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「リソグラフィ」最新記事一覧

関連キーワード

SamsungとTSMCは導入へ向け加速:
IntelはEUV競争を静観か、導入時期は明言避ける
EUV(極端紫外線)リソグラフィの開発、導入をめぐって競争を続けてきたIntel、Samsung Electronics、TSMCだが、ここのところIntelは、1歩引いて静観しているようだ。(2017/10/12)

太陽光:
透明で曲げられる太陽電池、東北大学が開発
東北大学の研究グループは、透明なシート材料を利用した柔軟性のある太陽電池を開発。透明な二次元シート材料を用いる太陽電池では「世界最高」という、0.7%の発電効率を達成した。(2017/10/2)

フロントガラスや窓に設置可能:
透明で曲がる太陽電池、東北大が開発
自動車のフロントガラスやビルの窓に設置できる太陽電池。東北大学の研究グループは、光透過率が90%を超える透明な二次元シート材料を用いた太陽電池を開発した。(2017/9/26)

17年に7nmをテープアウト:
TSMC、7nm/EUVの開発状況をアップデート
TSMCは2017年9月、米国で開催されたイベントで7nmプロセス技術やEUV(極端紫外線)リソグラフィの開発状況などを説明した。(2017/9/25)

数年前から大きく変化:
EUVの量産適用、半導体業界は前向きな見方
業界団体eBeam Initiativeの調査によると、EUV(極端紫外線)リソグラフィの実用化に対する業界の見方は、だいぶ前向きになっているようだ。(2017/9/14)

前世代よりも40%高速は本当か
Intel第8世代“ノートPC向け”プロセッサ、4モデル性能を比較
2017年9月からノートPCに組み込まれる予定のIntel第8世代Coreプロセッサ。ノートPC向けのUシリーズでも4コア/8スレッドを搭載するなど処理速度を高速化し、4K動画再生性能やバッテリー接続時間も向上している。(2017/9/10)

既存の微細プロセスを適用可能:
分子を用いた縦型共鳴トンネルトランジスタ
物質・材料研究機構(NIMS)らの研究グループは、分子を量子ドットとして用いた縦型共鳴トンネルトランジスターを作製し、その動作を実証することに成功した。(2017/8/4)

今後の半導体業界を見据え:
パッケージングとEDAの技術革新が必要 AMDのCTO
AMDは現在、7nmプロセスの実用化に向けて開発を加速している。同社の製品のうち、7nmプロセスを最初に適用するプロセッサは「Zen 2」「Zen 3」の予定だ。AMDのCTOを務めるMark Papermaster氏は、プロセスの微細化や、「ムーアの法則プラス」の時代では、パッケージング技術とEDAツールにおける技術革新が必要になると話す。(2017/7/26)

ASMLが「SEMICON West」でデモ:
EUVが実現間近か、250Wの光源を達成
ASMLが、「SEMICON West 2017」で、250WのEUV(極端紫外線)光源を用いたデモを披露した。EUVリソグラフィ用を商用化するには、250Wの光源が1つのマイルストーンとされているため、実際の量産ラインでの実用化は間近かもしれないという期待が膨らむ。(2017/7/20)

2017年4〜6月売上高の1%:
TSMCが10nmプロセスで売り上げを初めて計上
TSMCは、Samsung Electronicsに後れを取っている10nmプロセスで初の売り上げ計上が生じたと明らかにした。(2017/7/18)

企業動向を振り返る 2017年5月版:
「iPhone10周年」を控える中、足元にくすぶる火種
過去1カ月間のエレクトロニクス関連企業の動向をピックアップしてお届けする「企業動向を振り返る」。5月は各社より決算が発表されましたが、明暗は分かれたようです。iPhoneを巡る、AppleとQualcommの訴訟は「10周年モデル」の登場前に解決するのでしょうか。(2017/6/23)

EUV導入予定のプロセス:
MediaTek、7nmチップの製造先をTSMCに決定
MediaTekが、7nmチップの製造委託先としてTSMCを選んだ。具体的な製造計画は明らかにしていない。MediaTekは、「EUV(極端紫外線)リソグラフィを導入するTSMCの7nmプロセスは、競争力がある」としている。(2017/6/22)

Samsungには大きな損失:
Qualcomm、7nmチップ発注先をTSMCに切り替えか
韓国のET Newsによると、Qualcommは7nmのSnapdragon SoC(System on Chip)の発注先をTSMCに切り替える。この報道が正しければ、Samsungの2018年のファウンドリ事業は多大な痛手を被る。7nmのSnapdragon SoCは、2017年末か2018年早々に発表されることが予想される。(2017/6/19)

