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「リソグラフィ」最新記事一覧

ArF液浸:
ニコンがASMLなど提訴 露光装置の特許侵害主張
ニコンがASMLとツァイスに半導体露光装置の特許を侵害されたとして日独蘭で提訴。(2017/4/25)

ウエハー処理数は125枚/時間:
ASML、2018年にEUV装置を20台以上出荷予定
ASMLは、2018年にEUV(極端紫外線)リソグラフィ装置を20〜24台出荷する計画だという。何度も延期を重ねながら開発を進め、ようやく出荷のメドが立ったようだ。(2017/4/24)

半導体製造工程を総合的にカバー:
新技術のレンズや光学ユニットで新分野を開拓
京セラオプテックは、「レンズ設計・製造展 2017」で、半導体部品製造の前工程に用いる「露光装置用レンズユニット」やADAS(先進運転支援システム)用途に向けた赤外線レンズの開発品などを展示した。(2017/4/24)

ナノ光・ナノフィン構造を形成:
NICT、深紫外LEDで実用域の光出力を達成
情報通信研究機構(NICT)は、発光波長265nm帯で光出力が150mWを上回る「深紫外LED」の開発に成功した。産業用途で十分に利用可能な出力レベルだという。(2017/4/6)

FD-SOIを意識:
TSMCが7nmなど最新プロセスの開発状況を報告(前編)
TSMCは2017年3月15日(米国時間)にカリフォルニア州で開催したイベント「TSMC Technology Symposium」で、最先端プロセスの開発状況を報告した。その発表からは、FD-SOIプロセスへの対抗心が垣間見えた。(2017/3/23)

企業動向を振り返る 2017年2月版:
成長に自信を見せるルネサス、前途多難な東芝
東芝が解体へのカウントダウンを刻む中、一時は経営が危ぶまれたルネサスが好調な業績見込みを発表しています。(2017/3/23)

SPIE Advanced Lithography 2017:
ASML、EUVリソグラフィ開発を加速
半導体リソグラフィ技術に関する国際会議「SPIE Advanced Lithography 2017」において、ASMLがEUV(極端紫外線)スキャナーを発表した。(2017/3/3)

長く曲がりくねった道のり:
EUVリソグラフィ開発、進展するも課題は山積み
米国で半導体リソグラフィ技術の国際会議「SPIE Advanced Lithography 2017」が開催中だ。IntelやSamsung Electronics、imecなどが発表した論文からは、EUV(極端紫外線)リソグラフィ技術が、大きく進展しつつも課題はまだ山積みであり、より一層開発を加速する必要のある部分もあることが明らかになっている。(2017/3/2)

慶応大の黒田忠広氏が語る:
近接場結合を用いた3D集積、電力効率の1桁改善を
電力効率の改善なくして、性能改善なし。 慶応義塾大学の理工学部電子工学科で教授を務める黒田忠広氏は、講演内でこう語る。電力効率の改善には新しいトランジスタ構造などの導入が検討されているが、黒田氏が提案するのは「近接場結合」による3D集積技術である。(2017/3/1)

3D NANDの低コスト化に弾み:
10nm向けナノインプリント用テンプレートを量産開始
大日本印刷(DNP)は、3次元構造のNAND型(3D NAND)フラッシュメモリの需要増加と低コスト化に対応するため、回路線幅が10nm台のナノインプリント用テンプレートの複製装置を2017年3月に導入する。(2017/2/27)

EUVの導入も検討か:
Intel、アリゾナのFab 42に70億ドルを投資へ
Intelが、アリゾナ州に保有する製造工場「Fab 42」に70億米ドルを投資する予定であることを明らかにした。Intelは2014年1月に、Fab 42の稼働を延期することを発表したが、7nmプロセスの実現に向け、EUV(極端紫外線)露光装置の導入なども検討しつつ、同工場への投資を進めるとみられる。(2017/2/15)

