとオキサイドが、溶液法SiCウエハー事業において、業務提携に関する基本合意書を締結したと発表した。JSファンダリは、「溶液法SiCウエハーの事業化にオキサイドと取り組み、「欠陥が少なく高品質なウエハーの市場への安定投入を図ることで、自社のパワー半導体ビジネス拡大への足掛かりとする」としている。（2024/10/9）

「業界最大」静電容量を実現：
3225サイズで定格1250V、C0G特性MLCCをTDKが開発
TDKが、車載用途などで高まるコンデンサーの高耐圧化および高静電容量化への需要に応える、新たなMLCCを開発した。「C0G特性」の3225サイズ品で定格電圧1250Vと、「業界最大」（同社）の高静電容量10nFを両立。車載と一般用の両グレードを用意し、2024年12月に量産を開始する予定だ。（2024/10/9）

顧客も強く意識：
「半導体メーカーもサステナビリティ戦略は必須」　onsemi CMO
サステナビリティ戦略は半導体メーカーにとっても重要になっている。onsemiでシニアバイスプレジデント兼CMO（Chief Marketing Officer）を務めるFelicity Carson氏は、「顧客は半導体サプライヤーのサステナビリティ戦略を強く意識している。プロダクトカーボンフットプリントなどの情報提供を求める声も強くなっている」と語る。（2024/10/8）

ルネサスの海外販売戦略に柔軟かつ即座に対応：
PR：Avnet、日本でルネサス製品の取り扱い開始　需要創出と物流で強力に支援
Avnet（アヴネット）がルネサス エレクトロニクス製品の取り扱いを日本で開始した。M＆Aを経て製品群が大幅に増加したルネサスは、ラインカードが多く物流ネットワークにも強いAvnetに大きな期待を寄せる。AvnetのAsia Pacific and Japanでプレジデントを務めるPrince Yun氏と、ルネサス グローバル・リージョナル＆日本アジアパシフィック統括でバイスプレジデントを務める長谷川夕也氏が、ルネサスとしてAvnetを選択した背景やルネサスとAvnetのパートナーシップがエンジニアにもたらす価値について語った。（2024/10/16）

工場ニュース：
サイコックスが貼り合わせSiC基板の8インチ量産ラインを構築決定
サイコックスは、サイコックス大口工場（鹿児島県伊佐市）で、貼り合わせSiC基板「SiCkrest）」の8インチ量産ラインを構築することを決定した。（2024/10/2）

Axus Technologyが開発：
SiCを低コスト化できるか　米装置メーカーのCMP技術
米Axus Technologyが提供するCMP（化学機械研磨）装置は、SiCウエハーのコストを大幅に下げる可能性がある。（2024/10/1）

組み込み開発ニュース：
STマイクロが第4世代SiC-MOSFETを発表、第5世代以降のロードマップも
STマイクロエレクトロニクスが従来と比べて電力効率や電力密度、堅牢性を大幅に向上する第4世代SiC-MOSFETを発表。2025年第1四半期以降に提供を開始する予定で、その後2027年に向けてプレーナー構造をベースにした第5世代の開発や、高温動作時に極めて低いオン抵抗を実現する技術の導入などを進めていく方針である。（2024/9/30）

固有の劣化モードを評価：
SiCパワー半導体の劣化試験サービスを開始、OEG
OKIエンジニアリング（OEG）は2024年9月、SiC（炭化ケイ素）パワー半導体固有の劣化モードを評価する「AC-BTI試験サービス」を始めた。SiCパワー半導体の開発やデバイス選択、応用製品の設計などを支援していく。（2024/9/30）

「電脳メガネ」ついに実現？　Meta、真のARグラス「Orion」を披露　“筋肉の信号で操作”も可能に
アニメ作品「電脳コイル」に登場する「電脳メガネ」のようなARメガネを、Metaがお披露目した。同社のカンファレンス「Meta Connect 2024」で発表したもので、10年の歳月を経て作り上げた、単体動作できる真のARメガネとアピールする。（2024/9/26）

750Vおよび1200V品を予定：
STが最新世代SiC MOSFETを発表、EVインバーター向けに最適化
STMicroelectronicsが、最新世代となる第4世代SiC MOSFET技術を開発した。定格電圧750Vおよび1200Vの製品を提供予定。電力効率や電力密度、堅牢性を向上し、特に次世代のEV（電気自動車）トラクションインバーター向けに最適化されているという。（2024/9/26）

