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「不揮発性メモリ」最新記事一覧

福田昭のストレージ通信(49) 抵抗変化メモリの開発動向(8):
SanDiskが語る、抵抗変化メモリのスイッチングモデル
今回は、抵抗変化メモリ(ReRAM)の記憶素子におけるスイッチングの機構について説明する。スイッチング機構は、酸素の空孔あるいは酸素イオンが移動することによる酸化還元反応として説明できることが多い。(2016/12/5)

「ムーアの法則」を超える新世代コンピューティングの鼓動:
電気がなくてもデータは消えない、メモリ技術の最新事情
前回は現在のコンピュータのアーキテクチャが抱える問題点とその回答の1つとして新しいアーキテクチャを紹介しました。今回は特にポイントとなる記憶領域について、詳しく解説します。(2016/12/2)

SnDアーキテクチャはもう限界だ:
PR:これからの組み込み機器のメモリ構成は「SRAM/FRAM+NORフラッシュ」
産業機器をはじめとした組み込み機器のメモリ構成が変わりつつある。これまで、組み込み機器のメモリは「DRAM+NANDフラッシュ」という構成が一般的だったが、今後組み込み向けの低容量、高信頼DRAM/NANDフラッシュの調達難が予想され、代替メモリへの切り替えが必要になっている。そこで、新たなメモリ構成として有力視されているのが、さらなる進化が見込まれるSRAM/FRAM、そしてNORフラッシュだ。(2016/12/1)

コンピューティングの在り方を大きく変える概念:
HPE、「The Machine」プロトタイプのデモに成功
米ヒューレット・パッカード・エンタープライズが、2020年のリリースを予定する「The Machine」の概念実証プロトタイプを開発し、デモに成功した。(2016/11/30)

福田昭のストレージ通信(48) 抵抗変化メモリの開発動向(7):
SanDiskが語る、抵抗変化メモリの電気伝導メカニズム
今回は、抵抗変化メモリ(ReRAM)の記憶素子における電気伝導の原理について解説する。主な原理は7種類あるが、ReRAMの「高抵抗状態」と「低抵抗状態」を作り出すには、同じ原理が使われるとは限らないことも覚えておきたい。(2016/11/29)

「厳格なセキュリティ要件」への対応などを強化:
SUSE、「SUSE Linux Enterprise 12 Service Pack 2」を発表
SUSEが「SUSE Linux Enterprise 12 Service Pack 2」を発表。信頼性とセキュリティを強化した他、新しい技術に対応した。(2016/11/22)

福田昭のストレージ通信(47) 抵抗変化メモリの開発動向(6):
SanDiskが語る、抵抗変化メモリの消費電流と速度
今回は、抵抗変化メモリ(ReRAM)の主な性能に焦点を当てる。具体的にはスイッチング電流(書き込み電流)やスイッチング速度(動作速度)、スイッチング電圧という3つの観点から紹介する。(2016/11/22)

EvernoteがDropboxより進化している理由
「データを認識できるストレージ」が企業システムを“勝手に”最適化する
ストレージシステムが自分に保存しているデータの詳細を把握できるようになったとき、アプリケーションも相性に合わせた最適な使い方を自ら選べるようになるという。(2016/11/22)

「ムーアの法則」を超える新世代コンピューティングの鼓動:
コンピュータの限界を変えるための3つの視点
膨大なデータの活用を妨げになる現在のコンピュータの問題はどうすれば解決できるのでしょうか。今回はそのために必要な新しいコンピュータのアーキテクチャについて考えてみます。(2016/11/18)

不揮発性パワーゲーティング:
不揮発SRAMでプロセッサの待機時電力を大幅削減
東京工業大学の菅原聡准教授らによる研究グループは、マイクロプロセッサの待機時電力を大幅に削減できる技術を開発した。低消費電力技術(パワーゲーティング)に不揮発性SRAMを用いることで実現した。(2016/11/17)

