IBMとAMD、45nmプロセス技術の成果を発表

[ITmedia]

　米IBMと米AMDは12月12日、国際電子デバイス会議（IEDM）において、液浸リソグラフィ技術と超低誘電率膜による配線技術、および複数のひずみトランジスタ技術を用いた45ナノメートル（nm）プロセスについて発表した。同プロセスを用いた製品は、2008年半ばに出荷開始の見込みだ。

　従来のリソグラフィ技術では、65nmプロセス以下のマイクロプロセッサ設計を行うのに限界がある。液浸リソグラフィでは、リソグラフィシステムのプロジェクションレンズとシリコンウエハーの間に透明な液体を入れた状態で露光させ、回路を形成する。ドライ露光の場合より精度の高い回路形成が可能で、チップ性能と製造効率も向上するという。IBMとAMDによると、液浸リソグラフィを用いたSRAMの性能は約15％向上した。

　また超低誘電率膜による配線技術により、インターコネクトのキャパシタンスの削減を実現。さらに配線遅延時間を従来の低誘電率膜による配線の製品より15％削減した。

　またひずみトランジスタ技術をさらに改良し、ひずみ技術を用いない従来のトランジスタと比較して、pチャネルトランジスタの駆動電流を80％、nチャネルトランジスタの駆動電流を24％向上させた。

　IBMとAMDは2003年1月から次世代半導体技術の共同開発を進めてきた。2005年11月には、共同開発期間を2011年まで延長し、32nmおよび22nmプロセス技術で協力することを発表している。