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「フラッシュメモリ」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「フラッシュメモリ」に関する情報が集まったページです。

関連キーワード

NANDフラッシュメモリで:
CypressとSK Hynix System ICが合弁事業
Cypress Semiconductorは、SK Hynix System ICとNANDフラッシュメモリの合弁事業を始める。合弁会社は本社を香港に置き、SK Hynix System ICが60%、Cypressが40%の株式を保有する。(2018/10/30)

車載半導体:
自動車が必要とする1TBのフラッシュメモリの実現へ、従来比2.5倍の高速処理も
ウエスタンデジタルは2018年10月18日、車載用NAND型フラッシュメモリの新製品「iNAND AT EU312 UFS EFD」を発表した。(2018/10/24)

福田昭のストレージ通信(119) 3D NANDのスケーリング(7):
メモリセルアレイのベースとなるマルチペア薄膜の形成
3D NANDフラッシュメモリの製造プロセスにおける重要な技術の一つであるマルチペア(Multi-pair)薄膜の成膜(Deposition)」を解説する。(2018/10/22)

「学研 まんがでよくわかる」シリーズに“フラッシュメモリのひみつ” 東芝メモリが協力 ネットで無料公開
現代社会において、必要不可欠な技術です。(2018/10/15)

福田昭のストレージ通信(118) 3D NANDのスケーリング(6):
3D NANDフラッシュ製造のカギとなるプロセス技術
今回は、3D NANDフラッシュメモリの製造プロセスにおける重要な技術(キープロセス)について解説する。(2018/10/9)

2018年9月から量産開始:
東芝メモリ四日市工場の3次元フラッシュメモリ向け第6製造棟が完成
東芝メモリとウエスタンデジタルは、3次元フラッシュメモリを製造する東芝メモリ四日市工場の第6製造棟とメモリ開発センターの竣工式を行ったと発表した。(2018/9/27)

好況、不況を繰り返す:
DRAM市場、2018年は好調も2019年以降は低迷か
実績あるメモリ技術は、これまで長い間、好況と不況のサイクルを繰り返してきた。3D(3次元) NAND型フラッシュメモリの価格が下落しても、DRAMはまだ堅調な成長を遂げている。しかし、その状況はどれくらいの間続くのだろうか。(2018/9/26)

サーバ1台で10台分のインメモリ性能:
サーバ主記憶の拡張技術で処理性能が3.6倍に――富士通が実証実験
富士通研究所と富士通は、フラッシュメモリを利用してサーバの主記憶容量(DRAM)を仮想的に拡張する技術「MMGIC」の実証実験をインドSify Technologiesの協力を得て実施した。その結果、同技術を適用すると、サーバ1台で10台分と同等の処理性能を発揮することを確認した。(2018/9/20)

福田昭のストレージ通信(116) 3D NANDのスケーリング(4):
3D NANDフラッシュメモリの断面構造と製造工程
2018年5月に開催された国際会議「IMW」で行われたセミナー「3D NAND技術とそのスケーリングに関する材料とプロセス、製造装置の展望」の概要をシリーズで紹介している。今回は、3D NANDフラッシュメモリの断面構造と、メモリセルアレイの製造工程を解説しよう。(2018/9/20)

96層NANDフラッシュを製造:
東芝メモリ、四日市工場第6製造棟での量産を開始
東芝メモリとWestern Digitalは2018年9月19日、東芝メモリ四日市工場(三重県四日市市)の新製造棟「第6製造棟」が完成し、同製造棟で3次元構造のNAND型フラッシュメモリ(以下、3D NANDフラッシュ)の量産を開始したことを発表した。(2018/9/19)

高性能1GbitシリアルNAND:
PR:車載ディスプレイアプリケーションに最適な高容量フラッシュメモリが登場
インストルメントクラスタなど車載ディスプレイでは、よりリッチなグラフィックス表示が求められている。それに伴い、車載ディスプレイで使用する不揮発メモリの大容量化が必要になっている。そうした中で、読み出し速度、信頼性、互換性という車載ディスプレイの必須要件を満たした大容量NANDフラッシュが登場した。(2018/9/12)

