ITmedia総合  >  キーワード一覧  > 

  • 関連の記事

「相変化メモリ」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

関連キーワード

スタンフォード大学が発表:
PCMの課題解決、フレキシブル基板が鍵になる可能性
超格子材料とフレキシブル基板を組み合わせれば、相変化メモリPCM(Phase Change Memory)の主要な欠点の1つを解決できる可能性がある。(2021/10/21)

「Deep Edge AI」が加速、ST:
エッジAI発展に重要な「インメモリコンピューティング」
欧州最大級の半導体国際学会「ESSCIRC-ESSDERC 2021」(2021年9月、オンライン開催)で、STMicroelectronics(以下、ST)のデジタル&スマート・パワー技術およびデジタル前工程製造を担当エグゼクティブバイスプレジデント、Joël Hartmann氏が講演。エッジAI(人工知能)の展望を語る中で、「インメモリコンピューティングへの移行」の重要性を訴えた。(2021/9/30)

NORやSRAMを置き換える存在に:
次世代メモリ市場、2031年までに440億米ドル規模へ
米国の半導体市場調査会社であるObjective AnalysisとCoughlin Associatesは、共同執筆した年次レポートの中で「次世代メモリが、さらなる急成長を遂げようとしている」という見解を示した。次世代メモリ市場は2031年までに、440億米ドル規模に達する見込みだという。(2021/9/13)

組み込み開発ニュース:
ドメインおよびゾーンコントローラー向け32ビット車載用マイコンを発表
STマイクロエレクトロニクスは、32ビット車載用マイコン「Stellar SR6」ファミリーを発表した。ドライブトレインやADASなど、ISO 26262 ASIL-Dに準拠する車載用システムの開発を支援する。(2021/7/5)

STマイクロ Stellar SR6:
ドメインコントローラーなど向けの車載マイコン
STマイクロエレクトロニクスは、車載用マイクロコントローラー「Stellar SR6」の提供を開始した。車両内の配線を簡素化するドメインコントローラー、ゾーンコントローラーとしての用途を想定している。(2021/7/2)

VLSIシンポジウム2021:
「VLSI Circuitsシンポジウム」の注目論文
2021年6月13〜19日に開催されるLSI関連の国際学会「VLSIシンポジウム2021」。「VLSI Circuitsシンポジウム」の注目論文を紹介する。これらの注目論文は、VLSIシンポジウム委員会が2021年4月に行った記者会見で紹介したものとなっている。(2021/6/8)

VLSIシンポジウム2021:
「VLSI Technologyシンポジウム」の注目論文
今回は、VLSIシンポジウムを構成する「VLSI Technologyシンポジウム」の注目論文を紹介する。なお、これらの注目論文は、VLSIシンポジウム委員会が2021年4月に行った記者会見で紹介されたものだ。(2021/6/7)

福田昭のストレージ通信(194) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(21):
米国のルネサスが販売している8MビットのSTT-MRAM
今回は、MRAMおよびSTTT-MRAMの開発ベンチャーであるAvalanche Technologyの製品事例を紹介する。(2021/4/23)

福田昭のストレージ通信(193) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(20):
次世代半導体メモリの開発ロードマップ
今回から、「次世代メモリ(Emerging Memory)」の講演部分を紹介する。(2021/4/20)

「3D XPoint」を巡るIntelとMicronの争い【前編】
「Intelじゃない3D XPoint」がメモリ市場を席巻か? 「Optane」に挑むMicron
「3D XPoint」をIntelと共同開発したMicron Technologyが、その製品化を活発化させ始めた。この動きは、Intel「Optane」が先行する新興メモリ市場に変化をもたらすのか。(2021/2/3)

福田昭のデバイス通信(297) Intelが語るオンチップの多層配線技術(18):
将来の先端半導体を担うモノリシックな3次元集積化技術
本シリーズの最終回となる今回は、シングルダイ(1枚のシリコンダイ)にモノリシックに成長させる3次元集積化技術について解説する。(2021/1/19)

アプリが激変
知らないと損する「Optane DC Persistent Memory」の動作モード
Optane DC Persistent MemoryはSSDではない。単なるメモリでもない。使い方次第でアプリやシステムのパフォーマンスを劇的に向上させることができる。ただし2つの動作モードを理解する必要がある。(2021/1/15)

STマイクロ Stellar:
確定性の高い次世代車載アーキテクチャ向けMCU
STマイクロエレクトロニクスはボッシュと共同で、次世代の車載アーキテクチャに向けたMCU「Stellar」を開発した。複数のアプリケーションや仮想ECUが共存可能で、自動車の安全性と利便性の向上に貢献する。(2020/11/10)

「ストレージクラスメモリ」の可能性と市場動向【後編】
次世代メモリ「SCM」に挑むMicron、キオクシア、Samsung Optaneを追うのは?
主要メモリベンダー各社が「ストレージクラスメモリ」(SCM)の開発を進めており、ストレージアレイやサーバへの採用も進む。市場はどう動くのか。(2020/7/23)

