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「フラッシュメモリ」最新記事一覧

セイコーエプソン S1C17Wシリーズ:
多機能デジタル時計に最適なLCDドライバ搭載のフラッシュメモリ内蔵マイコン
セイコーエプソンは、低消費電力の16ビットフラッシュメモリ内蔵マイコン「S1C17W」シリーズの新製品「S1C17W34」「S1C17W35」「S1C17W36」を開発した。(2016/5/18)

差異化は難しくても:
DRAM、過酷な温度環境への対応で生き残る
3D NAND型フラッシュメモリや次世代不揮発性メモリの開発が進む中、DRAMはどのような方向に発展していくのだろうか。米Virtiumは、過酷な稼働環境への対応がその1つだと述べる。(2016/5/16)

セイコーエプソン S1C17M10:
動作電流が従来比50%低減した16ビットフラッシュメモリ内蔵マイコン
セイコーエプソンは、低消費電力の16ビットフラッシュメモリ内蔵マイコン「S1C17M10」のサンプル出荷を開始した。(2016/5/2)

セイコーエプソン S1C17W34/S1C17W35/S1C17W36:
LCDドライバー搭載のフラッシュメモリ内蔵マイコン
セイコーエプソンは、低消費電力の16ビットフラッシュメモリ内蔵マイコン「S1C17W」シリーズの新製品として、「S1C17W34」「S1C17W35」「S1C17W36」を開発した。(2016/4/27)

セイコーエプソン S1C17M10:
動作電流半減したフラッシュメモリ内蔵マイコン
セイコーエプソンは、低消費電力の16ビットフラッシュメモリ内蔵マイコン「S1C17M10」のサンプル出荷を開始した。カードリーダー型トークン向けで、従来品に比べて動作電流が50%低減し、動作速度は4倍の高速設定が可能になったという。(2016/4/20)

ESEC2016 開催直前情報:
フラッシュメモリとマイコンで東芝がIoTの新たなユースケースを提案
東芝 ストレージ&デバイスソリューション社が「ESEC2016」「第5回 IoT/M2M展」にて、「FlashAir」「ビジネス向けNFC搭載SDカード」やマイコン「TXZファミリー」を紹介。フラッシュメモリとマイコンでIoTの新たなユースケースを提案する。(2016/4/19)

電子ブックレット:
3D NANDフラッシュの競争は激化へ
EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、Micron Technologyが「ISSCC 2016」で発表した68Gビットの3次元(3D)NAND型フラッシュメモリについて紹介します。(2016/4/14)

前途多難なのか:
“メモリ大国”を目指す中国(前編)
中国がメモリ技術の開発に注力している。中国のファウンドリーであるXMCは、「3D NAND型フラッシュメモリでSamsung Electronicsに追い付く」と、非常に積極的な姿勢を見せている。(2016/4/14)

HDDのI/O処理を根本的に解決するには?
種類別フラッシュストレージ総まとめ 失敗しないための選択眼を養う
HDDのI/Oボトルネックを解決する方法として注目を集めるフラッシュストレージ。多くの製品選択肢があるが、フラッシュメモリの特長を最大限に生かしきれていない製品もある。それぞれの特徴を知り、選択眼を養おう。(2016/4/5)

iPhoneのストレージ容量に悩むアナタへ、ハイレゾ音源400曲を持ち歩けるLightning接続の小型ストレージがラディウスから
ラディウスはLightningコネクター接続の小型ストレージ「AL-LCSシリーズ」を4月中旬に発売する。フラッシュメモリを内蔵した音楽用外付けストレージ。32GBと64GBをラインアップしている。(2016/3/31)

中国半導体業界のマイルストーンに?:
中国XMCが3D NANDフラッシュ工場建設ヘ
中国のファウンドリー企業であるXMCが、3次元NAND型フラッシュメモリを製造する工場の建設に2016年3月中にも着手するという。(2016/3/28)

3年間で約3600億円を投資へ:
東芝、3D NAND新工場建設を決定
東芝は2016年3月17日、3次元構造のNAND型フラッシュメモリ専用工程に対応する新工場建設を決めた。(2016/3/17)

福田昭のデバイス通信 ARMが語る、最先端メモリに対する期待(4):
メモリ・アーキテクチャの基礎
今回は、NANDフラッシュメモリ登場後のメモリ・アーキテクチャを見ていきながら、「CPUのメモリに対する要求」を考えていく。(2016/2/26)

ADAS、デジタルクラスター、インフォテイメントシステムなど:
PR:車載向けアプリケーションに今求められるのは大容量で高速起動が可能なフラッシュメモリ
自動車でのNOR型フラッシュ メモリの用途が拡大している。特にAdvanced Driving Assistant System(ADAS:先進運転支援システム)や、デジタル インスツルメント クラスターでのNOR型フラッシュ メモリの需要が急激に拡大している。それら車載用途の特性とNOR型フラッシュ メモリの適用範囲を紹介していこう。(2016/2/18)

