2027年にも量産開始へ:
1.4nm世代に対応、回路線幅10nmのNIL用テンプレートをDNPが開発
大日本印刷(DNP)は、回路線幅が10nmのナノインプリントリソグラフィ−(NIL)用テンプレートを開発した。NAND型フラッシュメモリに加え、1.4nm世代相当の先端ロジック半導体にも対応できる。2027年にも量産を始める予定だ。(2025/12/11)
EUV用やNILレジストなど:
富士フイルム、先端半導体向け材料開発の新棟が稼働開始
富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ(FFEM)の静岡工場内に建設していた新棟が竣工し、稼働を始めた。次世代半導体向け新規材料の開発/評価を行う。重点事業と位置付ける半導体材料事業において新規材料の開発を加速するとともに、高品質な製品の安定供給を実現していく。(2025/11/27)
工場ニュース:
富士フイルム、先端半導体材料の開発を加速する新棟が完成
富士フイルムの半導体材料事業の中核会社である富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズの静岡工場(静岡県吉田町)内で建設が進められていた先端半導体材料の開発/評価用の新棟が完成し、2025年11月に稼働を開始した。(2025/11/26)
湯之上隆のナノフォーカス(83):
前工程装置でシェア低下が続く日本勢、気を吐くキヤノンは希望となるか
前工程用の半導体製造装置において日本メーカーのシェア低下が止まらない中、健闘しているのがキヤノンである。同社のナノインプリントリソグラフィ(NIL)技術は、光露光プロセスにパラダイムシフトを起こす可能性を秘めている。(2025/8/25)
材料技術:
富士フイルムがPFASフリーArF液浸レジストを開発 28nmの金属配線に対応
富士フイルムは、先端半導体の製造プロセス向け環境配慮型材料として、有機フッ素化合物(PFAS)不使用のネガ型ArF液浸レジストを開発した。(2025/7/17)
Intelの凋落、終わりなき分断:
2024年の半導体業界を振り返る
本稿では、2024年下半期(7〜12月)の半導体業界をEE Times Japanの記事とともに振り返る。(2025/1/31)
光硬化性樹脂を新たに開発:
UVナノインプリントによるシリコンフォトニクスプロセスを開発
東京科学大学と東京応化工業は、UVナノインプリントリソグラフィー(UV-NIL)を用いたシリコンフォトニクス半導体プロセスを開発した。開発した光硬化性樹脂と同プロセスを用いて試作したシリコン導波路は、電子線描画を用いて作製した光導波路と同等レベルの性能が得られることを確認した。(2025/1/31)
研究開発の最前線:
UVナノインプリントを活用しシリコンフォトニクス半導体プロセスを開発
東京科学大学工学院と東京応化工業は、UVナノインプリントを用いたシリコンフォトニクスプロセスを開発した。(2025/1/31)
「SEMICON Japan 2024」事前情報:
「業界最大クラス」のFC-BGA基板やEUVフォトマスクなど展示 TOPPAN
TOPPANは、エレクトロニクス製造の国際展示会「SEMICON Japan 2024」でFC-BGA基板や次世代半導体パッケージ向け部材、EUVフォトマスクなど、半導体の前工程および後工程をカバーする幅広い製品やソリューションを紹介する。(2024/12/5)
「SEMICON Japan 2024」事前情報:
ナノインプリント装置や開発中のArF露光装置など紹介 キヤノン
キヤノン、キヤノンアネルバ、キヤノンマシナリーは、エレクトロニクス製造の国際展示会「SEMICON Japan 2024」に出展する。ブースではナノインプリント半導体製造装置などの前工程向け装置から先端パッケージングに対応する後工程向け装置まで、幅広い製品ラインアップを紹介する予定だ。(2024/12/4)
「SEMICON Japan 2024」事前情報:
EUVフォトマスクやTGVガラスコア基板など幅広く紹介、DNP
大日本印刷(DNP)は、エレクトロニクス製造の国際展示会「SEMICON Japan 2024」に出展する。ブースではEUV(極端紫外線)リソグラフィ用フォトマスクや光電融合向けパッケージ基板などを紹介する予定だ。(2024/12/3)
デザインの力:
2024年度グッドデザイン賞、金賞には半導体製造装置や自動倉庫ソリューションも
日本デザイン振興会は「2024年度グッドデザイン賞」の受賞結果を発表した。2024年度は「勇気と有機のあるデザイン」をテーマに掲げ、全5773件の審査対象の中から、1579件をグッドデザイン賞に選出。大賞候補となる20件の「グッドデザイン金賞」についても紹介した。(2024/10/17)
米国の半導体コンソーシアム向け:
キヤノン、ナノインプリント半導体製造装置を出荷
キヤノンは、ナノインプリント半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を、米国テキサス州にある半導体コンソーシアム「Texas Institute for Electronics」(TIE)に向けて出荷した。(2024/9/30)
