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» 2010年02月02日 09時36分 UPDATE

IntelとMicron、“世界初の”25nmフラッシュメモリを発表

新NANDフラッシュは前世代の半分のチップ数で同容量のストレージを実現でき、スマートフォンやSDDの容量増大が可能になるとしている。

[ITmedia]
nand

 米Intelと米Micron Technologyは2月1日、25nm(ナノメートル)プロセスを使った2ビット/セル(2bpc)マルチレベルセル(MLC)NANDフラッシュメモリを開発したと発表した。25nmプロセスで製造される世界初のメモリで、スマートフォンやメディアプレーヤー、SSDなどの容量増大に低コストで対応できるとしている。

 両社の合弁会社IM Flash Technologies(IMFT)が製造するこのメモリは、167平方ミリメートルのサイズで1NANDデバイスの容量は8Gバイト。業界標準のパッケージ(TSOP)に収納でき、同じ容量を従来の半分のチップ数で提供できるという。例えば256GバイトのSSDなら32枚、32Gバイトのスマートフォンなら4枚、16Gバイトのフラッシュカードなら2枚のNANDデバイスで実現できる。

 現在はサンプル出荷の段階で、2010年第2四半期(4〜6月期)に量産に入る予定。

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