工場ニュース:
半導体新製造棟の建設に備え、四日市工場の敷地を拡張
東芝は、需要拡大が見込まれる3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」新製造棟の建設に備え、四日市工場の隣接地取得を決定した。取得面積は約15万平方メートル、取得費用は約30億円となる予定だ。(2016/2/17)

Micronが「ISSCC 2016」で768Gビット品を発表:
3D NANDフラッシュの競争は激化へ
Micron Technologyは「ISSCC 2016」で、3ビット/セルのフローティングゲート方式を適用した、768Gビットの3次元(3D)NAND型フラッシュメモリを発表した。読み出し速度は、800Mバイト/秒だという。3D NANDフラッシュの競争が激化することが予想される。(2016/2/9)

64層3D NANDで売価下落に対抗へ:
東芝、赤字転落の半導体事業は自主再建
東芝の電子デバイス部門の2015年度(2016年3月期)業績は、550億円の営業赤字を計上する見込みとなった。前年度に比べ2716億円減という大幅減益だ。NAND型フラッシュメモリ(NANDメモリ)事業を除き、ディスクリート、システムLSI、ストレージの3事業で赤字となり、事業構造の見直しを実施する。さらに2015年後半からの売価下落で利益幅が縮小しているNANDメモリも、高集積品の開発を急ぎ価格競争力を高めるなどし、電子デバイス事業として2016年度の黒字転換を目指す。(2016/2/5)

次世代車載マイコンに適用へ:
ルネサス 90nm BCDプロセス混載可能なフラッシュ
ルネサス エレクトロニクスは2016年2月3日、90nm世代のBCDプロセスに混載可能なフラッシュメモリ技術を開発したと発表した。豊富なアナログ/パワー回路を備えたBCDプロセス採用マイコンにフラッシュメモリを搭載できるようになる。(2016/2/3)

30億円で隣接地を取得:
東芝、3D NAND製造用に四日市工場の敷地を拡張
東芝は、3次元NAND型フラッシュメモリの製造に向け、四日市工場の敷地を拡張すべく、同工場の隣接地を取得すると発表した。(2016/2/2)

福田昭のデバイス通信 ISSCC 2016プレビュー(3):
シングルダイの記憶容量が100Gバイトに近づく半導体メモリ
セッション7のテーマは「不揮発性メモリのソリューション」だ。マイクロンジャパンとMicron Technology、Intelの共同チームが、768Gビットと極めて大きな記憶容量のNANDフラッシュメモリを発表するなど、注目の論文が相次ぐ。(2015/12/25)

東芝、「NANDフラッシュ事業分社化へ、上場検討」報道にコメント
東芝は、同社がNANDフラッシュメモリ事業を分社化し、株式を上場させる方向で検討に入ったと伝えた一部報道にコメントした。(2015/12/18)

STマイクロエレクトロニクス ST33J2M0:
2Mバイトのメモリ内蔵、IoT向けセキュアマイコン
STマイクロエレクトロニクスは、ARM SecurCore SC300プロセッサを搭載した32ビットセキュアマイコンシリーズの最新製品「ST33J2M0」を発表した。業界最大のフラッシュメモリ容量を内蔵し、組み込み暗号化アクセラレータで、最速のクロック速度を可能にする。(2015/12/10)

調査リポート:
国内のフラッシュストレージ市場が急成長――その要因は?
IDCジャパンは、国内のエンタープライズ向けストレージシステムの市場実績と2019年までの予測を発表した。フラッシュメモリを利用したストレージの2014年の売上高は対前年比58.1%増の137億8000万円で、2015年は同42.5%増の196億3600万円を見込む。2014〜2019年の年間平均成長率は27.1%で、2019年には457億4500万円に達すると予測する。(2015/11/25)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(8):
折り曲げ可能なNANDフラッシュメモリ
カンファレンス2日目に予定されているセッション19〜21の内容を紹介しよう。セッション19では、折り曲げ可能なX線イメージング技術や、折り曲げ可能なNANDフラッシュメモリなど、さまざまなフレキシブルエレクトロニクス技術に関する講演が行われる。折り曲げ可能なNANDフラッシュメモリは、韓国の研究チームが発表するもので、30万回折り曲げた後でも、安定した電気接続を維持したという。(2015/11/20)

SATA Gen3に対応した制御ICを新たに開発:
MLC、pSLCフラッシュに対応した産業用SSD、TDK
TDKは、CFastカード形状の産業用SSD「CAS1Bシリーズ」の発売を2016年1月から開始すると発表した。同製品は、SATA Gen3に対応したNAND型フラッシュメモリ制御IC「GBDriver GS1」を搭載。信頼性を確保するとともに、高容量かつ堅牢なカード形状を実現したという。(2015/11/17)

