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「不揮発性メモリ」最新記事一覧

関連キーワード

インターシル 日本法人社長 大久保喜司氏:
PR:将来を先取りした“賢い電源”で、IoT時代を切り開く
航空宇宙分野で培った高信頼技術などを駆使した電源ICを中心に、幅広い市場で拡販を進めるインターシル。強みを持つパワーマネジメントの中でも、今後の鍵となる言葉として掲げるのが“賢いデジタル電源”だ。「顧客のサービス向上につながる“賢いデジタル電源”を提供し、急速に進むIoT(モノのインターネット)化に貢献する」と、同社日本法人社長の大久保喜司氏は語る。(2016/8/22)

相変化メモリの課題が解決
フラッシュメモリより高速な不揮発性メモリ「PCM」がいよいよ実用化
フラッシュメモリより高速で1万倍の耐久力があり、DRAMより低コストで不揮発性。それが相変化メモリ(PCM)だ。フラッシュストレージよりさらに高速なストレージが、もうすぐ登場するかもしれない。(2016/8/9)

ギガビット級MRAMの開発に道筋:
マンガン系合金ナノ薄膜からTMR素子を作製
東北大学の鈴木和也氏らは2016年7月、垂直磁化マンガン系合金ナノ薄膜を用いたトンネル磁気抵抗(TMR)素子の開発に成功した。ギガビット級の不揮発性磁気抵抗メモリ(MRAM)の開発につながる成果だとみている。(2016/8/1)

不揮発性メモリテクノロジーがアプリケーション性能を大幅加速:
PR:PCIe接続SSDに比べて14倍高速!アプリケーションの性能不足をHPE ProLiant Gen9 サーバー + NVDIMMテクノロジーが解決
PCIe接続のSSDに比較し14倍高速という不揮発性メモリ「NVDIMM」テクノロジーを搭載したHPE ProLiant Gen9のポイントについて、HPEのキーパーソン2名に聞いた。(2016/8/8)

SYSTEM DESIGN JOURNAL:
クラウドに生まれる新たなレイヤーの形
IoTやビッグデータコンピューティングの圧力により、クラウドには「層化」とも呼べる現象が起こっています。それはアプリケーションデータフローと実際の帯域幅、そしてレイテンシ制約という競合する課題への対応です。(2016/7/25)

その性能は全てに置いて「1000倍」
SSDを過去に追いやる「次世代メモリ技術」がHDDの追い風になる
SSDはその転送速度と同様に企業システムでも導入が急速に進んでいるが、3D XPointや相変化メモリといったさらに高速なストレージ技術もSSDを超える性能を実現すべく、現在開発が進んでいる。(2016/7/14)

SYSTEM DESIGN JOURNAL:
ニューラル・ネットワークと力の指輪
指輪物語の「1つの指輪」は全ての指輪を統べる力を持ちました。ではニューラルネットワークは人工知能という力の指輪を統べる、1つの指輪なのでしょうか。(2016/7/6)

福田昭のストレージ通信 Micronが考えるメモリシステムの将来(2):
クルマの厳しい要求仕様に応えるDRAMとフラッシュメモリ
今回は、自動車のエレクトロニクスシステム、具体的には、ADAS(先進運転支援システム)およびクラスタ・ダッシュボード、車載インフォテインメントで使われるメモリを解説する。さらに、これらのメモリの5年後のロードマップも見ていこう。(2016/7/4)

ルネサス「必要な機能を、全て、簡単に」:
IoTデバイスを魔の手から救うセキュリティ技術
ルネサス エレクトロニクスは、IoT(モノのインターネット)のエンドデバイス向けに、汎用マイコンを使用したセキュリティソリューションの提供を順次開始すると発表した。第1弾は、強固なセキュリティ機能を持つ32ビットマイコン「RX231」。評価ボードと各種ソフトウェアを活用することで、セキュリティを強化した組み込み機器の開発を容易にできるという。(2016/6/28)