オートモーティブワールド2020:
28nm FD-SOI車載マイコンやSiCパワーデバイスを公開
STMicroelectronics(以下、ST)は2020年1月15日から東京ビッグサイトで開催されている展示会「オートモーティブ ワールド」(会期:1月17日まで)で、新しい車載マイコン製品群「Stellarファミリ」やSiC(炭化ケイ素)を用いたパワーデバイス製品などを展示している。(2020/1/16)

コスト競争力をどう実現するのか:
次世代メモリのPCM、「Optane」以外の動向は?
PCM(相変化メモリ)は2019年の初めに、注目すべき3つの新しいメモリ技術の一つとして取り上げられた。その主な理由は、Intelが「3D XPoint」メモリ(PCMであることが明らかになっている)を「Optane」ブランドで本格的に展開し始めたからだろう。では、3D XPoint以外のPCMについてはどうだろうか。(2019/11/20)

EE Exclusive:
拡大基調が見え始めたMRAM、鍵はエコシステムと製造技術
MRAM(磁気抵抗メモリ)の採用が拡大基調に突入しようとしている。ただし、採用がすぐに進むかどうかは、製造技術の進歩と、ディスクリートおよび組み込みMRAMデバイスの技術をサポートするエコシステムの発展の両方にかかっている。(2019/9/30)

アプライド マテリアルズ:
次世代メモリの本格量産を可能にする新PVD装置
アプライド マテリアルズ ジャパンは、東京都内で記者説明会を行い、MRAM(磁気抵抗メモリ)やReRAM(抵抗変化型メモリ)など新型メモリの量産を可能にするPVD(物理蒸着)装置について、その特長などを紹介した。(2019/9/19)

2020年からは好転の見通し:
DRAM価格、2019年に40%下落と予測、Yole
フランスの市場調査会社Yole Développementは6月、最新のメモリ市場に関する予測を発表した。同社は、2018年から続くメモリの供給過剰によって、「DRAMの価格が2019年に40%下落する。2020年までに再び上昇することはないだろう」としている。(2019/7/1)

福田昭のストレージ通信(149) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(10):
磁気抵抗メモリ(MRAM)の長所と短所
今回から磁気抵抗メモリ(MRAM)について解説する。まずはMRAMの構造と、長所、短所をそれぞれ説明しよう。(2019/6/11)

福田昭のストレージ通信(148) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(9):
「3D XPointメモリ」開発のオープン・モードとステルス・モード
今回は、「3D XPointメモリ」の研究開発が、オープン・モードで始まり、後半はステルス・モードとなっていたことを説明する。(2019/6/5)

福田昭のストレージ通信(147) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(8):
一度消えたPCMが「3D XPointメモリ」で劇的にカムバック
今回は、相変化メモリ(PCM)が市場から一度消えた後に、「3D XPointメモリ」で劇的に復活したことをご説明しよう。(2019/6/3)

湯之上隆のナノフォーカス(13):
Neuromorphicがブレイクする予感 ―― メモリ国際学会と論文検索から見える動向
2018年、2019年のメモリの学会「International Memory Workshop」(IMW)に参加し、見えてきた新メモリの動向を紹介したい。(2019/5/30)

福田昭のストレージ通信(146) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(7):
次世代メモリ技術の最有力候補はPCMとMRAM、ReRAM
今回は、次世代メモリの立ち位置を再確認した上で、相変化メモリ(PCM)、磁気抵抗メモリ(MRAM)、抵抗変化メモリ(ReRAM)という3つの最有力候補について解説する。(2019/5/22)

Micron Technology Sumit Sadana氏:
メモリを取り巻く状況、19年後半には改善へ Micron
2018年における半導体メーカー売上高ランキングで第4位、米国企業としてはIntelに次ぐ2位を獲得した、メモリメーカーのMicron Technology(以下、Micron)。同社で、Executive Vice President兼CBO(Chief Business Officer)を務めるSumit Sadana氏に、今後の投資予定や製品戦略などを聞いた。(2019/4/1)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
車載向けで進む28nmプロセス採用――ルネサス、STマイクロを追従するカギはNVM
エレクトロニクス/組み込み業界の動向をウォッチする連載。今回は、2019年2月の業界動向の振り返りとして、ドイツ・ニュルンベルクで開催された「embedded world 2019」に絡めて“MCUの話題”を2つ紹介する。(2019/3/14)

福田昭のストレージ通信(134) 半導体メモリの勢力図(5):
既存のメモリと次世代のメモリを比較する
今回は、DRAMやNANDフラッシュメモリなど既存のメモリと、MRAM(磁気抵抗メモリ)やReRAM(抵抗変化メモリ)といったエマージング・メモリ(次世代メモリ)の特徴を比較する。(2019/2/8)

オートモーティブ ワールド2019:
STのイメージセンサー、運転手の集中度を検知
STマイクロエレクトロニクスは、「オートモーティブ ワールド2019」で、自動車の電子化や電動化の流れを加速させる「Smart Driving」向け半導体ソリューションを紹介した。(2019/1/18)

