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「不揮発性メモリ」最新記事一覧

HPE、160Tバイトの単一メモリを搭載した「The Machine」のプロトタイプを実証
米Hewlett Packard Enterprise(HPE)は、160Tバイトの不揮発性メモリを搭載した「The Machine」のプロトタイプで「メモリ主導型コンピューティング」の可能性を実証。将来的には最大4096YB(ヨタバイト)にまで拡張可能との予想も。(2017/5/22)

覚悟を決めて時間と労力を注ぐ価値はある
なぜ今「ソフトウェア定義ストレージ」なのか、SDSのメリットを存分に得る方法
ソフトウェア定義ストレージ(SDS)の実装を検討する際は、多くの選択肢がある。SDSのメリットを最大限に引き出す選び方とは。(2017/5/22)

車でのデータ扱い量増える中で:
Western Digital、「iNAND」の車向け展開を加速
Western Digital(ウェスタンデジタル)は、自動車市場に対し、組み込みフラッシュドライブ製品群「iNAND」の展開を加速させる。自動車市場でも低コスト、大容量のメモリへのニーズが広まり、iNANDの特長を生かしニーズの取り込みを図るようだ。(2017/5/22)

現実味を増す“ソフトウェア定義メモリ”
徹底解説:次世代メモリ技術「NVDIMM」、不揮発性メモリはストレージをどう変える?
さまざまな次世代メモリ技術の発展により、ストレージとメモリを統合するハイブリッドアプローチが登場している。その結果「ソフトウェア定義メモリ」というアイデアが現実味を帯び始めている。(2017/5/16)

Geスピントロニクス素子実現へ:
Ge中のスピン伝導現象を解明、阪大など
大阪大学らの研究グループは、ゲルマニウム(Ge)中のスピン伝導現象を解明した。半導体素子のさらなる高速化と低消費電力化を可能にする研究成果として注目される。(2017/5/9)

Q&Aで学ぶマイコン講座(37):
メモリの種類と特長
マイコンユーザーのさまざまな疑問に対し、マイコンメーカーのエンジニアがお答えしていく本連載。今回は、初級者の方からよく質問される「マイコンに搭載されているメモリの種類と特長」についてです。(2017/4/24)

TPSCo日本工場でも計画:
アイシン精機、車載半導体をタワージャズで量産
タワージャズは、アイシン精機がタワージャズのパワーマネジメント技術を用いて、次世代の車載用半導体チップを量産することになったと発表した。(2017/4/20)

「フラッシュファーストは終わり」、Dell EMCストレージ戦略の全貌:
PR:Dell EMCの多角的なオールフラッシュ製品群は、「フラッシュが標準の世界」を牽引する
フラッシュファーストはもう終わった。「フラッシュは、もう標準の時代」に入っている。では、企業は「具体的」に、どんな要素を考慮して、どのオールフラッシュストレージを選択すべきなのか。「多角的なオールフラッシュ製品群」で企業のITトランスフォーメーションを支える、Dell EMCストレージ戦略の全貌を解説する。(2017/4/13)

組み込み開発ニュース:
データログ機能を搭載したセンサービーコンを開発
富士通コンポーネントは、データログ機能を搭載したセンサービーコン「FWM8BLZ02A-109069」を開発した。運送貨物に取り付け、運送終了後に輸送中の貨物の状態を確認するなど、リアルタイムでのデータ受信が難しい状況で活用できる。(2017/3/23)

磁性と高速制御の両立を可能に:
理研ら、酸化亜鉛で異常ホール効果を観測
理化学研究所(理研)らによる国際共同研究グループは、高品質な酸化亜鉛が磁性伝導電子を持っていることを発見した。低消費電力デバイス用の新たな材料として注目される。(2017/3/21)

高い安全性要求に応える:
PR:高速、高耐久性の不揮発性メモリ「FRAM」がスマートエアバッグを実現する
自動車の衝突事故時に人命を守るエアバッグだが昨今、誤作動が生じて大規模なリコールも発生した。そこで、より正確にエアバッグを作動させるべく、より多くのセンサーデータを取得して適切なエアバッグ制御を行うスマートエアバッグシステムの開発が進む。ただ、スマートエアバッグには、データを常にリアルタイムで記憶する不揮発性メモリが不可欠であり、実現のカギになっている。そこで、スマートエアバッグに適した不揮発性メモリとして「FRAM」を紹介する。(2017/3/14)