福田昭のストレージ通信 抵抗変化メモリの開発動向(5):
SanDiskが語る、抵抗変化メモリの多様な材料組成
今回から「抵抗変化メモリ(ReRAM)の研究開発動向」の本格的な解説に入る。まずは、過去の国際学会で発表された論文から、ReRAMの材料組成の傾向をみていく。(2016/11/14)

富士通セミコン MB85AS4MT:
最大5MHz動作を可能にした4MビットのReRAM
富士通セミコンダクターは、メモリ容量4MビットのReRAMの提供を開始した。SPIインタフェースで最大5MHz動作を可能とし、5MHz動作時の読み出し動作電流は0.2mAとなっている。(2016/11/9)

福田昭のストレージ通信 抵抗変化メモリの開発動向(4):
SanDiskが語る、ストレージ・クラス・メモリの信頼性
SCMとはストレージ・クラス・メモリの略称で、性能的に外部記憶装置(ストレージ)と主記憶(メインメモリ)の間に位置するメモリである。前回は、SanDiskの講演から、SCMの性能とコストに関する比較をメモリセルレベルまで検討した。今回、信頼性について比較した部分をご紹介する。(2016/11/9)

福田昭のストレージ通信 抵抗変化メモリの開発動向(3):
SanDiskが語る、ストレージ・クラス・メモリの概要
ストレージ・クラス・メモリ(SCM)は、次世代の半導体メモリに最も期待されている用途である。今回は、このSCMの要件について、記憶密度やメモリアクセスの制約条件、メモリセルの面積の観点から紹介する。(2016/11/7)

福田昭のストレージ通信 抵抗変化メモリの開発動向(2):
SanDiskが語る、コンピュータのメモリ階層
今回は、SanDiskが語る“メモリ階層”について紹介する。2000年頃と2010年頃のメモリ階層を比較してみるとともに、2020年頃のメモリ階層を予想する。(2016/11/1)

PR:サーバもインフラSIも消える? エバンジェリストが考えるITの未来
5年後、10年後にエンタープライズITの世界はどうなっているのか――。技術革新のスピードが上がっている今、未来を予測するのは非常に難しくなっているが、IT業界に長く身を置き、サーバ、ネットワーク、インテグレート分野に精通したエバンジェリスト3人が集い、エンタープライズITの未来を語り合ってもらった。(2016/10/31)

福田昭のストレージ通信 抵抗変化メモリの開発動向(1):
SanDiskが語る、半導体不揮発性メモリの開発史
今回からは、国際学会で語られたSanDiskの抵抗変化メモリ(ReRAM)の研究開発動向について紹介していく。まずは、約60年に及ぶ「不揮発性メモリの歴史」を振り返る。(2016/10/28)

Design Ideas パワー関連と電源:
電池で駆動できる低電力用途向け電子負荷
PDAやデジタルカメラなどの携帯型電子機器の電源を設計する際、重要度が高いパラメーターの1つは変換効率である。電源の変換効率は、負荷電流を徐々に変えながら測定、評価を行う。今回は、1000〜2000円の安価な部品コストで実現できる小型の電子負荷を提案する。(2016/10/18)

600℃でもデータの書き換え・保存が可能に:
高温動作の不揮発性メモリ、千葉工大などが開発
千葉工業大学の菅洋志助教らによる研究チームは、600℃の高温環境下で動作する不揮発性メモリ素子を開発した。情報記憶部に耐熱性を有する白金ナノ構造を利用することで実現した。(2016/10/13)

あなたの知らないハイパーコンバージドインフラの世界(6):
NVMeとNVDIMMの進化を、HCIはどう活用しようとしているか
ストレージI/O技術は、NVMeの普及およびNVDIMMの進化で、大きな変化を迎えつつある。これはハイパーコンバージドインフラ(HCI)およびソフトウェアストレージにどのような影響を与えようとしているのだろうか。(2016/10/4)

