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「22nmプロセス」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「22nmプロセス」に関する情報が集まったページです。

福田昭のストレージ通信(150) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(11):
磁気抵抗メモリ(MRAM)の技術動向と製品動向
今回は、MRAMの技術開発状況と製品化動向を取り上げる。特に、最近のMRAM開発で注目されている埋め込みメモリについて解説する。(2019/6/14)

5nm、3nmへと突き進む:
「当面は微細化を進められる」 TSMCが強調
TSMCは、米国カリフォルニア州サンタクララで2019年4月23日(現地時間)に開催した年次イベント「TSMC 2019 Technology Symposium」において、半導体のさらなる技術進展を実現すべく、同社のロードマップに「N5P」プロセスを追加したことを発表した。(2019/5/8)

京都で2019年6月9〜14日開催:
VLSIシンポジウム 2019 開催概要を発表
2019年6月9〜14日に京都市で開催される半導体デバイス/回路技術に関する国際会議「VLSIシンポジウム」の開催概要に関する記者説明会が2019年4月17日、東京都内で開催された。(2019/4/19)

福田昭のストレージ通信(140) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(3):
DRAMのスケーリング論
今回はDRAMのスケーリングと、次世代メモリへのニーズが高まっている背景を取り上げる。(2019/4/2)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
車載向けで進む28nmプロセス採用――ルネサス、STマイクロを追従するカギはNVM
エレクトロニクス/組み込み業界の動向をウォッチする連載。今回は、2019年2月の業界動向の振り返りとして、ドイツ・ニュルンベルクで開催された「embedded world 2019」に絡めて“MCUの話題”を2つ紹介する。(2019/3/14)

ロジックへの統合が容易:
Samsung、28nm FD-SOIプロセス適用のeMRAMを出荷へ
Samsung Electronics(以下、Samsung)は、28nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター、以下FDS)プロセスをベースにした最初のeMRAM(組み込み型磁気抵抗メモリ)製品の量産を発表した。(2019/3/12)

ISSCC 2019:
Intel、22nm FinEFT適用MRAMの概要を発表
Intelは、22nm FinFETプロセス適用デバイスで採用する、組み込みSTT-MRAM(スピン注入磁化反転方式の磁気抵抗メモリ)向け技術について、詳細を明らかにした。(2019/2/22)

さらば平成、さらば水冷、いくぜNUC:
自作PCユーザーが5年振りに目覚めた2つのきっかけ
とある自作PCユーザーが平成最後の年にふと目覚め、ほぼ5年ぶりにPCを新調しました。その過程を含め、今どきの自作事情をお届けしたいと思います。(2019/2/9)

ヘテロ統合への第一歩を踏み出す:
Intelが新しい3D積層チップ技術「Foveros」を発表
Intelは、新しい3Dパッケージング技術「Foveros」のデモを披露した。2019年後半には提供できる見込みだという。Intelは、このFoverosの開発に20年間を費やし、ロジックとメモリを組み合わせた3D(3次元)のヘテロジニアス構造でダイ積層を実現した。(2018/12/14)

湯之上隆のナノフォーカス(7):
Intel 10nmプロセスの遅れが引き起こしたメモリ不況
2018年、メモリ市場の成長に暗雲が立ち込め、メモリ不況が避けられない事態となった。アナリストらは、メモリの過剰供給による価格の下落を要因として指摘しているが、どうも腑に落ちない。そこで筆者は、Intelの10nmプロセスの遅れという点から、メモリ不況の要因を探ることにした。(2018/12/7)

メモリ関連の論文も豊富:
ISSCC 2019の目玉はAIと5Gに、CPUの話題は少ない?
2019年2月17〜21日に米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催される半導体回路技術関連の国際学会「ISSCC 2019」は、発表内容のほとんどが、機械学習(マシンラーニング)や高速ネットワーク、メモリが主役となる“データ時代”に関するものとなりそうだ。(2018/11/26)

