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「リソグラフィ」最新記事一覧

米のスタートアップが開発:
ダイヤモンド半導体、実用間近か
ダイヤモンドが近い将来、半導体業界にとって“親友”のような存在になるかもしれない。米国の新興企業であるAkhan Semiconductorが、ダイヤモンド半導体を確実に実現できる見込みであることを明らかにした。(2016/5/17)

光源から装置、トータルソリューションの提供へ:
新しい光の市場を創造するウシオが見据える今後
産業用の光源をはじめ光の応用製品を扱うウシオ電機。エキシマランプは90%、UVランプは75%と高い世界シェアを獲得する同社だが(同社調べ)、映像機器/ライフサイエンス分野への展開も進めている。その理由を、同社コーポレートコミュニケーション課で課長を務める山田宏一氏に聞いた。(2016/4/27)

Applied Materialsが首位を維持:
半導体製造装置メーカー売上高ランキング――2015年
Gartnerの発表によると、2015年における前工程用半導体装置の売上高は336億米ドルで、前年比1%減だった。売上高上位10社でトップに立ったのは2014年に引き続き、Applied Materialsで、前年比24.7%増と大きく売り上げを伸ばしたLam Researchが2位に続いた。(2016/4/13)

新しいトランジスタのアイデアも:
FinFETの父、「半導体業界は次の100年も続く」
“FinFETの父”と呼ばれる研究者のChenming Hu氏は、Synopsysのユーザー向けイベントで、「半導体業界が次の100年も続くと確信している」と述べ、業界の未来が決して暗いものではないと主張した。同氏は新しいトランジスタのアイデアとして、NC-FET(負性容量トランジスタ)についても言及した。(2016/4/7)

EE Times Japan Weekly Top10:
ついに“ひと桁”、7nmプロセス開発へ加速
EE Times Japanで2016年3月19〜25日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2016/3/28)

シリコンラマンレーザーの工業化に道:
Q値世界最高水準、光ナノ共振器の大量作製に成功
大阪府立大学と産業技術総合研究所は2016年3月16日、150万の高Q値を持つ光ナノ共振器を大量作製することに成功したと発表した。(2016/3/17)

実用化に向け加速:
GLOBALFOUNDRIESと米大学、EUVに5億ドル投入
EUV(極端紫外線)リソグラフィー技術の実用化が加速する可能性がある。GLOBALFOUNDRIESと米国ニューヨーク州立大学が、5億米ドルを投じて新しい研究開発センターを設立し、EUV装置の導入を進めていくという。(2016/2/12)

SYSTEM DESIGN JOURNAL:
「SoC」or「SoC」?統合へのさまざまな道
1つのダイに複数機能を実装するSoC(System on Chip)化の波は高まるばかりです。アーキテクトはダイ間接続とマルチダイパッケージングの動向に注意を払い、コストや消費電力、将来性までも視野に入れた選択をしなければなりません。(2016/2/10)

2016年中にDLP搭載車が市場に:
ディスプレイ以外にも応用範囲が広がるDLP
Texas Instruments(テキサス・インスツルメンツ)は2016年1月、東京都内で、DLP製品に関する事業戦略説明会を開催した。(2016/2/1)

7nmプロセスでの実用化は可能なのか:
着実に進歩するEUV、課題は光源
EUV(極端紫外線)リソグラフィ技術は、着実に進化を遂げている。業界には、2018年ごろの実用化を望む声も多いが、当面の課題は光源の強さをどう向上するかにありそうだ。(2016/1/28)

量産の実現には12〜18カ月かかる見込み:
3D XPoint、開発から製造へ
IntelとMicron Technologyが開発した「3D XPoint」は、製造の段階へと移る見込みだ。量産には12〜18カ月かかるとみられている。また、3D XPointでは、カルコゲナイド材料と「Ovonyx」スイッチが使われていることが明らかになった。(2016/1/25)

IBMが語る、ウェアラブル向け最先端技術:
人間の脳が握る、デバイス低消費電力化の鍵
ウェアラブル機器に欠かせない要件の1つに、低消費電力がある。「第2回 ウェアラブルEXPO」のセミナーに登壇した日本IBMは、超低消費電力のコンピュータとして、人間の”脳”を挙げ、IBMが開発中の「超低消費電力脳型デバイス」について語った。(2016/1/20)

三重富士通セミコンダクター 取締役執行役員常務 河野通有氏:
PR:40nm製造ラインが本格稼働、真価問われる一年に
三重富士通セミコンダクター(MIFS)は、ファウンドリ専業会社として2014年末に誕生し、1年余りが経過した。2016年始めより40nmプロセス技術に対応した製造ラインが本格的に稼働する。2016年はファウンドリ専門会社として真価が問われる一年となる。取締役執行役員常務を務める河野通有氏が、40nm製造ラインを軸とした今後の事業戦略などについて語った。(2016/1/12)