FinFET代替なるか:
IBM、5nmナノシートで画期的成果を発表
IBMなどが積層シリコンナノシートをベースにした新しいトランジスタ(シリコンナノシートトランジスタ)アーキテクチャを開発した。5nmノードの実現に向けて、FinFETに代わる技術として注目される。(2017/6/12)

低温プラズマ焼結法を改良:
銅インクで実現、ラジオ機能付き野球帽
産業技術総合研究所は、フィルム基板上に銅を焼結する技術である低温プラズマ焼結法を改良し、スクリーン印刷でフレキシブル銅配線板を作成する技術を開発した。また、同技術を応用することで、野球帽のツバに組み込み可能なフレキシブルなラジオを試作した。(2017/6/7)

2018年に7nmと12FDX立ち上げへ:
EUVと液浸、FinFETとFD-SOI、GFの強みは2点張り
2017年5月31日、来日したGLOBALFOUNDRIES(グローバルファウンドリーズ/GF)CMOSプラットフォーム事業部シニアバイスプレジデントのGregg Bartlett氏に7nm FinFET、12nm FD-SOIの開発状況などについてインタビューした。(2017/6/1)

ESEC2017&IoT/M2M展:
ソフトウェアの検証にハードウェアまで開発、キヤノンITSが狙うテスト自動化
キヤノンITSおよびキヤノンソフトウェアは「第20回 組込みシステム開発技術展(ESEC2017)」に出展し、同社が取り組むテスト自動化と品質検証サービスへの取り組みを紹介した。(2017/5/29)

「MBCFET」を製造:
Samsung、2020年に4nmのリスク生産を開始
Samsung Electronicsは、ファウンドリー技術のロードマップを発表した。2020年に4nmプロセスを用いて、同社独自の「MBCFET(Multi Bridge Channel FET)」のリスク生産を開始する予定だという。(2017/5/29)

14オングストロームプロセス!?:
IMECの半導体ロードマップ展望
IMECのプロセス技術関連のベテラン専門家であるAn Steegen氏が、2017年の半導体ロードマップを発表し、半導体プロセスの微細化に対し楽観的な見方を示した。(2017/5/24)

2001年に続き2度目:
ニコンとASML、半導体露光装置で特許係争
ニコンは2017年4月24日、半導体露光技術に関して特許の侵害があるとして、ASMLと、ASMLのサプライヤーであるCarl Zeissを提訴した。この発表の直後となる4月28日(オランダ時間)、ASMLは特許侵害を強く否定し、ニコンに対して対抗訴訟を起こすと発表した。(2017/5/2)

ArF液浸:
ニコンがASMLなど提訴 露光装置の特許侵害主張
ニコンがASMLとツァイスに半導体露光装置の特許を侵害されたとして日独蘭で提訴。(2017/4/25)

ウエハー処理数は125枚/時間:
ASML、2018年にEUV装置を20台以上出荷予定
ASMLは、2018年にEUV(極端紫外線)リソグラフィ装置を20〜24台出荷する計画だという。何度も延期を重ねながら開発を進め、ようやく出荷のメドが立ったようだ。(2017/4/24)

半導体製造工程を総合的にカバー:
新技術のレンズや光学ユニットで新分野を開拓
京セラオプテックは、「レンズ設計・製造展 2017」で、半導体部品製造の前工程に用いる「露光装置用レンズユニット」やADAS(先進運転支援システム)用途に向けた赤外線レンズの開発品などを展示した。(2017/4/24)

ナノ光・ナノフィン構造を形成:
NICT、深紫外LEDで実用域の光出力を達成
情報通信研究機構(NICT)は、発光波長265nm帯で光出力が150mWを上回る「深紫外LED」の開発に成功した。産業用途で十分に利用可能な出力レベルだという。(2017/4/6)

FD-SOIを意識:
TSMCが7nmなど最新プロセスの開発状況を報告(前編)
TSMCは2017年3月15日(米国時間)にカリフォルニア州で開催したイベント「TSMC Technology Symposium」で、最先端プロセスの開発状況を報告した。その発表からは、FD-SOIプロセスへの対抗心が垣間見えた。(2017/3/23)

企業動向を振り返る 2017年2月版:
成長に自信を見せるルネサス、前途多難な東芝
東芝が解体へのカウントダウンを刻む中、一時は経営が危ぶまれたルネサスが好調な業績見込みを発表しています。(2017/3/23)

SPIE Advanced Lithography 2017:
ASML、EUVリソグラフィ開発を加速
半導体リソグラフィ技術に関する国際会議「SPIE Advanced Lithography 2017」において、ASMLがEUV(極端紫外線)スキャナーを発表した。(2017/3/3)