超低消費電流を実現したASSP:
環境発電で“欠けていたピース”埋める、ルネサスのSOTB
ルネサス エレクトロニクスはドイツ・ミュンヘンで開催された「electronica 2018」(2018年11月13〜16日)で、エナジーハーベスト(環境発電)で得たエネルギーで駆動できる組み込みコントローラー「R7F0E」を発表した。核となるのはルネサス独自のプロセス技術「SOTB(Silicon On Thin Buried Oxide)」である。(2018/11/20)

7nm開発は中止したが:
GF、FD-SOIのデザインウィン獲得を着実に重ねる
GLOBALFOUNDRIES(GF)は、7nmプロセスの開発を中止してから初めての年次カンファレンスの中で、ある新規顧客が、GFの22nm FD-SOI(完全空乏化型シリコン・オン・インシュレータ)プロセス「22FDX」を用いて、少なくとも3種類のディープラーニング用組み込みチップを製造していることを明らかにした。(2018/10/3)

医療技術ニュース:
自己組織化でサッカーボール形状のタンパク質ナノ粒子を構築
慶應義塾大学は、サッカーボール形状のタンパク質ナノ粒子「TIP60」の構築に成功した。小さな有機化合物を内部の空洞に導入し、TIP60同士を集合させてより大きな構造を作ることができる。(2018/10/2)

AMDはTSMCに委託先を切り替え:
GLOBALFOUNDRIES、7nm開発を無期限停止へ
最先端の半導体プロセス技術をめぐる競争は、今や3社に絞られた。GLOBALFOUNDRIESは、7nm FinFETプロセスの開発を無期限に延期すると発表した。(2018/8/29)

Armへの対抗品となる?:
インドの新興企業、RISC-VベースのCPUコアを開発へ
インドの新興企業であるInCore Semiconductorsは、オープンソースの命令セットアーキテクチャ(ISA)である「RISC-V」ベースのプロセッサコアとディープラーニングアクセラレーター、SoC(System on Chip)設計ツールの設計とライセンス供与に関する意欲的な計画を発表した。(2018/8/9)

半導体開発だけではない:
製造装置の国産化を加速する中国
「中国製造2025」の一環として半導体産業の強化を掲げる中国。今、中国国内には巨大な半導体製造工場が立ち上がりつつある。半導体製造装置については日米欧の寡占状態にあるが、中国は製造装置の内製化も進めようとしている。中国による製造装置の国産化は、どの程度まで進んでいるのか。(2018/8/9)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
「プロセッサIPを出せばいい」時代の終了、Armはどう対処するか
Armは2018年5月から6月にかけて多くのプレスリリースを出している。それらを俯瞰してみると、もう単純に「プロセッサIPだけを提供していればいい」という時代ではないことがよく分かる。その時代にArmはどう対処しようとしているのか。(2018/7/13)

福田昭のストレージ通信(104) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(4):
IoT/自動車向けMRAMに対する要求仕様とデータ書き換え特性
埋め込みフラッシュメモリの置き換えを想定したMRAM(eMRAM-F)と、埋め込みSRAMの置き換えを想定したMRAM(eMRAM-S)が、IoT(モノのインターネット)や自動車で使われる場合、どういった仕様が要求されるのか。データの書き換え特性を中心に解説する。(2018/6/4)

イスラエルにさらなる投資:
Intel、イスラエルの10nm工場に50億米ドルを投入へ
Intelは、今後2年間で50億米ドルを投じ、イスラエルのキルヤット・ガト(Kiryat Gat)にある同社工場のプロセス技術を、既存の22nmから10nmへとアップグレードする予定だという。(2018/5/28)

福田昭のストレージ通信(103) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(3):
埋め込みMRAM技術がフラッシュとSRAMを置き換えへ
今回は、GLOBALFOUNDRIESが提供する埋め込みMRAMマクロの概要を解説する。(2018/5/25)

