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「フラッシュメモリ」最新記事一覧

真のコスト競争力を発揮する:
「3D NANDのスイートスポットは64層」 WDが主張
Western Digital(WD)のメモリ技術担当者は、2D NAND型フラッシュメモリに比べて、真のコスト競争力を発揮できる3D NANDフラッシュの積層数は、現在のところ64層だと語る。(2017/6/22)

爆発的に増えるデータ量:
PR:完全自動運転車に1TBのフラッシュメモリが必要になる理由
自動運転技術の進化に合わせて、自動車に搭載するフラッシュメモリの容量が増えていく。これまではカーナビゲーションシステムなどの車載情報機器だけに使われていたが、自動運転を行うAIや安全確保のためのブラックボックスなどにも用いられるようになる。完全自動運転車では1台当たり1テラバイト(TB)のフラッシュメモリが必要になるという。(2017/6/20)

米州裁に暫定的な仲裁求める:
WD、東芝の合弁事業売却に対し差し止め請求
Western Digital(ウエスタンデジタル/WD)は米国カリフォルニア州上級裁判所に、東芝とのNAND型フラッシュメモリ合弁事業の売却差し止めを申し立てた。(2017/6/15)

車載半導体:
ウエスタンデジタル、コネクテッドカーのデータ量増加に向けたNANDフラッシュ
ウエスタンデジタルは、車載向けのNANDフラッシュメモリの新製品「iNAND 7250A」を発表した。自動運転車やコネクテッドカーで、扱うデータ量が増加し、長期間にわたって適切にデータを保存する重要性が増すことに対応している。(2017/6/15)

製品選定前に読んでおきたい基礎技術 NVMe編
I/O至上主義は危険? 見過ごしている、フラッシュデバイスの真の性能指標とは
SSDをはじめとするフラッシュデバイスの真価を発揮させるために必要な考え方とは。その中身であるNANDフラッシュメモリのこれまでの歴史、IOPSの有効性、本当に重要な性能指標とは何かについて解説する。(2017/6/15)

生産への影響ない:
東芝がWDに対抗策、半導体事業の資産を本体に戻す
東芝が、フラッシュメモリ生産で提携するWestern Digital(WD)との合弁会社から、生産設備関連の資産を東芝本体に移管したことが明らかになった。(2017/6/1)

サンプル出荷を開始:
64層TLCで1024GB容量M.2 SSDを製品化 東芝メモリ
東芝メモリは2017年5月29日、NVM Express(NVMe)SSDの新製品として、64層積層の3ビット/セル(TLC)の3次元(3D)NAND型フラッシュメモリを用い最大容量1024Gバイトを実現した「XG5シリーズ」のサンプル出荷を開始した。(2017/5/29)

「NVMeへの移行は必然」:
Intel、データセンター向け3D NAND NVMe SSDを発表
Intelがデータセンター向けに、3D(3次元) NAND型フラッシュメモリを搭載したSSDを2品種発表した。プロトコルにはNMVe(Non-Volatile Memory Express)を採用している。(2017/5/16)

2017年内にも製品化:
産業向けの3D NAND搭載SSD、ハギワラソリューションズが展示
ハギワラソリューションズは、「第20回 組込みシステム開発技術展(ESEC2017)」で、3D NANDフラッシュメモリを搭載した2.5インチSATA SSDのプロトタイプを展示した。2017年内の製品化を目指すという。(2017/5/11)

前年比20%の120億ドルに:
Intel、3Dメモリの生産拡大に向け設備投資を増加
Intelが、3D(3次元) NAND型フラッシュメモリや「3D XPoint」メモリの生産拡大に向け、設備投資を増加する。Intelの不揮発メモリソリューショングループは、最も規模が小さい事業部門でありながら、売上高では高い成長率を記録している。(2017/5/11)

2017年第2四半期に:
Samsungの売上高がIntelを超える可能性も
DRAMとNANDフラッシュメモリの価格が上昇していることから、2017年第2四半期(4〜6月期)におけるSamsung Electronicsの売上高が、Intelを超える可能性が出てきた。(2017/5/8)

サイプレス 組み込みフラッシュメモリ内蔵LSI:
低消費電力の組み込みフラッシュメモリ内蔵LSI
サイプレスセミコンダクタと中国のShanghai Huali Microelectronics Corporationは、SONOS型フラッシュメモリIPと55nm低消費電力(LP)プロセス技術を活用した、低消費電力の組み込みフラッシュメモリ内蔵LSIの初期生産を開始した。(2017/5/2)

2017年後半に量産開始予定:
SK Hynixが72層256Gb 3D NANDフラッシュを開発
SK Hynixが72層の256ビット3D(3次元)NAND型フラッシュメモリを開発したと発表した。同社は2016年から、36層128Gビット3D NANDフラッシュの発表や、48層256Gビット3D NANDフラッシュの量産開始など、3D NANDフラッシュの開発を加速している。(2017/4/17)