長く曲がりくねった道のり:
EUVリソグラフィ開発、進展するも課題は山積み
米国で半導体リソグラフィ技術の国際会議「SPIE Advanced Lithography 2017」が開催中だ。IntelやSamsung Electronics、imecなどが発表した論文からは、EUV(極端紫外線)リソグラフィ技術が、大きく進展しつつも課題はまだ山積みであり、より一層開発を加速する必要のある部分もあることが明らかになっている。(2017/3/2)

慶応大の黒田忠広氏が語る:
近接場結合を用いた3D集積、電力効率の1桁改善を
電力効率の改善なくして、性能改善なし。 慶応義塾大学の理工学部電子工学科で教授を務める黒田忠広氏は、講演内でこう語る。電力効率の改善には新しいトランジスタ構造などの導入が検討されているが、黒田氏が提案するのは「近接場結合」による3D集積技術である。(2017/3/1)

3D NANDの低コスト化に弾み:
10nm向けナノインプリント用テンプレートを量産開始
大日本印刷(DNP)は、3次元構造のNAND型(3D NAND)フラッシュメモリの需要増加と低コスト化に対応するため、回路線幅が10nm台のナノインプリント用テンプレートの複製装置を2017年3月に導入する。(2017/2/27)

EUVの導入も検討か:
Intel、アリゾナのFab 42に70億ドルを投資へ
Intelが、アリゾナ州に保有する製造工場「Fab 42」に70億米ドルを投資する予定であることを明らかにした。Intelは2014年1月に、Fab 42の稼働を延期することを発表したが、7nmプロセスの実現に向け、EUV(極端紫外線)露光装置の導入なども検討しつつ、同工場への投資を進めるとみられる。(2017/2/15)

EUVから今後の半導体市場まで:
ISS 2017で語られた半導体技術の今後(後編)
米国で開催された「Industry Strategy Symposium(ISS)」(2017年1月8〜11日)では、EUV(極端紫外線)の動向から半導体市場の今後まで、幅広く議論が行われた。(2017/1/24)

専門家が見解を披露:
ISS 2017で語られた半導体技術の今後(前編)
米国で開催された「Industry Strategy Symposium(ISS)」(2017年1月8〜11日)では、半導体技術の今後に関する議論が幾つか展開された。ナノワイヤトランジスタやGAA(Gate All Around)トランジスタといった次世代トランジスタ技術や、増加の一途をたどる設計コストなどについて、専門家たちが見解を披露している。(2017/1/19)

高解像・高速描画を可能に:
解像度2μmを実現、FOPLP向け直接描画露光装置
SCREENセミコンダクターソリューションズは、半導体後工程のFOPLP(Fan-Out Panel Level Package)向けに、解像度2μmを実現した直接描画露光装置「DW-3000 for PLP」を開発、2017年1月より販売を始める。(2017/1/12)

SEMICON Japan:
72台の装置を半日で稼働、日本発「ミニマルファブ」が変える革新型モノづくり
産総研コンソーシアム ファブシステム研究会などは「SEMICON Japan 2016」で、「ミニマルファブの開発成果を発表。同研究会などが推進するミニマル生産方式による製造装置「ミニマルシリーズ」72台を設置し、半導体製造工程のほとんどをカバーできるようになった成果をアピールした。(2016/12/19)

SEMICON Japanに展示:
フォトレジスト不要で直接パターニング、VUVユニット
ウシオ電機は、「SEMICON Japan 2016」(2016年12月14〜16日/東京ビッグサイト)で、フォトレジストが不要で直接パターニングができる真空紫外平行光ユニットなどを展示している。(2016/12/15)

早ければ2022年にも生産開始:
TSMC、3nmチップの工場建設計画を発表
TSMCが5nmおよび3nmチップの製造工場を新たに建設する計画を発表した。大手ファウンドリー各社のプロセス開発競争は激化の一途をたどっている。(2016/12/15)

電子ブックレット:
2020年、5nm世代でEUV時代が到来か
EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、ASMLのEUV(極端紫外線)に関わる展望について紹介します。(2016/12/12)

IEDM 2016:
進む7nmプロセスの開発、TSMCとIBMが成果を発表
米サンフランシスコで開催された「IEDM 2016」では、TSMCとIBMがそれぞれ最新プロセス技術について発表し、会場を大いに沸かせたようだ。(2016/12/8)

オンリーワン技術×MONOist転職(6):
紫外線LEDが水銀なき世界を灯す――ナイトライド・セミコンダクター
日本の“オンリーワンなモノづくり技術”にフォーカスしていく連載の第6回。今回は、世界で初めて紫外線LED量産化に成功、高効率化と低コスト化で水銀ランプを置き換えるまで紫外線LEDを“磨き上げた”ナイトライド・セミコンダクターを紹介する。(2016/12/2)