Design Ideas 信号源とパルス処理:
ワイパーの位置を検出する
今回は、プリセット可能なアップ/ダウンカウンターを2つ用いて、デジタルプログラマブルポテンショメーター(DPP)のワイパーの位置をデジタル記録し、保持する回路を紹介する。(2017/3/7)

大容量化と大量生産を加速:
MRAM、参照層スペーサーにイリジウム採用
産業技術総合研究所(産総研)は、磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の性能向上や大量生産を可能とする参照層を開発した。(2017/3/2)

電力消費は競合製品の半分:
マイクロセミ、ミッドレンジFPGA分野に進出
Microsemi(マイクロセミ)は、ミッドレンジFPGA市場へ本格進出する。競合製品に比べて電力消費を最大50%削減しつつ、クラス最高レベルのセキュリティを実現した「PolarFire」ファミリーを発表した。(2017/2/15)

「ムーアの法則」を超える新世代コンピューティングの鼓動:
メモリ主導型コンピューティングでたくさんデータを使うと、どうなるか?
データ爆発を迎えたこの時代に、ITの抱える課題を解決する方法の1つがコンピュータのアーキテクチャに変えることです。今回はメモリ主導型コンピューティングによって実現されるかもしれない未来を紹介します。(2017/2/3)

2018年にサンプル出荷へ:
パナソニックとUMC、40nm ReRAMの共同開発で合意
パナソニック セミコンダクターソリューションズは、半導体ファウンドリである台湾UMCと、40nm量産プロセスの抵抗変化メモリ(ReRAM)共同開発に合意したと発表した。(2017/2/1)

「ムーアの法則」を超える新世代コンピューティングの鼓動:
姿を現した「メモリ主導型コンピューティング」の世界
性能の向上が頭打ちになってきた従来のコンピュータに代わる、新しいアーキテクチャのコンピュータが必要とされています。その特徴や技術について解説してきましたが、ついに現実のものになりました。今回はその様子をご紹介します。(2017/1/20)

不揮発性メモリの用途拡大へ:
産総研、電流ノイズからReRAMの挙動を解明
産業技術総合研究所(産総研)の馮ウェイ研究員らは、幅広い電流レンジでノイズを計測する手法を開発。この技術を用いて抵抗変化メモリ(ReRAM)が極めて小さい消費電力で動作する時の挙動を解明した。環境発電や人工知能デバイスなどに対する不揮発性メモリの用途拡大が期待される。(2017/1/17)

クラウド市場の成長を受け:
Google、「半導体のあらゆる分野で技術革新を」
米国で開催された「ISS(Industry Strategy Symposium)」において、Googleは、半導体業界の経営幹部たちに対し、「あらゆる分野においてイノベーションを加速させてほしい」と懇願した。(2017/1/16)

三重富士通セミコンダクター 取締役執行役員常務 千々岩雅弘氏:
PR:差異化技術を持つファウンドリとして、大手に対抗する三重富士通セミコンダクター
半導体受託製造専門企業(ファウンドリ)である三重富士通セミコンダクター(MIFS)は、「低消費電力」「組み込み不揮発性メモリ」「RF」の3つの領域で独自色の濃い差異化技術を構築し、大手ファウンドリに対抗する戦略を実践する。ファウンドリ3年目となる2017年は「差異化技術構築にメドが付き、国内外で積極的に受注を獲得する年」と位置付ける。同社取締役執行役員常務千々岩雅弘氏に、差異化技術の詳細や今後の事業戦略について聞いた。(2017/1/16)

