AMD、90ナノプロセッサにストレインド・シリコン製造技術採用

[IDG Japan]

　米AMDは、近く登場予定の90ナノメートルプロセッサと今四半期に出荷した130ナノメートルプロセッサに、ストレインド・シリコン製造技術を採用する。広報担当者が8月20日明らかにした。

　ストレインド・シリコンは、プロセッサ内部で電子の移動経路を広げるための半導体製造技術。多くの場合、シリコンゲルマニウム層をシリコンウェハーに挿入、両物質間の反応によって原子と原子の間隔を広げ、電子のチップ内移動を高速化させる。AMDのストレインド・シリコン計画に関する詳細は、Semiconductor Reporterで最初に伝えられた。

　Intel、IBMとも90ナノメートルプロセッサの製造にストレインド・シリコン技術を使っている。IBMはAMDと同様、シリコン・オン・インシュレータ（SOI）と呼ばれる付加技術を90ナノメートルプロセッサに採用している。

　SOIは、シリコン酸化物の層でコーティングされたシリコンウェハーの上にトランジスタを組み込む技術。AMDとIBMによれば、これは90ナノメートルプロセス世代で使われる薄型構造からの電流漏出を抑える一助となる。

　AMDは先日、90ナノメートルのモバイルプロセッサ「Oakville」をノートPCメーカー向けに出荷開始したことを明らかにしている（8月18日の記事参照）。90ナノメートル製造技術を採用したデスクトップおよびサーバ向けのプロセッサは9月までに出荷の見通し。

　90ナノメートルプロセスへの移行は、半導体メーカー各社が望んだほど順調には進んでいないが、約2年ごとに半導体の平均サイズを縮小するたび、業界がこうした経験をするのは通例となっている。ただAMDは、IBMとIntelが今年経験したような移行問題には見舞われていないと主張している。