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「不揮発性メモリ」最新記事一覧

関連キーワード

福田昭のストレージ通信(83) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(4):
試作された反強誘電体キャパシターの長期信頼性
二酸化ジルコニウムを、仕事関数が異なる材料の電極で挟んだ不揮発性メモリ用のセルキャパシター。この試作品の長期信頼性を確認するために、NaMLabやドレスデン工科大学などの共同研究グループが、書き換えサイクル特性とデータ保持特性を測定した。(2017/10/17)

福田昭のストレージ通信(82) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(3):
反強誘電体キャパシターから不揮発性メモリを作る方法(続き)
反強誘電体の内部に電界バイアスを加え、不揮発性メモリを作る方法を紹介する。この手法を適用して、二酸化ジルコニウムの反強誘電体キャパシターからキャパシターが試作されている。(2017/10/12)

福田昭のストレージ通信(81) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(2):
反強誘電体キャパシターから不揮発性メモリを作る方法
二酸化ハフニウムは、条件次第で「反強誘電体(Antiferroelectrics)」になるが、反強誘電体の薄膜にある工夫を加えると、不揮発性メモリに応用可能になる。その「工夫」とは何だろうか。(2017/10/10)

福田昭のストレージ通信(80) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(1):
反強誘電体とは何か
強誘電体の新材料である二酸化ハフニウムは、実は条件次第では「反強誘電体(Antiferroelectrics)」になる。今回から、この反強誘電体を不揮発性メモリに応用する研究について解説していこう。(2017/10/5)

福田昭のストレージ通信(78) 強誘電体メモリの再発見(22):
強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する(前編)
今回から2回にわたり、二酸化ハフニウム系強誘電体材料を使った強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する仕組みについて紹介する。(2017/9/26)

インメモリ処理のバックエンドストレージを考える
「NVDIMM」はなぜインメモリデータベースの“相棒”になり切れないのか?
高速なデータ処理を可能にする「インメモリデータベース」は、電源を切るとデータを保持できないのが一般的だ。そのためバックエンドのストレージシステムが重要になるが、技術選定は容易ではない。(2017/9/25)

福田昭のストレージ通信(76) 強誘電体メモリの再発見(20):
二酸化ハフニウムを使った強誘電体トランジスタの研究開発(前編)
今回から、「二酸化ハフニウム系強誘電体材料」を使った強誘電体トランジスタ(FeFET)の研究開発状況を報告する。二酸化ハフニウム系強誘電体薄膜は、厚みがわずか7nm程度でも強誘電性を有することが確認されていて、このため、FeFETを微細化できることが大きな特長となっている。(2017/9/15)

福田昭のストレージ通信(75) 強誘電体メモリの再発見(19):
従来型材料を使った強誘電体トランジスタの研究開発(後編)
強誘電体トランジスタ(FeFET:Ferroelectric FET)の研究をけん引したのは、日本の産業技術総合研究所(産総研)だった。後編では、産総研が開発したFeFETと、強誘電体不揮発性メモリを、同研究所の成果発表に沿って紹介していこう。(2017/9/12)

福田昭のストレージ通信(74) 強誘電体メモリの再発見(18):
従来型材料を使った強誘電体トランジスタの研究開発(前編)
強誘電体トランジスタ(FeFET)の原理は比較的単純だが、トランジスタの設計と製造は極めて難しい。1990年代前半から開発が続く中、約30日というデータ保持期間を強誘電体トランジスタで初めて実現したのは、日本の産業技術総合研究所(産総研)だった。(2017/9/7)

福田昭のストレージ通信(73) 強誘電体メモリの再発見(17):
究極の高密度不揮発性メモリを狙う強誘電体トランジスタ
今回は、1個のトランジスタだけでメモリセルを構成できる「FeFET(Ferroelectric FET)」または「強誘電体トランジスタ」について解説する。FeFETは、構造はシンプルだが、トランジスタの設計はかなり複雑になる。(2017/9/5)

IT部門の選択肢は
NAS置き換えを狙う「オブジェクトベースストレージ」の基本と主要ベンダー
多くのベンダーが、拡張性の高いオブジェクトレベルのストレージ製品を提供している。これらの製品はファイルインタフェースを備えることで、NASに代わる選択肢として手軽に利用できるようになってきた。(2017/9/4)