低コスト・大容量キャッシュを実現
今だから再評価すべき、DIMMスロットに装着するフラッシュメモリ「Memory1」
DIMMスロットに装着できるDDR4互換のフラッシュメモリ「Memory1」。この製品のメリットとは何か。ビッグデータ時代の今こそ、Memory1を再評価すべきかもしれない。(2017/4/11)

3D NANDの低コスト化に弾み:
10nm向けナノインプリント用テンプレートを量産開始
大日本印刷(DNP)は、3次元構造のNAND型(3D NAND)フラッシュメモリの需要増加と低コスト化に対応するため、回路線幅が10nm台のナノインプリント用テンプレートの複製装置を2017年3月に導入する。(2017/2/27)

製造マネジメントニュース:
東芝のメモリ事業子会社は「東芝メモリ」、2016年度内の売却は諦める
東芝は、フラッシュメモリを中心とするメモリ事業を「東芝メモリ株式会社」として2017年4月1日に分社化する。原子力発電事業の大幅な減損による債務超過に苦しむ同社はメモリ事業を売却する方針を示しているが、この売却は2016年度末までに行わず「2017年度のなるべく早い段階での決定を目指す」(同社)という。(2017/2/24)

東芝、64層512Gbの3次元NANDフラッシュをサンプル出荷
東芝の3次元NANDフラッシュメモリ「BiCS FLASH」シリーズに、64層積層プロセスの512Gb品が追加。サンプル出荷が始まった。(2017/2/23)

2017年4月には1Tバイト品も:
東芝、64層 512Gbの3D NANDをサンプル出荷開始
東芝は2017年2月22日、64層積層プロセスを用いた512Gビット(Gb)の3D NANDフラッシュメモリ「BiCS FLASH」のサンプル出荷を2017年2月上旬に開始したことを発表した。(2017/2/22)

製造マネジメント メルマガ 編集後記:
技術の火をつなぐという考え
東芝のフラッシュメモリ事業売却は、あながち悪い話ではないのかもしれません。(2017/2/21)

開発センターも併設:
東芝、3D NANDフラッシュの新製造棟を建設開始へ
東芝が、3次元(3D)NANDフラッシュメモリ「BiCS FLASH」の生産拡大に向け、四日市工場の新製造棟(第6製造棟)の起工式を行った。第1期の完成は2018年夏になる見込み。3D NANDフラッシュや新規メモリの開発を行う開発センターも、第6製造棟に隣接して建設される。(2017/2/9)

ウエスタンデジタル:
512Gbの64層3D NANDを試験生産――四日市工場で
ウエスタンデジタルは2017年2月、64層構造の3D NAND型フラッシュメモリ(BiCS3)で容量が512Gビットの製品を開発し、三重県の四日市工場で試験生産を始めたと発表した。(2017/2/8)

AEC-Q100規格に準拠:
NORフラッシュの製品拡充、車載やIoT機器向け
Cypress Semiconductor(サイプレス セミコンダクタ)は、Quad SPI搭載のNOR型フラッシュメモリ「FL-L」ファミリーとして、64Mビット品と128Mビット品を新たに追加した。(2017/1/30)

東芝、フラッシュメモリ事業を3月末に分社化へ
東芝がフラッシュメモリ事業を3月31日をめどに分社化する方針を決めた。(2017/1/27)

東芝、フラッシュメモリ事業の分社検討 「Western Digitalと合弁交渉」報道にコメント
東芝は、フラッシュメモリ事業の分社化を検討していると発表した。(2017/1/18)

サイプレス eCTフラッシュメモリ内蔵マイコン:
40nm eCTフラッシュ搭載MCU、量産開始
サイプレス セミコンダクタは、同社の「40nm eCT(Embedded Charge-Trap)」フラッシュメモリを搭載したマイコン(MCU)を発表した。従来製品に比べて25%小型化している。(2017/1/16)

STマイクロ STM32F413など:
最大1.5Mバイトのフラッシュを内蔵したマイコン
STマイクロエレクトロニクスは、最大1.5Mバイトのフラッシュメモリと320Kバイトのメモリを内蔵した、32ビットマイコン「STM32F413」「STM32F423」を発表した。(2017/1/5)

3D XPointの実用化は未定でも:
Micronが好調、順調な3D NAND開発が高評価
Micron Technology(マイクロン・テクノロジー)の2017会計年度第1四半期の業績は、金融アナリストからはおおむね評価されたようだ。とりわけ、3D NANDフラッシュメモリ技術開発への評価が高いようである。(2017/1/5)