2024年量産開始を目指して:
ASML、次世代EUV装置に19億米ドルを投資
半導体製造装置メーカーのASMLは、2017年出荷予定の第1世代EUV(極端紫外線)リソグラフィ装置の後継となる次世代EUV装置の開発計画を明らかにした。2024年ごろの量産を目指し、約19億米ドルの投資を行うという。(2016/11/10)

Intelが追い抜かれる勢い?:
7nmプロセス開発、ファウンドリー間の競争激化
2016年12月に米国で開催される、最先端電子デバイスの研究開発に関する国際学会「IEDM 2016」で、TSMCが7nmプロセスに関する発表を行う。7nmプロセスの研究開発では、TSMC、GLOBALFOUNDRIES(GF)、Samsung Electronics(サムスン電子)が火花を散らしている。(2016/10/26)

MATLAB EXPO 2016:
ディープラーニング一色ではない「人工知能研究」の現状と今後の展望
製造業に関する領域でも耳にする機会の増えた「人工知能」だが、急激に発展している領域だけに、現状を正確に把握するのは難しい。「人工知能研究の現状と今後の展望」とは。(2016/10/26)

さらなる微細化の実現へ:
EUV光源で「世界最高水準」の発光効率5%を実現
ギガフォトンは、開発中の極端紫外線(EUV)スキャナー用レーザー生成プラズマ(LPP)光源における、半導体量産ラインでの稼働を想定したパイロット光源が完成し、出力105Wの安全運転と、発光効率5%を実現した。最先端半導体製造ラインの実現に向けて大きく前進したという。(2016/10/24)

「Galaxy 8」に搭載予定:
Samsung、10nm SoCの量産を2016年内にも開始か
Samsung Electronics(サムスン電子)が10nm FinFETプロセスを適用したSoC(System on Chip)の量産体制を着々と整えているようだ。「Galaxy Note 7」の発火問題で同社のファンドリー事業も停滞するとみられているが、最先端プロセスの実用化に向け、開発を進めている。(2016/10/19)

福田昭のデバイス通信(93):
「SEMICON West 2016」、Synopsysが予測する5nm世代のトランジスタ技術
Synopsysの講演では、5nm世代のトランジスタのシミュレーション評価結果が報告された。この結果からはFinFETの限界が明確に見えてくる。5nm世代に限らず、プロセスの微細化が進むと特に深刻になってくるのが、トランジスタ性能のばらつきだ。(2016/10/14)

福田昭のデバイス通信(92):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(Applied Materials編)
Applied Materialsの講演では、MOSFETの微細化ロードマップと、微細化の手法および課題が解説された。7nm世代のFinFETでは、フィンを狭く、高くするとともにコンタクト用の金属材料を変える必要が出てくる。FinFETの限界が見え始める5nm世代では、微細化の手法として主に2つの選択肢がある。(2016/10/7)

Huamiのスマートウォッチ:
ソニー製チップの採用でFD-SOIへの関心高まる?
28nm FD-SOIプロセスを採用したソニーのGPSチップが、中国のスマートウォッチに搭載された。FD-SOIプロセスに対する関心が高まる可能性がある。(2016/10/6)

医療技術ニュース:
異なる種類の細胞を積層化し、移植する手法を開発
東京医科歯科大学は、印刷技術を応用して、細胞シートの上に異なる種類の細胞を自在に積層する方法を開発した。この手法で作成した生体材料は変形などに耐えるため、今後、細胞移植治療が簡単かつ確実にできるようになるという。(2016/10/6)

福田昭のデバイス通信(91):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(Samsung編)
Samsung Semiconductorの講演では、「ムーアの法則」の現状認識から始まり、同社が考える微細化のロードマップが紹介された。Samsungは28nm世代と10nm世代が長く使われると予想している。さらに同社は、EUVリソグラフィが量産レベルに達するのは2018年で、7nm/5nm世代のチップ製造に導入されるとみている。(2016/9/30)



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意欲的なメディアミックスプロジェクトとしてスタートしたものの、先行したスマホゲームはあえなくクローズ。しかしその後に放映されたTVアニメが大ヒットとなり、多くのフレンズ(ファン)が生まれた。動物園の賑わい、サーバルキャットの写真集完売、主題歌ユニットのミュージックステーション出演など、アニメ最終回後もその影響は続いている。

ITを活用したビジネスの革新、という意味ではこれまでも多くのバズワードが生まれているが、デジタルトランスフォーメーションについては競争の観点で語られることも多い。よくAmazonやUberが例として挙げられるが、自社の競合がこれまでとは異なるIT企業となり、ビジネスモデルレベルで革新的なサービスとの競争を余儀なくされる。つまり「IT活用の度合いが競争優位を左右する」という今や当たり前の事実を、より強調して表現した言葉と言えるだろう。