材料技術:
耐光性に優れた屈折率1.9の高屈折率ナノインプリント樹脂を開発
NTTアドバンステクノロジは、耐光性に優れた屈折率1.9の高屈折率ナノインプリント樹脂を開発した。(2024/9/2)
ASMLがimecのイベントで公表:
開口数0.75の「Hyper-NA」EUV装置 2030年に登場か
ASMLはimecの年次イベントで、次世代のEUV(極端紫外線)リソグラフィ装置のロードマップについて言及した。開口数(NA)が0.75の「Hyper-NA」リソグラフィ装置を開発中だという。(2024/6/18)
FAニュース:
富士フイルムがコスト低減と省電力化に貢献するナノインプリント対応の半導体材料
富士フイルムは、電子材料事業の中核会社である富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズを通じ、半導体製造技術「ナノインプリントリソグラフィ」に適合する半導体材料「ナノインプリントレジスト」を発売する。(2024/5/22)
ナノインプリントリソ技術に適合:
富士フイルム、ナノインプリントレジストを発売
富士フイルムは、半導体製造技術「ナノインプリントリソグラフィ」に適合する半導体材料「ナノインプリントレジスト」を開発、2024年5月下旬より富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズを通じて販売する。(2024/5/2)
材料技術:
日本電気硝子が厚さ200μm以下の超薄板ガラスを開発、高耐熱性のITO形成にも対応
日本電気硝子は「nano tech 2024 第23回 国際ナノテクノロジー総合展・技術会議」に出展し、開発した超薄板ガラス「G-Leaf」や超薄板ガラスと樹脂積層体を組み合わせた「Lamion[フレキシブル]」、紫外線遮蔽超薄板ガラス、化学強化専用超薄板ガラス「Dinorex UTG」を披露した。(2024/2/29)
EE Exclusive:
2023年の半導体業界を振り返る〜市況回復の兆し、業界再編を狙う動きも
本稿では、2023年後半となる7〜12月の出来事を、EE Times Japanの記事とともに振り返る。(2023/12/29)
研究開発の最前線:
5Gと6Gの電波や可視光を透過する透明な遮熱窓用の基材を開発
東北大学は、可視光や次世代通信に必要な電波を透過する、透明な遮熱窓用の基材を開発した。nmサイズの周期構造を持つアルミ製遮熱メタマテリアルにより、波長が異なる電磁波の反射や透過を制御する。(2023/11/1)
当面はASMLの独走状態との予測も:
キヤノンのNIL技術、EUVの「対抗馬」になれるのか
キヤノンは2023年10月、ナノインプリント半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を発売した。業界の専門家たちは、キヤノンの同装置がASMLのEUV(極端紫外線)リソグラフィ装置の“ライバル”となるのは、もっと先になるだろうとみている。(2023/10/30)
Canon Expo 2023:
巨大な半導体製造装置が目の前に? キヤノンが最新機を実寸大で紹介
キヤノンおよびキヤノンマーケティングジャパンはプライベートイベント「Canon EXPO 2023」で最新半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を実寸大パネルを用いて紹介した。(2023/10/26)
窓ガラスに応用、温度の上昇防ぐ:
5G/6G用電波は透過、遮熱メタマテリアルを開発
東北大学は、近赤外波長は反射し5G/6G用の電波(可視波長)は透過する、ナノ周期構造の「アルミ製遮熱メタマテリアル」を開発した。建物や自動車の窓ガラスに応用すれば、室内や車内の温度上昇による熱中症の発症や電力の消費量を抑えることが可能となる。(2023/10/18)
FAニュース:
ハンコのように回路を形成、ナノインプリントリソグラフィ技術の半導体製造装置
キヤノンはナノインプリントリソグラフィ(NIL)技術を活用した半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を発売した。従来の投影露光装置に比べて製造コストや消費電力の削減に貢献する。(2023/10/17)
最小線幅14nmのパターンを形成:
キヤノン、NIL技術を用いた半導体製造装置を発売
キヤノンは、ナノインプリントリソグラフィ(NIL)技術を用いた半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を発売した。最小線幅14nmのパターン形成が可能で、マスクを改良すれば最小線幅10nmレベルにも対応できるという。(2023/10/16)
キオクシア社長 早坂伸夫氏:
NANDフラッシュの市況は厳しいが「投資の手は絶対に緩めない」
