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「22nmプロセス」最新記事一覧

2018年に7nmと12FDX立ち上げへ:
EUVと液浸、FinFETとFD-SOI、GFの強みは2点張り
2017年5月31日、来日したGLOBALFOUNDRIES(グローバルファウンドリーズ/GF)CMOSプラットフォーム事業部シニアバイスプレジデントのGregg Bartlett氏に7nm FinFET、12nm FD-SOIの開発状況などについてインタビューした。(2017/6/1)

技術開発の指針の役割は終えた?:
ムーアの法則、半導体業界はどう捉えるべきか(前編)
台湾Etron TechnologyのCEOであるNicky Lu氏は、「ムーアの法則」は、技術開発の方針としての役目を既に終え、ビジネス的な意味合いの方が強くなっていると述べる。半導体メーカーが今、ムーアの法則について認識すべきこととは何なのか。(2017/5/12)

「IRPS」で発表:
IBM、7nmプロセス向けの新しい絶縁材料を開発
IBMが7nmプロセス以降の技術に適用できる、新しい絶縁材料を開発したと発表した。SiBCNとSiOCNで構成され、動作電圧を向上させるとする。(2017/4/12)

機械学習に特化した「TPU」:
GoogleのAI用チップ、Intelの性能を上回ると報告
Googleが2016年に発表した、機械学習の演算に特化したアクセラレータチップ「TPU(Tensor Processing Unit)」が、IntelのCPUやNVIDIAのGPUの性能を上回ったという。Googleが報告した。(2017/4/7)

競合に対する優位性を示す?:
Intelが10nmプロセスの詳細を明らかに
Intelは2017年に10nmチップ製造を開始する予定だ。さらに、22nmの低電力FinFET(FinFET low power、以下22nm FFL)プロセスも発表した。GLOBALFOUNDRIESなどが手掛けるFD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)に真っ向から挑み、ファウンドリービジネスで競い合う。(2017/4/4)

Intelも加えた三つどもえ戦で:
Samsung、10nmプロセス技術開発でTSMCをリード
半導体分野のアナリストによると、10nmプロセスの開発では、Intel、Samsung Electronics、TSMCが三つどもえ戦を繰り広げているが、現在はSamsungが一歩先を行っているようだ。(2017/3/28)

FD-SOIを意識:
TSMCが7nmなど最新プロセスの開発状況を報告(前編)
TSMCは2017年3月15日(米国時間)にカリフォルニア州で開催したイベント「TSMC Technology Symposium」で、最先端プロセスの開発状況を報告した。その発表からは、FD-SOIプロセスへの対抗心が垣間見えた。(2017/3/23)

成都に100億ドル規模を投資:
GFが中国に工場建設、痛手を負うのは?
GLOBALFOUNDRIES(GF)が中国の成都に工場を建設する。巨額の資金を投じて半導体産業の強化を進める中国にとって、これは朗報だろう。では、痛手を被る可能性があるのは誰なのか。(2017/2/16)

高度に洗練された新世代CPU:
Kaby Lakeこと第7世代Coreプロセッサーを理解する
Intelから開発コードネーム「Kaby Lake」こと第7世代Coreプロセッサーの追加ラインアップが発表された。その概要とラインアップのポイントを解説する。(2017/1/5)

福田昭のデバイス通信(93):
「SEMICON West 2016」、Synopsysが予測する5nm世代のトランジスタ技術
Synopsysの講演では、5nm世代のトランジスタのシミュレーション評価結果が報告された。この結果からはFinFETの限界が明確に見えてくる。5nm世代に限らず、プロセスの微細化が進むと特に深刻になってくるのが、トランジスタ性能のばらつきだ。(2016/10/14)

Huamiのスマートウォッチ:
ソニー製チップの採用でFD-SOIへの関心高まる?
28nm FD-SOIプロセスを採用したソニーのGPSチップが、中国のスマートウォッチに搭載された。FD-SOIプロセスに対する関心が高まる可能性がある。(2016/10/6)