EUVから今後の半導体市場まで:
ISS 2017で語られた半導体技術の今後(後編)
米国で開催された「Industry Strategy Symposium(ISS)」(2017年1月8〜11日)では、EUV(極端紫外線)の動向から半導体市場の今後まで、幅広く議論が行われた。(2017/1/24)

専門家が見解を披露:
ISS 2017で語られた半導体技術の今後(前編)
米国で開催された「Industry Strategy Symposium(ISS)」(2017年1月8〜11日)では、半導体技術の今後に関する議論が幾つか展開された。ナノワイヤトランジスタやGAA(Gate All Around)トランジスタといった次世代トランジスタ技術や、増加の一途をたどる設計コストなどについて、専門家たちが見解を披露している。(2017/1/19)

高解像・高速描画を可能に:
解像度2μmを実現、FOPLP向け直接描画露光装置
SCREENセミコンダクターソリューションズは、半導体後工程のFOPLP(Fan-Out Panel Level Package)向けに、解像度2μmを実現した直接描画露光装置「DW-3000 for PLP」を開発、2017年1月より販売を始める。(2017/1/12)

SEMICON Japan:
72台の装置を半日で稼働、日本発「ミニマルファブ」が変える革新型モノづくり
産総研コンソーシアム ファブシステム研究会などは「SEMICON Japan 2016」で、「ミニマルファブの開発成果を発表。同研究会などが推進するミニマル生産方式による製造装置「ミニマルシリーズ」72台を設置し、半導体製造工程のほとんどをカバーできるようになった成果をアピールした。(2016/12/19)

SEMICON Japanに展示:
フォトレジスト不要で直接パターニング、VUVユニット
ウシオ電機は、「SEMICON Japan 2016」(2016年12月14〜16日/東京ビッグサイト)で、フォトレジストが不要で直接パターニングができる真空紫外平行光ユニットなどを展示している。(2016/12/15)

早ければ2022年にも生産開始:
TSMC、3nmチップの工場建設計画を発表
TSMCが5nmおよび3nmチップの製造工場を新たに建設する計画を発表した。大手ファウンドリー各社のプロセス開発競争は激化の一途をたどっている。(2016/12/15)

電子ブックレット:
2020年、5nm世代でEUV時代が到来か
EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、ASMLのEUV(極端紫外線)に関わる展望について紹介します。(2016/12/12)

IEDM 2016:
進む7nmプロセスの開発、TSMCとIBMが成果を発表
米サンフランシスコで開催された「IEDM 2016」では、TSMCとIBMがそれぞれ最新プロセス技術について発表し、会場を大いに沸かせたようだ。(2016/12/8)

オンリーワン技術×MONOist転職(6):
紫外線LEDが水銀なき世界を灯す――ナイトライド・セミコンダクター
日本の“オンリーワンなモノづくり技術”にフォーカスしていく連載の第6回。今回は、世界で初めて紫外線LED量産化に成功、高効率化と低コスト化で水銀ランプを置き換えるまで紫外線LEDを“磨き上げた”ナイトライド・セミコンダクターを紹介する。(2016/12/2)

2024年量産開始を目指して:
ASML、次世代EUV装置に19億米ドルを投資
半導体製造装置メーカーのASMLは、2017年出荷予定の第1世代EUV(極端紫外線)リソグラフィ装置の後継となる次世代EUV装置の開発計画を明らかにした。2024年ごろの量産を目指し、約19億米ドルの投資を行うという。(2016/11/10)

Intelが追い抜かれる勢い?:
7nmプロセス開発、ファウンドリー間の競争激化
2016年12月に米国で開催される、最先端電子デバイスの研究開発に関する国際学会「IEDM 2016」で、TSMCが7nmプロセスに関する発表を行う。7nmプロセスの研究開発では、TSMC、GLOBALFOUNDRIES(GF)、Samsung Electronics(サムスン電子)が火花を散らしている。(2016/10/26)

