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「不揮発性メモリ」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「不揮発性メモリ」に関する情報が集まったページです。

関連キーワード

福田昭のストレージ通信(103) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(3):
埋め込みMRAM技術がフラッシュとSRAMを置き換えへ
今回は、GLOBALFOUNDRIESが提供する埋め込みMRAMマクロの概要を解説する。(2018/5/25)

富士通のサーバに採用:
Arria 10を統合した「Xeon」、Intelが量産開始
Intelは2018年5月17日(米国時間)、データセンターなど向けのプロセッサ「Xeonスケーラブルプロセッサ」について、FPGAを統合した「Xeon Gold 6138P」の量産を開始し、一部のベンダーに向けて提供を開始したと発表した。(2018/5/24)

書き込み電流も同時に評価:
STT-MRAM用テスト装置、測定が2万倍高速に
東北大学とキーサイト・テクノロジーは、STT-MRAM(スピン注入磁化反転型磁気メモリ)の信頼性評価を高速かつ正確に行う技術を開発した。従来システムに比べ2万倍も高速に測定することができる。(2018/5/17)

サイプレス EZ-PD CMG1:
USB Type-C 1.3規格に完全準拠のコントローラー
サイプレス セミコンダクタは、Electronically Markedケーブル向けのUSB-C電源供給コントローラー「EZ-PD CMG1」を発表した。最新のUSB Type-C 1.3規格に完全準拠しており、高速充電に対応する。(2018/5/17)

福田昭のストレージ通信(102) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(2):
微細化限界に達したフラッシュをMRAMで置き換え
埋め込みフラッシュメモリが直面する課題は、微細化の限界である。GLOBALFOUNDRIESは、2xnm以下の技術世代に向けた埋め込み不揮発性メモリとして、MRAM(磁気抵抗メモリ)を考えている。(2018/5/15)

ホワイトペーパー:
徹底解説:次世代のメモリ技術「NVDIMM」の正体
次世代メモリ技術の発展により、ストレージとメモリを統合するアプローチが現実味を帯びてきている。不揮発性メモリをDIMMスロットに搭載する標準仕様「NVDIMM」は既に利用できる製品だ。最近ではOpenStackコミュニティーもNVDIMMの採用を検討している。(2018/5/18)

福田昭のストレージ通信(101) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(1):
記憶容量と書き換え回数から最適な埋め込みメモリを選択
半導体デバイス技術に関する国際会議「IEDM」で行われたセミナー「Embedded MRAM Technology for IoT & Automotive(IoTと自動車に向けた埋め込みMRAM技術)」の概要を今回からシリーズで紹介する。(2018/5/9)

福田昭のストレージ通信(100) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(13):
多層配線工程に記憶素子を埋め込む不揮発性メモリ技術(後編)
後編では、多層配線工程の中に記憶素子を作り込むタイプの埋め込み不揮発性メモリについて、その利点と、メモリセルの記憶素子を実現する技術を解説する。(2018/4/27)

福田昭のストレージ通信(99)STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(12):
多層配線工程に記憶素子を埋め込む不揮発性メモリ技術(前編)
多層配線工程の中に記憶素子を作り込むタイプの埋め込み不揮発性メモリ技術について解説する。(2018/4/20)

福田昭のストレージ通信(98)STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(11):
車載用埋め込みフラッシュメモリ技術のまとめ
今回は、本シリーズで、これまで述べてきた車載用埋め込みフラッシュメモリ技術を総括する。(2018/4/13)

福田昭のストレージ通信(93) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(6):
STMicroelectronicsの埋め込みフラッシュメモリ技術(前編)
今回は、開発各社の埋め込みフラッシュメモリ技術を前後編にわたって紹介する。前編では、STMicroelectronicsが製品化している、1トランジスタのNORフラッシュ(1T NOR eFlash)技術を取り上げる。(2018/3/19)

車載や産機、医療向け:
書き換え100兆回、遅延ゼロで書き込めるFRAM
Cypress Semiconductor(サイプレス セミコンダクタ)は、車載システムや産業機器、医療機器などのデータ収集用途に向けた不揮発性メモリの新ファミリーを発表した。データの取りこぼしがなく、書き換え回数など耐久性にも優れている。(2018/3/16)

