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「富士通セミコンダクター」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

2010年4月1日、富士通マイクロエレクトロニクスから富士通セミコンダクターに社名変更

大山聡の業界スコープ(20):
アナログやパワーデバイスでも、ファブ活用の価値はある
2019年7月23日付掲載の記事「90nmプロセスの多用途展開を加速するMaxim」は、興味深い内容だった。Maximは大手アナログICメーカーとして著名なIDM(垂直統合型)企業だが、ファウンダリメーカー(以下、ファウンダリ)の活用に関しても積極的だと聞いており、筆者はこの記事を読み「なるほど」と合点がいった。そこで、今回はファウンダリの活用方法について、私見を述べたいと思う。(2019/8/20)

富士通セミコンダクター:
容量8MビットのReRAMを製品化
富士通セミコンダクターは2019年7月30日、抵抗変化型メモリ(以下、ReRAM)として8Mビット容量品を2019年9月から販売すると発表した。同社では「ReRAMの量産製品としては世界最大容量」としている。(2019/7/30)

パートナーに三重富士通とUMC:
90nmプロセスの多用途展開を加速するMaxim
Maxim Integratedは2019年7月19日、東京都内で報道関係者向け説明会を実施。90nmプロセスによる新たなアナログ/ミックスドシグナル半導体製造プラットフォーム「P90」などについて説明した。P90を用いた製造を三重富士通セミコンダクターとUMCで実施していることも公表。同社の製造部門を統括するシニアバイスプレジデント、Vivek Jain氏は「高品質な製品の製造を、極めてハイボリュームに対応できる体制が既に整っている」と語った。(2019/7/23)

福田昭のストレージ通信(153) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(14):
次々世代の不揮発性メモリ技術「カーボンナノチューブメモリ(NRAM)」
次世代メモリの有力候補入りを目指す、カーボンナノチューブメモリ(NRAM:Nanotube RAM)について解説する。NRAMの記憶原理と、NRAMの基本技術を所有するNanteroの開発動向を紹介しよう。(2019/7/2)

車載半導体:
次世代車載マイコンがプロセッサをダウングレード、でもそれが「正しい選択」
サイプレス セミコンダクタが車載マイコン「Traveo(トラビオ)」の新世代ファミリーとなる「Traveo II」を発表。プロセッサコアとして、現行のTraveoの「Cortex-R5F」に替えて、「Cortex-M4」や「Cortex-M7」を採用することで、スケーラブルな性能や低消費電力などを実現したことを特徴とする。(2019/3/14)

いろいろあった1年でした……:
2018年のエレクトロニクス業界を記事で振り返る
2018年のエレクトロニクス業界を、EE Times Japanに掲載した記事で振り返ります。(2018/12/28)

大山聡の業界スコープ(12):
もっと積極姿勢を見せてほしい日系パワー半導体メーカー
今回は、パワーデバイス市場について述べてみたいと思う。というのも、2018年11月26日、デンソーがInfineon Technologies(以下、Infineon)に出資すると発表したことが、筆者としては非常に気になったからである。(2018/12/12)

富士通セミコンダクター:
125℃動作を保証し5V対応、64kビットFRAM
富士通セミコンダクターは、125℃までの動作温度を保証し、最大5.5Vの電源電圧に対応する64kビットFRAM(強誘電体メモリ)「MB85RS64VY」を開発した。(2018/10/30)

組み込み開発ニュース:
離れた位置からデータの更新が可能なバッテリーレス電子ペーパータグ
富士通セミコンダクターは、E Ink Holdingsと共同で、UHF帯RFIDを利用し、電子ペーパーディスプレイの表示をバッテリーレスで変更できる技術を開発した。高速書き込み、低消費電力の不揮発性メモリFRAMを組み込んでいる。(2018/10/26)

バッテリーレスで情報を書き換え:
UHF帯RF IDを用いた電子ペーパータグ技術を開発
富士通セミコンダクターは、UHF帯無線給電技術を用い、電子ペーパーディスプレイの表示内容をバッテリーレスで書き換えることができる技術を、台湾のE Inkと共同開発した。(2018/10/11)