MATLAB EXPO 2016:
ディープラーニング一色ではない「人工知能研究」の現状と今後の展望
製造業に関する領域でも耳にする機会の増えた「人工知能」だが、急激に発展している領域だけに、現状を正確に把握するのは難しい。「人工知能研究の現状と今後の展望」とは。(2016/10/26)

さらなる微細化の実現へ:
EUV光源で「世界最高水準」の発光効率5%を実現
ギガフォトンは、開発中の極端紫外線(EUV)スキャナー用レーザー生成プラズマ(LPP)光源における、半導体量産ラインでの稼働を想定したパイロット光源が完成し、出力105Wの安全運転と、発光効率5%を実現した。最先端半導体製造ラインの実現に向けて大きく前進したという。(2016/10/24)

「Galaxy 8」に搭載予定:
Samsung、10nm SoCの量産を2016年内にも開始か
Samsung Electronics(サムスン電子)が10nm FinFETプロセスを適用したSoC(System on Chip)の量産体制を着々と整えているようだ。「Galaxy Note 7」の発火問題で同社のファンドリー事業も停滞するとみられているが、最先端プロセスの実用化に向け、開発を進めている。(2016/10/19)

福田昭のデバイス通信(93):
「SEMICON West 2016」、Synopsysが予測する5nm世代のトランジスタ技術
Synopsysの講演では、5nm世代のトランジスタのシミュレーション評価結果が報告された。この結果からはFinFETの限界が明確に見えてくる。5nm世代に限らず、プロセスの微細化が進むと特に深刻になってくるのが、トランジスタ性能のばらつきだ。(2016/10/14)

福田昭のデバイス通信(92):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(Applied Materials編)
Applied Materialsの講演では、MOSFETの微細化ロードマップと、微細化の手法および課題が解説された。7nm世代のFinFETでは、フィンを狭く、高くするとともにコンタクト用の金属材料を変える必要が出てくる。FinFETの限界が見え始める5nm世代では、微細化の手法として主に2つの選択肢がある。(2016/10/7)

Huamiのスマートウォッチ:
ソニー製チップの採用でFD-SOIへの関心高まる?
28nm FD-SOIプロセスを採用したソニーのGPSチップが、中国のスマートウォッチに搭載された。FD-SOIプロセスに対する関心が高まる可能性がある。(2016/10/6)

医療技術ニュース:
異なる種類の細胞を積層化し、移植する手法を開発
東京医科歯科大学は、印刷技術を応用して、細胞シートの上に異なる種類の細胞を自在に積層する方法を開発した。この手法で作成した生体材料は変形などに耐えるため、今後、細胞移植治療が簡単かつ確実にできるようになるという。(2016/10/6)

福田昭のデバイス通信(91):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(Samsung編)
Samsung Semiconductorの講演では、「ムーアの法則」の現状認識から始まり、同社が考える微細化のロードマップが紹介された。Samsungは28nm世代と10nm世代が長く使われると予想している。さらに同社は、EUVリソグラフィが量産レベルに達するのは2018年で、7nm/5nm世代のチップ製造に導入されるとみている。(2016/9/30)

プロセス微細化を精力的に進める:
TSMCの7nm FinFET、2017年4月には発注可能に?
TSMCは米国カリフォルニア州サンノゼで開催されたイベントで、7nm FinFETプロセス技術について言及した。3次元(3D)パッケージングオプションを強化して、数カ月後に提供を開始する計画だという。(2016/9/28)

福田昭のデバイス通信(90):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(imec編)
imecは次世代のリソグラフィ技術を展望するフォーラムの講演で、半導体デバイスの微細化ロードマップを披露した。このロードマップでは、微細化の方向が3つに整理されている。シリコンデバイスの微細化、シリコン以外の材料の採用、CMOSではないデバイスの採用だ。imecは、CMOSロジックを微細化していく時の課題についても解説した。(2016/9/27)