「ユーザーが置き去りになる」という意見も
大手ストレージベンダー9社が予測する2018年は? 新メモリ技術、NVMeに注目
NVMe、NVMe over Fabrics、そして新しいメモリテクノロジーが2018年以降のストレージ業界をかき乱すだろうというのが、ストレージ担当の企業幹部や業界アナリストの予測だ。(2018/3/14)

福田昭のストレージ通信(92) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(5):
車載用の埋め込みフラッシュメモリ技術
今回は、大容量、具体的には車載用の埋め込み不揮発性メモリ技術を取り上げる。車載用の不揮発性メモリ技術は、1トランジスタのNORフラッシュ(1T NOR Flash)技術と、スプリットゲートフラッシュ技術に大別される。(2018/3/13)

福田昭のストレージ通信(91) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(4):
小容量と中容量の埋め込み不揮発性メモリ
埋め込み不揮発性メモリの記憶容量は、おおむね小容量、中容量、大容量、超大容量に分類される。今回は、小容量と中容量の埋め込み不揮発性メモリについて、用途や利点・欠点を解説する。(2018/3/9)

福田昭のストレージ通信(90) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(3):
車載用マイコンへの要求仕様
車載用マイコンに対する要求仕様は、かなり厳しい。車載用マイコンが内蔵する不揮発性メモリについても同様だ。今回は、これらの要求仕様について説明する。(2018/3/7)

福田昭のストレージ通信(89) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(2):
不揮発性メモリ(単体)の栄枯盛衰と埋め込み用途への展開
今回は、単体の不揮発性メモリ製品(スタンドアロンの不揮発性メモリ製品)について考察し、車載マイコンの埋め込み用メモリとしてNORフラッシュメモリ技術が使われている理由や、単体メモリと埋め込み用メモリの違いに触れる。(2018/3/2)

福田昭のストレージ通信(88) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(1):
車載用マイコンが内蔵する不揮発性メモリ
今回から数回にわたり、2017年12月に開催された「IEDM」で行われた車載用の埋め込み不揮発性メモリに関する講座の模様を紹介していく。(2018/2/28)

熱気に包まれるストレージ業界
「NVMe-oF」と「SCM」が出会うとき、ストレージ業界に破壊的革新が起こる
この5年間でNANDフラッシュメモリはストレージ分野に変革をもたらした。同じように、「NVMe over Fabrics」(NVMe-oF)と「ストレージクラスメモリ」(SCM)は、従来のストレージ分野を一変させる可能性がある。(2018/1/23)

低電力で高速にデータ書き換え:
東北大学ら、次世代相変化メモリの新材料を開発
東北大学は、従来の材料とは逆の電気特性を示す相変化材料を開発したと発表した。この新材料を相変化メモリに適用すれば、データ書き換え時の消費電力小さく、高速動作を可能とする次世代不揮発性メモリを実現することができる。(2018/1/16)

富士通セミコンダクター システムメモリカンパニー長 松宮正人氏:
PR:不揮発性RAMで、社会に新たな価値を提供し続ける富士通セミコンダクター
富士通セミコンダクターは、省電力、高速動作を特長とするFRAMを扱うシステムメモリ事業で、IoT(モノのインターネット)時代のニーズに応じたソリューションの提案を加速させる。2018年は、RFIDによる無線給電技術とFRAM技術を組み合わせた“バッテリーレスソリューション”が実用化される見通し。「省電力の不揮発性RAMへの期待はますます大きくなっている。新製品開発やソリューション開発で、それらの期待に応えたい」という富士通セミコンダクター システムメモリカンパニー長の松宮正人氏に事業戦略を聞いた。(2018/1/16)

基本構造と価格、安定性、利用シーンを紹介
NANDフラッシュメモリ基礎編:SLC、MLC、TLC NANDは何が違うのか
NANDは最も一般的な種類のフラッシュだ。だが、さまざまな種類があり、それぞれ役立つ目的が異なる。NANDフラッシュメモリの基礎について、本稿を参考にしてほしい。(2017/12/25)