EUVの採用は、まだ不明:
TSMCが5nmプロセス開発に着手
TSMCが5nmプロセスの開発に着手する。ただし、EUV(極端紫外線)リソグラフィを採用するかどうかは、まだ不明だ。とはいえ、193nm ArF液浸リソグラフィを適用するには、かなりの数のパターニングが必要になり、コストが膨れ上がる。(2015/12/17)

「IEDM 2015」基調講演で:
「ムーアの法則を進める必要がある」――ARM
2015年12月7〜9日に開催された「IEDM 2015」の基調講演で、ARMのシニアリサーチャーであるGreg Yeric氏は、「半導体チップの微細化は一段と困難になっているが、それでもムーアの法則を続ける必要がある」と語った。(2015/12/10)

日本TI DLP9000X:
3Dプリンタ向けの高速/高解像度DLPチップセット
日本テキサス・インスルメンツは、400万枚以上の微小ミラーを備えたDLPチップセット「DLP9000X」を発表した。3Dプリンタやリソグラフィなどのアプリケーション向けで、高い動作速度と分解能を備えている。(2015/10/30)

フラッシュストレージの4大進化【前編】
NANDフラッシュの多次元化で曖昧になるメモリとの境界線
メモリチャネルフラッシュ、3D、NVMe、NVDIMMは、間もなくNANDフラッシュに取って代わることが予想される最新のフラッシュストレージテクノロジーの進化だ。(2015/10/20)

歴代カメラや事業の歴史を展示する「ニコンミュージアム」オープン
ニコンが創立100周年を記念して「ニコンミュージアム」を開設。10月17日にオープンする。(2015/10/2)

SEMICON West 2015リポート(12):
ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演(5)〜インプリント装置の開発ロードマップ
今回は、ナノインプリント・リソグラフィ技術の開発ロードマップを紹介しよう。キヤノンは現在、インプリント装置の第1世代機の開発を終えたところで、今後5年間で第2および第3世代機の開発に取り組んでいく予定だ。インプリント装置のターゲットは、NAND型フラッシュメモリとDRAM、ロジックICである。(2015/9/18)

SEMICON West 2015リポート(11):
ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演(4)〜「パーシャルフィールド」への対処
今回は、露光の際にシリコン・ウエハー周辺部で発生する現象「パーシャルフィールド」をもう少し掘り下げて解説しよう。このパーシャルフィールドについてキヤノンは、3種類に分けて対処しているという。(2015/9/15)

SEMICON West 2015リポート(10):
ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演(3)〜生産性と欠陥密度
ナノインプリント・リソグラフィでは、ウエハー1枚当たりの処理時間を短縮しようとすると、欠陥密度が増加する傾向にある。だが要求されるのは、生産性の向上と欠陥密度の低減だ。キヤノンは、こうした“二律背反”の要求に応えるべく、リソグラフィ技術の改良を重ねてきた。(2015/9/10)

SEMICON West 2015リポート(9):
ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演(2)〜解像度と位置合わせ、生産性
今回は、ナノインプリント・リソグラフィを構成する要素技術の開発状況をお伝えする。ここ1年でとりわけ大きく進歩しているのが、重ね合わせ誤差と生産性(スループット)だ。重ね合わせ誤差は半分〜3分の1に低減し、スループットは2倍〜3倍に向上しているという。(2015/9/8)

EE Times Japan Weekly Top10:
ARMをうならせた中国の無名企業
EE Times Japanで2015年8月29〜9月4日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/9/5)

SEMICON West 2015リポート(8):
ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演(1)〜低い装置コストが最大の武器
今回から、ナノインプリント・リソグラフィ技術の解説に入る。この技術の最大の強みは装置コストが非常に低いことだ。一方で、欠陥をどう低減するかという難しい課題を抱えている。(2015/9/4)

SEMICON West 2015リポート(7):
ASMLがEUVリソグラフィ開発の最新状況を公表(4)〜次期主力機「NXE:3350B」の概要
今回は、ASMLのEUV(極端紫外線)露光装置の開発ロードマップを紹介する。次期主力機「NXE:3350B」は、16nmの解像を目標に開発が進んでいるという。「NXE:33x0」シリーズとしては、2016年には光源出力を250W、生産性を1500枚/日に向上させるなど、強気な目標を立てている。(2015/9/1)

EE Times Japan Weekly Top10:
ASMLが解説するEUVリソグラフィ
EE Times Japanで2015年8月22〜28日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/8/29)

Intelは今、何を考えているのか:
3D XPointから7nmプロセスまで――Intel CEOに聞く
2015年8月18〜20日に開催された「IDF(Intel Developer Forum) 2015」において、Intel CEOのBrian Krzanich氏にインタビューする機会を得た。新メモリ技術として注目を集めた「3D XPoint」からAltera買収まで、率直に話を聞いてみた。(2015/8/28)