ギガビット未満の混載MRAMもサポート:
GFの7nm FinFETプロセス、2018年にも製造開始へ
GLOBALFOUNDRIES(GF)が、7nm FinFETプロセスの開発計画を発表した。2018年後半には同プロセスでの製造を開始する予定だという。さらに、同じく2018年には、22nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)プロセスで製造するチップにおいて、ギガビット未満の低容量の混載MRAM(磁気抵抗メモリ)をサポートする予定だ。(2016/9/21)

福田昭のデバイス通信(89):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(JSR Micro編)
大手レジストベンダーJSR Microの講演では、主に同社とimecの共同開発の内容が発表された。その1つが、JSR MicroのEUV(極端紫外線)レジストをimec所有のEUV露光装置で評価するというもので、化学増幅型のEUVレジストによってハーフピッチ13nmの平行直線パターンを解像できたという。さらに、5nm世代のEUVリソグラフィの目標仕様と現状も紹介された。(2016/9/21)

EE Times Japan Weekly Top10:
やはり本当だったルネサスのIntersil買収
EE Times Japanで2016年9月10〜16日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2016/9/17)

福田昭のデバイス通信(88):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(ASML編)
「SEMICON West 2016」で行われた次世代のリソグラフィ技術を展望するフォーラムから、各露光装置メーカーの講演内容を紹介してきた。今回は、半導体露光装置最大手であるASMLのEUV(極端紫外線)リソグラフィ開発状況を中心に紹介する。(2016/9/14)

10nm FinFETプロセスを超える性能?:
GF、12nm FD-SOIプロセス「12FDX」を発表
GLOBALFOUNDRIES(GF)が、22nmプロセスを用いたFD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ)のプラットフォーム「22FDX」の後継となる次世代FD-SOIプロセス「12FDX」を発表した。GFによると、「10nm FinFETプロセスを超える性能を提供することが可能」とし、2019年の製造開始を計画する。(2016/9/14)

福田昭のデバイス通信(87):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(東京エレクトロン編)
今回は、7nm世代以降の半導体製造プロセスで使わざるを得なくなるだろう「自己整合(セルフアライン)的なリソグラフィ技術」に触れる。その候補は3つ。東京エレクトロンのBen Rathsack氏が、3つの候補技術の現状を紹介した。(2016/9/9)

化学で論理回路を実現:
「タコ」なのか、柔らかロボを作り出す
米Harvard Universityの研究チームは、2016年8月24日、硬い部分を持たないタコ型のロボット「octobot」を試作したと発表。内部の化学反応によってエネルギーを得て自律的に動き、この化学反応が制御装置を兼ねていることが特徴だ。エンベデッド3Dプリント技術を応用して作り上げた。(2016/9/8)

福田昭のデバイス通信(86):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(ニコン編)
90nm世代から商業化が始まったArF液浸スキャナーだが、3xnm世代に入ると、解像力は限界に達する。そこで、コスト増というデメリットは伴うものの、マルチパターニングによって解像力の向上が図られてきた。加えて、7nm世代向けのArF液浸スキャナーでは新しいリソグラフィ技術の導入も必要だとされている。この場合、コスト面ではダブルパターニングと電子ビーム直接描画の組み合わせが有利なようだ。(2016/9/6)

福田昭のデバイス通信(85):
「SEMICON West 2016」、半導体露光技術の進化を振り返る(完結編その2)
KrFスキャナーの次に登場したのがArFスキャナーである。ArFスキャナーは90nm世代の量産から使われ始めた。さらに、ArFスキャナーの製品化と並行して「ポストArF」の開発が活発化する。ポストArFとして、F2エキシマレーザーあるいは軟X線を光源とする露光技術の開発が進んだが、そこに、もう1つの候補として急浮上したのがArF「液浸」スキャナーである。(2016/8/30)