1ノード当たり5米ドル以下に……:
PR:IoTノード設計の厳しいBOMコスト要件を満たすために、メモリソリューションができること
IoT(モノのインターネット)の実現には、ノードの価格を抑制する必要があり、1ノード当たり5米ドルを超えないようにする必要があるとされる。当然、ノードに実装されるコンポーネントそれぞれの価格を下げていく必要があるのだが、比較的高価なメモリについてはコストは下げられるのだろうか。IoTノードに最適なメモリソリューションを紹介したい。(2017/12/22)

福田昭のストレージ通信(87):
半導体メモリの専門学会「国際メモリワークショップ(IMW)」が日本で開催へ
2008〜2017年まで主に米国で開催されてきた「国際メモリワークショップ(IMW)」が、2018年は日本の京都で開催される。今回はIMWの概要を紹介しよう。(2017/12/6)

Enterprise IT Kaleidoscope:
「Windows 10 Pro for WorkStation」って、結局“誰得”なの?
Winodws 10 Fall Creators Updateともにリリースされた、Windows 10の新たなエディション「Windows 10 Pro for Workstation」。ワークステーション向けというややニッチなOSだが、そのニーズや価値はどこにあるのだろうか。(2017/11/27)

福田昭のデバイス通信(118) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(2):
IEDM 2017の技術講演初日、高密度ReRAMと紙基板の2次元トランジスタ
技術講演初日である2017年12月4日から、注目の講演を紹介する。抵抗変化メモリ(ReRAM)や、折り曲げ可能な電子回路(フレキシブルエレクトロニクス)関連で、興味深い講演が多い。(2017/11/9)

機能安全規格対応の最新メモリ製品も紹介:
PR:車の機能安全規格を満たすため、フラッシュメモリに求められる要件とは?
自動車での利用が広がっているフラッシュメモリは、機能安全規格「ISO26262」を満たす必要性が高まっています。機能安全規格を満たすために必要な機能、要件とはどのようなものかを紹介しながら、機能安全規格を満たす最新フラッシュメモリを紹介していきます。(2017/11/6)

福田昭のストレージ通信(86) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(7):
まとめ:新世代のメモリを創造する二酸化ハフニウム/ジルコニウム
今回は、強誘電体メモリに関する2つのシリーズ「強誘電体メモリの再発見」と「反強誘電体が起爆するDRAM革命」の要点をまとめる。2011年に二酸化ハフニウム強誘電体が公表されてからの研究成果を振り返るとともに、これからの課題についても触れておきたい。(2017/11/2)

ハードウェアの転換期
真のDRAM代替メモリとは 未来のITインフラで起こるメモリ技術の革新
未来のデータセンターにおけるDRAMの代替を探る動きが進んでいる。業界専門家によると、データセンターハードウェアには今後、数多くの革新がもたらされる見通しだ。(2017/11/2)

福田昭のストレージ通信(85) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(6):
「不揮発性DRAM」へのアプローチ(後編)
後編では、NaMLabやドレスデン工科大学などの共同研究グループが試作した、3次元構造の反強誘電体キャパシターアレイと、その特性を紹介する。(2017/10/27)

HDDをSSDに置き換えても意味はない?
VDIだけじゃない HCIはインメモリDBにも活用できる
全てのHDDをSSDに置き換えても、インメモリデータベースにまつわるストレージの問題を解決することにはならない。それよりもハイパーコンバージドとNVDIMMを検討すべきだ。(2017/10/24)

福田昭のストレージ通信(84) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(5):
「不揮発性DRAM」へのアプローチ(前編)
今回から、「不揮発性DRAM」の実現を目指す研究開発について解説する。二酸化ジルコニウムは、その結晶構造から、工夫次第で強誘電体のような不揮発性を付加できる可能性がある。(2017/10/20)

福田昭のストレージ通信(83) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(4):
試作された反強誘電体キャパシターの長期信頼性
二酸化ジルコニウムを、仕事関数が異なる材料の電極で挟んだ不揮発性メモリ用のセルキャパシター。この試作品の長期信頼性を確認するために、NaMLabやドレスデン工科大学などの共同研究グループが、書き換えサイクル特性とデータ保持特性を測定した。(2017/10/17)