16/14nmマイコンへの混載に向け:
ルネサス、フィン構造のMONOSフラッシュを開発
ルネサス エレクトロニクスが、フィン構造を採用したSG(Split-Gate型)-MONOSフラッシュメモリセルの開発に成功したと発表した。フィン構造としたことで、FinFETなど先端のロジックプロセスとの親和性が高くなり、次世代の16nm/14nm世代マイコンに混載できるようになる。(2016/12/7)

「ET 2016」開催直前取材::
高信頼性に特化した産業用NANDフラッシュ制御IC
TDKは2016年11月14日、パラレルATAに対応した産業用向けNAND型フラッシュメモリ制御IC「GBDriver RA9シリーズ」を発表した。同製品は、2016年11月16〜18日にパシフィコ横浜で開催される「Embedded Technology 2016」「IoT Technology 2016」に展示する。(2016/11/15)

建設スケジュール決定:
東芝、新NAND製造棟(1期)完成は2018年夏
東芝は2016年11月8日、既に建設を決めていたNAND型フラッシュメモリ製造拠点「四日市工場新製造棟」(三重県四日市市)の建設スケジュールを発表した。(2016/11/8)

256KBのフラッシュメモリを内蔵:
消費電流3.6mAのBLE4.2対応IC、東芝が参考展示
東芝は、「CEATEC JAPAN 2016」(2016年10月4〜7日/幕張メッセ)で、Bluetooth Low Energy 4.2対応のICを展示している。業界最高クラスのピーク電流3.6mAを実現。また、256Kバイトのフラッシュメモリを内蔵し、スタンドアローンでの動作が可能になっているという。(2016/10/7)

ホワイトペーパー:
Computer Weekly日本語版:Watsonが企業にやってくる
特集は、導入事例が増えてきたWatson。その導入方法と問題点を紹介する。他に、Lync改めSkype for Businessの現状、フラッシュメモリを時代後れにする新メモリ技術の解説、売り上げが減少したOracleやJavaScriptの課題解決のトレンドを紹介する。(2016/8/29)

相変化メモリの課題が解決
フラッシュメモリより高速な不揮発性メモリ「PCM」がいよいよ実用化
フラッシュメモリより高速で1万倍の耐久力があり、DRAMより低コストで不揮発性。それが相変化メモリ(PCM)だ。フラッシュストレージよりさらに高速なストレージが、もうすぐ登場するかもしれない。(2016/8/9)

世界初、64層の3次元NANDフラッシュをサンプル出荷 東芝
東芝は、64層の3次元NANDフラッシュメモリを開発し、世界で初めてサンプル出荷を始めたと発表した。(2016/7/28)

256Gビット 3ビットセル:
東芝、64層の3D NANDをサンプル出荷 「世界初」
東芝は2016年7月26日、64層の3次元構造のNAND型フラッシュメモリ(3D NAND)「BiCS FLASH」のサンプル出荷を開始すると発表した。256Gビット 3ビットセルチップで、今後はチップ単体で0.5Tビットの製品まで提供予定。量産出荷は、2016年第4四半期に開始する見込みという。(2016/7/27)

5V動作時に1端子当たり最大56mAを出力:
フラッシュ内蔵マイコン、LED駆動に対応
セイコーエプソンは、16ビットフラッシュメモリ内蔵マイコン「S1C17M13」のサンプル出荷を始めた。最大56mAのLED駆動に対応する回路を搭載している。FA機器や住宅設備機器のLED表示付き制御パネル用途に向ける。(2016/7/21)

WDは不正会計問題についても言及:
東芝、3D NANDで世界獲るには「量産が課題」
東芝とウエスタンデジタルコーポ―レーションは、新製造棟「東芝四日市工場新第2製造棟(N-Y2)」の完成に伴い、3次元構造のNAND型フラッシュメモリに関する事業計画について説明した。(2016/7/20)

2016年上期に64層品のサンプル出荷を開始予定:
東芝とWD、18年までに3D NANDに約1.4兆円投資へ
東芝とウエスタンデジタルコーポ―レーション(WD)は2016年7月15日、3次元構造のNAND型フラッシュメモリを製造する四日市工場新第2製造棟「N-Y2」(三重県四日市市)の完成イベントを開催した。(2016/7/15)

福田昭のストレージ通信 Micronが考えるメモリシステムの将来(2):
クルマの厳しい要求仕様に応えるDRAMとフラッシュメモリ
今回は、自動車のエレクトロニクスシステム、具体的には、ADAS(先進運転支援システム)およびクラスタ・ダッシュボード、車載インフォテインメントで使われるメモリを解説する。さらに、これらのメモリの5年後のロードマップも見ていこう。(2016/7/4)

