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「FeRAM」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

Ferroelectric RAM:強誘電体メモリ

富士通セミコン MB85RS2MTY:
最大125℃の高温動作を保証する2MビットFRAM
富士通セミコンダクターは、最大125℃での動作を保証する、2Mビット(256K×8ビット)FRAM「MB85RS2MTY」を発表した。−40〜+125℃の温度範囲で動作し、EEPROMの約1000万倍となる10兆回の書き換え回数を保証する。(2019/10/28)

湯之上隆のナノフォーカス(18):
半導体メーカーの働き方改革 〜半導体技術者の在宅勤務は可能か?
今回は、いつもとは毛色を変えて、“半導体メーカーの働き方改革”に目を向けてみたい。筆者がメーカー勤務だった時代と現在とでは、働き方にどのような違いがあるのだろうか。(2019/10/16)

サイプレスが組み込みシステム向けメモリをリード:
PR:車載・産業特化型NORフラッシュ、超低消費電力F-RAM、非同期SRAM…… 新たな価値を提供する最新メモリ
メモリ需要の拡大が続く自動車、産業機器、医療機器などの市場に向け、サイプレス セミコンダクタ(Cypress Semiconductor)が、新たな価値を提供するさまざまなメモリ製品を相次いで投入している。そこで、今回は、サイプレスの最新メモリ製品のいくつかを紹介する。(2019/9/11)

福田昭のストレージ通信(157) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(16):
次世代メモリの長所と短所を一覧する
本シリーズの最終回となる今回は、次世代メモリの長所と短所をまとめる。既存のメモリ技術ではDRAM、NANDフラッシュが主流であり、少なくとも今後5年間はその地位が揺らぐことはないだろう。(2019/8/2)

富士通セミコンダクター:
容量8MビットのReRAMを製品化
富士通セミコンダクターは2019年7月30日、抵抗変化型メモリ(以下、ReRAM)として8Mビット容量品を2019年9月から販売すると発表した。同社では「ReRAMの量産製品としては世界最大容量」としている。(2019/7/30)

福田昭のストレージ通信(156) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(15):
新材料で次々世代を狙う「強誘電体メモリ(FeRAM)」
今回は「強誘電体メモリ(FeRAM)」を取り上げる。FeRAMの記憶原理と、60年以上に及ぶ開発の歴史を紹介しよう。(2019/7/24)

3年プロジェクトが発足:
エッジAI向け低電力チップ、EUが総力を挙げて開発へ
ベルギーの研究機関imecをはじめとする19の研究機関および企業が、EUの3年間プログラム「TEMPO(Technology & hardware for nEuromorphic coMPuting)」で、複数の新しいメモリ技術をベースとした低消費電力のエッジAIチップの開発を進めているという。(2019/7/11)

福田昭のストレージ通信(153) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(14):
次々世代の不揮発性メモリ技術「カーボンナノチューブメモリ(NRAM)」
次世代メモリの有力候補入りを目指す、カーボンナノチューブメモリ(NRAM:Nanotube RAM)について解説する。NRAMの記憶原理と、NRAMの基本技術を所有するNanteroの開発動向を紹介しよう。(2019/7/2)

湯之上隆のナノフォーカス(13):
Neuromorphicがブレイクする予感 ―― メモリ国際学会と論文検索から見える動向
2018年、2019年のメモリの学会「International Memory Workshop」(IMW)に参加し、見えてきた新メモリの動向を紹介したい。(2019/5/30)

メディア向け説明会を実施:
サイプレス、車載向けで毎年8〜12%の成長を計画
 サイプレス セミコンダクタ(Cypress Semiconductor)は2019年5月14日、東京都内で、車載向け製品についてのメディア説明会を実施した。同社の自動車事業部マーケティングディレクター、楠本正善氏が製品展開戦略を説明したほか、会場では、最新の車載関連製品のデモ実演も行われた。(2019/5/17)

福田昭のストレージ通信(134) 半導体メモリの勢力図(5):
既存のメモリと次世代のメモリを比較する
今回は、DRAMやNANDフラッシュメモリなど既存のメモリと、MRAM(磁気抵抗メモリ)やReRAM(抵抗変化メモリ)といったエマージング・メモリ(次世代メモリ)の特徴を比較する。(2019/2/8)