2022年10月26日、キオクシアの四日市工場(三重県四日市市)に完成した第7製造棟(Y7棟)の竣工式が開催された。同日には、竣工式とともに記者説明会も開催され、キオクシア 代表取締役社長の早坂伸夫氏と、同社 常務執行役員 四日市工場長 松下智治氏が、報道機関からの質問に答えた。(2022/11/9)
組み込み開発ニュース:
2nm以降世代に向けた半導体プロジェクトが始動、かつての国プロとの違いとは
NEDOと経済産業省、AIST、TIAの4者が「先端半導体製造技術つくば拠点オープニングシンポジウム」を開催。「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業」の中で進められる「先端半導体製造技術の開発」のキックオフに当たるイベントで、2nm世代以降のロジックICを対象とした前工程プロジェクトと、3D ICを対象とした後工程プロジェクトについての説明が行われた。(2021/11/1)
研究開発の最前線:
フォノンの応用で遠赤外線センサーを進化、パナソニックのフォノニック結晶構造
パナソニックは、フォトン(photon、光子)ではなく、フォノン(phonon、音子)の応用となる「フォノニック結晶構造」をシリコンウエハー上で量産するための作成方法を開発した。このフォノニック結晶構造は、遠赤外線センサーの感度を約10倍向上できるという画期的な技術である。(2021/5/27)
組み込み開発ニュース:
タッチレスとARを組み合わせたディスプレイシステムの提供を開始
大日本印刷は、「タッチレスAR透明浮遊ディスプレイ」の提供を開始した。モーションセンサーと液晶調光フィルム、透明スクリーンを組み合わせることで、ディスプレイに触れることなく、手指の動きでカーソル操作できる。(2021/1/7)
素子の反射率は従来の10分の1:
低反射率で高耐久の偏光シート、印刷技術で実現
産業技術総合研究所(産総研)は、印刷技術を応用し、低反射率で耐久性に優れたワイヤグリッド偏光シートを菱江化学などと共同開発した。(2019/7/3)
機能部品の販売もスタート:
光技術活用の受託微細加工サービス開始 ウシオ
ウシオ電機は2017年11月から、リソグラフィ技術などを活用した微細加工を受託するサービスを開始した。(2017/11/9)
ナノ光・ナノフィン構造を形成:
NICT、深紫外LEDで実用域の光出力を達成
情報通信研究機構(NICT)は、発光波長265nm帯で光出力が150mWを上回る「深紫外LED」の開発に成功した。産業用途で十分に利用可能な出力レベルだという。(2017/4/6)
3D NANDの低コスト化に弾み:
10nm向けナノインプリント用テンプレートを量産開始
大日本印刷(DNP)は、3次元構造のNAND型(3D NAND)フラッシュメモリの需要増加と低コスト化に対応するため、回路線幅が10nm台のナノインプリント用テンプレートの複製装置を2017年3月に導入する。(2017/2/27)
実像として結像に成功:
もう1つのAIが創り出す「空中映像」に触れる
アスカネットは、「Aerial Imaging-空中ディスプレイ」と呼ぶ空間映像技術について、プレスカンファレンスを開催した。同社のAIプレートは、高輝度な空中映像を実像として結像できるという。(2016/10/13)
モルフォチョウの色を忠実に:
瑠璃色を再現した発色シートを開発、色素使わず
凸版印刷は2016年8月、顔料や染料などの色素を使わずに、モルフォチョウの瑠璃色を再現した構造発色シート「モルフォシート」を開発したと発表した。偽造防止などのセキュリティや、屋内外でのプロモーションツール向けの製品として、2017年度中の実用化を目指す。(2016/8/15)
WDは不正会計問題についても言及:
東芝、3D NANDで世界獲るには「量産が課題」
東芝とウエスタンデジタルコーポ―レーションは、新製造棟「東芝四日市工場新第2製造棟(N-Y2)」の完成に伴い、3次元構造のNAND型フラッシュメモリに関する事業計画について説明した。(2016/7/20)
SEMICON West 2015リポート(12):
ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演(5)〜インプリント装置の開発ロードマップ
今回は、ナノインプリント・リソグラフィ技術の開発ロードマップを紹介しよう。キヤノンは現在、インプリント装置の第1世代機の開発を終えたところで、今後5年間で第2および第3世代機の開発に取り組んでいく予定だ。インプリント装置のターゲットは、NAND型フラッシュメモリとDRAM、ロジックICである。(2015/9/18)
SEMICON West 2015リポート(11):
ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演(4)〜「パーシャルフィールド」への対処
今回は、露光の際にシリコン・ウエハー周辺部で発生する現象「パーシャルフィールド」をもう少し掘り下げて解説しよう。このパーシャルフィールドについてキヤノンは、3種類に分けて対処しているという。(2015/9/15)