EE Times Japan Weekly Top10:
2015年の車載半導体市場、やはりNXPが首位に
EE Times Japanで2016年6月18〜24日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2016/6/27)

メルマガバックナンバー:
モノづくり総合版 メールマガジン 2016/06/23
「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」編集部が毎週木曜日にお届けしている『モノづくり総合版 メールマガジン』の内容をご紹介!(メルマガ配信日:2016年6月23日)(2016/6/24)

IoT時代のマイコン実現へ大きく前進:
0.5nsで書き換え可能な不揮発性メモリの動作実証
東北大学電気通信研究所の大野英男教授、深見俊輔准教授らは2016年6月、0.5ナノ秒での情報の書き換えが可能な不揮発性磁気メモリ素子の動作実証に成功した。高度な演算をリアルタイムで処理できる超低消費電力マイコンの実現に向けて、大きく前進したという。(2016/6/20)

ラベルとしても使える:
印刷できる不揮発メモリ、IoT市場に成長機会
プラスチックなどの超薄型基板に印刷して製造できる不揮発メモリが登場した。ラベルとして製品などに貼れば、物流や、偽造品判断、製造過程での何らかのデータ保存など、さまざまな用途に使うことができそうだ。(2016/6/17)

フラッシュメモリのフォームファクタ、インタフェースなどを解説
SSDを購入、その前に知っておきたい最新メモリ技術と“価格問題”
従来のストレージでは解決できなかったサーバサイドストレージの諸問題が最新のフラッシュストレージで解決できる。しかし、そのためにはフラッシュメモリに関する最新知識の習得が必須だ。(2016/6/15)

差異化は難しくても:
DRAM、過酷な温度環境への対応で生き残る
3D NAND型フラッシュメモリや次世代不揮発性メモリの開発が進む中、DRAMはどのような方向に発展していくのだろうか。米Virtiumは、過酷な稼働環境への対応がその1つだと述べる。(2016/5/16)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(5):
磁気メモリが「不揮発性メモリ」であるための条件
磁気メモリは、記憶したデータを必ずしも安定して保持できるわけではない。今回は、10年以上にわたりデータを保持する不揮発性メモリとして、磁気メモリを機能させるための条件を解説する。(2016/5/9)

HPE、第9世代ProLiantサーバに新モデル 停電時のデータ保護を強化
「HPE ProLiant Gen9」の新モデルで不揮発性メモリのNVDIMMを初めてサポートした。(2016/4/27)

NANDフラッシュとDRAMを手掛ける数少ないメーカー:
Micron、ストレージ分野の事業展開を強化
NAND型フラッシュメーカーやDRAMメーカーの数が減っていく中、両方を手掛けるMicron Technologyは、自社が「独自のポジションを築いている」と自負する。より差異化を図るべく、メモリメーカーというよりも、ストレージシステムのビジネスに力を入れていきたい考えだ。(2016/4/19)

「ストレージ分野において技術的リーダーシップを取る」――インテルが都内でサミットを開催
インテルが、ストレージソリューションへの取り組みを紹介する「Storage Builder Executive Summit」を開催した。(2016/4/15)

40nm LPプロセスに「XPM」を:
三重富士通、KilopassとOTPメモリで技術開発契約
三重富士通セミコンダクターは、Kilopass Technology(キロパス)と1回書き込み(OTP)メモリに関するテクノロジー開発契約を締結したと発表した。これにより、三重富士通セミコンの40nmプロセスで、キロパスの128KビットOTPメモリ「XPM」が利用可能になる。(2016/4/14)

福田昭のデバイス通信 ARMが語る、最先端メモリに対する期待(16):
求む、「スーパーメモリ」
ARM Researchの講演内容を紹介してきたシリーズ。完結編となる今回は、ARMが「スーパーメモリ」と呼ぶ“理想的なメモリ”の仕様を紹介したい。現時点で、このスーパーメモリに最も近いメモリは、どれなのだろうか。(2016/4/14)