ON Semiconductorの出資比率60%に:
会津富士通セミコン、「オンセミ会津」に
ON Semiconductorは2018年10月1日、富士通セミコンダクター(以下、富士通セミコン)の製造子会社である会津富士通セミコンダクターマニュファクチャリング(以下、会津富士通セミコン)への出資比率を40%から60%へ引き上げ、子会社化したと発表した。これに伴い、会津富士通セミコンは社名を「オン・セミコンダクター会津」に変更した。(2018/10/1)

富士通セミコン MB85RS4MT:
リアルタイムデータログに適した4MビットFRAM
富士通セミコンダクターは、4Mビットの不揮発性FRAM「MB85RS4MT」を発表した。10兆回の書き換えが可能で、高速での書き込み、低消費電力を特長とする。(2018/9/18)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
AMD復活の立役者がラティス新CEOに、問われるその手腕
Lattice Semiconductorの新CEOに、AMDを「Zen」で復活に導いたJim Anderson氏が就任する。技術畑の出身ながら低迷するAMDを立て直した手腕を見込まれての登用となるが、Zenのような“銀の弾丸”は用意できるのだろうか。(2018/9/18)

富士通セミコンダクター:
EEPROMの約1000万倍の書き換え回数を実現する4MビットFRAM「MB85RS4MT」
富士通セミコンダクターは、シリアルインタフェースのFRAMファミリーで最大メモリ容量である4Mビット品「MB85RS4MT」を開発し、2018年9月から量産品の提供を開始する。(2018/9/13)

国内トップを狙えるエレ商社に:
加賀電子が富士通エレを買収へ、売上高5000億円規模に
加賀電子と富士通セミコンダクターは2018年9月10日、富士通セミコンダクターが所有する富士通エレクトロニクスの全株式を加賀電子が取得することで合意し、最終契約を締結したと発表した。(2018/9/10)

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版:
これからどうなる? 日本の半導体工場 ―― 電子版2018年8月号
EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版 2018年8月号を発行致しました。今回のCover Storyは、“日本の半導体工場”の現状および、今後の方向性について考察する「これからどうなる? 日本の半導体工場」です。その他、Raspberry Pi財団の創設者で、Raspberry Piの開発者でもあるEben Upton氏のインタビュー記事、中国製カーオーディオに搭載されるチップ分解記事などを掲載。ぜひ、ご覧ください!(2018/8/15)

製造マネジメントニュース:
三重富士通セミコンダクターがグローバル半導体企業の100%子会社に
富士通セミコンダクターは、同社が所有する三重富士通セミコンダクターの株式を、台湾の大手ファウンドリであるユナイテッド・マイクロエレクトロニクス・コーポレーションに譲渡することで合意した。(2018/7/18)

大山聡の業界スコープ(7):
富士通三重工場の売却も決定……これからどうなる? 日本の半導体工場
2018年6月末、旧富士通三重工場を運営する三重富士通セミコンダクターが台湾のUMCに売却され、2019年1月にはUMCの完全子会社となると発表された。今回の売却も含めて“日本の半導体工場”の現状および、今後の方向性について考えてみたい。(2018/7/5)

譲渡額は約576億円の見込み:
UMCが三重富士通を買収へ、全株式の取得で合意
台湾の専業ファウンドリーであるUMC(United Microelectronics Corporation)と富士通セミコンダクターは2018年6月29日、三重富士通セミコンダクター(MIFS)の全株式をUMCが取得することで合意したと発表した。(2018/6/29)

富士通セミコンダクター:
64kビットFRAM、−55℃の屋外でも動作を保証
富士通セミコンダクターは、−55℃という極めて低い温度環境での動作を保証した64kビットFRAM(強誘電体メモリ)「MB85RS64TU」を開発、量産出荷を始めた。(2018/4/25)

業界として製品供給継続に努力:
半導体メーカー12社が地震対策で相互協力
電子情報技術産業協会(JEITA)の半導体部会は2018年1月29日、半導体メーカー12社が災害時に相互協力を行うことで合意したと発表した。(2018/1/29)

