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「22nmプロセス」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「22nmプロセス」に関する情報が集まったページです。

2021年2月にオンラインで開催:
「ISSCC 2021」の注目論文、Samsungの3nm GAA SRAMなど
2021年2月13〜22日にオンラインで開催される、半導体業界最大級の国際学会「ISSCC 2021」。新型コロナウイルス感染症(COVID-19)の影響で今回は全てのセッションをオンラインで行う。会期以降も同年3月31日までオンデマンドで聴講が可能だ。今回は、注目論文を紹介する。(2021/1/18)

200℃以下でSi層とGe層を積層:
日台が連携、2nm世代に向けた「hCFET」を開発
日本と台湾の国際共同研究グループは、2nm世代に向けた積層型Si/Ge異種チャネル相補型電界効果トランジスタ「hCFET」を開発した。(2020/12/10)

福田昭のデバイス通信(286) Intelが語るオンチップの多層配線技術(7):
銅配線の微細化限界を拡張するサブトラクティブ技術
前回に続き、配線プロセスの代表であるダマシン技術とサブトラクティブ技術を解説する。(2020/11/30)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
Arm再売却の予想と、Intel TMGの行方
エレクトロニクス/組み込み業界の動向をウオッチする連載。今回は、2020年7月の業界動向の振り返りとして、SoftBankがArmの売却に動いている件についての見解と、Intelの半導体製造を担うTMG(Technology and Manufacturing Group)についてお届けする。(2020/8/5)

苦戦を強いられた半導体の巨人:
Intel「10nmノード」の過去、現在、未来
Intelは現在、10nmプロセスの進化に向けて開発を進めているが、このプロセスノードは長年Intelを苦しめてきた。10nmにおけるIntelの闘いを振り返る。(2020/7/31)

頭脳放談:
第241回 CoreとAtomを重ねて実装、新プロセッサ「Lakefield」の技術的挑戦
Intelから新しい第10世代のCoreプロセッサが発売された。開発コード名「Lakefield」と呼ばれるモバイル向けのプロセッサだ。Microsoftからは、デュアルスクリーンデバイスの「Surface Neo」に採用することが発表されている。このLakefieldとはどのようなプロセッサなのかを明らかにする。(2020/6/19)

スタンバイ消費電力は91%減に:
Intel、3D積層技術Foveros採用の「Lakefield」を発表
Intelは2020年6月10日(米国時間)、10nmプロセスを採用した同社のノートPC向けSoC(System on Chip)「Lakefield(開発コード名)」として「Intel Core processors with Intel Hybrid Technology」を発表した。(2020/6/11)

開発コードは「Horse Ridge」:
Intel、極低温で動作する量子制御チップを発表
Intelは2019年12月、量子制御チップ「Horse Ridge(開発コード名)」を発表した。Horse Ridgeは、フルスタックの量子コンピューティングシステムの開発を加速させるために設計された、極低温域で動作するプロセッサである。(2020/1/9)

頭脳放談:
第235回 Intelの量子ビット制御チップが量子コンピュータ格差を生む?
Intelからまた量子コンピュータに関する発表があった。ただ、今回の製品は、量子デバイスではなく、特殊な半導体だ。この製品の意味するところは何なのか、考えてみる。(2019/12/23)

頭脳放談:
第232回 Intelの10nmプロセスの不思議、「10nm」はどこにある?
Intelが10nmプロセスによる量産製造を開始した。一方、AMDはすでにTSMCによる7nmプロセスで製造を行っている。「Intelは遅れているのではないか?」とも言われているが、実際のところはどうなのだろうか? プロセスの数字の秘密を解説する。(2019/9/20)

組み込み開発ニュース:
TSMCは2020年に5nmプロセスを量産、自動車向けロードマップも示す
TSMCは2019年6月28日、横浜市内で記者会見を開催し、同社半導体ファウンドリビジネスの概況やプロセス技術開発への取り組みなどを説明した。世界最大の専業ファウンドリである同社の収益は既に7nmプロセス(N7)がけん引役となっており、2020年から5nmプロセス(N5)を採用したチップの量産開始を予定する。(2019/7/2)

福田昭のストレージ通信(150) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(11):
磁気抵抗メモリ(MRAM)の技術動向と製品動向
今回は、MRAMの技術開発状況と製品化動向を取り上げる。特に、最近のMRAM開発で注目されている埋め込みメモリについて解説する。(2019/6/14)

5nm、3nmへと突き進む:
「当面は微細化を進められる」 TSMCが強調
TSMCは、米国カリフォルニア州サンタクララで2019年4月23日(現地時間)に開催した年次イベント「TSMC 2019 Technology Symposium」において、半導体のさらなる技術進展を実現すべく、同社のロードマップに「N5P」プロセスを追加したことを発表した。(2019/5/8)

