「フラッシュメモリ」最新記事一覧

“異色のエンジニア” 竹内 健氏 ロングインタビュー（1）：
マーケティングを人任せにするな
1990年代前半から東芝でフラッシュメモリの開発を担当し、主力事業に成長させる技術を確立した竹内氏。その後米国でMBAを取得した、日本では異色といえるエンジニアだ。帰国後も同事業に携わり、世界のライバルと渡り合うも、事業の絶頂期に退社し、大学に転じた。同氏の目に今、日本の電機/半導体はどう映るのか。（2012/4/6）

ビジネスニュース 企業動向：
Samsung、70億ドルを投じて西安にNANDフラッシュ製造施設を建設へ
Samsungは、中国国内でNAND型フラッシュメモリを安定して供給すべく、製造施設を新設する。同社が韓国以外の製造工場に投資する額としては、最大規模になる見込みだという。（2012/4/5）

ビジネスニュース アナリストリポート：
タブレット向けNANDフラッシュの需要、2015年まではAppleがほぼ独占
Androidタブレットのシェアが増加するも、いまだにタブレット市場で優位性を維持している「iPad」。シェアが高い上に1台当たりの容量も大きいため、AppleがNAND型フラッシュメモリの需要を独占する状態が続いているという。（2012/3/15）

NEWS
最大容量2.4TバイトのNAND型フラッシュメモリを発表　Fusion-ioとTED
米Fusion-ioと東京エレクトロン デバイスが半導体ストレージ「ioDrive」の後継機種を発売した。従来機種に比べて、容量や処理性能が2倍以上向上したという。（2012/3/14）

ISSCC 2012 無線通信技術：
SSDをワイヤレス/バッテリフリーに、東大と慶応大が新技術で狙う
両大学の研究者からなるグループは今回、新たに3つの技術を開発した。フラッシュメモリの寿命を延ばす技術、CPUと高速で接続する技術、大きな電力を高い応答でワイヤレス給電する技術である。これらを統合すれば、128Gビットを超える大容量のワイヤレスSSDを実現できるという。（2012/2/24）

ISSCC 2012：
東芝とSanDiskが128GビットNANDフラッシュを開発、サイズは1セントコイン以下
東芝とSanDiskは、容量が128GビットのNANDフラッシュメモリチップを開発した。3ビット/セル技術と19nmプロセスを用いて製造しており、チップサイズは1セントコインよりも小さい。（2012/2/24）

サンディスク、世界最小の128GビットNANDフラッシュメモリチップを開発
米SanDiskは、19ナノメートルプロセス技術による世界最小のNANDフラッシュメモリチップの開発に成功した。（2012/2/23）

メモリ/ストレージ技術：
「今後数年にわたり成長は継続」、NOR型フラッシュメモリ大手CEOが意気込み語る
SpansionのCEOを務めるJohn H.Kispert氏は、2012年2月21日に東京都内で開催した説明会で、順調に事業が進んでいることを強調した。2012年後半〜2013年にかけて製造プロセスの微細化を進めた品種や、新しいカテゴリのメモリ製品の市場投入が続く。（2012/2/22）

ルネサス V850E2/Fx4-L：
消費電流を従来比1/3に低減した車載マイコン、処理能力は1.3倍に
自動車のボディ電子システム向け32ビットマイコンである。90nmプロセスで製造したMONOS構造の内蔵フラッシュメモリを採用することで大幅な消費電流の低減を実現した。AUTOSARやISO 26262に対応するための機能も備えている。（2012/2/21）

三菱電機、HDDナビなみの地図を収録したメモリーナビ「NR-MZ03」を発売
フラッシュメモリにHDDナビなみの地図データを収録したメモリーカーナビが登場。（2012/1/18）

NAND代替メモリ技術を徹底比較【後編】
フラッシュメモリ微細化の限界に挑戦するメーカーの取り組み
NAND型フラッシュメモリの微細化の限界は、業界全体の関心事だ。代替技術が台頭する中、NAND型フラッシュメモリの延命に取り組むメーカーも存在する。（2012/1/16）

NAND代替メモリ技術を徹底比較【前編】
NAND型フラッシュメモリの次を見据えるメーカーの思惑
次世代の不揮発性メモリとして最も有力といわれるNANDフラッシュメモリ。しかし、独自の特性を備えた複数の新技術の研究も進められており、今後どの技術が市場をリードするかはまだ分からない状況だ。（2012/1/10）