特集:インフラエンジニアのためのハードウェア活用の道標(2):
クラウド時代だからこそ知っておきたいハードウェア動向――今後のストレージ活用で押さえておきたい3つのキーワードとは
なぜ今ハードウェアの知識が求められるのか。今回は、ガートナー ジャパンの鈴木雅喜氏に、「クラウド時代だからこそ知っておきたいハードウェア動向」「今後ストレージをビジネスで活用する上で押さえておきたい3つのキーワード」について聞いた。(2016/4/8)

メルマガバックナンバー:
モノづくり総合版 メールマガジン 2016/03/24
「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」編集部が毎週木曜日にお届けしている『モノづくり総合版 メールマガジン』の内容をご紹介!(メルマガ配信日:2016年3月24日)(2016/3/25)

スピンホール効果と交換バイアスを利用:
MRAM開発に新しい道? 欧州が研究成果を発表
MRAMの開発を加速させる可能性がある新しい技術を、オランダの大学が発表した。スピンホール効果と交換バイアスを利用するもので、研究チームは、処理速度や記録密度、コストの面でMRAMが抱える課題を解決できると見込んでいる。(2016/3/11)

富士通セミコンダクター MB85RQ4ML:
従来比4倍の速度でデータのリード/ライトができるクアッドSPI FRAM
富士通セミコンダクターは、54Mバイト/秒のデータ転送が可能な4Mビット クアッドSPI FRAM「MB85RQ4ML」を開発し、サンプル提供を開始した。(2016/3/10)

富士通セミコンダクター MB85RQ4ML:
54Mbpsのデータ転送ができるクワッドSPI FRAM
富士通セミコンダクターは、4Mビット クワッドSPI FRAM「MB85RQ4ML」のサンプル提供を開始した。108MHz動作で54Mバイト/秒のデータ転送速度を可能にしている。(2016/3/4)

松岡功の「ITニュースの真相、キーワードの裏側」:
HPE「The Machine」はこれまでのコンピュータと何が違うのか
「The Machine」と呼ぶコンピュータを2020年の商品化に向けて開発中の米HPE。正確には、“コンピュータ”とは呼ばない、これまでのコンピュータの概念を変える機械だという。果たして、これまでのコンピュータと何が違うのか。(2016/3/1)

福田昭のデバイス通信 ARMが語る、最先端メモリに対する期待(4):
メモリ・アーキテクチャの基礎
今回は、NANDフラッシュメモリ登場後のメモリ・アーキテクチャを見ていきながら、「CPUのメモリに対する要求」を考えていく。(2016/2/26)

Micronが「ISSCC 2016」で768Gビット品を発表:
3D NANDフラッシュの競争は激化へ
Micron Technologyは「ISSCC 2016」で、3ビット/セルのフローティングゲート方式を適用した、768Gビットの3次元(3D)NAND型フラッシュメモリを発表した。読み出し速度は、800Mバイト/秒だという。3D NANDフラッシュの競争が激化することが予想される。(2016/2/9)

福田昭のデバイス通信(61):
IEDMで発表されていた3D Xpointの基本技術(後編)
前編に続き、IntelとMicron Technologyの次世代不揮発性メモリ「3D XPoint」について解説しよう。今回は、「オボニック・スレッショルド・スイッチ(OTS:Ovonic Threshold Switch)」と、材料について詳しく見ていきたい。(2016/2/1)

ストレージ操作効率化などに向けたシステムコール実装も追加:
Linux Kernel 4.5-rc1版が公開。ARM対応を強化
Linux Kernelの次期版「4.5」のリリース候補版が公開された。Linux Kernel 4.5では、dm-verityサブシステムの前方エラー訂正や、新しいシステムコール「copy_file_range」などが取り込まれる見込み。(2016/1/27)