京都で2019年6月9〜14日開催:
VLSIシンポジウム 2019 開催概要を発表
2019年6月9〜14日に京都市で開催される半導体デバイス/回路技術に関する国際会議「VLSIシンポジウム」の開催概要に関する記者説明会が2019年4月17日、東京都内で開催された。(2019/4/19)

福田昭のストレージ通信(140) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(3):
DRAMのスケーリング論
今回はDRAMのスケーリングと、次世代メモリへのニーズが高まっている背景を取り上げる。(2019/4/2)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
車載向けで進む28nmプロセス採用――ルネサス、STマイクロを追従するカギはNVM
エレクトロニクス/組み込み業界の動向をウォッチする連載。今回は、2019年2月の業界動向の振り返りとして、ドイツ・ニュルンベルクで開催された「embedded world 2019」に絡めて“MCUの話題”を2つ紹介する。(2019/3/14)

ロジックへの統合が容易:
Samsung、28nm FD-SOIプロセス適用のeMRAMを出荷へ
Samsung Electronics(以下、Samsung)は、28nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター、以下FDS)プロセスをベースにした最初のeMRAM(組み込み型磁気抵抗メモリ)製品の量産を発表した。(2019/3/12)

ISSCC 2019:
Intel、22nm FinEFT適用MRAMの概要を発表
Intelは、22nm FinFETプロセス適用デバイスで採用する、組み込みSTT-MRAM(スピン注入磁化反転方式の磁気抵抗メモリ)向け技術について、詳細を明らかにした。(2019/2/22)

さらば平成、さらば水冷、いくぜNUC:
自作PCユーザーが5年振りに目覚めた2つのきっかけ
とある自作PCユーザーが平成最後の年にふと目覚め、ほぼ5年ぶりにPCを新調しました。その過程を含め、今どきの自作事情をお届けしたいと思います。(2019/2/9)

ヘテロ統合への第一歩を踏み出す:
Intelが新しい3D積層チップ技術「Foveros」を発表
Intelは、新しい3Dパッケージング技術「Foveros」のデモを披露した。2019年後半には提供できる見込みだという。Intelは、このFoverosの開発に20年間を費やし、ロジックとメモリを組み合わせた3D(3次元)のヘテロジニアス構造でダイ積層を実現した。(2018/12/14)

湯之上隆のナノフォーカス(7):
Intel 10nmプロセスの遅れが引き起こしたメモリ不況
2018年、メモリ市場の成長に暗雲が立ち込め、メモリ不況が避けられない事態となった。アナリストらは、メモリの過剰供給による価格の下落を要因として指摘しているが、どうも腑に落ちない。そこで筆者は、Intelの10nmプロセスの遅れという点から、メモリ不況の要因を探ることにした。(2018/12/7)

メモリ関連の論文も豊富:
ISSCC 2019の目玉はAIと5Gに、CPUの話題は少ない?
2019年2月17〜21日に米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催される半導体回路技術関連の国際学会「ISSCC 2019」は、発表内容のほとんどが、機械学習(マシンラーニング)や高速ネットワーク、メモリが主役となる“データ時代”に関するものとなりそうだ。(2018/11/26)

超低消費電流を実現したASSP:
環境発電で“欠けていたピース”埋める、ルネサスのSOTB
ルネサス エレクトロニクスはドイツ・ミュンヘンで開催された「electronica 2018」(2018年11月13〜16日)で、エナジーハーベスト(環境発電)で得たエネルギーで駆動できる組み込みコントローラー「R7F0E」を発表した。核となるのはルネサス独自のプロセス技術「SOTB(Silicon On Thin Buried Oxide)」である。(2018/11/20)

7nm開発は中止したが:
GF、FD-SOIのデザインウィン獲得を着実に重ねる
GLOBALFOUNDRIES(GF)は、7nmプロセスの開発を中止してから初めての年次カンファレンスの中で、ある新規顧客が、GFの22nm FD-SOI(完全空乏化型シリコン・オン・インシュレータ)プロセス「22FDX」を用いて、少なくとも3種類のディープラーニング用組み込みチップを製造していることを明らかにした。(2018/10/3)

医療技術ニュース:
自己組織化でサッカーボール形状のタンパク質ナノ粒子を構築
慶應義塾大学は、サッカーボール形状のタンパク質ナノ粒子「TIP60」の構築に成功した。小さな有機化合物を内部の空洞に導入し、TIP60同士を集合させてより大きな構造を作ることができる。(2018/10/2)