“完成形”にこだわらず:
次世代不揮発メモリ、まずは出荷を――Everspin
次世代不揮発メモリは幾つか候補はあるものの、実用化には至っていないものも多い。MRAM(磁気抵抗メモリ)メーカーEverspin TechnologiesでCEOを務めるPhillip LoPresti氏は、“完成形”にこだわらず、まずは量産して市場に投入することが重要だと主張する。(2016/9/27)

左右のイヤフォンを無線化するNFMI:
AirPodsのキーデバイス? NXPがNFMI対応SoC発表
Appleは、左右のイヤフォンをつなぐケーブルがない新たなワイヤレスイヤフォン「AirPods」を発表した。くしくも、同じタイミングでNXP Semiconductorsが左右のイヤフォンをワイヤレス化するのに適したNFMI(近距離磁界誘導)対応SoCを発表した――。(2016/9/13)

Nanteroと18年中にカスタムLSIへの混載目指す:
富士通セミ、CNT応用メモリ「NRAM」を商品化へ
富士通セミコンダクターは2016年8月、Nantero(ナンテロ)とともに、カーボンナノチューブ(CNT)応用型不揮発メモリ「NRAM」の商品化に向けた開発を実施すると発表した。(2016/8/31)

ホワイトペーパー:
Computer Weekly日本語版:Watsonが企業にやってくる
特集は、導入事例が増えてきたWatson。その導入方法と問題点を紹介する。他に、Lync改めSkype for Businessの現状、フラッシュメモリを時代後れにする新メモリ技術の解説、売り上げが減少したOracleやJavaScriptの課題解決のトレンドを紹介する。(2016/8/29)

インターシル 日本法人社長 大久保喜司氏:
PR:将来を先取りした“賢い電源”で、IoT時代を切り開く
航空宇宙分野で培った高信頼技術などを駆使した電源ICを中心に、幅広い市場で拡販を進めるインターシル。強みを持つパワーマネジメントの中でも、今後の鍵となる言葉として掲げるのが“賢いデジタル電源”だ。「顧客のサービス向上につながる“賢いデジタル電源”を提供し、急速に進むIoT(モノのインターネット)化に貢献する」と、同社日本法人社長の大久保喜司氏は語る。(2016/8/22)

相変化メモリの課題が解決
フラッシュメモリより高速な不揮発性メモリ「PCM」がいよいよ実用化
フラッシュメモリより高速で1万倍の耐久力があり、DRAMより低コストで不揮発性。それが相変化メモリ(PCM)だ。フラッシュストレージよりさらに高速なストレージが、もうすぐ登場するかもしれない。(2016/8/9)

Computer Weekly:
フラッシュメモリより高速な不揮発性メモリ「PCM」がいよいよ実用化
フラッシュメモリより高速で1万倍の耐久力があり、DRAMより低コストで不揮発性。それが相変化メモリ(PCM)だ。フラッシュストレージよりさらに高速なストレージが、もうすぐ登場するかもしれない。(2016/8/3)

ギガビット級MRAMの開発に道筋:
マンガン系合金ナノ薄膜からTMR素子を作製
東北大学の鈴木和也氏らは2016年7月、垂直磁化マンガン系合金ナノ薄膜を用いたトンネル磁気抵抗(TMR)素子の開発に成功した。ギガビット級の不揮発性磁気抵抗メモリ(MRAM)の開発につながる成果だとみている。(2016/8/1)

不揮発性メモリテクノロジーがアプリケーション性能を大幅加速:
PR:PCIe接続SSDに比べて14倍高速!アプリケーションの性能不足をHPE ProLiant Gen9 サーバー + NVDIMMテクノロジーが解決
PCIe接続のSSDに比較し14倍高速という不揮発性メモリ「NVDIMM」テクノロジーを搭載したHPE ProLiant Gen9のポイントについて、HPEのキーパーソン2名に聞いた。(2016/8/8)

SYSTEM DESIGN JOURNAL:
クラウドに生まれる新たなレイヤーの形
IoTやビッグデータコンピューティングの圧力により、クラウドには「層化」とも呼べる現象が起こっています。それはアプリケーションデータフローと実際の帯域幅、そしてレイテンシ制約という競合する課題への対応です。(2016/7/25)