SMCが生産能力を大幅拡大：
中国でパワー半導体の新工場稼働　着工からわずか21カ月で
米国資本の半導体メーカーであるSMC Diode Solutions（SMC）は、中国 南京で2つ目のパワーディスクリート工場の稼働を開始した。総面積は2.8万平方メートルで、建設には30億人民元（約615億円）を投じた。高性能／高電圧整流器を製造する予定で、SMCの生産能力は大幅に増大していくとみられる。（2024/9/26）

材料技術：
レゾナックがソイテックとSiCパワー半導体向け貼り合わせ基板の共同開発契約締結
レゾナックは、先進的な半導体基板材料を製造するフランスのソイテックと、パワー半導体に使用される8インチの炭化ケイ素SiCエピウエハーの材料となる8インチSiC貼り合わせ基板の共同開発契約を締結した。（2024/9/26）

生産性向上に向け：
レゾナック、Soitecと8インチSiC貼り合わせ基板を共同開発へ
レゾナックは2024年9月24日、半導体基板材料を製造するフランスのSoitecと、パワー半導体に使用される8インチSiC（炭化ケイ素）エピタキシャルウエハーの材料となるSiC貼り合わせ基板に関する共同開発契約を締結したと発表した。（2024/9/26）

組み込み開発ニュース：
普及するSiCパワー半導体固有の劣化検査サービス開始、正しい省エネ性能を確保へ
OKIエンジニアリングは、SiCパワー半導体固有の劣化モードに対する評価サービスを開始する。JEITAやJEDECにおける規格に準拠した「AC-BTI試験サービス」を実施する。（2024/9/24）

組み込み開発ニュース：
Siパワー半導体でSiCと同等レベルの低損失を実現、シャープのFCR回路技術
シャープは、技術展示イベント「SHARP Tech-Day'24」において、Siパワー半導体を用いて次世代に位置付けられるSiCパワー半導体と同等レベルの低損失を実現できるFCR回路技術に関する参考展示を行った。（2024/9/19）

工場建設も続々：
「欧州半導体法」で主導権争いに加わるEU　世界シェア20％を目指す
EUは「欧州半導体法」を制定し、半導体業界における競争力とレジリエンス強化を目指している。同法に基づいて430億ユーロの資金が調達される予定で、既に複数の工場や研究開発施設の建設プロジェクトが進行している。（2024/9/19）

AI／半導体ソリューションの展望語る：
キーサイト新社長は開発部門生え抜きの寺澤氏　「日本の顧客支えたい」
キーサイト・テクノロジーの新社長に開発部門出身の寺澤紳司氏が就任した。開発部門出身者が同社の社長に就くのは初めて。就任記者会見ではAI（人工知能）戦略や半導体向けソリューションの展望を語った。（2024/9/17）

2025年3Qに完成予定：
レゾナック、山形にSiC基板とエピウエハー生産の新拠点設置へ
レゾナックは2024年9月13日、山形県東根市の山形工場にパワー半導体向けSiC（炭化ケイ素）ウエハーの生産建屋を新設すると発表した。2025年第3四半期の完成を予定している。（2024/9/13）

オンセミ F5BP-PIM：
電力密度／効率を向上させたESS向けパワーモジュール
オンセミは、太陽光発電やエネルギー貯蔵システム向けに、SiおよびSiC（炭化ケイ素）パワーモジュール「F5BP-PIM」シリーズを発表した。占有面積当たりの電力密度が向上し、ソーラーインバーターのシステム合計電力が最大350kWとなった。（2024/9/13）

素材／化学メルマガ 編集後記：
高容量急速充電リチウムイオン電池を実現する、βシリコンカーバイドの秘めた“力”
今回は、北陸先端科学技術大学院大学が「大学見本市2024〜イノベーション・ジャパン」で披露した「高容量な急速充電用電池を実現する負極活物質」を紹介します。（2024/9/13）

シリコン並みの低コスト化に向け：
「世界初」300mm GaNウエハー技術を開発、Infineon
Infineon Technologiesが、300mmのGaN（窒化ガリウム）ウエハー技術を開発した。300mmウエハーでのチップ製造は、200mmウエハーの場合と比べ、ウエハー1枚当たり2.3倍のチップが製造可能となり、効率が大幅に向上する。（2024/9/11）

PCIM Europe 2024：
初の車載SiCモジュールで市場展開を加速、三菱電機
三菱電機は、ドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」において、モールドタイプのxEV用インバーター用パワー半導体モジュール「J3」シリーズや、鉄道および直流送電などの大型産業機器向けのSBD内蔵SiC MOSFETモジュールなど、各分野向けに開発した新製品を紹介していた。（2024/9/11）