どちらもコンピュータの記憶領域
メモリとストレージは何が違うのか?
メモリとストレージがそれぞれコンピュータに対して果たす役割は似ているが、両者は別物だ。その違いは、コンピュータの電源が切れた時に、それぞれの保存データがそのまま保持されるかどうかにある。(2019/1/8)

ET&IoT Technology 2018:
大幅に消費電力を低減したFRAMを発表
Cypress Semiconductor(サイプレス セミコンダクタ)は2018年11月14日に開幕した展示会「ET&IoT Technology 2018」(会場:パシフィコ横浜/会期:2018年11月16日まで)で、超低消費電力を特長にしたFRAM(強誘電体メモリ)の新製品「Excelon LP F-RAM」を発表した。(2018/11/15)

湯之上隆のナノフォーカス(6) ドライエッチング技術のイノベーション史(6):
アトミックレイヤーエッチングとドライエッチング技術の未来展望
ドライエッチング技術のイノベーション史をたどるシリーズの最終回は、アトミックレイヤーエッチング技術に焦点を当てる。さらに、今後の展望についても考察する。(2018/11/12)

NANDフラッシュの世代交代はいつ?
3D XPointだけじゃない NANDやDRAMに代わる新たなメモリテクノロジー
NANDフラッシュはメモリ市場で優位に立っている。だが、コストとスケーリングの限界により、徐々にIntelの「3D XPoint」などの新たなテクノロジーにその立場を明け渡すことになるだろう。(2018/11/9)

富士通セミコンダクター:
125℃動作を保証し5V対応、64kビットFRAM
富士通セミコンダクターは、125℃までの動作温度を保証し、最大5.5Vの電源電圧に対応する64kビットFRAM(強誘電体メモリ)「MB85RS64VY」を開発した。(2018/10/30)

組み込み開発ニュース:
離れた位置からデータの更新が可能なバッテリーレス電子ペーパータグ
富士通セミコンダクターは、E Ink Holdingsと共同で、UHF帯RFIDを利用し、電子ペーパーディスプレイの表示をバッテリーレスで変更できる技術を開発した。高速書き込み、低消費電力の不揮発性メモリFRAMを組み込んでいる。(2018/10/26)

バッテリーレスで情報を書き換え:
UHF帯RF IDを用いた電子ペーパータグ技術を開発
富士通セミコンダクターは、UHF帯無線給電技術を用い、電子ペーパーディスプレイの表示内容をバッテリーレスで書き換えることができる技術を、台湾のE Inkと共同開発した。(2018/10/11)

富士通セミコン MB85RS4MT:
リアルタイムデータログに適した4MビットFRAM
富士通セミコンダクターは、4Mビットの不揮発性FRAM「MB85RS4MT」を発表した。10兆回の書き換えが可能で、高速での書き込み、低消費電力を特長とする。(2018/9/18)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
AMD復活の立役者がラティス新CEOに、問われるその手腕
Lattice Semiconductorの新CEOに、AMDを「Zen」で復活に導いたJim Anderson氏が就任する。技術畑の出身ながら低迷するAMDを立て直した手腕を見込まれての登用となるが、Zenのような“銀の弾丸”は用意できるのだろうか。(2018/9/18)

富士通セミコンダクター:
EEPROMの約1000万倍の書き換え回数を実現する4MビットFRAM「MB85RS4MT」
富士通セミコンダクターは、シリアルインタフェースのFRAMファミリーで最大メモリ容量である4Mビット品「MB85RS4MT」を開発し、2018年9月から量産品の提供を開始する。(2018/9/13)

テラビットからペタビット時代へ:
単分子誘導体を開発、記録密度を1000倍以上に
広島大学の研究チームは、室温で強誘電性(メモリ効果)を示す「単分子誘導体(SME:Single Molecule Electret)」の開発に成功した。記録密度を従来の1000倍以上に向上させることが可能となる。(2018/8/14)