福田昭のストレージ通信(82) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(3):
反強誘電体キャパシターから不揮発性メモリを作る方法(続き)
反強誘電体の内部に電界バイアスを加え、不揮発性メモリを作る方法を紹介する。この手法を適用して、二酸化ジルコニウムの反強誘電体キャパシターからキャパシターが試作されている。(2017/10/12)

福田昭のストレージ通信(81) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(2):
反強誘電体キャパシターから不揮発性メモリを作る方法
二酸化ハフニウムは、条件次第で「反強誘電体(Antiferroelectrics)」になるが、反強誘電体の薄膜にある工夫を加えると、不揮発性メモリに応用可能になる。その「工夫」とは何だろうか。(2017/10/10)

福田昭のストレージ通信(80) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(1):
反強誘電体とは何か
強誘電体の新材料である二酸化ハフニウムは、実は条件次第では「反強誘電体(Antiferroelectrics)」になる。今回から、この反強誘電体を不揮発性メモリに応用する研究について解説していこう。(2017/10/5)

福田昭のストレージ通信(78) 強誘電体メモリの再発見(22):
強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する(前編)
今回から2回にわたり、二酸化ハフニウム系強誘電体材料を使った強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する仕組みについて紹介する。(2017/9/26)

インメモリ処理のバックエンドストレージを考える
「NVDIMM」はなぜインメモリデータベースの“相棒”になり切れないのか?
高速なデータ処理を可能にする「インメモリデータベース」は、電源を切るとデータを保持できないのが一般的だ。そのためバックエンドのストレージシステムが重要になるが、技術選定は容易ではない。(2017/9/25)

福田昭のストレージ通信(76) 強誘電体メモリの再発見(20):
二酸化ハフニウムを使った強誘電体トランジスタの研究開発(前編)
今回から、「二酸化ハフニウム系強誘電体材料」を使った強誘電体トランジスタ(FeFET)の研究開発状況を報告する。二酸化ハフニウム系強誘電体薄膜は、厚みがわずか7nm程度でも強誘電性を有することが確認されていて、このため、FeFETを微細化できることが大きな特長となっている。(2017/9/15)

福田昭のストレージ通信(75) 強誘電体メモリの再発見(19):
従来型材料を使った強誘電体トランジスタの研究開発(後編)
強誘電体トランジスタ(FeFET:Ferroelectric FET)の研究をけん引したのは、日本の産業技術総合研究所(産総研)だった。後編では、産総研が開発したFeFETと、強誘電体不揮発性メモリを、同研究所の成果発表に沿って紹介していこう。(2017/9/12)

福田昭のストレージ通信(74) 強誘電体メモリの再発見(18):
従来型材料を使った強誘電体トランジスタの研究開発(前編)
強誘電体トランジスタ(FeFET)の原理は比較的単純だが、トランジスタの設計と製造は極めて難しい。1990年代前半から開発が続く中、約30日というデータ保持期間を強誘電体トランジスタで初めて実現したのは、日本の産業技術総合研究所(産総研)だった。(2017/9/7)

福田昭のストレージ通信(73) 強誘電体メモリの再発見(17):
究極の高密度不揮発性メモリを狙う強誘電体トランジスタ
今回は、1個のトランジスタだけでメモリセルを構成できる「FeFET(Ferroelectric FET)」または「強誘電体トランジスタ」について解説する。FeFETは、構造はシンプルだが、トランジスタの設計はかなり複雑になる。(2017/9/5)

IT部門の選択肢は
「オブジェクト対応NAS」で再確認したオブジェクトストレージの利点
多くのベンダーが、拡張性の高いオブジェクトレベルのストレージ製品を提供している。これらの製品はファイルインタフェースを備えることで、NASに代わる選択肢として手軽に利用できるようになってきた。(2017/9/4)

「ソフトウェア定義メモリ」がもたらすチャンスと課題
「NVDIMM」「DRAM」強化で“ソフトウェア定義メモリ”実現、驚きの性能とは?
NVDIMMとDRAMの役割が拡大し、ソフトウェア定義メモリが実現することで、今後、企業データセンターの柔軟性が向上することが予想される。ただし幾つか課題もある。(2017/8/31)