最新テクノロジーをお客さまの“価値”として届ける:
PR:ハイパーコンバージド環境をシンプルに実現。Windows Server 2016+HPE ProLiant Gen9サーバーの進化から目が離せない!
2016年12月、x86サーバー HPE ProLiant Gen9全40モデルの「Windows Server 2016」対応が発表された。Windows Server 2016は、ハイパーコンバージド環境をオプションなしで実現し、不揮発性メモリNVDIMM-Nをサポートするなど注目すべき進化を遂げている。「ハイブリッドIT」「メモリドリブンコンピューティング」が現実的な選択肢となってきたいま、日本マイクロソフトと日本ヒューレット・パッカード(HPE)のキーパーソンの発言に注目したい。(2017/1/23)

福田昭のストレージ通信(54) 抵抗変化メモリの開発動向(13):
SanDiskが語る、抵抗変化メモリのセル選択スイッチ技術(後編)
「抵抗変化メモリの開発動向」シリーズの最終回となる今回は、セル選択スイッチ技術の中でも有望な、しきい電圧を有するスイッチ(スレッショルド・スイッチ)を紹介する。代表的な4種類のスレッショルド・スイッチと、それらの特性を見ていこう。(2016/12/28)

台頭しつつあるメーカーは?:
中国のメモリ市場、2017年はどう動くのか(後編)
メモリ分野に注力する中国。後編では、台頭しつつある中国のメモリチップメーカーの動きを探る。(2016/12/27)

福田昭のストレージ通信(53) 抵抗変化メモリの開発動向(12):
SanDiskが語る、抵抗変化メモリのセル選択スイッチ技術(前編)
抵抗変化メモリ(ReRAM)の記憶容量当たりの製造コストをDRAM以下にするためには、セレクタを2端子のスイッチにする必要がある。2端子セレクタを実現する技術としては、“本命”があるわけではなく、さまざまな技術が研究されている。(2016/12/27)

STマイクロ ST33HTPH2ESPIなど:
TPMによって拡張したセキュリティモジュール
STマイクロエレクトロニクスは2016年12月、システム認証用データをハードウェアに記録するセキュリティモジュール「ST33HTPH2ESPI」と「ST33HTPH20SPI」を発表した。(2016/12/26)

福田昭のストレージ通信(52) 抵抗変化メモリの開発動向(11):
SanDiskが語る、抵抗変化メモリのセルアレイとセルの選択
今回は、半導体メモリのメモリセルアレイと、アレイから特定のメモリセルを選択する手段について説明する。(2016/12/19)

「ムーアの法則」を超える新世代コンピューティングの鼓動:
電気回路の課題を解決できる? フォトニクスの伝送技術
不揮発性メモリの進化と同様に、信号の伝送に使うフォトニクス(光工学)も研究が進められてきました。不揮発性メモリにより階層化を排除した記憶領域は、より進んだ伝送技術によって広範に利用できるようになります。今回はフォトニクスによる伝送技術について解説します。(2016/12/16)

福田昭のストレージ通信(51) 抵抗変化メモリの開発動向(10):
SanDiskが語る、抵抗変化メモリの抵抗値変化
今回は、抵抗変化メモリ(ReRAM)の抵抗値が書き込み後に変化する現象(リラクゼーション)について報告する。十分な書き込み電流を確保すれば抵抗値は安定するが、当然、消費電力は増える。抵抗値の変化を抑えつつ、低い消費電力も実現するにはスイッチング原理の見直しが効果的だ。(2016/12/13)

技術革新で100TB超へ
高額な大容量SSDがバックアップ用途でも普及、HDD置き換えが急速に進む理由は
大容量SSDは、バックアップとリカバリーの計画にメリットをもたらす可能性がある。SSDを使用することでバックアップ処理時間はどのように短縮されるのだろうか。(2016/12/13)

福田昭のストレージ通信(50) 抵抗変化メモリの開発動向(9):
SanDiskが語る、抵抗変化メモリの長期信頼性
今回は、抵抗変化メモリ(ReRAM)の長期信頼性について報告する。具体的には、書き換え可能回数(Endurance Cycles)とデータ保持期間(Data Retention)についての研究実績を紹介したい。(2016/12/9)

福田昭のストレージ通信(49) 抵抗変化メモリの開発動向(8):
SanDiskが語る、抵抗変化メモリのスイッチングモデル
今回は、抵抗変化メモリ(ReRAM)の記憶素子におけるスイッチングの機構について説明する。スイッチング機構は、酸素の空孔あるいは酸素イオンが移動することによる酸化還元反応として説明できることが多い。(2016/12/5)