富士通セミコンダクター システムメモリカンパニー長 松宮正人氏:
PR:不揮発性RAMで、社会に新たな価値を提供し続ける富士通セミコンダクター
富士通セミコンダクターは、省電力、高速動作を特長とするFRAMを扱うシステムメモリ事業で、IoT(モノのインターネット)時代のニーズに応じたソリューションの提案を加速させる。2018年は、RFIDによる無線給電技術とFRAM技術を組み合わせた“バッテリーレスソリューション”が実用化される見通し。「省電力の不揮発性RAMへの期待はますます大きくなっている。新製品開発やソリューション開発で、それらの期待に応えたい」という富士通セミコンダクター システムメモリカンパニー長の松宮正人氏に事業戦略を聞いた。(2018/1/16)

車載レーダーや5G市場向けに:
ミリ波回路を高精度に設計、55nm CMOSデザインキット
三重富士通セミコンダクターは、増幅器や周波数変換回路などのミリ波回路を含む大規模回路を、短期間かつ高精度に設計できる55nm CMOS プロセスデザインキット(PDK)を開発。提供を開始した。(2018/1/15)

FRAMが動作を安定化:
実用化目前! 電池レスの無線キーボード
富士通セミコンダクターは展示会「Embedded Technology 2017(ET2017)/IoT Technology 2017」(会期:2017年11月15〜17日)で、電池を搭載しない無線キーボードのデモを公開している。(2017/11/16)

ET2017開催直前情報:
これを見逃すな!「ET/IoTアワード」受賞社決定
優れた組み込み技術/IoT技術や製品、ソリューション、サービスに対して表彰する「ET/IoT Technologyアワード」の受賞社を組込みシステム技術協会が発表。受賞2017年11月15日から開催される「Embedded Technology 2017/IoT Technology 2017」の各出展社ブースで展示される。(2017/11/13)

製造マネジメントニュース:
米半導体メーカー、会津富士通セミコンダクターの株式を追加取得
富士通セミコンダクターと米ON Semiconductorは、富士通セミコンダクターが有する製造会社、会津富士通セミコンダクターマニュファクチャリングの30%の株式を、ON Semiconductorが追加取得することで合意したと発表した。(2017/10/31)

2020年後半メドに完全子会社化:
富士通セミコン会津200mm工場、オンセミが買収へ
ON Semiconductor(オン・セミコンダクター)と富士通セミコンダクターは2017年10月10日、ON Semiconductorによる富士通セミコンダクター会津若松200mmウエハー対応工場運営会社への出資比率を段階的に引き上げ、2020年後半をめどに同工場運営会社をON Semiconductorの完全子会社とすることで基本合意したと発表した。(2017/10/11)

17年内にもテストチップ:
MIFS、SSTのフラッシュ採用40nm車載半導体提供へ
三重富士通セミコンダクター(MIFS)は2017年8月7日、2017年10〜12月に半導体受託製造事業の顧客に対しSilicon Storage Technology(SST)のフラッシュメモリ技術「SuperFlashメモリ技術」を用いた40nmプロセス車載プラットフォームによるテストチップの提供が可能になると発表した。(2017/8/7)

ジェイデバイス 社長 仲谷善文氏:
日本の半導体後工程受託企業として見据える未来
国内最大規模を誇る半導体後工程受託製造企業であるジェイデバイスの社長である仲谷善文氏にインタビューした。M&Aを繰り返し、事業規模を拡大しながら、世界2位の半導体後工程受託製造企業であるAmkor Technologyの完全子会社となった同社の事業戦略などについて聞いた。(2017/7/12)

福田昭のデバイス通信(115):
パッケージング産業の再編成(前編)
半導体製造工程における「後工程」を担うパッケージング産業の再編成が起こっている。今回から2回にわたり、パッケージ産業再編の動きを紹介する。(2017/6/13)

三重富士通セミコン DDC技術で:
電源電圧0.5Vで動作するミリ波帯CMOS増幅器
広島大学は2017年6月5日、三重富士通セミコンダクターの低消費電力CMOS技術「Deeply Depleted Channel(DDC)」を使用して、電源電圧0.5Vで動作するミリ波帯(W帯)増幅器を開発したと発表した。(2017/6/5)

富士通セミコン MB85RS128TY/MB85RS256TY:
温度上限を40℃拡大し125℃の高温に対応したFRAM
富士通セミコンダクターは、125℃の高温環境下でも動作する128KビットFRAM「MB85RS128TY」と256KビットFRAM「MB85RS256TY」を開発した。従来のFRAM製品に比べ、温度上限を40℃拡大している。(2017/5/22)