福田昭のストレージ通信(102) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(2):
微細化限界に達したフラッシュをMRAMで置き換え
埋め込みフラッシュメモリが直面する課題は、微細化の限界である。GLOBALFOUNDRIESは、2xnm以下の技術世代に向けた埋め込み不揮発性メモリとして、MRAM(磁気抵抗メモリ)を考えている。(2018/5/15)

新パッケージング技術の開発も:
TSMCがロードマップを発表、EUV導入は19年前半
TSMCは、7nmプロセスの量産を開始し、さらにEUV(極端紫外線)リソグラフィを導入したバージョンの生産を2019年前半にも開始する計画も発表した。さらに、同社は5nmノードに関する計画も明らかにした。(2018/5/10)

各国の警戒が強まる中:
中国、海外半導体企業の“買いあさり作戦”を変更?
中国は、半導体産業を強化すべく、既に技術を持っている海外企業を買収しようとしてきた。だが、特に米国で、そうした動きに対する警戒が強まる中、中国は海外企業の買収から、国内で全てまかなうという方向にシフトし始めているようだ。(2018/4/5)

28nm製品が伸び悩み:
UMC、増収見込めず設備投資を大幅削減
台湾の半導体ファウンドリーUMCが、2018年度の設備投資費を大幅に削減する。激しい競争が続く28nmプロセスでの売り上げが伸び悩んだことが要因だ。(2018/1/31)

7nmでシェア100%を狙う?:
堅調なTSMC、5nmのリスク生産は19年Q1にも開始
TSMCは、半導体メーカーのファブライト化や、HPC(High Performance Computing)向けチップの需要の高まりにより、堅調な成長を続けている。7nmや5nmプロセスの開発も順調だとする。(2018/1/24)

福田昭のデバイス通信(133) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(9):
技術講演の最終日午前(その2)、ついに1Tビットに到達した3D NANDフラッシュ
「ISSCC 2018」最終日午前の講演から、セッション19と20を紹介する。シリコン面積が0.00021平方mmと極めて小さな温度センサーや、3D(3次元) NANDフラッシュメモリの大容量化および高密度化についての論文が発表される。(2018/1/23)

福田昭のデバイス通信(123) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(7):
IEDM 2017の講演3日目(12月6日)午前:10nm世代と7nm世代の半導体量産技術
12月6日午前のセッションから、注目講演を紹介する。メモリセルと論理演算を統合することで脳神経回路を模倣する研究の成果や、10nm/7nm世代のCMOSロジック量産技術についての発表が行われる。(2017/11/28)

福田昭のデバイス通信(121) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(5):
IEDM 2017の講演2日目(12月5日)午後(その1):記憶密度を2倍に高める3D NAND技術
今回から、12月5日午後の注目講演を順次紹介していく。電荷ベースのメモリ、最先端CMOSのさらなる微細化手法、最先端の金属ゲート技術やコンタクト技術など、興味深いテーマが並ぶ。(2017/11/21)

17年に7nmをテープアウト:
TSMC、7nm/EUVの開発状況をアップデート
TSMCは2017年9月、米国で開催されたイベントで7nmプロセス技術やEUV(極端紫外線)リソグラフィの開発状況などを説明した。(2017/9/25)

Core Xの性能は? Core i9-7900XとCore i7-7740Xを比較する
(2017/7/19)

高性能、低消費電力、そしてスマートに:
PR:最新シリコン技術とソフト制御で目覚ましい進化を遂げるDC-DCコンバーター
DC-DCコンバーターは、最新のシリコン技術とソフトウェア制御技術の組み合わせで進化を続ける。インテル プログラマブル・ソリューションズ事業本部(日本アルテラ株式会社)は、FPGAなどの負荷デバイスなどに対して、電力最適化機能を適用することによって最大の効率を維持し、省電力化を実現するための電源ソリューションを提案する。(2017/6/29)