福田昭のデバイス通信(84):
「SEMICON West 2016」、半導体露光技術の進化を振り返る(完結編その1)
今回は、半導体露光技術の歴史の完結編(その1)をお届けする。1996年ごろに本格的に導入され始めたKrFステッパーだが、既に2つの課題が浮上していた。光学系の開口数(N.A.)の向上の限界と、シリコンダイが大きくなり過ぎていたことだ。これらを解決する手段として登場したのが「スキャナー」である。(2016/8/23)

福田昭のデバイス通信(83):
「SEMICON West 2016」、半導体露光技術の進化を振り返る(後編)
今回はステッパー(縮小投影分割露光装置)の進化の歴史をたどる。1980〜1990年代半ばにかけて、g線ステッパーでは光学系の開口数(N.A.)が順調に向上し、i線ステッパーへと移行していく。その後、1996〜1997年になると、量産に使えるKrFレーザーステッパーが登場する。(2016/8/17)

EE Times Japan Weekly Top10:
「TV事業に固執する日本メーカー」に多くの同意
EE Times Japanで2016年8月5〜12日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2016/8/13)

福田昭のデバイス通信(82):
「SEMICON West 2016」、半導体露光技術の進化を振り返る(中編)
今回は、等倍一括露光から縮小分割露光への転換の歴史を紹介する。縮小分割露光は、光露光技術の画期的なブレークスルーであった。そしてこの技術は、ニコンが半導体露光装置メーカーの大手へと成長するきっかけにもなった。(2016/8/12)

福田昭のデバイス通信(81):
「SEMICON West 2016」、半導体露光技術の進化を振り返る(前編)
今回から、リソグラフィ技術のセッションの概要を紹介する。まずは、半導体露光技術の進化について解説したい。前半では主に、「コンタクト露光」から始まる等倍露光技術の発展の流れを見てみよう。(2016/8/9)

キヤノン FPA-3030EX6:
IoT関連機器やパワーデバイス向けの半導体露光装置
キヤノンは、アナログ/センサー/通信などのIoT関連機器やパワーデバイス向けに、半導体露光装置「FPA-3030EX6」の販売を開始した。(2016/8/4)

まだまだ光源に開発余地残るが:
2020年、5nm世代でEUV時代が到来か
ASMLは2016年4〜6月にEUV(極端紫外線)リソグラフィ装置を4台受注し、2017年には12台を販売する計画を明かした。これを受けて業界では、EUV装置によるチップ量産が、5nmプロセス世代での製造が見込まれる2020年に「始まるかも」との期待感が広がっている。(2016/7/26)

FAニュース:
直径200mm以下の小型基板に対応した半導体露光装置を発売
キヤノンは、アナログ/センサー/通信などのIoT関連機器やパワーデバイス向けに、半導体露光装置「FPA−3030EX6」を発売した。直径100/125/150/200mmのウエハーサイズが搬送可能で、解像力は150nmとなる。(2016/7/21)

サファイアやガラスなどの特殊基板にも対応:
200mm以下基板に対応したIoT向け半導体露光装置
キヤノンは2016年7月5日、IoT(モノのインターネット)機器に搭載され、市場拡大が見込まれるアナログ半導体やセンサー、通信デバイス向け半導体露光装置「FPA-3030EX6」の販売を開始した。(2016/7/7)



多くの予想を裏切り、第45代アメリカ合衆国大統領選挙に勝利。貿易に関しては明らかに保護主義的になり、海外人材の活用も難しくなる見込みであり、特にグローバル企業にとっては逆風となるかもしれない。

携帯機としても据え置き機としても使える、任天堂の最新ゲーム機。本体+ディスプレイ、分解可能なコントローラ、テレビに接続するためのドックといった構成で、特に携帯機としての複数人プレイの幅が広くなる印象だ。

アベノミクスの中でも大きなテーマとされている働き方改革と労働生産性の向上。その実現のためには人工知能等も含むITの活用も重要であり、IT業界では自ら率先して新たな取り組みを行う企業も増えてきている。