福田昭のデバイス通信(60):
IEDMで発表されていた3D XPointの基本技術(前編)
米国で開催された「ISS(Industry Strategy Symposium)」において、IntelとMicron Technologyが共同開発した次世代メモリ技術「3D XPoint」の要素技術の一部が明らかになった。カルコゲナイド材料と「Ovonyx」のスイッチを使用しているというのである。この2つについては、長い研究開発の歴史がある。前後編の2回に分けて、これらの要素技術について解説しよう。(2016/1/27)

第1弾はクラスタとボディーコントロール向け:
サイプレス、車載用40nmマイコンを製品化
Cypress Semiconductor(サイプレス セミコンダクタ)は、車載向け半導体事業戦略について、記者発表会を東京都内で開催した。この中で、同社の車載用MCUファミリー「Traveo」としては初めてとなる40nmプロセス製品を発表した。(2016/1/13)

福田昭のデバイス通信 ISSCC 2016プレビュー(3):
シングルダイの記憶容量が100Gバイトに近づく半導体メモリ
セッション7のテーマは「不揮発性メモリのソリューション」だ。マイクロンジャパンとMicron Technology、Intelの共同チームが、768Gビットと極めて大きな記憶容量のNANDフラッシュメモリを発表するなど、注目の論文が相次ぐ。(2015/12/25)

究極の省電力メモリ実現に道筋:
電圧トルクMRAMの安定動作を実証、評価法も開発
産業技術総合研究所の塩田陽一研究員は、電圧書込み方式不揮発性メモリが安定動作することを実証するとともに、書込みエラー率の評価方法を開発した。電圧トルクMRAMの実用化に向けた研究に弾みがつくものとみられる。(2015/12/15)

HDDの方が先に消滅?
SSD万能時代、それでもテープは残ると専門家が考える理由
2015年11月上旬に開催された「Storage Decisions 2015」カンファレンスで、ディスクとテープの未来について語るパネルディスカッションが行われた。ストレージ業界における最近の出来事による影響に対処するヒントが提示された。(2015/12/14)

サーバサイドSSD標準仕様解説
PCIe SSD vs. オールフラッシュアレイ──サーバサイドSSDの用途とは?
ネットワークでストレージを共有するオールフラッシュアレイが注目される一方、PCIeスロットに直接SSDを実装するサーバサイドSSD(PCIe SSD)が見直されつつある。関連技術とサーバサイドSSDの使いドコロを解説する。(2015/12/11)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(10):
着実な進展を見せるMRAM技術
今回から、カンファレンス最終日のセッションを紹介する。セッション26は、「MRAM、DRAMとSRAM」をテーマに講演が進んでいく。MRAMについては計4件の論文発表があり、例えばQualcomm Technologiesらは、40nmルールのCMOSロジックに埋め込むことを想定したSTT-MRAM技術を報告する。(2015/11/27)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(7):
不揮発性メモリを脳神経コンピューティングに活用
今回はセッション16〜18の講演を紹介する。セッション17では、不揮発性メモリを利用したニューロモルフィックシステム(脳神経系を模倣した低消費電力システム)の講演が相次いだ。(2015/11/17)

前田真一の最新実装技術あれこれ塾:
第44回 超高速シリアルリンク
実装分野の最新技術を分かりやすく紹介する前田真一氏の連載「最新実装技術あれこれ塾」。第44回は超高速シリアルリンクについて解説する。(2015/11/11)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(5):
14/16nm世代のSRAMと第3の2Dデバイス材料
今回のプレビューでは、セッション10〜12の内容を紹介する。セッション11では、ルネサス エレクトロニクスやSamsung ElectronicsがSRAM関連の技術を発表する。セッション12では、第3の2Dデバイス材料として注目を集める黒リン関連の発表に注目したい。(2015/11/11)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(3):
3D NANDフラッシュの物理解析が進む
今回はセッション4〜6の講演を紹介する。セッション4では、人間の脳をモデルにした計算アーキテクチャなどが焦点となる。セッション5では3D NAND型フラッシュメモリ関連の発表が行われ、セッション6ではIGZO材料による20nmノードの高周波FETなどが発表される予定だ。(2015/11/6)