マルチに使える2in1:
PR:ビジネス仕様の10.1型タブレットがさらに進化――オプションで活用シーンが広がる「Endeavor TN21E」
オプションに一体型キーボードが加わり、2in1デバイスとしても活用できるようになった10.1型タブレット「Endeavor TN21E」が登場。ビジネスの現場でどのように役に立つのか、考えてみた。(2016/9/30)

プロセス微細化を精力的に進める:
TSMCの7nm FinFET、2017年4月には発注可能に?
TSMCは米国カリフォルニア州サンノゼで開催されたイベントで、7nm FinFETプロセス技術について言及した。3次元(3D)パッケージングオプションを強化して、数カ月後に提供を開始する計画だという。(2016/9/28)

“完成形”にこだわらず:
次世代不揮発メモリ、まずは出荷を――Everspin
次世代不揮発メモリは幾つか候補はあるものの、実用化には至っていないものも多い。MRAM(磁気抵抗メモリ)メーカーEverspin TechnologiesでCEOを務めるPhillip LoPresti氏は、“完成形”にこだわらず、まずは量産して市場に投入することが重要だと主張する。(2016/9/27)

ギガビット未満の混載MRAMもサポート:
GFの7nm FinFETプロセス、2018年にも製造開始へ
GLOBALFOUNDRIES(GF)が、7nm FinFETプロセスの開発計画を発表した。2018年後半には同プロセスでの製造を開始する予定だという。さらに、同じく2018年には、22nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)プロセスで製造するチップにおいて、ギガビット未満の低容量の混載MRAM(磁気抵抗メモリ)をサポートする予定だ。(2016/9/21)

2025年までは28nm FinFETが優勢だが:
半導体プロセス技術、開発競争が過熱
FinFETの微細化が進む一方で、FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)にも注目が集まっている。専門家によれば、2025年までは28nm FinFETプロセスが優勢だとするが、それ以降はFD-SOIが伸びる可能性もある。(2016/9/15)

10nm FinFETプロセスを超える性能?:
GF、12nm FD-SOIプロセス「12FDX」を発表
GLOBALFOUNDRIES(GF)が、22nmプロセスを用いたFD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ)のプラットフォーム「22FDX」の後継となる次世代FD-SOIプロセス「12FDX」を発表した。GFによると、「10nm FinFETプロセスを超える性能を提供することが可能」とし、2019年の製造開始を計画する。(2016/9/14)

福田昭のデバイス通信(86):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(ニコン編)
90nm世代から商業化が始まったArF液浸スキャナーだが、3xnm世代に入ると、解像力は限界に達する。そこで、コスト増というデメリットは伴うものの、マルチパターニングによって解像力の向上が図られてきた。加えて、7nm世代向けのArF液浸スキャナーでは新しいリソグラフィ技術の導入も必要だとされている。この場合、コスト面ではダブルパターニングと電子ビーム直接描画の組み合わせが有利なようだ。(2016/9/6)

買収から半年経過:
Alteraから「Intel FPGA」に向けて積極投資
2015年にFPGA大手Alteraを買収したIntel。2016年8月30日にIntelのFPGA事業を担当する幹部が来日し、今後の製品開発方針やIntelとしてのFPGA事業の位置付けなどについて語った。(2016/8/31)

この10年で起こったこと、次の10年で起こること(7):
Intelモバイル撤退の真相――“ARMに敗北”よりも“異端児SoFIA”に原因か
今回は、2016年5月に明らかになったIntelのモバイル事業からの撤退の真相を、プロセッサ「Atom」の歴史を振り返りつつ探っていく。「Intelは、ARMやQualcommに敗れた」との見方が強いが、チップをよく観察すると、もう1つの撤退理由が浮かび上がってきた。(2016/7/28)

EE Times Japan Weekly Top10:
「3nmまでいく」、IMECトップの見解に注目集まる
EE Times Japanで2016年6月4〜10日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2016/6/11)