「ムーアの法則」を超える新世代コンピューティングの鼓動:
電気がなくてもデータは消えない、メモリ技術の最新事情
前回は現在のコンピュータのアーキテクチャが抱える問題点とその回答の1つとして新しいアーキテクチャを紹介しました。今回は特にポイントとなる記憶領域について、詳しく解説します。(2016/12/2)

SnDアーキテクチャはもう限界だ:
PR:これからの組み込み機器のメモリ構成は「SRAM/FRAM+NORフラッシュ」
産業機器をはじめとした組み込み機器のメモリ構成が変わりつつある。これまで、組み込み機器のメモリは「DRAM+NANDフラッシュ」という構成が一般的だったが、今後組み込み向けの低容量、高信頼DRAM/NANDフラッシュの調達難が予想され、代替メモリへの切り替えが必要になっている。そこで、新たなメモリ構成として有力視されているのが、さらなる進化が見込まれるSRAM/FRAM、そしてNORフラッシュだ。(2016/12/1)

コンピューティングの在り方を大きく変える概念:
HPE、「The Machine」プロトタイプのデモに成功
米ヒューレット・パッカード・エンタープライズが、2020年のリリースを予定する「The Machine」の概念実証プロトタイプを開発し、デモに成功した。(2016/11/30)

福田昭のストレージ通信(48) 抵抗変化メモリの開発動向(7):
SanDiskが語る、抵抗変化メモリの電気伝導メカニズム
今回は、抵抗変化メモリ(ReRAM)の記憶素子における電気伝導の原理について解説する。主な原理は7種類あるが、ReRAMの「高抵抗状態」と「低抵抗状態」を作り出すには、同じ原理が使われるとは限らないことも覚えておきたい。(2016/11/29)

「厳格なセキュリティ要件」への対応などを強化:
SUSE、「SUSE Linux Enterprise 12 Service Pack 2」を発表
SUSEが「SUSE Linux Enterprise 12 Service Pack 2」を発表。信頼性とセキュリティを強化した他、新しい技術に対応した。(2016/11/22)

福田昭のストレージ通信(47) 抵抗変化メモリの開発動向(6):
SanDiskが語る、抵抗変化メモリの消費電流と速度
今回は、抵抗変化メモリ(ReRAM)の主な性能に焦点を当てる。具体的にはスイッチング電流(書き込み電流)やスイッチング速度(動作速度)、スイッチング電圧という3つの観点から紹介する。(2016/11/22)

EvernoteがDropboxより進化している理由
「データを認識できるストレージ」が企業システムを“勝手に”最適化する
ストレージシステムが自分に保存しているデータの詳細を把握できるようになったとき、アプリケーションも相性に合わせた最適な使い方を自ら選べるようになるという。(2016/11/22)

「ムーアの法則」を超える新世代コンピューティングの鼓動:
コンピュータの限界を変えるための3つの視点
膨大なデータの活用を妨げになる現在のコンピュータの問題はどうすれば解決できるのでしょうか。今回はそのために必要な新しいコンピュータのアーキテクチャについて考えてみます。(2016/11/18)

不揮発性パワーゲーティング:
不揮発SRAMでプロセッサの待機時電力を大幅削減
東京工業大学の菅原聡准教授らによる研究グループは、マイクロプロセッサの待機時電力を大幅に削減できる技術を開発した。低消費電力技術(パワーゲーティング)に不揮発性SRAMを用いることで実現した。(2016/11/17)

福田昭のストレージ通信 抵抗変化メモリの開発動向(5):
SanDiskが語る、抵抗変化メモリの多様な材料組成
今回から「抵抗変化メモリ(ReRAM)の研究開発動向」の本格的な解説に入る。まずは、過去の国際学会で発表された論文から、ReRAMの材料組成の傾向をみていく。(2016/11/14)

富士通セミコン MB85AS4MT:
最大5MHz動作を可能にした4MビットのReRAM
富士通セミコンダクターは、メモリ容量4MビットのReRAMの提供を開始した。SPIインタフェースで最大5MHz動作を可能とし、5MHz動作時の読み出し動作電流は0.2mAとなっている。(2016/11/9)