福田昭のストレージ通信(114) 3D NANDのスケーリング(2):
2D NANDフラッシュの限界と3D NANDフラッシュへの移行
今回は、2D NANDフラッシュメモリの記憶容量が拡大していった経緯と、2D NANDフラッシュ技術から3D NANDフラッシュ技術への転換について解説する。(2018/8/31)

エレ企業の投資、岩手に相次ぐ:
東芝メモリ、同社最大設備の岩手「新製造棟」を起工
東芝メモリは2018年7月24日、準備を進めてきた岩手県北上市でのNAND型フラッシュメモリ「新製造棟」について起工式を行ったと発表した。2019年秋の完成を見込んでいる。(2018/7/24)

東芝、96層フラッシュを採用したクライアント向けNVMe SSDの出荷を開始
東芝は、96層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリを搭載するSSDを開発、一部OEM顧客向けの出荷を開始する。(2018/7/24)

仕組みやメリットを比較
NAND型フラッシュメモリの「チャージトラップ」と「フローティングゲート」の違い
「チャージトラップ」方式のNAND型フラッシュメモリは、旧式の「フローティングゲート」方式と比べて何が優れているのか。現状の課題は。(2018/7/19)

iPhoneのデータをバックアップできるフラッシュメモリ サンディスクの「iXpand Compact」発売
ウエスタンデジタルは、7月6日にサンディスク製「iXpand Compact フラッシュドライブ」の出荷を開始。LightningコネクタとUSB 3.0対応コネクタを搭載し、iPhone/iPad内のデータを簡単にバックアップすることができる。容量は32GB・64GB・128GBをラインアップする。(2018/7/6)

福田昭のストレージ通信(108) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(8):
磁気トンネル接合(MTJ)におけるSRAM代替用とフラッシュ代替用の違い
SRAM代替用MRAMとフラッシュメモリ代替用MRAMでは、磁気トンネル接合(MTJ)の特性がどのように異なるのだろうか。(2018/7/6)

NANDフラッシュメモリ使いこなし術:
PR:なぜ組み込みシステムにNANDフラッシュメモリが注目されるのか、その理由と実装の注意点
高機能化する組み込みシステムに大容量のメモリが求められるようになり、NORフラッシュメモリからNANDフラッシュメモリへの置き換えが始まっている。組み込みシステムでシリアルNANDフラッシュメモリが選ばれ始めた理由と実装時の注意点を、ウィンボンドの「W25N01GVZEIT」を例に解説する。(2018/6/22)

安全走行制御向け:
NXPが新車載マイコン第1弾として800MHz、64MB品
NXP Semiconductorsは2018年6月19日、新しい車載用マイクロプロセッサ(MPU)/マイクロコントローラ(MCU)製品群「S32」の第1弾製品として、安全走行制御(セーフティ制御)システム向けのハイエンドMPU/MCU「S32S」を発表した。動作周波数800MHzのArm cortex-R52コアを8個と、最大64Mバイト(MB)の大容量フラッシュメモリを搭載するハイエンドMPU/MCUで、次世代の安全走行制御用途に向けるという。(2018/6/19)

−40〜+125度の環境で25年間データ保存:
Cypress、ISO 26262準拠のNOR型フラッシュメモリを発表
Cypress Semiconductorは、車載電子機器に関する機能安全規格「ISO 26262」に準拠した「Semper NORフラッシュ メモリ ファミリ」を発表した。−40〜+125度という温度範囲での耐久性と、25年間のデータ保存性能を備える。(2018/6/11)

NEC、フラッシュメモリ対応を強化した「iStorage M シリーズ」の新製品4機種と「性能分析サービス」を発表
NECは、ユニファイドストレージ製品「iStorage M シリーズ」の新製品として、HDD/SSDハイブリッドモデル3機種と、オールフラッシュモデル1機種を発売。併せて、ストレージの性能分析と問題点の改善策を提案する「iStorage性能分析サービス」の提供も開始した。(2018/6/8)

機能安全にも対応:
100万回超の書き換えに対応する高信頼次世代NOR
Cypress Semiconductor(サイプレス セミコンダクタ)は2018年6月7日、記者説明会を開催し、2018年5月に発表した車載や産業機器など安全性、信頼性を重視する用途向けの新しいNOR型フラッシュメモリ製品群「Semperフラッシュ ファミリ」の詳細を説明した。(2018/6/8)