福田昭のストレージ通信(72) 強誘電体メモリの再発見(16):
新材料「二酸化ハフニウム」を使った強誘電体キャパシターの特性
強誘電体の二酸化ハフニウムは、不揮発性メモリ用のキャパシターとしてどのような特性を示しているのか。後編となる今回は、分極反転サイクル特性と、シリコン面積当たりの静電容量を高めるための3次元構造について解説する。(2017/8/30)

PR:HPEが提案する新時代のコンピュートエクスペリエンス【Vol.3】
2017年7月27日に開催された「HPE サーバーフォーラム 2017」は、800人を超える来場者の熱気に包まれた。ヒューレット・パッカード エンタープライズ(HPE)が総力を結集した新製品、「HPE Gen10 サーバー プラットフォーム」のデビューイベントである。“ハードウェアレベルのセキュリティ”という新たな業界標準で来場者を惹きつけたセッションの模様を通じて、『世界標準の安心サーバー』の価値を明らかにしていこう。(2017/8/30)

福田昭のストレージ通信(71) 強誘電体メモリの再発見(15):
新材料「二酸化ハフニウム」を使った強誘電体メモリへの長い道
今回から2回にわたり、強誘電体の二酸化ハフニウムが、不揮発性メモリ用のキャパシターとしてどのような特性を示しているかを解説する。強誘電体不揮発性メモリ(FeRAM)のメモリセルで重要なのは、強誘電体キャパシターの特性だ。二酸化ハフニウムを絶縁膜とする強誘電体キャパシターが、優れた特性を備えているかどうかを調べる必要がある。(2017/8/25)

主要ベンダーと製品も紹介
いまさら聞けない次世代メモリ技術「3D XPoint」とは
IntelとMicron Technologyが共同開発した次世代メモリ/ストレージ技術「3D XPoint」。両社によれば、DRAMとNANDフラッシュメモリの間を埋める新しい技術になるという。(2017/8/24)

Enterprise IT Kaleidoscope:
「Windows 10 Pro for Workstations」はなぜ生まれたのか
現地時間の8月10日、Microsoftが「Windows 10 Pro for Workstations」を発表した。Windows 10の新たなエディションとなるのか、追加ライセンスのような形になるのかは不明だが、従来のWindows 10よりもサーバOSに近い位置付けの製品になるのではないかと見ている。(2017/8/16)

今選ぶべきは“フラッシュファースト”ストレージ
SSDだけの「オールフラッシュ」が本当に正解? 再考したい次のストレージ購入
ベンダー各社が推奨するオールフラッシュのストレージアレイを選ぶより、フラッシュに最適化されたシンプルでコスト効率の高い製品で自社のニーズを満たすことを考えた方が良さそうだ。(2017/8/16)



ビットコインの大暴騰、「億り人」と呼ばれる仮想通貨長者の誕生、マウントゴックス以来の大事件となったNEM流出など、派手な話題に事欠かない。世界各国政府も対応に手を焼いているようだが、中には政府が公式に仮想通貨を発行する動きも出てきており、国家と通貨の関係性にも大きな変化が起こりつつある。

Amazonが先鞭をつけたAIスピーカープラットフォーム。スマホのアプリが巨大な市場を成したように、スマートスピーカー向けのスキル/アプリ、関連機器についても、大きな市場が生まれる可能性がある。ガジェットフリークのものと思われがちだが、画面とにらめっこが必要なスマホよりも優しいUIであり、子どもやシニアにもなじみやすいようだ。

「若者のテレビ離れが進んでいる」と言われるが、子どもが将来なりたい職業としてYouTuberがランクインする時代になった。Twitter上でのトレンドトピックがテレビから大きな影響を受けていることからも、マスメディア代表としてのテレビの地位はまだまだ盤石に感じるが、テレビよりもYouTubeを好む今の子ども達が大きくなっていくにつけ、少なくとも誰もが同じ情報に触れることは少なくなっていくのだろう。