2018年に7nmと12FDX立ち上げへ:
EUVと液浸、FinFETとFD-SOI、GFの強みは2点張り
2017年5月31日、来日したGLOBALFOUNDRIES(グローバルファウンドリーズ/GF)CMOSプラットフォーム事業部シニアバイスプレジデントのGregg Bartlett氏に7nm FinFET、12nm FD-SOIの開発状況などについてインタビューした。(2017/6/1)

技術開発の指針の役割は終えた?:
ムーアの法則、半導体業界はどう捉えるべきか(前編)
台湾Etron TechnologyのCEOであるNicky Lu氏は、「ムーアの法則」は、技術開発の方針としての役目を既に終え、ビジネス的な意味合いの方が強くなっていると述べる。半導体メーカーが今、ムーアの法則について認識すべきこととは何なのか。(2017/5/12)

「IRPS」で発表:
IBM、7nmプロセス向けの新しい絶縁材料を開発
IBMが7nmプロセス以降の技術に適用できる、新しい絶縁材料を開発したと発表した。SiBCNとSiOCNで構成され、動作電圧を向上させるとする。(2017/4/12)

機械学習に特化した「TPU」:
GoogleのAI用チップ、Intelの性能を上回ると報告
Googleが2016年に発表した、機械学習の演算に特化したアクセラレータチップ「TPU(Tensor Processing Unit)」が、IntelのCPUやNVIDIAのGPUの性能を上回ったという。Googleが報告した。(2017/4/7)

競合に対する優位性を示す?:
Intelが10nmプロセスの詳細を明らかに
Intelは2017年に10nmチップ製造を開始する予定だ。さらに、22nmの低電力FinFET(FinFET low power、以下22nm FFL)プロセスも発表した。GLOBALFOUNDRIESなどが手掛けるFD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)に真っ向から挑み、ファウンドリービジネスで競い合う。(2017/4/4)

Intelも加えた三つどもえ戦で:
Samsung、10nmプロセス技術開発でTSMCをリード
半導体分野のアナリストによると、10nmプロセスの開発では、Intel、Samsung Electronics、TSMCが三つどもえ戦を繰り広げているが、現在はSamsungが一歩先を行っているようだ。(2017/3/28)

FD-SOIを意識:
TSMCが7nmなど最新プロセスの開発状況を報告(前編)
TSMCは2017年3月15日(米国時間)にカリフォルニア州で開催したイベント「TSMC Technology Symposium」で、最先端プロセスの開発状況を報告した。その発表からは、FD-SOIプロセスへの対抗心が垣間見えた。(2017/3/23)

成都に100億ドル規模を投資:
GFが中国に工場建設、痛手を負うのは?
GLOBALFOUNDRIES(GF)が中国の成都に工場を建設する。巨額の資金を投じて半導体産業の強化を進める中国にとって、これは朗報だろう。では、痛手を被る可能性があるのは誰なのか。(2017/2/16)

高度に洗練された新世代CPU:
Kaby Lakeこと第7世代Coreプロセッサーを理解する
Intelから開発コードネーム「Kaby Lake」こと第7世代Coreプロセッサーの追加ラインアップが発表された。その概要とラインアップのポイントを解説する。(2017/1/5)

福田昭のデバイス通信(93):
「SEMICON West 2016」、Synopsysが予測する5nm世代のトランジスタ技術
Synopsysの講演では、5nm世代のトランジスタのシミュレーション評価結果が報告された。この結果からはFinFETの限界が明確に見えてくる。5nm世代に限らず、プロセスの微細化が進むと特に深刻になってくるのが、トランジスタ性能のばらつきだ。(2016/10/14)

Huamiのスマートウォッチ:
ソニー製チップの採用でFD-SOIへの関心高まる?
28nm FD-SOIプロセスを採用したソニーのGPSチップが、中国のスマートウォッチに搭載された。FD-SOIプロセスに対する関心が高まる可能性がある。(2016/10/6)