福田昭のストレージ通信(104) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(4):
IoT/自動車向けMRAMに対する要求仕様とデータ書き換え特性
埋め込みフラッシュメモリの置き換えを想定したMRAM(eMRAM-F)と、埋め込みSRAMの置き換えを想定したMRAM(eMRAM-S)が、IoT(モノのインターネット)や自動車で使われる場合、どういった仕様が要求されるのか。データの書き換え特性を中心に解説する。(2018/6/4)

コストはFinFET SRAMと同等に:
EUVを適用した小型SRAMセル、imecらが発表
フラッシュメモリの発明者が率いる新興企業Unisantis Electronics Singapore(以下、Unisantis)が、ベルギーの研究機関imecと共同開発を進めてきた、小型SRAMセルに関する発表を行った。(2018/5/31)

PR:ノートPCに写真が入りきらない? よろしい、ならば「エクストリーム ポータブル SSD」だ
外付けストレージにもSSDの時代がやってきた。フラッシュメモリといえばサンディスク、の「エクストリーム ポータブル SSD」は、仕事で写真や動画を扱う人達のワークフローを変えてくれるかもしれない。(2018/5/25)

本社事務所も移転へ:
東芝メモリ「岩手新工場」の着工は7月に決定
東芝メモリは2018年5月22日、準備を進めてきた岩手県北上市でのNAND型フラッシュメモリ新製造拠点の建設を2018年7月から着手すると発表した。建屋の完成時期は2019年を予定する。(2018/5/22)

福田昭のストレージ通信(102) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(2):
微細化限界に達したフラッシュをMRAMで置き換え
埋め込みフラッシュメモリが直面する課題は、微細化の限界である。GLOBALFOUNDRIESは、2xnm以下の技術世代に向けた埋め込み不揮発性メモリとして、MRAM(磁気抵抗メモリ)を考えている。(2018/5/15)

車載の信頼性、堅牢性基準をクリアできる?:
PR:NORフラッシュが容量問題を抱える中、NANDフラッシュは車載向けコードストレージとしての道を拓けるか
広く知られる2つのフラッシュメモリ、「NORフラッシュ」と「NANDフラッシュ」。コードを格納するストレージとしてはNORフラッシュが適しているとされることが多いですが、必ずしもそうではありません。NORフラッシュが容量問題を抱える一方で、誤動作の許されない車載アプリケーションのコードストレージに求められる基準を満たすNANDフラッシュも登場しているのです。(2018/4/23)

福田昭のストレージ通信(98)STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(11):
車載用埋め込みフラッシュメモリ技術のまとめ
今回は、本シリーズで、これまで述べてきた車載用埋め込みフラッシュメモリ技術を総括する。(2018/4/13)

トランセンドがフラッシュメモリ製品の保証期間を無期限から5年へ変更、なぜ?
既に店頭にある「無期限保証」と記載された製品については、そのまま無期限保証が適用されます。(2018/4/12)

ルネサス RH850/E2x:
「世界初」で「世界最高性能」、ルネサスから28nm車載マイコン
ルネサスが28nmプロセスを採用したフラッシュメモリ内蔵車載マイコンのサンプル出荷を開始した。28nmプロセス採用のフラッシュメモリ内蔵マイコンのサンプル出荷は「世界初」であり、フラッシュメモリ内蔵車載マイコンの処理性能としても「世界最高」をうたう。(2018/4/10)

福田昭のストレージ通信(97) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(10):
マイコン大手Infineon Technologiesの埋め込みフラッシュメモリ技術
今回は、Infineon Technologiesが開発した埋め込みフラッシュメモリ技術「HS3P(Hot Source Triple Poly)」を取り上げる。HS3Pによるメモリセルトランジスタの動作原理や、どういった分野で実用化されているかを解説する。(2018/4/5)

福田昭のストレージ通信(96) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(9):
マイコン大手ルネサスの埋め込みフラッシュメモリ技術
今回は、ルネサス エレクトロニクスのマイコン用埋め込みフラッシュメモリ技術「SG(Split Gate)-MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)」を解説する。(2018/3/30)