その性能は全てに置いて「1000倍」
SSDを過去に追いやる「次世代メモリ技術」がHDDの追い風になる
SSDはその転送速度と同様に企業システムでも導入が急速に進んでいるが、3D XPointや相変化メモリといったさらに高速なストレージ技術もSSDを超える性能を実現すべく、現在開発が進んでいる。(2016/7/14)

SYSTEM DESIGN JOURNAL:
ニューラル・ネットワークと力の指輪
指輪物語の「1つの指輪」は全ての指輪を統べる力を持ちました。ではニューラルネットワークは人工知能という力の指輪を統べる、1つの指輪なのでしょうか。(2016/7/6)

福田昭のストレージ通信 Micronが考えるメモリシステムの将来(2):
クルマの厳しい要求仕様に応えるDRAMとフラッシュメモリ
今回は、自動車のエレクトロニクスシステム、具体的には、ADAS(先進運転支援システム)およびクラスタ・ダッシュボード、車載インフォテインメントで使われるメモリを解説する。さらに、これらのメモリの5年後のロードマップも見ていこう。(2016/7/4)

ルネサス「必要な機能を、全て、簡単に」:
IoTデバイスを魔の手から救うセキュリティ技術
ルネサス エレクトロニクスは、IoT(モノのインターネット)のエンドデバイス向けに、汎用マイコンを使用したセキュリティソリューションの提供を順次開始すると発表した。第1弾は、強固なセキュリティ機能を持つ32ビットマイコン「RX231」。評価ボードと各種ソフトウェアを活用することで、セキュリティを強化した組み込み機器の開発を容易にできるという。(2016/6/28)

EE Times Japan Weekly Top10:
2015年の車載半導体市場、やはりNXPが首位に
EE Times Japanで2016年6月18〜24日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2016/6/27)

メルマガバックナンバー:
モノづくり総合版 メールマガジン 2016/06/23
「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」編集部が毎週木曜日にお届けしている『モノづくり総合版 メールマガジン』の内容をご紹介!(メルマガ配信日:2016年6月23日)(2016/6/24)

IoT時代のマイコン実現へ大きく前進:
0.5nsで書き換え可能な不揮発性メモリの動作実証
東北大学電気通信研究所の大野英男教授、深見俊輔准教授らは2016年6月、0.5ナノ秒での情報の書き換えが可能な不揮発性磁気メモリ素子の動作実証に成功した。高度な演算をリアルタイムで処理できる超低消費電力マイコンの実現に向けて、大きく前進したという。(2016/6/20)

ラベルとしても使える:
印刷できる不揮発メモリ、IoT市場に成長機会
プラスチックなどの超薄型基板に印刷して製造できる不揮発メモリが登場した。ラベルとして製品などに貼れば、物流や、偽造品判断、製造過程での何らかのデータ保存など、さまざまな用途に使うことができそうだ。(2016/6/17)

フラッシュメモリのフォームファクタ、インタフェースなどを解説
SSDを購入、その前に知っておきたい最新メモリ技術と“価格問題”
従来のストレージでは解決できなかったサーバサイドストレージの諸問題が最新のフラッシュストレージで解決できる。しかし、そのためにはフラッシュメモリに関する最新知識の習得が必須だ。(2016/6/15)

差異化は難しくても:
DRAM、過酷な温度環境への対応で生き残る
3D NAND型フラッシュメモリや次世代不揮発性メモリの開発が進む中、DRAMはどのような方向に発展していくのだろうか。米Virtiumは、過酷な稼働環境への対応がその1つだと述べる。(2016/5/16)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(5):
磁気メモリが「不揮発性メモリ」であるための条件
磁気メモリは、記憶したデータを必ずしも安定して保持できるわけではない。今回は、10年以上にわたりデータを保持する不揮発性メモリとして、磁気メモリを機能させるための条件を解説する。(2016/5/9)