「ソフトウェア定義メモリ」がもたらすチャンスと課題
「NVDIMM」「DRAM」強化で“ソフトウェア定義メモリ”実現、驚きの性能とは?
NVDIMMとDRAMの役割が拡大し、ソフトウェア定義メモリが実現することで、今後、企業データセンターの柔軟性が向上することが予想される。ただし幾つか課題もある。(2017/8/31)

福田昭のストレージ通信(72) 強誘電体メモリの再発見(16):
新材料「二酸化ハフニウム」を使った強誘電体キャパシターの特性
強誘電体の二酸化ハフニウムは、不揮発性メモリ用のキャパシターとしてどのような特性を示しているのか。後編となる今回は、分極反転サイクル特性と、シリコン面積当たりの静電容量を高めるための3次元構造について解説する。(2017/8/30)

PR:HPEが提案する新時代のコンピュートエクスペリエンス【Vol.3】
2017年7月27日に開催された「HPE サーバーフォーラム 2017」は、800人を超える来場者の熱気に包まれた。ヒューレット・パッカード エンタープライズ(HPE)が総力を結集した新製品、「HPE Gen10 サーバー プラットフォーム」のデビューイベントである。“ハードウェアレベルのセキュリティ”という新たな業界標準で来場者を惹きつけたセッションの模様を通じて、『世界標準の安心サーバー』の価値を明らかにしていこう。(2017/8/30)

福田昭のストレージ通信(71) 強誘電体メモリの再発見(15):
新材料「二酸化ハフニウム」を使った強誘電体メモリへの長い道
今回から2回にわたり、強誘電体の二酸化ハフニウムが、不揮発性メモリ用のキャパシターとしてどのような特性を示しているかを解説する。強誘電体不揮発性メモリ(FeRAM)のメモリセルで重要なのは、強誘電体キャパシターの特性だ。二酸化ハフニウムを絶縁膜とする強誘電体キャパシターが、優れた特性を備えているかどうかを調べる必要がある。(2017/8/25)

主要ベンダーと製品も紹介
いまさら聞けない次世代メモリ技術「3D XPoint」とは
IntelとMicron Technologyが共同開発した次世代メモリ/ストレージ技術「3D XPoint」。両社によれば、DRAMとNANDフラッシュメモリの間を埋める新しい技術になるという。(2017/8/24)

Enterprise IT Kaleidoscope:
「Windows 10 Pro for Workstations」はなぜ生まれたのか
現地時間の8月10日、Microsoftが「Windows 10 Pro for Workstations」を発表した。Windows 10の新たなエディションとなるのか、追加ライセンスのような形になるのかは不明だが、従来のWindows 10よりもサーバOSに近い位置付けの製品になるのではないかと見ている。(2017/8/16)

今選ぶべきは“フラッシュファースト”ストレージ
SSDだけの「オールフラッシュ」が本当に正解? 再考したい次のストレージ購入
ベンダー各社が推奨するオールフラッシュのストレージアレイを選ぶより、フラッシュに最適化されたシンプルでコスト効率の高い製品で自社のニーズを満たすことを考えた方が良さそうだ。(2017/8/16)

「Windows 10 Pro for Workstations」、4CPU・6TBのRAMサポートで今秋登場へ
Microsoftは「Windows 10」の「Fall Creators Update」で、ハイエンド向け新エディション「Windows 10 Pro for Workstations」を追加する。デフォルトで「ReFS」が有効で、最高4のIntel Xeon/AMD Opteron、6TBまでのメモリをサポートする。(2017/8/13)

福田昭のストレージ通信(68) 強誘電体メモリの再発見(12):
FeRAMの長期信頼性に関する特徴
強誘電体不揮発性メモリ(FeRAM)の長期信頼性を決めるのは、強誘電体キャパシターの分極特性だ。今回は、強誘電体キャパシターを劣化させる主な現象として「疲労(ファティーグ:fatigue)」と「インプリント(imprint)」について解説する。(2017/8/10)

福田昭のストレージ通信(67) 強誘電体メモリの再発見(11):
FeRAMのメモリセル構造の基礎
強誘電体不揮発性メモリ(FeRAM)の構造には、2T2C方式、1T1C方式、チェインセル方式がある。それぞれの特徴を紹介するとともに、メモリセルの断面構造についても解説しよう。(2017/8/8)

