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» 2009年04月28日 07時00分 UPDATE

32nmプロセスのNANDフラッシュ 東芝が世界初

東芝は4月27日、32ナノメートル(nm)プロセスを採用したNAND型フラッシュメモリを世界で初めて開発し、サンプル出荷を始めた。容量は32Gビット。

[ITmedia]

 東芝は4月27日、32ナノメートル(nm)プロセスを採用したNAND型フラッシュメモリを世界で初めて開発し、サンプル出荷を始めた。容量は32Gビット。

 当初計画から2カ月前倒し、7月に量産スタートする。まずはメモリカードやUSBメモリ向けに出荷し、順次、組み込み用途などに展開していく。

 従来の32GビットNANDフラッシュは43nmプロセスで製造していた。32nmプロセスに微細化することで生産効率を向上させ、大容量の小型パッケージ製品を拡充する。

 32nmプロセスで製造した16Gビット品も、2009年10〜12月期に量産を始める予定だ。

 同社は「32nmプロセスを適用したNANDフラッシュを他社に先駆けて製品化し、市場でリーダーシップを堅持する」としている。

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