基礎から学ぶSTAMP/STPA(3):
STPAの分析を実際にやってみる
第1回で「STAMP/STPAとは何か」に焦点を当てて分析手法の流れを紹介し、第2回ではSTAMP/STPAの各ステップで「何をすべきか(What)」「それはどうやればよいのか(How)」を中心に紹介してSTAMP/STPAの実践手順を解説した本連載。最終回の第3回では、実際にやってみてSTAMP/STPAの勘所や注意点を示しながら解説する。(2018/6/15)

基礎から学ぶSTAMP/STPA(2):
STPAの手順を理解する
連載の第1回では「STAMP/STPAとは何か」「既存の分析手法と何が違うのか」に焦点を当て、分析手法の流れを紹介した。第2回は、STPAの実践手順を解説する。各ステップで「何をすべきか(What)」と、具体的に「どうすればよいのか(How)」を中心に紹介していく。(2018/5/11)

富士通セミコンダクター:
64kビットFRAM、−55℃の屋外でも動作を保証
富士通セミコンダクターは、−55℃という極めて低い温度環境での動作を保証した64kビットFRAM(強誘電体メモリ)「MB85RS64TU」を開発、量産出荷を始めた。(2018/4/25)

車載や産機、医療向け:
書き換え100兆回、遅延ゼロで書き込めるFRAM
Cypress Semiconductor(サイプレス セミコンダクタ)は、車載システムや産業機器、医療機器などのデータ収集用途に向けた不揮発性メモリの新ファミリーを発表した。データの取りこぼしがなく、書き換え回数など耐久性にも優れている。(2018/3/16)

基礎から学ぶSTAMP/STPA(1):
STAMP/STPAとは何か
システムとシステムがつながる、より複雑なシステムの安全性解析手法として注目を集めているのがSTAMP/STPAだ。本連載はSTAMP/STPAについて基礎から学ぶことを主眼とした解説記事となっている。第1回は、STAMP/STPAの生まれた理由や、従来手法との違い、実施の大まかな流れについて説明する。(2018/3/9)

富士通セミコンダクター システムメモリカンパニー長 松宮正人氏:
PR:不揮発性RAMで、社会に新たな価値を提供し続ける富士通セミコンダクター
富士通セミコンダクターは、省電力、高速動作を特長とするFRAMを扱うシステムメモリ事業で、IoT(モノのインターネット)時代のニーズに応じたソリューションの提案を加速させる。2018年は、RFIDによる無線給電技術とFRAM技術を組み合わせた“バッテリーレスソリューション”が実用化される見通し。「省電力の不揮発性RAMへの期待はますます大きくなっている。新製品開発やソリューション開発で、それらの期待に応えたい」という富士通セミコンダクター システムメモリカンパニー長の松宮正人氏に事業戦略を聞いた。(2018/1/16)

サイプレス セミコンダクタ 代表取締役社長 長谷川夕也氏:
PR:想定を上回る飛躍を遂げるCypress、IoTへの積極投資継続へ
Cypress Semiconductorの日本法人社長を務める長谷川夕也氏は「2017年は想定を上回る大きな飛躍を遂げた1年だった」と振り返る。世界的なIoT(モノのインターネット)化の流れを的確に捉え、2016年にBroadcomから引き継いだIoT向け無線通信チップ事業で大きく売り上げを伸ばした。2018年についても、組み込み領域に必要なあらゆる半導体製品をそろえるラインアップをベースに、オートモーティブ、インダストリアル、コンシューマーの3市場で一層の飛躍を遂げるべく、積極的な事業展開を計画する。(2018/1/16)

福田昭のストレージ通信(87):
半導体メモリの専門学会「国際メモリワークショップ(IMW)」が日本で開催へ
2008〜2017年まで主に米国で開催されてきた「国際メモリワークショップ(IMW)」が、2018年は日本の京都で開催される。今回はIMWの概要を紹介しよう。(2017/12/6)

日本TI MSP430:
25種類の機能を備えたセンシング向けマイコン
日本テキサス・インスツルメンツは、低消費電力マイコン「MSP430」に、単価0.25米ドルの「MSP430FR2000」(メモリ容量0.5Kバイト)と「MSP430FR2100」(同1Kバイト)を追加した。(2017/12/6)