SASやSATAに代わるストレージインタフェース
いまさら聞けないSSD向け次世代接続規格「NVMe」 仕組みと歴史を解説する
次世代SSDの接続規格「NVMe」の仕組みや歴史をひもとく。2017年のフラッシュストレージ導入を後押しすると期待が集まる最新技術「NVMe over Fabrics」についても解説する。(2017/8/4)

福田昭のストレージ通信(66) 強誘電体メモリの再発見(10):
強誘電体不揮発性メモリ(FeRAM)の基本動作
今回は、強誘電体メモリ(FeRAM)の基本動作を解説する。FeRAMでは、強誘電体キャパシターにおける残留分極の向きがデータの値を決める。さらに、読み出し動作と微細化に伴う問題についても触れる。(2017/8/3)

福田昭のストレージ通信(65) 強誘電体メモリの再発見(9):
強誘電体メモリ研究の歴史(後編)〜1990年代以降の強誘電体メモリ
強誘電体不揮発性メモリ(FeRAM)の研究開発の歴史を前後編で紹介している。後編となる今回は、ジルコン酸チタン酸鉛(PZT)とタンタル酸ビスマス酸ストロンチウム(SBT)を使ったFeRAMに焦点を当てる。さらに、Intelが一時期、技術ベンチャーと共同研究していた有機高分子メモリにも触れる。(2017/8/1)

福田昭のストレージ通信(64) 強誘電体メモリの再発見(8):
強誘電体メモリ研究の歴史(前編)〜1950年代の強誘電体メモリ
今回と次回で、強誘電体不揮発性メモリ(FeRAM)の研究開発の歴史を振り返っていく。FeRAMの歴史は年代順に初期、中期、後期の3つに分けることができる。前編となる今回は、FeRAMが初めて提案された1952年から始まった初期の歴史を紹介したい。(2017/7/26)

DARPAがプロジェクトを募集:
米半導体業界、ポスト・ムーアの技術を模索
米国防高等研究計画局(DARPA)は、来たる「ムーアの法則」の終息に備え、“ポスト・ムーア時代”の技術の模索を本格化させている。材料、アーキテクチャ、設計の自動化の3つにターゲットを絞り、まずは2億米ドルを投資してプロジェクトを行う予定だ。(2017/7/25)

PR:HPEが提案する新時代のコンピュートエクスペリエンス【Vol.2】
2017年7月20日、企業のITインフラやクラウド基盤の在り方を変える「新たな指針」が示された。顕在化しつつあるハードウェアレベルまで深化したセキュリティリスクを、「ハードウェア主導のセキュリティ技術で未然に防ぐ」という革新的なアプローチだ。ついに登場したHPE Gen10 サーバー プラットフォームが打ち出したコンセプトは、『世界標準の安心サーバー』である。HPEのキーパーソンに聞いた。(2017/7/24)

福田昭のストレージ通信(62) 強誘電体メモリの再発見(6):
代表的な強誘電体材料(前編)〜圧電セラミックス系材料
今回から2回にわたり、代表的な強誘電体を説明する。本稿では、強誘電体メモリへの応用を見込んだ最も古い材料であるチタン酸バリウムをはじめ、最も重要な強誘電体材料であるジルコン酸チタン酸鉛(PZT)、そしてPZTの対抗馬として名乗りを上げたタンタル酸ビスマス酸ストロンチウム(SBT)、ビスマスフェライト(BFO)を解説しよう。(2017/7/20)

第14世代Dell EMC PowerEdgeサーバの魅力:
PR:日米同時発売! 大変身した第14世代PowerEdgeサーバの「味わいどころ」とは?
Dell EMCが新たに発表した「第14世代Dell EMC PowerEdgeサーバ」は、「選びがいのあるサーバ」だ。元々、顧客の声を反映した多数の工夫や革新を特徴とするシリーズだが、第14世代のPowerEdgeでは特に、大胆な取り組みが各所に見られる。自動車でいえばフルモデルチェンジのような印象を持つ人が多いのではないだろうか。(2017/7/20)