ホワイトペーパー:
「NVMe」など新技術で加速、「ストレージネットワーク高速化技術」のこれまでと今後
フラッシュメモリを搭載した高速に読み書きできるストレージの人気が高まるにつれ、各種ストレージネットワーク技術の高速化も進みつつある。本稿では各種ストレージネットワーク技術のこれまでの道のりと今後の開発予定について解説する。(2018/3/30)

処理性能は最高9600MIPS:
ルネサス、28nmフラッシュ内蔵マイコンを出荷
ルネサス エレクトロニクスは、28nmプロセス技術を用いたフラッシュメモリ内蔵の車載制御マイコンを開発し、サンプル出荷を始めた。次世代エコカーや自動運転車などに向ける。(2018/3/28)

車載半導体:
「世界初」で「世界最高性能」、ルネサスが28nm車載マイコンをサンプル出荷
ルネサス エレクトロニクスは、28nmプロセスを採用したフラッシュメモリ内蔵車載マイコン「RH850/E2xシリーズ」のサンプル出荷を開始した。28nmプロセス採用のフラッシュメモリ内蔵マイコンのサンプル出荷は「世界初」(ルネサス)、フラッシュメモリ内蔵車載マイコンの処理性能としても「世界最高」(同社)だという。(2018/3/28)

福田昭のストレージ通信(95) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(8):
埋め込みフラッシュIP大手ベンダーSSTのメモリ技術
今回は、SST(Silicon Storage Technology)が開発した埋め込みフラッシュメモリ技術を紹介する。同社は「SuperFlash(スーパーフラッシュ)」と呼んでいるが、その最大の特徴はスプリットゲート方式にある。(2018/3/27)

福田昭のストレージ通信(94) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(7):
STMicroelectronicsの埋め込みフラッシュメモリ技術(後編)
今回は、STMicroelectronicsの1トランジスタのNORフラッシュ(1T NOR eFlash)技術の製造プロセスと、フラッシュ内蔵車載用マイコンの開発史について紹介する。(2018/3/22)

福田昭のストレージ通信(93) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(6):
STMicroelectronicsの埋め込みフラッシュメモリ技術(前編)
今回は、開発各社の埋め込みフラッシュメモリ技術を前後編にわたって紹介する。前編では、STMicroelectronicsが製品化している、1トランジスタのNORフラッシュ(1T NOR eFlash)技術を取り上げる。(2018/3/19)

福田昭のストレージ通信(92) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(5):
車載用の埋め込みフラッシュメモリ技術
今回は、大容量、具体的には車載用の埋め込み不揮発性メモリ技術を取り上げる。車載用の不揮発性メモリ技術は、1トランジスタのNORフラッシュ(1T NOR Flash)技術と、スプリットゲートフラッシュ技術に大別される。(2018/3/13)

福田昭のストレージ通信(89) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(2):
不揮発性メモリ(単体)の栄枯盛衰と埋め込み用途への展開
今回は、単体の不揮発性メモリ製品(スタンドアロンの不揮発性メモリ製品)について考察し、車載マイコンの埋め込み用メモリとしてNORフラッシュメモリ技術が使われている理由や、単体メモリと埋め込み用メモリの違いに触れる。(2018/3/2)

2018年末完了を予定:
東芝、四日市新製造棟の一部クリーンルーム化投資を決定
東芝は2018年2月20日、NAND型フラッシュメモリの生産拠点である四日市工場で建設中の第6製造棟における一部のクリーンルーム化工事と関連する設備投資(総額270億円)を計画通り実施し、2018年末に完了させると発表した。(2018/2/20)

各ベンダーは処理負荷を軽減する施策を実装
フラッシュメモリの寿命を縮める「P/Eサイクル」増加問題 対処法はあるのか?
データの書き込みや消去といった単純な処理でさえも、NAND型フラッシュメモリの消耗を加速させる一因になる。だが対策はある。(2018/2/2)