FRAMが動作を安定化:
実用化目前! 電池レスの無線キーボード
富士通セミコンダクターは展示会「Embedded Technology 2017(ET2017)/IoT Technology 2017」(会期:2017年11月15〜17日)で、電池を搭載しない無線キーボードのデモを公開している。(2017/11/16)

製品分解で探るアジアの新トレンド(22):
中国勢が目指すマイコン市場、その新たなるルート
AppleやSamsung Electronicsなど、大手メーカーの製品に、中国メーカーのシリアルフラッシュメモリやARMマイコンが搭載され始めている。こうした傾向から、中国メーカーが開拓しつつある、マイコン市場への新たなルートが見えてくる――。(2017/11/13)

福田昭のストレージ通信(86) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(7):
まとめ:新世代のメモリを創造する二酸化ハフニウム/ジルコニウム
今回は、強誘電体メモリに関する2つのシリーズ「強誘電体メモリの再発見」と「反強誘電体が起爆するDRAM革命」の要点をまとめる。2011年に二酸化ハフニウム強誘電体が公表されてからの研究成果を振り返るとともに、これからの課題についても触れておきたい。(2017/11/2)

ラピスが2017年12月から量産:
1MビットFeRAM、モバイルやIoT機器への応用も
ラピスセミコンダクタは、1Mビットの強誘電体メモリ(FeRAM)のサンプル出荷を開始し、2017年12月には量産を開始する。モバイル機器やIoT(モノのインターネット)機器への適用も視野に入れている。(2017/10/30)

福田昭のストレージ通信(85) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(6):
「不揮発性DRAM」へのアプローチ(後編)
後編では、NaMLabやドレスデン工科大学などの共同研究グループが試作した、3次元構造の反強誘電体キャパシターアレイと、その特性を紹介する。(2017/10/27)

福田昭のストレージ通信(80) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(1):
反強誘電体とは何か
強誘電体の新材料である二酸化ハフニウムは、実は条件次第では「反強誘電体(Antiferroelectrics)」になる。今回から、この反強誘電体を不揮発性メモリに応用する研究について解説していこう。(2017/10/5)

福田昭のストレージ通信(79) 強誘電体メモリの再発見(23):
強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する(後編)
前編に続き、二酸化ハフニウム系強誘電体材料を使った強誘電体トランジスタ(FeFET)で多値メモリを実現する仕組みを解説する。特に、2つのドメインで構成されたFeFETの長期信頼性の評価に焦点を当てる。(2017/10/2)

福田昭のストレージ通信(78) 強誘電体メモリの再発見(22):
強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する(前編)
今回から2回にわたり、二酸化ハフニウム系強誘電体材料を使った強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する仕組みについて紹介する。(2017/9/26)

福田昭のストレージ通信(77) 強誘電体メモリの再発見(21):
二酸化ハフニウムを使った強誘電体トランジスタの研究開発(後編)
後編では、二酸化ハフニウム系強誘電体トランジスタ(FeFET)の特性について見ていこう。動作電圧やデータ書き込み時間などは十分に良い特性だが、長期信頼性については大幅な改善が必要になっている。(2017/9/21)

福田昭のストレージ通信(76) 強誘電体メモリの再発見(20):
二酸化ハフニウムを使った強誘電体トランジスタの研究開発(前編)
今回から、「二酸化ハフニウム系強誘電体材料」を使った強誘電体トランジスタ(FeFET)の研究開発状況を報告する。二酸化ハフニウム系強誘電体薄膜は、厚みがわずか7nm程度でも強誘電性を有することが確認されていて、このため、FeFETを微細化できることが大きな特長となっている。(2017/9/15)

福田昭のストレージ通信(75) 強誘電体メモリの再発見(19):
従来型材料を使った強誘電体トランジスタの研究開発(後編)
強誘電体トランジスタ(FeFET:Ferroelectric FET)の研究をけん引したのは、日本の産業技術総合研究所(産総研)だった。後編では、産総研が開発したFeFETと、強誘電体不揮発性メモリを、同研究所の成果発表に沿って紹介していこう。(2017/9/12)