東芝 BENAND：
ECCを搭載したSLCタイプNANDフラッシュ、4Gビット品と8Gビット品を用意
東芝の「BENAND」は、ECC回路を搭載するSLCタイプのNAND型フラッシュメモリ製品である。ECC回路の訂正能力は、512バイト当たり4ビットとなっている。（2012/1/6）

パナソニック、ソニー、東芝など5社、HDコンテンツ保護技術で協業
パナソニック、Samsung、SanDisk、ソニー、東芝の5社は、フラッシュメモリを使った記憶媒体向けの新しいHDコンテンツ保護技術について協業することで原則合意した。（2011/12/20）

ビジネスニュース 企業動向：
Appleがイスラエルのフラッシュメモリ関連企業と買収交渉、現地新聞が伝える
対象として名前が挙がったのは、SSDやフラッシュメモリ用コントローラICを手掛けるAnobit Technologiesである。同社は、フラッシュの微細化に伴って顕在化している、書き換え可能回数の低下に対応する独自のメモリコントロール技術を保有する企業だ。（2011/12/14）

メモリ/ストレージ技術 NAND型フラッシュメモリ：
指先にテラビットが載る、IntelとMicronが20nm世代のNANDフラッシュ量産
IntelとMicron Technologyは、20nm世代の半導体プロセス技術を適用した128GビットのNAND型フラッシュメモリの量産を2012年前半に始める。20nm世代の128Gビット品の量産は、業界初になる見通しだ。マルチチップ品の記録容量は1T（テラ）ビットに達する。（2011/12/8）

64Gビット版は量産開始：
IntelとMicron、20ナノメートルプロセス技術の128GビットNANDフラッシュメモリ
IntelとMicron Technologyは業界最小の20ナノメートルプロセスルールによる128GビットのNANDフラッシュメモリを発表した。（2011/12/7）

全部で12種類：
大人買いもできるさ、愛があれば――「ミニクーパー型 USBフラッシュメモリ」
上海問屋から、MINI Cooper風のデザインを施したUSBメモリが発売された。デザインが異なる12種類を用意する。価格は2999円。（2011/12/5）

メモリ/ストレージ技術：
HPとHynix、メモリスタを2013年に商品化へ
抵抗、コンデンサ、インダクタに続く“第4の回路素子”と呼ばれるメモリスタが、2013年にも商品化される見込みである。フラッシュメモリの置き換えを狙うが、ビット当たりの価格をいかに下げるかが今後の課題となりそうだ。（2011/10/12）

メモリ/ストレージ技術：
Samsung Electronics、20nmクラスの製造技術を適用したNANDフラッシュの量産を開始
Samsungが、20nmクラスのプロセス技術を採用したNANDフラッシュメモリの製造を開始した。来年には、10nmクラスの製造技術を用いたメモリの製造にも着手する予定だという。（2011/9/29）

メモリ/ストレージ技術 SSD：
【ESEC2011】TDKが1チップ型SSDを開発中、2011年12月量産へ
TDKは、NAND型フラッシュメモリと制御ICを1つのパッケージに封止した1チップ型SSDを開発し、ESEC2011に参考出品した。（2011/5/12）

東芝、営業利益が1.9倍に　フラッシュメモリ需要拡大で電子デバイス黒字に
東芝の11年3月期は連結営業益が1.9倍の2402億円に。スマートフォンやSSDの需要拡大で電子デバイス部門が大幅に改善した。（2011/5/9）

ESEC2011 開催直前情報!!：
SSDの信頼性向上へ、TDKが新開発のNANDメモリ制御ICを出展
国内企業として唯一、NAND型フラッシュメモリ制御ICを外販しているTDK。ESEC2011では、新開発の制御IC「GBDriver RS3」を出展する。（2011/4/25）

メモリ/ストレージ技術 ReRAM：
ReRAMの開発進む、SEMATECHが新興企業と提携
ReRAMは書き込み時間が短く、書き込み時の消費電力が低く、大容量化にも適しているなど、NAND型フラッシュメモリの後継として期待されている。開発フェーズが初期段階にあるため、企業間提携が盛んである。（2011/4/22）

メモリ/ストレージ技術 NAND型フラッシュメモリ：
TDKのNAND型フラッシュメモリ制御IC、3Gビット/秒のシリアルATA Gen2に対応
TDKがNAND型フラッシュメモリ制御ICを拡充する。高速データ転送に加えて、SSDの信頼性を確保する機能を豊富に搭載したことが特徴。（2011/4/22）