SEMICON West 2015リポート(6):
ASMLがEUVリソグラフィ開発の最新状況を公表(3)〜EUV露光装置の開発史
今回は、EUV(極端紫外線)露光装置の開発の歴史を振り返ってみたい。ASMLが顧客向けに初めてEUV露光装置を出荷したのは2006年のことである。その後の約10年で、光源の出力やスループットはどのくらい向上しているのだろうか。(2015/8/28)

SEMICON West 2015リポート(5):
ASMLがEUVリソグラフィ開発の最新状況を公表(2)〜開発の進ちょく状況
本稿では、EUVリソグラフィ開発の進ちょくをお伝えする。ASMLの開発用露光装置「NXE:3300B」は、1日当たりのウエハー処理枚数が1000枚を超え、以前に比べるとかなり進化した。また、7nm世代のロジック配線を解像できるようになっている。(2015/8/26)

EE Times Japan Weekly Top10:
次期iPhoneには、インテル入ってる?
EE Times Japanで2015年8月15〜21日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/8/22)

SEMICON West 2015リポート(4):
ASMLがEUVリソグラフィ開発の最新状況を公表(1)〜ArF液浸の限界
今回は、コストとパターン形成の2点について、ArF液浸とEUV(極端紫外線)リソグラフィを比べてみよう。ArF液浸では、10nm世代になるとステップ数と重ね合わせ回数が破壊的な数値に達してしまう。これがコストの大幅な上昇を招く。さらに、ArF液浸とEUVでは、10nm世代の配線パターンにも大きな差が出てくる。(2015/8/24)

EE Times Japan Weekly Top10:
20位に食い込んだシャープ
EE Times Japanで2015年8月8〜14日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/8/16)

SEMICON West 2015リポート(3):
ニコンが展望する10nm以下のリソグラフィ技術(後編)
今回は、10nm世代にArF液浸露光技術を適用する場合の2つ目の課題である「製造コストの急増」に焦点を当てる。ArF液浸露光技術とEUV(極端紫外線)露光のコストを比較すると、どんな結果になるのだろうか。(2015/8/13)

SEMICON West 2015リポート(2):
ニコンが展望する10nm以下のリソグラフィ技術(前編)
本稿では、リソグラフィ技術の将来を14nm世代から5nm世代まで展望するシンポジウムにおける、ニコンの講演内容を紹介する。同社は、10nm世代にArF液浸露光技術を適用する場合、2つの大きな課題があると指摘した。「EPE(Edge Placement Error)」と「コストの急増」だ。(2015/8/11)

電子ブックレット:
IBMが7nm試作チップを発表、Intelに迫る勢い
EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、IBM Researchが開発したEUV(極端紫外線)リソグラフィとSiGe(シリコンゲルマニウム)チャネルを使用する7nmプロセス試作チップを紹介する。(2015/8/9)

5分でわかる最新キーワード解説:
世界初の技術で光学迷彩に手が届く「3次元メタマテリアル」
真空を進む光の屈折率(1.0)よりも低い屈折率(0.35)を持つ人工物質が生み出され、「光学迷彩」や「透明マント」が現実味を帯びた。この物質の活用で光通信の高速化も期待されます。(2015/7/29)

CDNLive Japan 2015リポート:
起業家精神で技術革新――中村修二氏も登壇
日本ケイデンス・デザイン・システムズは、顧客向け技術コンファレンス「CDNLive Japan 2015」を横浜で開催した。日本のユーザーら約900人が参加。基調講演セッションでは、米国本社CEOやノーベル物理学賞受賞者の中村修二氏らが講演を行った。(2015/7/21)

2018年には年間数十万ウエハーの生産を計画:
GLOBALFOUNDRIES、22nm FD-SOIの製造を2016年から開始
GLOBALFOUNDRIESは、2016年から22nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ)の生産を始めると発表した。2018年ごろには300mmウエハー換算で年間30万枚前後の規模で量産を行う計画で、14nm世代、10nm世代への微細化も検討する方針。(2015/7/14)

EUVとSiGeチャネルで:
IBMが7nm試作チップを発表、Intelに迫る勢い
IBM Researchが、EUV(極端紫外線)リソグラフィとSiGe(シリコンゲルマニウム)チャネルを使用した7nmプロセス試作チップを発表した。IBM Researchはここ最近、最先端プロセスの研究開発成果の発表に力を入れていて、7nmプロセスの技術開発に自信を示してきたIntelに迫る勢いを見せている。(2015/7/13)