米機関が調査結果を公表(後編):
テスラの死亡事故、詳細は分からないままなのか
米国家運輸安全委員会(NTSB)が発表した、Tesla Motors(テスラ・モーターズ)「Model S」による死亡事故の調査報告書には、車載カメラが記録していた内容について詳細が書かれておらず、失望の声が上がっている。(2017/7/5)

米機関が調査結果を公表(前編):
テスラの死亡事故、ドライバーに何度も警告
2016年、自動運転モードで走行していたTesla Motors(テスラ)「Model S」が大型トレーラーと衝突し、Model Sのドライバーが死亡するという事故が発生した。“自動運転中の初の死亡事故”ということで大きな話題を呼んだこの事故について、米国家運輸安全委員会は、500ページに上る調査結果を公表した。(2017/7/3)

福田昭のストレージ通信(57) 強誘電体メモリの再発見(1):
強誘電体メモリが再び注目を集めている、その理由
FeRAM(強誘電体不揮発性メモリ)の研究開発の熱気は、2000年代に入ると急速に衰えていった。だが2011年、その状況が一変し、FeRAMへの関心が再び高まっている。そのきっかけとは何だったのだろうか。(2017/6/29)

PR:HPEが提案する新時代のコンピュートエクスペリエンス【Vol.1】
デジタル化は、ビジネスやサービス、暮らしの中の体験にまで大きな変革をもたらした。イノベーションが従来の常識を次々と変えていく中、これを支える情報テクノロジーもまた大きな進化を遂げている。今、ITの世界でどんな変化が起こりつつあるのか、そして、これからどう変わるのか。日本ヒューレット・パッカード(以下、HPE)でデータセンター・ハイブリッドクラウド製品ビジネスの指揮を執る本田昌和氏に聞いた。(2017/6/22)

HDDと同じメンテはかえって悪化
SSD性能低下と短命化につながるストレージ設定の“常識と非常識”
SSDを採用する企業が増える中、ストレージを最適化する方法も進化する必要がある。デフラグの無効化やライトキャッシュの使用といった手法がどう役立つのか。(2017/6/22)

ストレージの利用法が激変
3D XPointが根底から変えるハードウェアアーキテクチャ
次世代の不揮発性メモリの出現が、ハードウェアアーキテクチャを根底から変えるという。データベースの書き換え処理はどう変わるのか。(2017/6/22)

Computer Weekly製品導入ガイド
ストレージ高速化の決め手はいまだ過渡期
増え続ける需要がオールフラッシュアレイにのしかかる中で、ストレージに対する新たなアプローチの必要性を検討する。(2017/6/20)

メモリ工場に25億米ドル投資:
Intel、3D NANDとOptaneのメモリ技術に注力
Intel(インテル)は、メモリ事業において、「3D NAND」と「Optane」の2つの先端不揮発性メモリ技術をベースとしたSSD(Solid State Drive)製品などに注力していく。(2017/6/19)

メモリとストレージの混載でOpenStackが変わる
未来の規格「NVDIMM」がOpenStackローカルストレージを画期的に変える
OpenStackのローカルストレージの選択肢は多岐にわたる。依然としてHDDが適切な場合もあればNMVe準拠のSSDのニーズもある。ベストな選択肢について考える。(2017/6/15)

ITインフラを変える新潮流【後編】
ハイパーコンバージドインフラに賭けるべきか? その答えは……
ハイパーコンバージドインフラの導入が増えている現状で、「導入しない」とする場合、代わりになる方法の妥当性を検討することになる。構成要素技術の将来性と併せて考察する。(2017/6/14)

その理由は「メリットが明確」
“フラッシュファースト”なSDS急拡大で従来型ストレージは消滅?
スケールアウトSDSの急速な普及によって、従来型のストレージ製品やストレージアレイの収益が低下している。 (2017/6/12)

マイコン講座 不良解析編(1):
不良解析レポートを理解するための基礎知識 ―― 一次物理解析&電気的特性評価
マイコンをより深く知ることを目指す新連載「マイコン講座」。今回から3回にわたって、マイコンメーカーが行っている「不良解析」を取り上げる。メーカーから送られてくる不良解析レポートの内容を理解するための、不良解析に関する基礎知識を紹介していく。(2017/5/25)