福田昭のストレージ通信(74) 強誘電体メモリの再発見(18):
従来型材料を使った強誘電体トランジスタの研究開発(前編)
強誘電体トランジスタ(FeFET)の原理は比較的単純だが、トランジスタの設計と製造は極めて難しい。1990年代前半から開発が続く中、約30日というデータ保持期間を強誘電体トランジスタで初めて実現したのは、日本の産業技術総合研究所(産総研)だった。(2017/9/7)

福田昭のストレージ通信(73) 強誘電体メモリの再発見(17):
究極の高密度不揮発性メモリを狙う強誘電体トランジスタ
今回は、1個のトランジスタだけでメモリセルを構成できる「FeFET(Ferroelectric FET)」または「強誘電体トランジスタ」について解説する。FeFETは、構造はシンプルだが、トランジスタの設計はかなり複雑になる。(2017/9/5)

福田昭のストレージ通信(72) 強誘電体メモリの再発見(16):
新材料「二酸化ハフニウム」を使った強誘電体キャパシターの特性
強誘電体の二酸化ハフニウムは、不揮発性メモリ用のキャパシターとしてどのような特性を示しているのか。後編となる今回は、分極反転サイクル特性と、シリコン面積当たりの静電容量を高めるための3次元構造について解説する。(2017/8/30)

福田昭のストレージ通信(71) 強誘電体メモリの再発見(15):
新材料「二酸化ハフニウム」を使った強誘電体メモリへの長い道
今回から2回にわたり、強誘電体の二酸化ハフニウムが、不揮発性メモリ用のキャパシターとしてどのような特性を示しているかを解説する。強誘電体不揮発性メモリ(FeRAM)のメモリセルで重要なのは、強誘電体キャパシターの特性だ。二酸化ハフニウムを絶縁膜とする強誘電体キャパシターが、優れた特性を備えているかどうかを調べる必要がある。(2017/8/25)

福田昭のストレージ通信(70) 強誘電体メモリの再発見(14):
新材料「二酸化ハフニウム」が強誘電体になる条件
強誘電体の二酸化ハフニウムがを作製するには、添加物をドーピングする方法と、二酸化ジルコニウムとの混晶による方法の2種類がある。今回は、これらの方法において二酸化ハフニウムが強誘電体となる条件と、結晶構造との関係について解説する。(2017/8/22)

福田昭のストレージ通信(69) 強誘電体メモリの再発見(13):
新材料「二酸化ハフニウム」における強誘電性の発見
今回は、強誘電体の二酸化ハフニウムを作製する2つの方法と、二酸化ハフニウムが誘電体としての性質を大きく変化させる原因について解説する。(2017/8/17)

福田昭のストレージ通信(68) 強誘電体メモリの再発見(12):
FeRAMの長期信頼性に関する特徴
強誘電体不揮発性メモリ(FeRAM)の長期信頼性を決めるのは、強誘電体キャパシターの分極特性だ。今回は、強誘電体キャパシターを劣化させる主な現象として「疲労(ファティーグ:fatigue)」と「インプリント(imprint)」について解説する。(2017/8/10)

福田昭のストレージ通信(67) 強誘電体メモリの再発見(11):
FeRAMのメモリセル構造の基礎
強誘電体不揮発性メモリ(FeRAM)の構造には、2T2C方式、1T1C方式、チェインセル方式がある。それぞれの特徴を紹介するとともに、メモリセルの断面構造についても解説しよう。(2017/8/8)



2013年のα7発売から5年経ち、キヤノン、ニコン、パナソニック、シグマがフルサイズミラーレスを相次いで発表した。デジタルだからこそのミラーレス方式は、技術改良を積み重ねて一眼レフ方式に劣っていた点を克服してきており、高級カメラとしても勢いは明らかだ。

言葉としてもはや真新しいものではないが、半導体、デバイス、ネットワーク等のインフラが成熟し、過去の夢想であったクラウドのコンセプトが真に現実化する段階に来ている。
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これからの世の中を大きく変えるであろうテクノロジーのひとつが自動運転だろう。現状のトップランナーにはIT企業が目立ち、自動車市場/交通・輸送サービス市場を中心に激変は避けられない。日本の産業構造にも大きな影響を持つ、まさに破壊的イノベーションとなりそうだ。