マルチに使える2in1:
PR:ビジネス仕様の10.1型タブレットがさらに進化――オプションで活用シーンが広がる「Endeavor TN21E」
オプションに一体型キーボードが加わり、2in1デバイスとしても活用できるようになった10.1型タブレット「Endeavor TN21E」が登場。ビジネスの現場でどのように役に立つのか、考えてみた。(2016/9/30)

プロセス微細化を精力的に進める:
TSMCの7nm FinFET、2017年4月には発注可能に?
TSMCは米国カリフォルニア州サンノゼで開催されたイベントで、7nm FinFETプロセス技術について言及した。3次元(3D)パッケージングオプションを強化して、数カ月後に提供を開始する計画だという。(2016/9/28)

“完成形”にこだわらず:
次世代不揮発メモリ、まずは出荷を――Everspin
次世代不揮発メモリは幾つか候補はあるものの、実用化には至っていないものも多い。MRAM(磁気抵抗メモリ)メーカーEverspin TechnologiesでCEOを務めるPhillip LoPresti氏は、“完成形”にこだわらず、まずは量産して市場に投入することが重要だと主張する。(2016/9/27)

ギガビット未満の混載MRAMもサポート:
GFの7nm FinFETプロセス、2018年にも製造開始へ
GLOBALFOUNDRIES(GF)が、7nm FinFETプロセスの開発計画を発表した。2018年後半には同プロセスでの製造を開始する予定だという。さらに、同じく2018年には、22nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)プロセスで製造するチップにおいて、ギガビット未満の低容量の混載MRAM(磁気抵抗メモリ)をサポートする予定だ。(2016/9/21)

2025年までは28nm FinFETが優勢だが:
半導体プロセス技術、開発競争が過熱
FinFETの微細化が進む一方で、FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)にも注目が集まっている。専門家によれば、2025年までは28nm FinFETプロセスが優勢だとするが、それ以降はFD-SOIが伸びる可能性もある。(2016/9/15)

10nm FinFETプロセスを超える性能?:
GF、12nm FD-SOIプロセス「12FDX」を発表
GLOBALFOUNDRIES(GF)が、22nmプロセスを用いたFD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ)のプラットフォーム「22FDX」の後継となる次世代FD-SOIプロセス「12FDX」を発表した。GFによると、「10nm FinFETプロセスを超える性能を提供することが可能」とし、2019年の製造開始を計画する。(2016/9/14)

福田昭のデバイス通信(86):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(ニコン編)
90nm世代から商業化が始まったArF液浸スキャナーだが、3xnm世代に入ると、解像力は限界に達する。そこで、コスト増というデメリットは伴うものの、マルチパターニングによって解像力の向上が図られてきた。加えて、7nm世代向けのArF液浸スキャナーでは新しいリソグラフィ技術の導入も必要だとされている。この場合、コスト面ではダブルパターニングと電子ビーム直接描画の組み合わせが有利なようだ。(2016/9/6)



2013年のα7発売から5年経ち、キヤノン、ニコン、パナソニック、シグマがフルサイズミラーレスを相次いで発表した。デジタルだからこそのミラーレス方式は、技術改良を積み重ねて一眼レフ方式に劣っていた点を克服してきており、高級カメラとしても勢いは明らかだ。

言葉としてもはや真新しいものではないが、半導体、デバイス、ネットワーク等のインフラが成熟し、過去の夢想であったクラウドのコンセプトが真に現実化する段階に来ている。
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クラウドサービスのレビューサイト:ITreview

これからの世の中を大きく変えるであろうテクノロジーのひとつが自動運転だろう。現状のトップランナーにはIT企業が目立ち、自動車市場/交通・輸送サービス市場を中心に激変は避けられない。日本の産業構造にも大きな影響を持つ、まさに破壊的イノベーションとなりそうだ。