128Tバイト書き込み保証の産業用メモリ、サンディスクが発売
サンディスクが128Tバイトの書き込みを保証する産業用フラッシュメモリを発売する。SD/microSDとe.MMCを用意し、拡大するインダストリアルIoT市場に向けて投入する。(2015/11/12)

コード実行とデータ保存の効率と柔軟性を向上:
256Mb NORフラッシュ、セクタサイズを4KBに統一
サイプレス セミコンダクタは、セクタサイズ(最小記録単位)を4Kバイト(4KB)に統一した、クワッドSPI(Serial Peripheral Interface)搭載の256MビットNOR型フラッシュメモリを発表した。ビデオゲーム機器やADAS(先進運転支援システム)、車載計器クラスタなどの用途に向ける。(2015/11/12)

エレクトロニクス技術の今をまとめ読み:
フラッシュメモリの最新動向
「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2015年11月号をご紹介。特集記事では、2015年8月に開催された「フラッシュメモリサミット」の講演を基に、フラッシュメモリの最新動向をお届けします。(2015/11/9)

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版:
フラッシュメモリの現在――電子版11月号
「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2015年11月号を発行しました。Cover Storyは、次世代技術が活発に登場してきているフラッシュメモリの最新動向を紹介する「フラッシュメモリの現在」です。その他、2015年10月に行われた「CEATEC JAPAN 2015」のリポート記事や、Appleの最新スマートフォン「iPhone 6s」の分解記事などを掲載しています。(2015/11/9)

TechTargetジャパン プレミアムコンテンツ
第3のフラッシュメモリ登場でSSDが安くなる(CW日本語版)
ダウンロード無料のPDFマガジン「Computer Weekly日本語版」提供中!(2015/11/7)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(3):
3D NANDフラッシュの物理解析が進む
今回はセッション4〜6の講演を紹介する。セッション4では、人間の脳をモデルにした計算アーキテクチャなどが焦点となる。セッション5では3D NAND型フラッシュメモリ関連の発表が行われ、セッション6ではIGZO材料による20nmノードの高周波FETなどが発表される予定だ。(2015/11/6)

TechTargetジャパン プレミアムコンテンツ
第3のフラッシュメモリでSSDが安くなる(CW日本語版)
ダウンロード無料のPDFマガジン「Computer Weekly日本語版」提供中!(2015/11/1)

最新記事ランキングから編集部おすすめ記事を紹介
フラッシュメモリの劣化をできれば止めたい
利用場面が急速に拡大しているフラッシュメモリですが、そのメリットを享受するためには劣化に十分注意する必要があるそうです。最新記事ランキングから編集部おすすめ記事を紹介します。(2015/10/30)

マシンでも働きすぎは深刻な問題に
フラッシュメモリが“過労死”? VMwareとMicrosoftの仮想環境が心配だ
米VMwareのハイパーバイザーや米Microsoftの「Hyper-V」では、フラッシュメモリを酷使して仮想マシンが“動作”する。仮想マシンのウェイトが高くなるにつれて、フラッシュメモリの短命化が深刻な問題になる。 (2015/10/27)

ウェアラブル向けに低消費電力を追求:
エプソン、ARM M0+コア搭載の新マイコンファミリ
セイコーエプソンは2015年10月26日、CPUコアに「ARM Cortex-M0+」を搭載した新しいフラッシュメモリ内蔵マイコンファミリ「S1C31」を発表した。(2015/10/26)

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第3のフラッシュメモリでSSDが安くなる(CW日本語版)
ダウンロード無料のPDFマガジン「Computer Weekly日本語版」提供中!(2015/10/25)

ウェアラブルなど組み込み向けNANDフラッシュ、東芝が発売
東芝がウェアラブルデバイスやプリンタ、産業用ロボットなど組み込み用途に向けて、SLC NAND型フラッシュメモリを投入する。SPI互換とすることでビットコストを意識するベンダーへ向ける。(2015/10/21)

身売り話浮上のSanDiskとの共同投資も正式合意:
東芝、3D NANDメモリ専用製造棟の一部が完成
東芝とSanDisk(サンディスク)の両社は2015年10月21日、NAND型フラッシュメモリの製造拠点である東芝四日市工場(三重県四日市市)で建設していた「新・第2製造棟」の建屋が一部完成し、同製造棟への設備投資を共同実施することで正式契約を締結したと発表した。(2015/10/21)

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第3のフラッシュメモリでSSDが安くなる(CW日本語版)
ダウンロード無料のPDFマガジン「Computer Weekly日本語版」提供中!(2015/10/17)