HPE、160Tバイトの単一メモリを搭載した「The Machine」のプロトタイプを実証
米Hewlett Packard Enterprise(HPE)は、160Tバイトの不揮発性メモリを搭載した「The Machine」のプロトタイプで「メモリ主導型コンピューティング」の可能性を実証。将来的には最大4096YB(ヨタバイト)にまで拡張可能との予想も。(2017/5/22)

覚悟を決めて時間と労力を注ぐ価値はある
なぜ今「ソフトウェア定義ストレージ」なのか、SDSのメリットを存分に得る方法
ソフトウェア定義ストレージ(SDS)の実装を検討する際は、多くの選択肢がある。SDSのメリットを最大限に引き出す選び方とは。(2017/5/22)

車でのデータ扱い量増える中で:
Western Digital、「iNAND」の車向け展開を加速
Western Digital(ウェスタンデジタル)は、自動車市場に対し、組み込みフラッシュドライブ製品群「iNAND」の展開を加速させる。自動車市場でも低コスト、大容量のメモリへのニーズが広まり、iNANDの特長を生かしニーズの取り込みを図るようだ。(2017/5/22)

現実味を増す“ソフトウェア定義メモリ”
徹底解説:次世代メモリ技術「NVDIMM」、不揮発性メモリはストレージをどう変える?
さまざまな次世代メモリ技術の発展により、ストレージとメモリを統合するハイブリッドアプローチが登場している。その結果「ソフトウェア定義メモリ」というアイデアが現実味を帯び始めている。(2017/5/16)

Geスピントロニクス素子実現へ:
Ge中のスピン伝導現象を解明、阪大など
大阪大学らの研究グループは、ゲルマニウム(Ge)中のスピン伝導現象を解明した。半導体素子のさらなる高速化と低消費電力化を可能にする研究成果として注目される。(2017/5/9)

Q&Aで学ぶマイコン講座(37):
メモリの種類と特長
マイコンユーザーのさまざまな疑問に対し、マイコンメーカーのエンジニアがお答えしていく本連載。今回は、初級者の方からよく質問される「マイコンに搭載されているメモリの種類と特長」についてです。(2017/4/24)

TPSCo日本工場でも計画:
アイシン精機、車載半導体をタワージャズで量産
タワージャズは、アイシン精機がタワージャズのパワーマネジメント技術を用いて、次世代の車載用半導体チップを量産することになったと発表した。(2017/4/20)

「フラッシュファーストは終わり」、Dell EMCストレージ戦略の全貌:
PR:Dell EMCの多角的なオールフラッシュ製品群は、「フラッシュが標準の世界」を牽引する
フラッシュファーストはもう終わった。「フラッシュは、もう標準の時代」に入っている。では、企業は「具体的」に、どんな要素を考慮して、どのオールフラッシュストレージを選択すべきなのか。「多角的なオールフラッシュ製品群」で企業のITトランスフォーメーションを支える、Dell EMCストレージ戦略の全貌を解説する。(2017/4/13)

組み込み開発ニュース:
データログ機能を搭載したセンサービーコンを開発
富士通コンポーネントは、データログ機能を搭載したセンサービーコン「FWM8BLZ02A-109069」を開発した。運送貨物に取り付け、運送終了後に輸送中の貨物の状態を確認するなど、リアルタイムでのデータ受信が難しい状況で活用できる。(2017/3/23)



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意欲的なメディアミックスプロジェクトとしてスタートしたものの、先行したスマホゲームはあえなくクローズ。しかしその後に放映されたTVアニメが大ヒットとなり、多くのフレンズ(ファン)が生まれた。動物園の賑わい、サーバルキャットの写真集完売、主題歌ユニットのミュージックステーション出演など、アニメ最終回後もその影響は続いている。

ITを活用したビジネスの革新、という意味ではこれまでも多くのバズワードが生まれているが、デジタルトランスフォーメーションについては競争の観点で語られることも多い。よくAmazonやUberが例として挙げられるが、自社の競合がこれまでとは異なるIT企業となり、ビジネスモデルレベルで革新的なサービスとの競争を余儀なくされる。つまり「IT活用の度合いが競争優位を左右する」という今や当たり前の事実を、より強調して表現した言葉と言えるだろう。