電子部品 CNTキャパシタ:
アルミ電解コンデンサと同等性能で体積は1000分の1! 超小型のカーボンナノチューブ応用キャパシタ
産業技術総合研究所のナノチューブ実用化研究センターは、電極材料に単層カーボンナノチューブ(CNT)を利用した超小型のキャパシタを開発したと発表した。アルミ電解コンデンサと同等の性能を持ちながら体積は1000分の1になるという。(2015/7/9)

メモリ各社の製品から探る:
プレーナ型NANDフラッシュの微細化の限界
最近になって、1Xnm世代のプロセスを適用したプレーナ(平面)型のNAND型フラッシュメモリが市場に投入され始めた。だが、プレーナ型NANDフラッシュの微細化は限界だといわれている。各社の1Xnm世代NANDフラッシュを見ながら、微細化技術について考察してみたい。(2015/6/23)

EE Times Japan Weekly Top10:
“見えない光”を使う加工技術
EE Times Japanで2015年6月6〜12日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/6/21)

福田昭のデバイス通信(29):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(18)〜壁に突き当たるリソグラフィ技術
プロセスルールの微細化において最も困難な課題は、リソグラフィ技術にある。7nm世代の半導体を量産するためのリソグラフィ技術は、いまだに確定していない。現在のところ、解決策としては、従来のArF液浸リソグラフィ技術の改善か、EUV(極端紫外光)リソグラフィ技術の開発が挙げられている。(2015/6/9)

アプライド マテリアルズ Applied Centura Tetra Z Photomask Etch:
10nm世代以降のクアッドパターニング対応したフォトマスクエッチング装置
アプライド マテリアルズは、マルチパターニングを10nm世代以降に拡大する、次世代光リソグラフィ用のフォトマスクエッチング装置を発表した。(2015/5/14)

製造マネジメントニュース:
露光装置子会社の全株式を譲渡、露光装置事業撤退へ
日本精工は、同社の100%子会社であるNSKテクノロジーの全株式をブイ・テクノロジーに譲渡することを決議した。譲渡額は20億円となる。(2015/5/8)

ビジネスニュース 業界動向:
ASMLがEUV装置を15台受注、納品先はIntel?
ASMLが、EUV(極端紫外線)リソグラフィ装置を15台、“米国顧客企業の1社”に納入すると発表し、業界の観測筋の間でさまざまな臆測を呼んでいる。複数の情報筋が、この顧客企業がIntelではないかという見方を示している。(2015/4/30)

半導体技術 進化の源:
ムーアの法則、50年をたどる
1965年、IntelのGordon Moore(ゴードン・ムーア)氏が雑誌に掲載したトランジスタに関する予見は、「ムーアの法則」として半導体技術の発展の大きな原動力となった。ムーアの法則によってトランジスタがどれほど進化してきたのか。50年を振り返ってみる。(2015/4/24)

福田昭のデバイス通信(21):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(10)〜PVTコーナーの増加がタイミング解析を難しくする
回路の動作周波数などを左右する大きな要因は「PVT」、つまりプロセス(P)、電源電圧(V)、温度(接合温度T)である。動作周波数の代表値や最高値、最低値は、PVTコーナーの数によって決まる。この数は、微細化とともに急増する傾向にあり、タイミング解析がより難しくなっている。(2015/4/21)

ビジネスニュース 企業動向:
TSMC、16nmプロセスへの移行を加速――設備投資額は10億ドル削減
TSMCは、2015年の設備投資額を10億米ドル削減すると発表した。資本効率を上げて16nmプロセスへの移行を急ぐ。20nmチップの生産量を減らして、16nmチップの生産量を増加する計画だ。また、7nmのリスク生産は、2017年前半に予定されている。(2015/4/20)

量子もつれ生成・検出装置が1万分の1サイズに!:
量子テレポーテーションの心臓部をチップ化――量子コンピュータ実用化へ「画期的成果」
東京大学の古澤明教授らの研究グループは、量子テレポーテーション装置の心臓部となる「量子もつれ生成・検出部分」を光チップで実現することに成功した。量子テレポーテーションの手法を用いて量子コンピュータを実現できることを示した。(2015/3/31)



7月29日で無料アップグレード期間が終了する、Microsoftの最新OS。とんでもないレベルで普及している自社の基幹製品を無料でアップグレードさせるというビジネス上の決断が、今後の同社の経営にどのような影響をもたらすのか、その行方にも興味が尽きない。

ドイツ政府が中心となって推進する「第四次産業革命」。製造業におけるインターネット活用、スマート化を志向するもので、Internet of Things、Industrial Internetなど名前はさまざまだが、各国で類似のビジョンの実現を目指した動きが活発化している。

資金繰りが差し迫る中、台湾の鴻海精密工業による買収で決着がついた。寂しい話ではあるが、リソースとして鴻海の生産能力・規模を得ることで、特にグローバルで今後どのような巻き返しがあるのか、明るい話題にも期待したい。