この10年で起こったこと、次の10年で起こること(14):
Nintendo Switchのチップ解剖から考えるデグレード版Tegra X1を選んだ理由
今回は、任天堂の歴代ゲーム機の搭載チップを簡単に振り返りつつ、2017年3月発売の新型ゲーム機「Nintendo Switch」の搭載チップについて考察する。発売前「カスタマイズされたTegraプロセッサ」とアナウンスされたプロセッサの内部は、意外にも「Tegra X1」の“デグレート版”だった……。(2017/3/29)

企業動向を振り返る 2017年1月版:
半導体を手放す東芝、今に至る足跡を振り返る
2017年1月のエレクトロニクス業界を語る上で避けられないのが、東芝の話題でしょう。メモリ事業の完全売却は避けられない状況にあると思われますが、ここに至るいきさつを整理しました。(2017/2/24)

三重富士通セミコンダクター 取締役執行役員常務 千々岩雅弘氏:
PR:差異化技術を持つファウンドリとして、大手に対抗する三重富士通セミコンダクター
半導体受託製造専門企業(ファウンドリ)である三重富士通セミコンダクター(MIFS)は、「低消費電力」「組み込み不揮発性メモリ」「RF」の3つの領域で独自色の濃い差異化技術を構築し、大手ファウンドリに対抗する戦略を実践する。ファウンドリ3年目となる2017年は「差異化技術構築にメドが付き、国内外で積極的に受注を獲得する年」と位置付ける。同社取締役執行役員常務千々岩雅弘氏に、差異化技術の詳細や今後の事業戦略について聞いた。(2017/1/16)

ウエハーテスト事業:
会津富士通セミ、テラプローブとの合弁会社を売却へ
富士通セミコンダクターの子会社である会津富士通セミコンダクターは、テラプローブと設立した「会津富士通セミコンダクタープローブ」の全所有株式をテラプローブに売却すると発表した。(2017/1/12)

SEMICON Japan 2016レポート:
三重富士通、IoT向け0.5V動作の55nm DDC提供へ
三重富士通セミコンダクターは、「SEMICON Japan 2016」(2016年12月14〜16日/東京ビッグサイト)で、3つの特徴的な技術「DDC」「Plug-In Flash」「RF」について説明を行った。(2016/12/21)

富士通セミコン MB85AS4MT:
最大5MHz動作を可能にした4MビットのReRAM
富士通セミコンダクターは、メモリ容量4MビットのReRAMの提供を開始した。SPIインタフェースで最大5MHz動作を可能とし、5MHz動作時の読み出し動作電流は0.2mAとなっている。(2016/11/9)

Nanteroと18年中にカスタムLSIへの混載目指す:
富士通セミ、CNT応用メモリ「NRAM」を商品化へ
富士通セミコンダクターは2016年8月、Nantero(ナンテロ)とともに、カーボンナノチューブ(CNT)応用型不揮発メモリ「NRAM」の商品化に向けた開発を実施すると発表した。(2016/8/31)

東日本大震災、岩手・宮城内陸地震:
半導体工場の過去の地震被害と復旧までの時間
過去、半導体工場は地震被害を受け、稼働停止を余儀なくされてきた。(2016/4/18)

40nm LPプロセスに「XPM」を:
三重富士通、KilopassとOTPメモリで技術開発契約
三重富士通セミコンダクターは、Kilopass Technology(キロパス)と1回書き込み(OTP)メモリに関するテクノロジー開発契約を締結したと発表した。これにより、三重富士通セミコンの40nmプロセスで、キロパスの128KビットOTPメモリ「XPM」が利用可能になる。(2016/4/14)

64Kビット品として「業界最小クラス」:
3.4MHz動作時消費電流170μAの64Kb FRAM
富士通セミコンダクターは2016年4月、64KビットのFRAMとして消費電流を抑えた新製品「MB85RC64T」を発表した。(2016/4/8)