10nm台に突入　東芝、世界初の19nmプロセスNANDフラッシュを開発
東芝は、世界初の19ナノメートル（nm）プロセスによる64GビットNANDフラッシュメモリを開発し、今年7〜9月期から量産出荷を開始すると発表した。（2011/4/21）

メモリ/ストレージ技術 NAND型フラッシュメモリ：
SanDiskが19nm世代のNANDフラッシュをサンプル出荷へ、2ビット/セルで64Gビット
SanDiskは19nmプロセス技術で製造するNAND型フラッシュメモリを今四半期中にサンプル出荷する。2011年の下半期には量産を始める予定だ。（2011/4/21）

Samsung、HDD事業をSeagateに譲渡
SeagateはSamsungのHDD事業を14億ドル弱で買収し、両社は互いにHDDとフラッシュメモリを供給する。（2011/4/19）

IntelとMicron、20ナノメートルプロセス技術の8GバイトNANDフラッシュメモリ
米Intelと米Micron Technologyは、業界最小の20ナノメートルプロセスルールによる8GバイトMLC NANDフラッシュメモリのサンプル出荷を開始した。（2011/4/15）

メモリ/ストレージ技術　NAND型フラッシュメモリ：
NANDフラッシュの標準化団体、メモリインタフェース規格の新版を発表
NAND型フラッシュメモリの標準化団体「Open NAND Flash Interface（ONFi） Working Group」は2011年3月15日（米国時間）、NANDメモリインタフェース規格の新版「ONFi 3.0」を発表した。（2011/3/18）

ビジネスニュース　震災復興：
「製造パートナーと協力し安定供給に取り組む」、震災の発生を受けてスパンションが表明
フラッシュメモリの大手ベンダーである米国のスパンションは、東北地方太平洋沖地震が発生したことを受け、「柔軟な製造体制で、製品供給への影響を最小限に抑える」と2011年3月15日（米国時間）に表明した。（2011/3/16）

メモリ/ストレージ技術　NAND型フラッシュメモリ：
PCI Express接続のSSD、推進団体が標準仕様「NVM Express 1.0」を策定
NAND型フラッシュメモリの推進団体である「NVMHCI（Non-Volatile Memory Host Controller Interface）Working Group」は、フラッシュメモリ利用のSSD（Solid State Drive）の利用拡大を狙った仕様「NVM Express 1.0」を策定した。（2011/3/10）

メモリ/ストレージ技術　NAND型フラッシュメモリ：
マイクロン、25nm世代のNANDフラッシュ採用のSDDを発売
マイクロン テクノロジーは、25nm世代のNAND型フラッシュメモリを採用したSSD「RealSSD C400」を発表した。「業界最先端の製造プロセスを採用したSSDである。（2011/2/25）

アーク情報システム、“どこでも起動”に対応した「BOOT革命/USB Memory Ver.3」
アーク情報システムは、フラッシュメモリに格納した自宅のWindows環境を外出先のPCでも起動できる「BOOT革命/USB Memory Ver.3」を発売する。（2011/2/18）

電子ブックレット：
相変化メモリの機器への採用始まる、まずは携帯電話機
相変化メモリ（PRAM、PCM）を内蔵したマルチチップモジュールの機器への採用が始まったようだ。技術コンサルタント企業であるUBM TechInsightsがある携帯電話機を分解した結果、PRAMを採用した部品が見つかった。今回の携帯電話機に搭載されていたPRAMは、サムスン電子のNOR型フラッシュメモリと互換性を備えているという。（2011/2/15）

電子ブックレット：
さまざまな機器に無線機能を後付けで搭載、Wi-Fi対応メモリが秘める可能性
無線LAN内蔵SDメモリカードとは、フラッシュメモリをはじめ、メモリ制御機能やマイコン、無線LAN通信用RFトランシーバ機能を1つにまとめたもの。これを使えば、機器（例えば、デジタルカメラ）の側を変えることなく、無線機能を付加できるようになる。無線関連の認証をSDメモリカードが取得するため、デジタルカメラなどの機器として認証を取得する作業は不要だ。（2011/2/15）

電子ブックレット：
強誘電体NANDの電源を大幅に下げる、次世代SSDの可能性を開く新技術
SSDの処理速度を上げるには、複数のNAND型フラッシュメモリを並列に処理させればよい。しかし、複数のNAND 型フラッシュメモリを同時に動かすとその分、消費電力が大きくなってしまう。SSDの処理性能を高めるためとはいえ、消費電力が大きく増えてしまうことは許されない。NAND型フラッシュメモリの消費電力がSSDの処理性能を高める足かせとなってしまっている。（2011/2/15）