福田昭のデバイス通信(133) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(9):
技術講演の最終日午前(その2)、ついに1Tビットに到達した3D NANDフラッシュ
「ISSCC 2018」最終日午前の講演から、セッション19と20を紹介する。シリコン面積が0.00021平方mmと極めて小さな温度センサーや、3D(3次元) NANDフラッシュメモリの大容量化および高密度化についての論文が発表される。(2018/1/23)

熱気に包まれるストレージ業界
「NVMe-oF」と「SCM」が出会うとき、ストレージ業界に破壊的革新が起こる
この5年間でNANDフラッシュメモリはストレージ分野に変革をもたらした。同じように、「NVMe over Fabrics」(NVMe-oF)と「ストレージクラスメモリ」(SCM)は、従来のストレージ分野を一変させる可能性がある。(2018/1/23)

値下げ圧力も:
半導体ブーム終焉か メモリ価格下落で市場は戦々恐々
足元で一部のフラッシュメモリ価格が突然下落。メモリ好況が少なくともあと1年は続くと見込んでいた投資家を不安に陥れている。(2018/1/19)

フラッシュストレージ選定の前にチェック
「NOR型」と「NAND型」の違いとは? フラッシュメモリの2大選択肢を比較
NOR型とNAND型のフラッシュメモリは、それぞれ適する用途が異なる。フラッシュストレージの導入を検討している企業は、選定前に両者の違いを知っておく必要がある。(2018/1/16)

東芝:
東芝、岩手新NAND工場の立ち上げへ先行投資
東芝と東芝メモリは2017年12月21日、岩手県北上市で建設準備を進めている新たなNAND型フラッシュメモリ製造拠点の立ち上げに向け、2017年度中に一部投資を開始すると発表した。(2018/1/10)

東芝メモリSSDフォーラム2017:
PR:TSV、NVMe-oF、MariaDBチューニング――東芝メモリの技術力が起こすフラッシュメモリによる革新
2017年11月30日、都内で東芝メモリの主催イベント「東芝メモリSSDフォーラム2017」が初めて開催された。イベントは2部構成になっており、第二部講演では「一挙公開 デジタル変革を支えるフラッシュ&SSDテクノロジー」と題し、東芝メモリのエンジニアらが、東芝メモリのフラッシュメモリ/SSDの詳しい技術解説やデモを行った。(2018/1/10)

東芝メモリSSDフォーラム2017:
PR:フラッシュメモリ/SSDは個人と企業の日常をどう変革し、そして、東芝メモリはどう貢献できるのか?
2017年11月30日、都内で東芝メモリの主催イベント「東芝メモリSSDフォーラム2017」が初めて開催された。東芝メモリは最先端のフラッシュメモリ/SSD開発を通じ、どのように“より良い日常”への変革に貢献できるかという点において最新の研究開発や新しい生産体制、今後の展望を披露。“新生”東芝メモリのこれからの飛躍を強く印象付けた。同時に、フラッシュメモリ/SSDについてIDC、Dell EMC、日本マイクロソフトからも講演があったので、併せてその模様をお届けする。(2018/1/10)



ビットコインの大暴騰、「億り人」と呼ばれる仮想通貨長者の誕生、マウントゴックス以来の大事件となったNEM流出など、派手な話題に事欠かない。世界各国政府も対応に手を焼いているようだが、中には政府が公式に仮想通貨を発行する動きも出てきており、国家と通貨の関係性にも大きな変化が起こりつつある。

Amazonが先鞭をつけたAIスピーカープラットフォーム。スマホのアプリが巨大な市場を成したように、スマートスピーカー向けのスキル/アプリ、関連機器についても、大きな市場が生まれる可能性がある。ガジェットフリークのものと思われがちだが、画面とにらめっこが必要なスマホよりも優しいUIであり、子どもやシニアにもなじみやすいようだ。

「若者のテレビ離れが進んでいる」と言われるが、子どもが将来なりたい職業としてYouTuberがランクインする時代になった。Twitter上でのトレンドトピックがテレビから大きな影響を受けていることからも、マスメディア代表としてのテレビの地位はまだまだ盤石に感じるが、テレビよりもYouTubeを好む今の子ども達が大きくなっていくにつけ、少なくとも誰もが同じ情報に触れることは少なくなっていくのだろう。