SEMICON West 2015リポート(10):
ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演(3)〜生産性と欠陥密度
ナノインプリント・リソグラフィでは、ウエハー1枚当たりの処理時間を短縮しようとすると、欠陥密度が増加する傾向にある。だが要求されるのは、生産性の向上と欠陥密度の低減だ。キヤノンは、こうした“二律背反”の要求に応えるべく、リソグラフィ技術の改良を重ねてきた。(2015/9/10)
SEMICON West 2015リポート(9):
ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演(2)〜解像度と位置合わせ、生産性
今回は、ナノインプリント・リソグラフィを構成する要素技術の開発状況をお伝えする。ここ1年でとりわけ大きく進歩しているのが、重ね合わせ誤差と生産性(スループット)だ。重ね合わせ誤差は半分〜3分の1に低減し、スループットは2倍〜3倍に向上しているという。(2015/9/8)
SEMICON West 2015リポート(8):
ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演(1)〜低い装置コストが最大の武器
今回から、ナノインプリント・リソグラフィ技術の解説に入る。この技術の最大の強みは装置コストが非常に低いことだ。一方で、欠陥をどう低減するかという難しい課題を抱えている。(2015/9/4)
FAニュース:
ナノインプリント技術を用いた、次世代半導体製造装置を開発
キヤノンは、解像力10nm台の高度な微細加工が可能なナノインプリント技術を用いた、次世代半導体製造装置を開発した。光露光装置に比べ、高解像度で均一性のあるパターンを描くことができる。(2015/3/13)
EE Times Japan Weekly Top10:
10nmプロセスでインテルに追い付きたいTSMC
EE Times Japanで先週(2015年2月21〜27日)に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/3/3)
プロセス技術 印刷エレクトロニクス:
解像度10nm台の微細加工に対応可能、キヤノンのナノインプリント半導体製造装置
キヤノンは、開発中のナノインプリント技術を用いた半導体製造装置について、2015年中の製品化を目指している。同装置は解像度10nm台の微細加工に対応することが可能である。まずはフラッシュメモリの製造ラインへの導入を予定している。(2015/2/25)
プロセス技術:
20nm対応ナノインプリント用テンプレートの年内量産を発表――大日本印刷
大日本印刷(以下、DNP)は2015年2月19日、20nmレベルの半導体製造プロセスに対応したナノインプリントリソグラフィ(以下、NIL)用のテンプレート(型)の生産体制を構築し2015年にも量産を開始すると発表した。(2015/2/19)
メモリ/ストレージ技術:
NANDフラッシュ、売価下落も市場規模は拡大――2014年10〜12月
DRAMeXchangeによると、2014年第四半期におけるNAND型フラッシュメモリの世界市場は、全体として好調だったようだ。ただし、価格の下落は続いている。今後、Samsung Electronics(サムスン電子)は3次元NANDフラッシュ、東芝は15nmプロセスへの移行を加速させると見られている。(2015/2/6)
ビジネスニュース 企業動向:
東芝とSKハイニックスがナノインプリントを共同開発、15nmプロセス以降に適用
東芝とSKハイニックスが、ナノインプリントリソグラフィ(NIL)技術で共同開発を開始する。NILは、回路パターンが掘られた型(モールド)をシリコンウエハーに直接押し当てて転写するもので、より微細な加工ができると期待されている。今回の共同開発では、15nmプロセス以降の実現を目指すとしている。(2015/2/5)
東芝、NANDフラッシュ訴訟で和解 SK Hynixが2億7800万ドル支払い
NANDフラッシュメモリ関連機密を不正に取得・使用されたとして東芝がSK Hynixを訴えていた訴訟で和解。SK Hynixが東芝に和解金を支払い、次世代露光装置技術の開発などで協業関係も構築。(2014/12/19)
ビジネスニュース 企業動向:
東芝がSKハイニックスと和解し、協業関係も強化
東芝は、NAND型フラッシュメモリの技術漏えいで、SKハイニックス(SK Hynix)を相手取り民事訴訟を起こしていた件について、両社が和解に至ったと発表した。(2014/12/19)
FAニュース:
新社名は「キヤノンナノテクノロジーズ」――キヤノンによるMII買収手続き完了
キヤノンと米国のモレキュラーインプリント社(MII)は、2014年2月に合意した、キヤノンによるモレキュラーインプリント社の買収手続きが完了したことを明らかにした。新子会社名は「キヤノンナノテクノロジーズ(Canon Nanotechnologies)」となる。(2014/4/24)