電子ブックレット：
開発進む不揮発メモリーReRAM、新材料からチップ化まで技術がそろう
高速で書き換え可能な大容量の不揮発メモリを求める声が機器設計者の間で高まっている。NAND型フラッシュメモリは大容量だが、高速に書き換えできないため、DRAMと組み合わせる必要がある。ReRAMは高速に書き換えでき、書き込み動作に必要な電圧もNAND型フラッシュメモリの1/10程度と低い。フラッシュメモリを置き換える可能性がある不揮発メモリとして期待を集めている。（2011/2/15）

電子ブックレット：
過熱するNAND型フラッシュの開発競争、リソグラフィ技術巡り先端技術の採用競う
NAND型フラッシュメモリ市場は、半導体業界で最も競争が激しい市場だろう。競争に勝ち抜くには、チップコストの低減が特に重要だ。各メーカーは、1枚のウエハーで製造できるチップ数を増やすことと、製造プロセスや材料構成を簡素化することの両方を追及している。各社は製造プロセスの微細化を進めるため、先進リソグラフィ技術を積極的に投入し、メーカー間の開発競争が過熱している。（2011/2/15）

グリーンハウス、“ミニクーパー”USBメモリに新柄2モデルを追加
グリーンハウスは、「ミニクーパーUSBフラッシュメモリ」のラインアップに新デザイン柄モデル計2製品を追加した。（2011/1/31）

NANDフラッシュ市場は2011年に18％成長へ、アイサプライが予測
NAND型フラッシュメモリは、タブレットなどのデバイスの人気により、記憶媒体のデファクトスタンダードになってきているという。（2011/1/24）

2011年のNAND型フラッシュ市場成長率は16％、アナリストが分析
2011年のNAND型フラッシュメモリ市場は平均価格は下落するが、ビット換算の出荷量が伸びる見通しという。（2010/12/27）

アイ・オー、USB 3.0対応フラッシュメモリ
アイ・オー・データ機器は、11月17日にUSB 3.0対応のUSBフラッシュメモリ「TB-TXシリーズ」を発表した。出荷開始は12月上旬の予定。（2010/11/17）

グリーンハウス、栓抜きUSBメモリ発売
グリーンハウスは、“栓抜き”型筐体を採用したUSBメモリ「栓抜きUSBフラッシュメモリ」を発売する。（2010/9/28）

せかにゅ：
ニンテンドー3DSはデュアルARM11搭載？　詳細スペックがうわさに
任天堂の3DSは266MHzのARM11プロセッサ2基、1.5Gバイトのフラッシュメモリを搭載するといううわさが流れている。（2010/9/22）

メモリ/ストレージ技術 NAND型フラッシュメモリ：
東芝が24nm製造技術でNAND型フラッシュを量産
NAND型フラッシュメモリは、2Xnm世代での競争が激しくなっている。東芝は2ビット/セル品としては最もチップサイズが小さいと主張する容量64GビットのNAND型フラッシュメモリの製造を開始した。（2010/8/31）

3ビット/セルの25nmフラッシュメモリ、IntelとMicronから
IntelとMicronがサンプル出荷している新たなフラッシュメモリは、従来技術よりも記録密度とコスト効率が高くなっている。（2010/8/19）

Microsoftのモーションコントローラー「Kinect」は150ドル　新型Xbox 360も
MicrosoftはXbox 360用モーションコントローラー「Kinect」を単体では149.99ドルで発売する。フラッシュメモリ搭載の新モデル「Xbox 360 4GB」も発表した。（2010/7/21）

無線通信技術 Wi-Fi：
さまざまな機器に無線機能を後付けで搭載、Wi-Fi対応メモリーが秘める可能性
東芝とシンガポールのTrek 2000 International社は2010年6月22日、「無線LAN内蔵フラッシュメモリーカード共同規格策定フォーラム」を設立することを発表した。（2010/7/8）

メモリ/ストレージ技術　SSD：
強誘電体NANDの電源を大幅に下げる、次世代SSDの可能性を開く新技術
SSDの弱み、「アキレス腱」は何か。それは、SSD内部に使うNAND型フラッシュメモリの消費電力をなかなか下げられていないことのようだ。（2010/6/9）