福田昭のストレージ通信 抵抗変化メモリの開発動向(4):
SanDiskが語る、ストレージ・クラス・メモリの信頼性
SCMとはストレージ・クラス・メモリの略称で、性能的に外部記憶装置(ストレージ)と主記憶(メインメモリ)の間に位置するメモリである。前回は、SanDiskの講演から、SCMの性能とコストに関する比較をメモリセルレベルまで検討した。今回、信頼性について比較した部分をご紹介する。(2016/11/9)

福田昭のストレージ通信 抵抗変化メモリの開発動向(3):
SanDiskが語る、ストレージ・クラス・メモリの概要
ストレージ・クラス・メモリ(SCM)は、次世代の半導体メモリに最も期待されている用途である。今回は、このSCMの要件について、記憶密度やメモリアクセスの制約条件、メモリセルの面積の観点から紹介する。(2016/11/7)

福田昭のストレージ通信 抵抗変化メモリの開発動向(2):
SanDiskが語る、コンピュータのメモリ階層
今回は、SanDiskが語る“メモリ階層”について紹介する。2000年頃と2010年頃のメモリ階層を比較してみるとともに、2020年頃のメモリ階層を予想する。(2016/11/1)

PR:サーバもインフラSIも消える? エバンジェリストが考えるITの未来
5年後、10年後にエンタープライズITの世界はどうなっているのか――。技術革新のスピードが上がっている今、未来を予測するのは非常に難しくなっているが、IT業界に長く身を置き、サーバ、ネットワーク、インテグレート分野に精通したエバンジェリスト3人が集い、エンタープライズITの未来を語り合ってもらった。(2016/10/31)

福田昭のストレージ通信 抵抗変化メモリの開発動向(1):
SanDiskが語る、半導体不揮発性メモリの開発史
今回からは、国際学会で語られたSanDiskの抵抗変化メモリ(ReRAM)の研究開発動向について紹介していく。まずは、約60年に及ぶ「不揮発性メモリの歴史」を振り返る。(2016/10/28)

Design Ideas パワー関連と電源:
電池で駆動できる低電力用途向け電子負荷
PDAやデジタルカメラなどの携帯型電子機器の電源を設計する際、重要度が高いパラメーターの1つは変換効率である。電源の変換効率は、負荷電流を徐々に変えながら測定、評価を行う。今回は、1000〜2000円の安価な部品コストで実現できる小型の電子負荷を提案する。(2016/10/18)

600℃でもデータの書き換え・保存が可能に:
高温動作の不揮発性メモリ、千葉工大などが開発
千葉工業大学の菅洋志助教らによる研究チームは、600℃の高温環境下で動作する不揮発性メモリ素子を開発した。情報記憶部に耐熱性を有する白金ナノ構造を利用することで実現した。(2016/10/13)

あなたの知らないハイパーコンバージドインフラの世界(6):
NVMeとNVDIMMの進化を、HCIはどう活用しようとしているか
ストレージI/O技術は、NVMeの普及およびNVDIMMの進化で、大きな変化を迎えつつある。これはハイパーコンバージドインフラ(HCI)およびソフトウェアストレージにどのような影響を与えようとしているのだろうか。(2016/10/4)



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意欲的なメディアミックスプロジェクトとしてスタートしたものの、先行したスマホゲームはあえなくクローズ。しかしその後に放映されたTVアニメが大ヒットとなり、多くのフレンズ(ファン)が生まれた。動物園の賑わい、サーバルキャットの写真集完売、主題歌ユニットのミュージックステーション出演など、アニメ最終回後もその影響は続いている。

ITを活用したビジネスの革新、という意味ではこれまでも多くのバズワードが生まれているが、デジタルトランスフォーメーションについては競争の観点で語られることも多い。よくAmazonやUberが例として挙げられるが、自社の競合がこれまでとは異なるIT企業となり、ビジネスモデルレベルで革新的なサービスとの競争を余儀なくされる。つまり「IT活用の度合いが競争優位を左右する」という今や当たり前の事実を、より強調して表現した言葉と言えるだろう。