最新記事ランキングから編集部おすすめ記事を紹介
フラッシュメモリの劣化をできれば止めたい
利用場面が急速に拡大しているフラッシュメモリですが、そのメリットを享受するためには劣化に十分注意する必要があるそうです。最新記事ランキングから編集部おすすめ記事を紹介します。(2015/10/30)

反強磁性体で巨大異常ホール効果を観測:
革新的な磁気メモリ材料の発見か
東京大学物性研究所の中辻知准教授らの研究グループは2015年10月29日、反強磁性体において異常ホール効果を「世界で初めて観測した」と発表した。同研究グループは高密度/高速な不揮発性メモリ素子の実現につながる発見としている。(2015/10/29)

フラッシュストレージの4大進化【後編】
NANDフラッシュより“1000倍高速かつ耐久性に優れる”最新メモリ技術とは
フラッシュストレージ技術は進化を遂げている。間もなくNANDフラッシュに取って代わることが予想される最新技術を紹介する。(2015/10/26)

フラッシュストレージの4大進化【前編】
NANDフラッシュの多次元化で曖昧になるメモリとの境界線
メモリチャネルフラッシュ、3D、NVMe、NVDIMMは、間もなくNANDフラッシュに取って代わることが予想される最新のフラッシュストレージテクノロジーの進化だ。(2015/10/20)

Wi-Fiモジュール「ESP8266」で始めるIoT DIY(3):
ESP8266をTCPサーバとTCPクライアントにするATコマンド実例
話題の技適モジュール「ESP8266」を使ってIoTを手作りするこの連載、今回はESP8266をTCPサーバとTCPクライアントにする方法を紹介します。これで他ノード間でのTCP接続ができるようになります。(2015/10/19)

設備投資額は今期4度目の下方修正:
Intelの7〜9月業績、サーバ向けとメモリは好調
Intelは2015年10月13日(米国時間)、2015年第3四半期(7〜9月期)業績を発表した。PC向け事業は不振だったものの、サーバ向けやメモリ事業が好調で、前四半期比約10%の増収を記録した。ただ、今期の設備投資額については、4億米ドル下方修正した。(2015/10/16)

福田昭のストレージ通信 フラッシュメモリの現在(3):
NORフラッシュと3D XPointの動向
今回は市場が縮小傾向にある「NORフラッシュメモリ」と、2015年夏にIntelとMicron Technologyが発表した「3D XPoint(クロスポイント)メモリ」について、紹介する。(2015/10/16)

「1+1」は「2」ではなく「3」だ!!:
PR:フラッシュメモリもSRAMもFRAMも同一パッケージ/ピン互換に! 総合メモリメーカーCypressこその製品戦略とは
SRAMのCypressと組み込みフラッシュメモリのSpansionが統合して誕生した新生Cypress Semiconductor。フラッシュメモリからSRAM、FRAMとさまざまな組み込みメモリをカバーする唯一の組み込みメモリの総合メーカーとして、革新的なメモリソリューションを生み出しつつある。そこで、新生Cypressのメモリ事業における新製品/新ソリューション開発戦略を紹介する。(2015/10/15)



7月6日に米国等で、遅れて22日に日本でも配信を開始したスマホ向け位置情報ゲーム。街でスマホを持つ人がすべてポケモンGOプレイヤーに見えてしまうくらいの大ブームとなっているが、この盛り上がりがどれだけ継続するのか、この次に来る動きにも注目したい。

Oculus Riftに続く形で各社から次々と発表されたVRゴーグル。まだマニア向けという印象だが、ゲーム用途を中心に実用段階に進んでおり、決定打になるようなコンテンツが出てくれば、一気に普及が進む可能性もある。

ソフトバンクが買収を発表した半導体企業。既にスマホ市場では圧倒的なリーダーだが、今後IoTの時代が到来することで、ネットにつながるデバイスが爆発的に増加することが予測されており、そこでもスマホ同様のシェアを押さえられるのなら、確かにその成長性には期待が持てる。