福田昭のストレージ通信 フラッシュメモリの現在(3):
NORフラッシュと3D XPointの動向
今回は市場が縮小傾向にある「NORフラッシュメモリ」と、2015年夏にIntelとMicron Technologyが発表した「3D XPoint(クロスポイント)メモリ」について、紹介する。(2015/10/16)

「1+1」は「2」ではなく「3」だ!!:
PR:フラッシュメモリもSRAMもFRAMも同一パッケージ/ピン互換に! 総合メモリメーカーCypressこその製品戦略とは
SRAMのCypressと組み込みフラッシュメモリのSpansionが統合して誕生した新生Cypress Semiconductor。フラッシュメモリからSRAM、FRAMとさまざまな組み込みメモリをカバーする唯一の組み込みメモリの総合メーカーとして、革新的なメモリソリューションを生み出しつつある。そこで、新生Cypressのメモリ事業における新製品/新ソリューション開発戦略を紹介する。(2015/10/15)

TechTargetジャパン プレミアムコンテンツ
第3のフラッシュメモリがSSDを変える!(CW日本語版)
ダウンロード無料のPDFマガジン「Computer Weekly日本語版」提供中!(2015/10/11)

福田昭のストレージ通信 フラッシュメモリの現在(1):
NANDフラッシュとSSDの市場動向
本シリーズでは、毎年8月に米国で開催される「フラッシュメモリサミット(FMS:Flash Memory Summit)」から、フラッシュメモリの最新動向に関する講演内容をお届けする。まずはNAND型フラッシュメモリの価格と、SSDの現状について見てみよう。(2015/10/9)

SEMICON West 2015リポート(12):
ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演(5)〜インプリント装置の開発ロードマップ
今回は、ナノインプリント・リソグラフィ技術の開発ロードマップを紹介しよう。キヤノンは現在、インプリント装置の第1世代機の開発を終えたところで、今後5年間で第2および第3世代機の開発に取り組んでいく予定だ。インプリント装置のターゲットは、NAND型フラッシュメモリとDRAM、ロジックICである。(2015/9/18)

電子ブックレット:
SRAM同様、自由に配置できる混載フラッシュ
EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、不揮発メモリIPを手掛ける国内ベンチャー企業が開発した、LSIのどこにでも配置できる新たな混載フラッシュメモリ技術を紹介します。(2015/9/2)

ホワイトペーパー:
わずか3年で1750社が導入、SSDとHDDによる高速ハイブリッドストレージシステムの実力
フラッシュメモリとハードディスクのハイブリッド型で、10〜15倍の高IOPSを誇るストレージシステムに採用された独自技術とその実力とは?(2015/8/21)

サイプレス S26KL256S:
HyperFlash製品ファミリに256Mビット品を追加
サイプレス セミコンダクタは、HyperBusインタフェースに対応したNOR型フラッシュメモリ「HyperFlash」製品ファミリとして、3.0V版の256Mビット品「S26KL256S」を新たに追加し、サンプル出荷を始めた。(2015/8/13)

256GB容量、11日から米国で試作品を展示へ:
TSV用いた16段積層NANDを開発――東芝「世界初」
東芝は2015年8月6日、TSV(Through Silicon Via/シリコン貫通ビア)技術を用いてNAND型フラッシュメモリチップを積層した試作品を開発したと発表した。(2015/8/6)

BiCS技術用い、四日市工場で:
東芝とサンディスク、256Gb 3D NANDの生産開始
サンディスクは、48層積層プロセスを用いた256Gビットの3ビット/セル3次元NANDフラッシュメモリを開発し、パイロット生産を開始した。東芝も同時に製品を発表した。(2015/8/4)

「NANDよりも1000倍高速」:
IntelとMicronの新不揮発メモリ「3D XPoint」
IntelとMicron Technologyが、不揮発メモリ「3D XPoint(クロスポイント)」を発表した。NAND型フラッシュメモリよりも1000倍高速で、DRAMよりも8〜10倍、記憶密度が高いという。両社は、25年ぶりに新しい不揮発メモリのカテゴリを作り出したとしている。(2015/7/29)



7月29日で無料アップグレード期間が終了する、Microsoftの最新OS。とんでもないレベルで普及している自社の基幹製品を無料でアップグレードさせるというビジネス上の決断が、今後の同社の経営にどのような影響をもたらすのか、その行方にも興味が尽きない。

ドイツ政府が中心となって推進する「第四次産業革命」。製造業におけるインターネット活用、スマート化を志向するもので、Internet of Things、Industrial Internetなど名前はさまざまだが、各国で類似のビジョンの実現を目指した動きが活発化している。

資金繰りが差し迫る中、台湾の鴻海精密工業による買収で決着がついた。寂しい話ではあるが、リソースとして鴻海の生産能力・規模を得ることで、特にグローバルで今後どのような巻き返しがあるのか、明るい話題にも期待したい。