最先端ICではFinFETが主流だが:
GLOBALFOUNDRIES、22nm以降のFD-SOI開発に着手
GLOBALFOUNDRIESは、22nmプロセスを用いたFD-SOIのプラットフォーム「22FDX」の後継プラットフォームを開発中だという。とはいえ、最先端ICの世界では、FinFETが主流だ。GLOBALFOUNDRIESは、アナログ/RF回路ではFinFETよりもFD-SOIが適していると、FinFETに比べた時の利点を主張する。(2016/5/31)

SYSTEM DESIGN JOURNAL:
SoC設計者がIPに関心を持つべきタイミング
SoCが自律走行車やIoTなどの分野に進出しようとしていますが、求められる要件は分野によって大きく異なります。その結果、SoC開発者がIP(Intellectual Property)を評価・統合する方法に変化が見られます。(2016/5/16)

この10年で起こったこと、次の10年で起こること(4):
「ムーアの法則」を超えた進化
Intelをはじめとした半導体メーカーは「ムーアの法則」に従うように、ほぼ2年に1度のペースで新たな微細プロセステクノロジーを導入し進化を続けてきた。しかし、近年は少しその様子が変わりつつある。特に台頭著しい新興メーカーは、独自のペースで進化を遂げてきている。(2016/4/26)

10nm以降もCMOSに注力:
Intel、「ムーアの法則は微細化の実現ではない」
「ISPD 2016」においてIntelは、10nmプロセス以降もCMOSに注力する考えであることを明らかにした。同社はそこで、ムーアの法則は微細化そのものというわけではなく、より多くのダイをウエハー上に形成することで利益を確保することだと、述べている。(2016/4/11)

古田雄介のアキバPickUp!:
メモリ価格の下落が続く――1枚16GBのDDR4メモリが7980円で衝撃デビュー!
Kingstonから1枚16GBのDDR4メモリが8000円切りで2種類登場。8GB×2枚のDDR4キットでも滅多にない水準の安さに衝撃が走っている。(2016/4/4)

USB 3.0ポートも追加:
ドスパラの新スティック型PC「Diginnos Stick DG-STK2S」はどこが進化した?
スティック型PCはホビー的な要素の強い製品だったが、今では低価格PCとして一定の地位を築きつつある。そんな中、サードウェーブデジノスからCherry Trail世代のIntel Atom x5-Z8300を搭載した新スティック型PC「Diginnos Stick DG-STK2S」が登場した。新モデルではどう変化したのかを中心にチェックする。(2016/3/7)

Cherry Trail世代に進化して何が変わった?:
最新スティック型PC、マウス「MS-CH01F」徹底比較
スティック型PCブームの火付け役であるマウスコンピューターがCherry Trail世代の「MS-CH01F」を発売。Bay Trail世代の製品と比較した。(2016/2/24)

Cherry Trail搭載タブレット:
低価格2in1デバイスは、10.1型と8.9型のどちらが買いか?
Cherry Trail世代のSoCを搭載した新「mouse」ブランドの低価格Windowsタブレット「MT-WN1001」と「WN892」を徹底レビュー。サイズの違いで何が変わる?(2016/2/4)

東芝など「全メモリで世界最高電力性能」:
STT-MRAMでSRAM比1/10以下の消費電力を達成
東芝と東京大学は2016年2月1日、「あらゆる種類のメモリと比べ世界最高の電力性能」というMRAMを開発したと発表した。(2016/2/2)

福田昭のデバイス通信 ISSCC 2016プレビュー(2):
トライクラスタのモバイル・プロセッサやフルHD12Ch処理SoCが登場
今回は、セッション4〜6のハイライトを紹介する。セッション4では、MediaTekが、ARMv8AアーキテクチャのCPUコアを10個内蔵するモバイル・プロセッサを披露する。動作周波数の違いによってCPUコアを3つのクラスタ(トライクラスタ)に分けているものだ。ルネサス エレクトロニクスは、フルHDのビデオ処理を12チャンネル実行する車載情報機器向けSoCを発表する。(2015/12/24)