PCIM Europe 2024：
AIサーバ向け特化品も、第2世代SiC MOSFETを拡充するInfineon
2024年3月に第2世代のSiC MOSFET製品を発表し、続々と製品ラインアップを拡充。市場シェア拡大に向けた取り組みを加速するInfineon Technologies。今回、同社グリーンインダストリアルパワー部門フェローを務めるPeter Friedrichs氏に、最新製品の特長や市場の展望などを聞いた。（2024/9/11）

PCIM Europe 2024：
独自モールドタイプモジュールで車載SiCの主戦場へ挑むローム
ロームはドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」の初日に記者会見を行い、同社取締役常務執行役員パワーデバイス事業担当の伊野和英氏がSiCパワーデバイス新製品の概要や、事業の展望などを語った。（2024/9/10）

銀とシリコンの共晶合金を液体急冷：
ワイドバンドギャップ半導体向けの新たな接合材料
大阪大学はダイセルとの共同研究で、銀（Ag）とシリコン（Si）の共晶合金を液体急冷すると、非晶質SiやAg過飽和固溶体の準安定相が出現することを発見した。また、液体急冷Ag−Si合金を大気中で加熱すると、Ag過飽和固溶体に含まれるSiが酸化反応を起こし、副産物としてAgが析出されることも明らかにした。（2024/9/10）

PCIM Europe 2024：
低温で接合後に融点480℃に、田中貴金属独自のシート状接合材
田中貴金属グループの製造事業を展開する田中貴金属工業および田中電子工業は、ドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」に出展。独自開発の低温で接合可能ながら高温耐熱性を持つ独自開発のシート状接合材である「AgSn TLPシート」などを展示していた。（2024/9/10）

工場ニュ―ス：
インフィニオンがSiCパワー半導体新工場の第1フェーズ開設、3000億円超投資
Infineon Technologies（インフィニオン）は、マレーシアのパワー半導体新工場の第1フェーズを正式に開設した。第1フェーズでは、高効率200mm SiCパワー半導体のほかGaNエピタキシーを製造し、900人の高付加価値雇用が創出される。（2024/9/4）

ローム BD28C55FJ-LB／54FJ-LB／57LFJ-LB／57HFJ-LB：
UVLO対応、PWM制御方式汎用AC-DCコントローラーIC
ロームは、PWM制御方式FET外付けタイプAC-DCコントローラーIC4種を発売した。低電圧誤動作防止機能を搭載し、Si-MOSFET、IGBT、SiC（炭化ケイ素） MOSFETまで幅広いパワートランジスタに対応する。（2024/9/2）

オンセミ製品を最も扱うトップディストリビューター：
PR：強力な供給体制を整えるオンセミのSiCパワーデバイス　Avnetが販売サポートを強化
Avnet（アヴネット）は、SiCパワーデバイスを中心にオンセミ（onsemi）製品の販売ビジネスを強化している。オンセミのSiCパワーデバイスにはどのような特徴があるのだろうか。オンセミ日本法人社長にSiCパワーデバイスを中心に同社の事業戦略、Avnet日本法人社長にオンセミ製品の販売戦略を聞いた。（2024/9/2）

独り勝ちのNVIDIA、中国の対米規制：
2024年上半期の半導体業界を振り返る
本稿では、2024年上半期（1〜6月）の半導体業界をEE Times Japanの記事とともに振り返る。（2024/8/28）

インフィニオン PSOC Control：
1μA未満の休止モードを搭載したモーター制御向けMCU
インフィニオン テクノロジーズは、産業用、民生用モーター制御および電力変換システム用途向けのマイクロコントローラー「PSOC Control」シリーズを発表した。（2024/8/29）

声優・来栖りんが“腸骨負傷”、心配の声広がる　当面のステージパフォーマンスは制限
31日のアニサマには「パフォーマンスを制限する形で出演」。（2024/8/28）

幅広いパワートランジスタに対応：
ローム、汎用AC-DCコントローラーICを4機種発売
ロームは、産業機器用電源などに向けたPWM制御方式FET外付けタイプの汎用AC-DCコントローラーIC4機種の販売を始めた。（2024/8/22）

NOVOSENSE Microelectronics　East Asia Sales Director　Kidder Shen氏：
PR：「長期的な貢献で顧客に寄り添う」　高性能、高信頼性アナログ＆ミックスドシグナル半導体で日本に本格参入するNOVOSENSE
アナログ＆ミックスドシグナル半導体メーカーNOVOSENSE Microelectronicsが、日本市場での事業拡大に本腰を入れている。高性能、高信頼性のモータードライバーICや絶縁ソリューション、磁気センサーを中心に、車載や産業制御の分野を狙う。同社でEast Asia Sales Directorを務めるKidder Shen氏は「日本市場への長期的なコミットメントを実現し、日本の顧客のパートナーとして信頼を獲得し、高信頼性のソリューションを提供できるよう全力を尽くす」と意気込む。（2024/8/20）