HPE、第9世代ProLiantサーバに新モデル 停電時のデータ保護を強化
「HPE ProLiant Gen9」の新モデルで不揮発性メモリのNVDIMMを初めてサポートした。(2016/4/27)

NANDフラッシュとDRAMを手掛ける数少ないメーカー:
Micron、ストレージ分野の事業展開を強化
NAND型フラッシュメーカーやDRAMメーカーの数が減っていく中、両方を手掛けるMicron Technologyは、自社が「独自のポジションを築いている」と自負する。より差異化を図るべく、メモリメーカーというよりも、ストレージシステムのビジネスに力を入れていきたい考えだ。(2016/4/19)

「ストレージ分野において技術的リーダーシップを取る」――インテルが都内でサミットを開催
インテルが、ストレージソリューションへの取り組みを紹介する「Storage Builder Executive Summit」を開催した。(2016/4/15)

40nm LPプロセスに「XPM」を:
三重富士通、KilopassとOTPメモリで技術開発契約
三重富士通セミコンダクターは、Kilopass Technology(キロパス)と1回書き込み(OTP)メモリに関するテクノロジー開発契約を締結したと発表した。これにより、三重富士通セミコンの40nmプロセスで、キロパスの128KビットOTPメモリ「XPM」が利用可能になる。(2016/4/14)

福田昭のデバイス通信 ARMが語る、最先端メモリに対する期待(16):
求む、「スーパーメモリ」
ARM Researchの講演内容を紹介してきたシリーズ。完結編となる今回は、ARMが「スーパーメモリ」と呼ぶ“理想的なメモリ”の仕様を紹介したい。現時点で、このスーパーメモリに最も近いメモリは、どれなのだろうか。(2016/4/14)

特集:インフラエンジニアのためのハードウェア活用の道標(2):
クラウド時代だからこそ知っておきたいハードウェア動向――今後のストレージ活用で押さえておきたい3つのキーワードとは
なぜ今ハードウェアの知識が求められるのか。今回は、ガートナー ジャパンの鈴木雅喜氏に、「クラウド時代だからこそ知っておきたいハードウェア動向」「今後ストレージをビジネスで活用する上で押さえておきたい3つのキーワード」について聞いた。(2016/4/8)

メルマガバックナンバー:
モノづくり総合版 メールマガジン 2016/03/24
「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」編集部が毎週木曜日にお届けしている『モノづくり総合版 メールマガジン』の内容をご紹介!(メルマガ配信日:2016年3月24日)(2016/3/25)

スピンホール効果と交換バイアスを利用:
MRAM開発に新しい道? 欧州が研究成果を発表
MRAMの開発を加速させる可能性がある新しい技術を、オランダの大学が発表した。スピンホール効果と交換バイアスを利用するもので、研究チームは、処理速度や記録密度、コストの面でMRAMが抱える課題を解決できると見込んでいる。(2016/3/11)

富士通セミコンダクター MB85RQ4ML:
従来比4倍の速度でデータのリード/ライトができるクアッドSPI FRAM
富士通セミコンダクターは、54Mバイト/秒のデータ転送が可能な4Mビット クアッドSPI FRAM「MB85RQ4ML」を開発し、サンプル提供を開始した。(2016/3/10)



多くの予想を裏切り、第45代アメリカ合衆国大統領選挙に勝利。貿易に関しては明らかに保護主義的になり、海外人材の活用も難しくなる見込みであり、特にグローバル企業にとっては逆風となるかもしれない。

携帯機としても据え置き機としても使える、任天堂の最新ゲーム機。本体+ディスプレイ、分解可能なコントローラ、テレビに接続するためのドックといった構成で、特に携帯機としての複数人プレイの幅が広くなる印象だ。

アベノミクスの中でも大きなテーマとされている働き方改革と労働生産性の向上。その実現のためには人工知能等も含むITの活用も重要であり、IT業界では自ら率先して新たな取り組みを行う企業も増えてきている。