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» 2015年08月14日 18時13分 UPDATE

画期的向上なれど詳細不明:大解説! IntelとMicronが提唱した次世代メモリ規格「3D Xpoint Technology」 (1/2)

1000倍高速で10倍密度が増えて1000倍寿命が延びるというが、具体的内容は不明。説明会のやり取りと関係者への聞き取りから、その正体と先の見通しを解説する。

[本間文,ITmedia]

世代交代はゆっくりとした速度で

 IntelはMicron Technology(以下、Micron)と共同で次世代不揮発性メモリ技術「3D XPoint Technology」(3D クロス・ポイント テクノロジ)を発表した。3D Xpoint Technologyで主要なポイントは以下の3点になる。

  • NANDフラッシュメモリに比べて、1000倍高速
  • DRAMと比べて、10倍高い記録密度
  • NANDフラッシュメモリに比べて、1000倍長い書き換え寿命

 この大幅に改善する性能から、Intelは、NANDフラッシュに代わる次世代不揮発性メモリの主力として推していく意向を示している。

kn_3dxpoint_01.jpg 3D XPointテクノロジを採用した不揮発性メモリのダイ

kn_3dxpoint_02.jpg Intelが訴求する3D XPointテクノロジの利点

 この、3D XPoint Technologyは、3Dトランジスタ技術を生かして、ワード線と、それと交差するビット線の間にメモリセルを垂直に配し、これを2階建て構造とすることで高密度化を可能にした。試作チップでは、ダイあたり128Gビットのデータ格納量を実現したことをIntelは明らかにしている。

 その一方で、IntelとMicronは、この3D XPoint Technologyについて詳細を明らかにしておらず、記者発表会の質疑応答において、抵抗変化メモリ(ReRAM)に類する技術に、独自の素材や要素技術を盛り込んだものであることを認めるに留まっている。

kn_3dxpoint_03.jpg 3D Xpointテクノロジによる不揮発性メモリの構造

 ただし、IntelもMicronも、この3D XPoint Technologyが、すぐNANDに代わって不揮発性メモリの主流になるとは思っていないようだ。両社は2015年3月にMLC技術で256Gビット、TLC技術で384Gビットの容量を実現した3D NANDチップを発表し、すでに顧客向けサンプル出荷を開始している。

 このチップは、TSV(Through Silicon Via:シリコン貫通電極)を用いてメモリセルを32層に積層することで大容量を実現している。3D NANDチップでは、すでにSamsungが量産体制を確立し、SSDなどにもこのチップを採用しているが、東芝/SanDisk連合やIntel/Micron連合もこれに続く動きを見せている。SSDなどのコンシューマ製品の大容量化では、この3D NANDが主力になると予想する関係者は多い。

kn_3dxpoint_04.jpg IntelとMironもNANDフラッシュは3D NANDへ移行。2.5インチで10テラバイト以上の容量を実現する計画だ

kn_3dxpoint_05.jpg Intel/Micron連合で初の3D NANDメモリはMLC技術で256Gビット、TLC技術で384Gビットの容量を実現

kn_3dxpoint_06.jpg M.2フォームファクタでも3.5Tバイトの容量を実現できるという

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