「TECHNO-FRONTIER 2024」：
「STM32」で工場自動化、トータルソリューション提示
STマイクロエレクトロニクスは「TECHNO-FRONTIER 2024」に出展し、工場自動化に向けたFA（ファクトリーオートメーション）ソリューションや住宅向けエネルギーソリューションを紹介した。（2024/8/19）

製造マネジメントニュース：
レゾナックが黒字転換、通期予想も上方修正
レゾナック・ホールディングスは、2024年12月期第2四半期（1月1日〜6月30日）の売上高が前年同期比8.5％増の6685億円で、営業利益は同411億円改善の280億円となり前年同期の赤字から黒字に転じた。（2024/8/15）

通期予想を上方修正：
レゾナック24年上期は増収増益、後工程材料がけん引
レゾナック・ホールディングスの2024年12月期上期（2024年1〜6月）決算は、売上高が前年同期比8.5％増の6685億円。営業利益が同411億円増の280億円、純利益が同583億円増の384億円と増収増益だった。主に、AI（人工知能）関連向けの半導体後工程材料が好調だった。（2024/8/9）

200mm対応の大規模工場が完成：
InfineonがマレーシアのSiC新工場を開所　24年内に出荷へ
Infineon Technologiesは2024年8月8日（マレーシア時間）、マレーシア・クリムの200mm SiC（炭化ケイ素）ウエハー新工場のオープニングセレモニーを開催した。2024年内にもウエハー出荷を開始する予定だ。（2024/8/8）

スルーレート制御機能を搭載：
モーターの寿命を18年延長するゲートドライバーIC
Broadcom（ブロードコム）は、「TECHNO-FRONTIER 2024」（2024年7月24〜26日、東京ビッグサイト）に出展し、SiC（炭化ケイ素）／GaN（窒化ガリウム）に対応したゲートドライバーICや電流センサーの評価ボードなどを展示した。（2024/8/8）

オンセミ（onsemi） EliteSiC M3e MOSFET：
ターンオフ損失が前世代品比で半減したSiC MOSFET
オンセミ（onsemi）は、同社のSiC（炭化ケイ素）プラットフォームの最新世代となる「EliteSiC M3e MOSFET」を発表した。既にTO-247-4Lパッケージを用いたサンプル品の出荷を開始している。（2024/8/6）

オシロスコープの新製品も展示：
電気計測の主役は「プローブ」、テクトロニクスが強調
Tektronix（テクトロニクス）は、「TECHNO-FRONTIER 2024」（2024年7月24〜26日、東京ビッグサイト）に出展し、オシロスコープの新製品「4シリーズB MSO」や光絶縁型差動プローブ「TIVPシリーズ」などを展示した。（2024/8/5）

組み込み開発ニュース：
サージ電圧を最小限に抑制する設計を採用したSiCパワーモジュール
新電元工業は、民生および産業機器向けのSiCパワーモジュール「MG074」のサンプル出荷を発表した。新たに開発したパッケージを採用し、搭載するSiC-MOSFETの性能を最大限に引き出している。（2024/8/1）

小さいゲート抵抗で発振抑制：
寄生発振抑制と高速スイッチングを両立、東芝のSiCモジュール
東芝デバイス＆ストレージ（以下、東芝D＆S）と東芝は、SiCｰMOSFETを搭載したパワーモジュールの寄生発振を抑制する独自技術を開発した。【修正あり】（2024/7/29）

新電元工業 MG074：
サージ電圧差を最小限に抑えたSiCパワーモジュール
新電元工業は、民生および産業機器向けSiC（炭化ケイ素）パワーモジュール「MG074」のサンプル出荷を開始した。配線長が等しくなるよう内部構造を左右対称のレイアウトとし、電流経路で発生するサージ電圧の差を最小限に抑えた。（2024/7/26）

材料技術：
次世代パワー半導体向け高熱伝導シンタリング銀ペーストのサンプル出荷を開始
住友ベークライトは、次世代パワー半導体向け「高熱伝導シンタリング銀ペースト（150W/m・K）」のサンプル出荷を開始した。2024年12月の量産化を目指している。（2024/7/19）

ビシェイ VS-3C05ET12T-M3など16種：
1200VのSiCショットキーダイオード
ビシェイ・インターテクノロジーは、同社第3世代品となる1200VのSiC（炭化ケイ素）ショットキーダイオード16種を発表した。埋め込み型のMPS構造を採用し、定格電流5〜40Aを用意する。（2024/7/17）