SanDisk、iPhone 6/6sのフラッシュメモリ内蔵ケースを発売 32GBが60ドルから
SanDiskがiPhone 6/6s向けのフラッシュメモリ内蔵ケース「iXpand Memory Case」を発表した。最大容量は128GB(130ドル)。本体のLightningポートに接続し、専用アプリで管理する。別売のバッテリーパックも追加できる。(2016/6/24)

フラッシュメモリのフォームファクタ、インタフェースなどを解説
SSDを購入、その前に知っておきたい最新メモリ技術と“価格問題”
従来のストレージでは解決できなかったサーバサイドストレージの諸問題が最新のフラッシュストレージで解決できる。しかし、そのためにはフラッシュメモリに関する最新知識の習得が必須だ。(2016/6/15)

MAX 10 FPGAで学ぶFPGA開発入門(11):
「MAX 10 NEEK」でストップウォッチを開発し、内蔵メモリから起動する
アルテラのFPGA「MAX 10」を搭載した開発ボード「MAX 10 NEEK」にはLEDやフラッシュメモリなどの各周辺機器が備えられている。今回はLEDを使ったストップウォッチを開発し、内蔵メモリから起動する。(2016/6/14)

堅牢なインフラを設計するために
フラッシュメモリでIoT分析がやっぱり正解な理由
IoT(モノのインターネット)に寄せられる高い期待に応えるため、クラウドベースの各種サービスが成熟化しつつある。だが、新たな課題も生まれている。(2016/6/9)

セイコーエプソン S1C17Wシリーズ:
多機能デジタル時計に最適なLCDドライバ搭載のフラッシュメモリ内蔵マイコン
セイコーエプソンは、低消費電力の16ビットフラッシュメモリ内蔵マイコン「S1C17W」シリーズの新製品「S1C17W34」「S1C17W35」「S1C17W36」を開発した。(2016/5/18)

差異化は難しくても:
DRAM、過酷な温度環境への対応で生き残る
3D NAND型フラッシュメモリや次世代不揮発性メモリの開発が進む中、DRAMはどのような方向に発展していくのだろうか。米Virtiumは、過酷な稼働環境への対応がその1つだと述べる。(2016/5/16)

セイコーエプソン S1C17M10:
動作電流が従来比50%低減した16ビットフラッシュメモリ内蔵マイコン
セイコーエプソンは、低消費電力の16ビットフラッシュメモリ内蔵マイコン「S1C17M10」のサンプル出荷を開始した。(2016/5/2)

セイコーエプソン S1C17W34/S1C17W35/S1C17W36:
LCDドライバー搭載のフラッシュメモリ内蔵マイコン
セイコーエプソンは、低消費電力の16ビットフラッシュメモリ内蔵マイコン「S1C17W」シリーズの新製品として、「S1C17W34」「S1C17W35」「S1C17W36」を開発した。(2016/4/27)

セイコーエプソン S1C17M10:
動作電流半減したフラッシュメモリ内蔵マイコン
セイコーエプソンは、低消費電力の16ビットフラッシュメモリ内蔵マイコン「S1C17M10」のサンプル出荷を開始した。カードリーダー型トークン向けで、従来品に比べて動作電流が50%低減し、動作速度は4倍の高速設定が可能になったという。(2016/4/20)

ESEC2016 開催直前情報:
フラッシュメモリとマイコンで東芝がIoTの新たなユースケースを提案
東芝 ストレージ&デバイスソリューション社が「ESEC2016」「第5回 IoT/M2M展」にて、「FlashAir」「ビジネス向けNFC搭載SDカード」やマイコン「TXZファミリー」を紹介。フラッシュメモリとマイコンでIoTの新たなユースケースを提案する。(2016/4/19)

電子ブックレット:
3D NANDフラッシュの競争は激化へ
EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、Micron Technologyが「ISSCC 2016」で発表した68Gビットの3次元(3D)NAND型フラッシュメモリについて紹介します。(2016/4/14)



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意欲的なメディアミックスプロジェクトとしてスタートしたものの、先行したスマホゲームはあえなくクローズ。しかしその後に放映されたTVアニメが大ヒットとなり、多くのフレンズ(ファン)が生まれた。動物園の賑わい、サーバルキャットの写真集完売、主題歌ユニットのミュージックステーション出演など、アニメ最終回後もその影響は続いている。

ITを活用したビジネスの革新、という意味ではこれまでも多くのバズワードが生まれているが、デジタルトランスフォーメーションについては競争の観点で語られることも多い。よくAmazonやUberが例として挙げられるが、自社の競合がこれまでとは異なるIT企業となり、ビジネスモデルレベルで革新的なサービスとの競争を余儀なくされる。つまり「IT活用の度合いが競争優位を左右する」という今や当たり前の事実を、より強調して表現した言葉と言えるだろう。