もはや「次世代」ではなくなった!:
PR:高効率を求めるなら、迷わず「GaN」を選ぶ時代が到来
GaNパワートランジスタの本格的な普及が始まった。長く実用化を阻んできた品質/信頼性面の課題がクリアされ、2015年から量産がスタートした。従来のシリコンパワートランジスタを大きく上回る高い変換効率を求め、サーバやエアコンの電源、太陽光発電パワーコンディショナーへの搭載が進んでいる。“次世代パワーデバイス”から“実用的な最新パワーデバイス”へと進化したGaNパワーデバイスを紹介していこう。(2016/4/4)

富士通セミコンダクター MB85RQ4ML:
従来比4倍の速度でデータのリード/ライトができるクアッドSPI FRAM
富士通セミコンダクターは、54Mバイト/秒のデータ転送が可能な4Mビット クアッドSPI FRAM「MB85RQ4ML」を開発し、サンプル提供を開始した。(2016/3/10)

富士通セミコンダクター MB85RQ4ML:
54Mbpsのデータ転送ができるクワッドSPI FRAM
富士通セミコンダクターは、4Mビット クワッドSPI FRAM「MB85RQ4ML」のサンプル提供を開始した。108MHz動作で54Mバイト/秒のデータ転送速度を可能にしている。(2016/3/4)

車載半導体:
サイプレスが車載マイコンに40nmプロセスを初採用、低価格メータークラスタ向け
サイプレス セミコンダクタは車載マイコン「Traveoファミリ」の新製品を発表した。同社初となる40nmプロセスで製造する。量販車種のメータークラスタや、複雑化する車載ネットワークのゲートウェイに向ける。Traveoファミリに最適な電源ICや、日本発の車載LAN規格「CXPI」対応のトランシーバICなども併せて供給する。(2016/1/13)

三重富士通セミコンダクター 取締役執行役員常務 河野通有氏:
PR:40nm製造ラインが本格稼働、真価問われる一年に
三重富士通セミコンダクター(MIFS)は、ファウンドリ専業会社として2014年末に誕生し、1年余りが経過した。2016年始めより40nmプロセス技術に対応した製造ラインが本格的に稼働する。2016年はファウンドリ専門会社として真価が問われる一年となる。取締役執行役員常務を務める河野通有氏が、40nm製造ラインを軸とした今後の事業戦略などについて語った。(2016/1/12)

三重富士通セミコン、IoTによる需要拡大に備え:
独自低消費電力プロセスの40nm版、2017年量産へ
三重富士通セミコンダクターは2015年12月16〜18日の会期で開催されている展示会「WORLD OF IOT」(併催:SEMICON Japan2015)で、独自トランジスタ構造「DDC(Deeply Depleted Channel)トランジスタ」を使用した低消費電力CMOSプロセス技術に関する展示を実施。同技術を用いた40nmプロセスによる受託量産を2017年から開始する方針を明かした。(2015/12/16)

2016年度量産に向け準備着々:
三重富士通、40nmクリーンルームに次世代空調
三重富士通セミコンダクターは2015年11月5日、2016年度からの量産を目指す40nmプロセス製造ライン用クリーンルームを増設し、同クリーンルームに次世代型の省エネ空調システムを導入したと発表した。(2015/11/6)

トランスフォームが開発中:
GaN素子単体でノーマリーオフ、2017年に投入へ
トランスフォーム・ジャパンは現在、単体でノーマリー・オフ動作するGaNパワー素子を開発中だという。2017年には本格的に市場に投入する予定だ。ノーマリー・オフ動作を実現するために、MOSFETとカスコード接続するといった手法をとる必要がなくなる。(2015/10/7)



2013年のα7発売から5年経ち、キヤノン、ニコン、パナソニック、シグマがフルサイズミラーレスを相次いで発表した。デジタルだからこそのミラーレス方式は、技術改良を積み重ねて一眼レフ方式に劣っていた点を克服してきており、高級カメラとしても勢いは明らかだ。

言葉としてもはや真新しいものではないが、半導体、デバイス、ネットワーク等のインフラが成熟し、過去の夢想であったクラウドのコンセプトが真に現実化する段階に来ている。
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これからの世の中を大きく変えるであろうテクノロジーのひとつが自動運転だろう。現状のトップランナーにはIT企業が目立ち、自動車市場/交通・輸送サービス市場を中心に激変は避けられない。日本の産業構造にも大きな影響を持つ、まさに破壊的イノベーションとなりそうだ。