Surface Pro 4完全検証(1):
「Surface Pro 4」の性能をSurface Pro 3/Surface 3と徹底比較する
正統進化を遂げた「Surface Pro 4」はパフォーマンス面でどれだけ進化したのか? 性能、動作音、発熱を「Surface Pro 3」「Surface 3」と横並びでじっくり比較する。(2015/12/6)

政府系ファンドのMubadala Development:
アブダビ、GLOBALFOUNDRIESを売却か
アラブ首長国連邦(UAE) アブダビの政府系ファンドであるMubadala Developmentが、GLOBALFOUNDRIESの売却を検討していると報道された。(2015/11/30)

破格の11.6型モデル:
SSD搭載でも5万円台!! 快適レスポンスの“お手軽”モバイルノートPC「LuvBook C」
最小構成なら3万円台という低価格が魅力の11.6型モバイルノートPC「LuvBook C」シリーズを試す。もうこれで十分だよね。(2015/10/21)

両社のCEOは兄弟:
中国VeriSiliconが米Vivanteを買収へ
中国のIPプロバイダーでカスタム半導体の設計サービスも手掛けるVeriSiliconは2015年10月12日、米GPU IPベンダーVivanteを買収すると発表した。買収を通じ、自動車市場でのビジネス強化などを図る方針。(2015/10/15)

対象は5000人の元IBM従業員なのか:
GLOBALFOUNDRIESが早期退職者を募集
GLOBALFOUNDRIESが、早期退職希望者を募集しているという。ただし、専門家によればファウンドリ市場はそれほど低迷していない。「早期退職募集の対象者は、IBMから移ってきた5000人の従業員なのではないか」と推測する報道機関もある。(2015/9/16)

SEMICON West 2015リポート(7):
ASMLがEUVリソグラフィ開発の最新状況を公表(4)〜次期主力機「NXE:3350B」の概要
今回は、ASMLのEUV(極端紫外線)露光装置の開発ロードマップを紹介する。次期主力機「NXE:3350B」は、16nmの解像を目標に開発が進んでいるという。「NXE:33x0」シリーズとしては、2016年には光源出力を250W、生産性を1500枚/日に向上させるなど、強気な目標を立てている。(2015/9/1)

SEMICON West 2015リポート(6):
ASMLがEUVリソグラフィ開発の最新状況を公表(3)〜EUV露光装置の開発史
今回は、EUV(極端紫外線)露光装置の開発の歴史を振り返ってみたい。ASMLが顧客向けに初めてEUV露光装置を出荷したのは2006年のことである。その後の約10年で、光源の出力やスループットはどのくらい向上しているのだろうか。(2015/8/28)

2018年には年間数十万ウエハーの生産を計画:
GLOBALFOUNDRIES、22nm FD-SOIの製造を2016年から開始
GLOBALFOUNDRIESは、2016年から22nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ)の生産を始めると発表した。2018年ごろには300mmウエハー換算で年間30万枚前後の規模で量産を行う計画で、14nm世代、10nm世代への微細化も検討する方針。(2015/7/14)

企業動向 テスト計測:
ヨコオが提携、WI製AFM方式プローバを販売
ヨコオは、Wafer Integration(WI)と提携した。WI製半導体電気特性評価システム向けAFM方式プローバ「DdProber」の販売と技術サポートをヨコオが行うことになった。(2015/7/14)

13インチモデルと比較:
新しい15インチMacBook Proはどのくらい速い? Windows編
後編ではWindows 8.1環境下で各種ベンチマークテストを実行し、新型15インチMacBook Pro上位モデルの性能を見ていく。(2015/7/1)