AMDはTSMCに委託先を切り替え:
GLOBALFOUNDRIES、7nm開発を無期限停止へ
最先端の半導体プロセス技術をめぐる競争は、今や3社に絞られた。GLOBALFOUNDRIESは、7nm FinFETプロセスの開発を無期限に延期すると発表した。(2018/8/29)

Armへの対抗品となる?:
インドの新興企業、RISC-VベースのCPUコアを開発へ
インドの新興企業であるInCore Semiconductorsは、オープンソースの命令セットアーキテクチャ(ISA)である「RISC-V」ベースのプロセッサコアとディープラーニングアクセラレーター、SoC(System on Chip)設計ツールの設計とライセンス供与に関する意欲的な計画を発表した。(2018/8/9)

半導体開発だけではない:
製造装置の国産化を加速する中国
「中国製造2025」の一環として半導体産業の強化を掲げる中国。今、中国国内には巨大な半導体製造工場が立ち上がりつつある。半導体製造装置については日米欧の寡占状態にあるが、中国は製造装置の内製化も進めようとしている。中国による製造装置の国産化は、どの程度まで進んでいるのか。(2018/8/9)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
「プロセッサIPを出せばいい」時代の終了、Armはどう対処するか
Armは2018年5月から6月にかけて多くのプレスリリースを出している。それらを俯瞰してみると、もう単純に「プロセッサIPだけを提供していればいい」という時代ではないことがよく分かる。その時代にArmはどう対処しようとしているのか。(2018/7/13)

福田昭のストレージ通信(104) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(4):
IoT/自動車向けMRAMに対する要求仕様とデータ書き換え特性
埋め込みフラッシュメモリの置き換えを想定したMRAM(eMRAM-F)と、埋め込みSRAMの置き換えを想定したMRAM(eMRAM-S)が、IoT(モノのインターネット)や自動車で使われる場合、どういった仕様が要求されるのか。データの書き換え特性を中心に解説する。(2018/6/4)

イスラエルにさらなる投資:
Intel、イスラエルの10nm工場に50億米ドルを投入へ
Intelは、今後2年間で50億米ドルを投じ、イスラエルのキルヤット・ガト(Kiryat Gat)にある同社工場のプロセス技術を、既存の22nmから10nmへとアップグレードする予定だという。(2018/5/28)

福田昭のストレージ通信(103) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(3):
埋め込みMRAM技術がフラッシュとSRAMを置き換えへ
今回は、GLOBALFOUNDRIESが提供する埋め込みMRAMマクロの概要を解説する。(2018/5/25)

福田昭のストレージ通信(102) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(2):
微細化限界に達したフラッシュをMRAMで置き換え
埋め込みフラッシュメモリが直面する課題は、微細化の限界である。GLOBALFOUNDRIESは、2xnm以下の技術世代に向けた埋め込み不揮発性メモリとして、MRAM(磁気抵抗メモリ)を考えている。(2018/5/15)

新パッケージング技術の開発も:
TSMCがロードマップを発表、EUV導入は19年前半
TSMCは、7nmプロセスの量産を開始し、さらにEUV(極端紫外線)リソグラフィを導入したバージョンの生産を2019年前半にも開始する計画も発表した。さらに、同社は5nmノードに関する計画も明らかにした。(2018/5/10)

各国の警戒が強まる中:
中国、海外半導体企業の“買いあさり作戦”を変更?
中国は、半導体産業を強化すべく、既に技術を持っている海外企業を買収しようとしてきた。だが、特に米国で、そうした動きに対する警戒が強まる中、中国は海外企業の買収から、国内で全てまかなうという方向にシフトし始めているようだ。(2018/4/5)

28nm製品が伸び悩み:
UMC、増収見込めず設備投資を大幅削減
台湾の半導体ファウンドリーUMCが、2018年度の設備投資費を大幅に削減する。激しい競争が続く28nmプロセスでの売り上げが伸び悩んだことが要因だ。(2018/1/31)

7nmでシェア100%を狙う?:
堅調なTSMC、5nmのリスク生産は19年Q1にも開始
TSMCは、半導体メーカーのファブライト化や、HPC(High Performance Computing)向けチップの需要の高まりにより、堅調な成長を続けている。7nmや5nmプロセスの開発も順調だとする。(2018/1/24)

福田昭のデバイス通信(133) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(9):
技術講演の最終日午前(その2)、ついに1Tビットに到達した3D NANDフラッシュ
「ISSCC 2018」最終日午前の講演から、セッション19と20を紹介する。シリコン面積が0.00021平方mmと極めて小さな温度センサーや、3D(3次元) NANDフラッシュメモリの大容量化および高密度化についての論文が発表される。(2018/1/23)

