IntelとMicron、“世界初の”25nmフラッシュメモリを発表

[ITmedia]

　米Intelと米Micron Technologyは2月1日、25nm（ナノメートル）プロセスを使った2ビット/セル（2bpc）マルチレベルセル（MLC）NANDフラッシュメモリを開発したと発表した。25nmプロセスで製造される世界初のメモリで、スマートフォンやメディアプレーヤー、SSDなどの容量増大に低コストで対応できるとしている。

　両社の合弁会社IM Flash Technologies（IMFT）が製造するこのメモリは、167平方ミリメートルのサイズで1NANDデバイスの容量は8Gバイト。業界標準のパッケージ（TSOP）に収納でき、同じ容量を従来の半分のチップ数で提供できるという。例えば256GバイトのSSDなら32枚、32Gバイトのスマートフォンなら4枚、16Gバイトのフラッシュカードなら2枚のNANDデバイスで実現できる。

　現在はサンプル出荷の段階で、2010年第2四半期（4〜6月期）に量産に入る予定。

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