「ムーアの法則」から抜け出す時?:
GLOBALFOUNDRIES、22nm FD-SOIプロセスでの製造を2016年に開始か
GLOBALFOUNDRIESは、22nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ)プロセスの導入について、2016年末の量産開始を目指すという。同社は「28nm FinFETと同程度のコストで、14nm FinFETと同等の性能を実現できる」としている。(2015/6/25)

13インチモデルと比較:
新しい15インチMacBook Proはどのくらい速い?
外部GPUにRadeon R9 M370Xを採用した新型15インチMacBook Proの性能をベンチマークテストでチェック。SSDはえー……。(2015/6/24)

第5世代Core×M.2 SSD×IGZO液晶:
クラシカルなスタイルと最新テクノロジーが同居する高コスパモバイル――「LuvBook J」を駆る
「LuvBook J」は、第5世代CoreやM.2 SSDといった最新技術を盛り込みつつ、薄型化・軽量化よりも使いやすさにこだわった13.3型モバイルノートだ。(2015/6/5)

COMPUTEX TAIPEI 2015:
緊急現地検証! “Hでくせの強い”Broadwellの実力を「Core i7-5775C」で試す
「ええ! ここでいまやるの? きーてないなぁー」と人気番組で定番のセリフを口にしつつ、台北にあるホテルの一室でベンチマークテストを走らせるのであった。(2015/6/4)

福田昭のデバイス通信(26):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(15)〜オンチップSRAMのスケーリング問題
今回は、SRAMの微細化について触れる。16/14nm世代までは微細化が順調に進んできたが、数多くの課題が存在する。周辺回路を縮小しにくいことが、その1つとして挙げられる。(2015/5/29)

VAIO Z/Pro 13と横並び比較:
「VAIO Z Canvas」の圧倒的パフォーマンスを徹底検証する
数あるPCブランドでも高性能なモバイルPCに定評あるVAIO。モンスタータブレットこと「VAIO Z Canvs」は、既存の「VAIO Z」や「VAIO Pro 13」といった人気モデルに比べてどれくらいの性能を実現できているのだろうか? 横並びで徹底検証した。(2015/5/22)

福田昭のデバイス通信(23):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(12)〜トランジスタ構造の展望
今回は、トランジスタ構造の展望を、2つの軸に沿って見ていこう。1つ目はプレーナFETからFinFETへの移行、2つ目は14nm世代から5nm世代にかけてのトランジスタ仕様である。FinFETの登場は、プレーナFETにはなかった新たな課題をもたらしている。(2015/5/18)

VLSIシンポジウム 2015 プレビュー(4):
回路技術の注目論文〜プロセッサ、メモリ、バイオの最新チップ
今回紹介するのは、高性能プロセッサ、16nm FinFETを適用した連想メモリ、1600万画素の3次元積層CMOSイメージセンサーなどである。プロセッサでは、クロック分配技術や、Intelの「Broadwell」に関する論文について説明があった。(2015/5/8)

EE Times Japan Weekly Top10:
10nm、7nm、さらにその先へ――プロセス技術に高い関心
EE Times Japanで2015年4月18〜24日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/4/30)



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意欲的なメディアミックスプロジェクトとしてスタートしたものの、先行したスマホゲームはあえなくクローズ。しかしその後に放映されたTVアニメが大ヒットとなり、多くのフレンズ(ファン)が生まれた。動物園の賑わい、サーバルキャットの写真集完売、主題歌ユニットのミュージックステーション出演など、アニメ最終回後もその影響は続いている。

ITを活用したビジネスの革新、という意味ではこれまでも多くのバズワードが生まれているが、デジタルトランスフォーメーションについては競争の観点で語られることも多い。よくAmazonやUberが例として挙げられるが、自社の競合がこれまでとは異なるIT企業となり、ビジネスモデルレベルで革新的なサービスとの競争を余儀なくされる。つまり「IT活用の度合いが競争優位を左右する」という今や当たり前の事実を、より強調して表現した言葉と言えるだろう。