福田昭のデバイス通信(123) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(7):
IEDM 2017の講演3日目(12月6日)午前:10nm世代と7nm世代の半導体量産技術
12月6日午前のセッションから、注目講演を紹介する。メモリセルと論理演算を統合することで脳神経回路を模倣する研究の成果や、10nm/7nm世代のCMOSロジック量産技術についての発表が行われる。(2017/11/28)

福田昭のデバイス通信(121) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(5):
IEDM 2017の講演2日目(12月5日)午後(その1):記憶密度を2倍に高める3D NAND技術
今回から、12月5日午後の注目講演を順次紹介していく。電荷ベースのメモリ、最先端CMOSのさらなる微細化手法、最先端の金属ゲート技術やコンタクト技術など、興味深いテーマが並ぶ。(2017/11/21)

17年に7nmをテープアウト:
TSMC、7nm/EUVの開発状況をアップデート
TSMCは2017年9月、米国で開催されたイベントで7nmプロセス技術やEUV(極端紫外線)リソグラフィの開発状況などを説明した。(2017/9/25)

Core Xの性能は? Core i9-7900XとCore i7-7740Xを比較する
(2017/7/19)

高性能、低消費電力、そしてスマートに:
PR:最新シリコン技術とソフト制御で目覚ましい進化を遂げるDC-DCコンバーター
DC-DCコンバーターは、最新のシリコン技術とソフトウェア制御技術の組み合わせで進化を続ける。インテル プログラマブル・ソリューションズ事業本部(日本アルテラ株式会社)は、FPGAなどの負荷デバイスなどに対して、電力最適化機能を適用することによって最大の効率を維持し、省電力化を実現するための電源ソリューションを提案する。(2017/6/29)

2018年に7nmと12FDX立ち上げへ:
EUVと液浸、FinFETとFD-SOI、GFの強みは2点張り
2017年5月31日、来日したGLOBALFOUNDRIES(グローバルファウンドリーズ/GF)CMOSプラットフォーム事業部シニアバイスプレジデントのGregg Bartlett氏に7nm FinFET、12nm FD-SOIの開発状況などについてインタビューした。(2017/6/1)

技術開発の指針の役割は終えた?:
ムーアの法則、半導体業界はどう捉えるべきか(前編)
台湾Etron TechnologyのCEOであるNicky Lu氏は、「ムーアの法則」は、技術開発の方針としての役目を既に終え、ビジネス的な意味合いの方が強くなっていると述べる。半導体メーカーが今、ムーアの法則について認識すべきこととは何なのか。(2017/5/12)

「IRPS」で発表:
IBM、7nmプロセス向けの新しい絶縁材料を開発
IBMが7nmプロセス以降の技術に適用できる、新しい絶縁材料を開発したと発表した。SiBCNとSiOCNで構成され、動作電圧を向上させるとする。(2017/4/12)

機械学習に特化した「TPU」:
GoogleのAI用チップ、Intelの性能を上回ると報告
Googleが2016年に発表した、機械学習の演算に特化したアクセラレータチップ「TPU(Tensor Processing Unit)」が、IntelのCPUやNVIDIAのGPUの性能を上回ったという。Googleが報告した。(2017/4/7)

競合に対する優位性を示す?:
Intelが10nmプロセスの詳細を明らかに
Intelは2017年に10nmチップ製造を開始する予定だ。さらに、22nmの低電力FinFET(FinFET low power、以下22nm FFL)プロセスも発表した。GLOBALFOUNDRIESなどが手掛けるFD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)に真っ向から挑み、ファウンドリービジネスで競い合う。(2017/4/4)

Intelも加えた三つどもえ戦で:
Samsung、10nmプロセス技術開発でTSMCをリード
半導体分野のアナリストによると、10nmプロセスの開発では、Intel、Samsung Electronics、TSMCが三つどもえ戦を繰り広げているが、現在はSamsungが一歩先を行っているようだ。(2017/3/28)

FD-SOIを意識:
TSMCが7nmなど最新プロセスの開発状況を報告(前編)
TSMCは2017年3月15日(米国時間)にカリフォルニア州で開催したイベント「TSMC Technology Symposium」で、最先端プロセスの開発状況を報告した。その発表からは、FD-SOIプロセスへの対抗心が垣間見えた。(2017/3/23)


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にわかに地球規模のトピックとなった新型コロナウイルス。健康被害も心配だが、全国規模での臨時休校、マスクやトイレットペーパーの品薄など市民の日常生活への影響も大きくなっている。これに対し企業からの支援策の発表も相次いでいるが、特に今回は子供向けのコンテンツの無料提供の動きが顕著なようだ。一方産業面では、観光や小売、飲食業等が特に大きな影響を受けている。通常の企業運営においても面会や通勤の場がリスク視され、サーモグラフィやWeb会議ツールの活用、テレワークの実現などテクノロジーによるリスク回避策への注目が高まっている。