車載半導体:
組み込み型相変化メモリ内蔵の車載マイコン、サンプル出荷を開始
STマイクロエレクトロニクスは、組み込み型相変化メモリ「ePCM」を内蔵した車載マイコンのサンプル出荷を開始した。AEC-Q100 Grade 0準拠のePCMを組み込んだ同マイコンは、高温下でもデータの安全性を確保する。(2019/1/9)

どちらもコンピュータの記憶領域
メモリとストレージは何が違うのか?
メモリとストレージがそれぞれコンピュータに対して果たす役割は似ているが、両者は別物だ。その違いは、コンピュータの電源が切れた時に、それぞれの保存データがそのまま保持されるかどうかにある。(2019/1/8)

28nm FD-SOI技術で製造:
ST、相変化メモリ搭載の車載用マイコンを出荷
STMicroelectronics(STマイクロエレクトロニクス)は、組み込み型相変化メモリ(ePCM)を内蔵した車載用マイコンのサンプル出荷を始めた。このマイコンは28nm FD-SOI技術を用いて製造される。(2018/12/21)

DNNの学習を成功:
IBMの8ビットAIに向けた取り組み
IBMは、「8ビットの浮動小数点数を使用して、深層学習モデルとデータセットのスペクトル精度を完全に維持した深層ニューラルネットワーク(DNN)のトレーニングを初めて成功させた」とするAIチップを披露した。(2018/12/11)

NANDフラッシュの世代交代はいつ?
3D XPointだけじゃない NANDやDRAMに代わる新たなメモリテクノロジー
NANDフラッシュはメモリ市場で優位に立っている。だが、コストとスケーリングの限界により、徐々にIntelの「3D XPoint」などの新たなテクノロジーにその立場を明け渡すことになるだろう。(2018/11/9)

スイッチング電流の測定技術確立:
STT-MRAMの不良解析を高精度・高効率で実現
東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター(CIES)の遠藤哲郎センター長らによる研究グループは、アドバンテストと共同でスピン注入型磁気ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)のスイッチング電流を、高い精度で高速に測定する技術を確立した。(2018/11/5)

福田昭のストレージ通信(100) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(13):
多層配線工程に記憶素子を埋め込む不揮発性メモリ技術(後編)
後編では、多層配線工程の中に記憶素子を作り込むタイプの埋め込み不揮発性メモリについて、その利点と、メモリセルの記憶素子を実現する技術を解説する。(2018/4/27)

「ユーザーが置き去りになる」という意見も
大手ストレージベンダー9社が予測する2018年は? 新メモリ技術、NVMeに注目
NVMe、NVMe over Fabrics、そして新しいメモリテクノロジーが2018年以降のストレージ業界をかき乱すだろうというのが、ストレージ担当の企業幹部や業界アナリストの予測だ。(2018/3/14)

次期社長兼CEOらが戦略説明:
有機的成長を図るST、2018年日本市場で2桁成長へ
STMicroelectronics(以下、ST)は2018年3月、同社社長兼最高経営責任者(CEO)のCarlo Bozotti氏と、次期社長兼CEO(2018年第2四半期就任予定)のJean-Marc Chery氏が出席し、都内で会見を開催し、成長戦略などを説明した。(2018/3/12)

低電力で高速にデータ書き換え:
東北大学ら、次世代相変化メモリの新材料を開発
東北大学は、従来の材料とは逆の電気特性を示す相変化材料を開発したと発表した。この新材料を相変化メモリに適用すれば、データ書き換え時の消費電力小さく、高速動作を可能とする次世代不揮発性メモリを実現することができる。(2018/1/16)

「3D XPoint」アーキテクチャを採用
高速メモリ技術「Intel Optane」を巡る揺るぎない事実とは
「3D XPoint」アーキテクチャを採用した「Intel Optaneメモリ」が市場に投入された今、高速メモリの未来は明るいように見える。だがOptaneメモリは、これまでにIntelが主張してきた通りの製品に仕上がっているのだろうか。(2017/12/12)

福田昭のストレージ通信(87):
半導体メモリの専門学会「国際メモリワークショップ(IMW)」が日本で開催へ
2008〜2017年まで主に米国で開催されてきた「国際メモリワークショップ(IMW)」が、2018年は日本の京都で開催される。今回はIMWの概要を紹介しよう。(2017/12/6)

ARM TechConで技術者らが主張:
IoTでは50セントのチップを実現する技術が必要だ
IoT向けに使われるSoC(System on Chip)は、50米セント以下で実現できるようにする必要がある――。「ARM TechCon 2017」では、技術者らがそのような議論を行った。(2017/11/8)

主要ベンダーと製品も紹介
いまさら聞けない次世代メモリ技術「3D XPoint」とは
IntelとMicron Technologyが共同開発した次世代メモリ/ストレージ技術「3D XPoint」。両社によれば、DRAMとNANDフラッシュメモリの間を埋める新しい技術になるという。(2017/8/24)

IHSアナリスト「未来展望」(1):
エレクトロニクス産業を動かす“3大潮流”
変化の激しいエレクトロニクス産業の未来をIHS Markit Technologyのアナリストが予測する。連載第1回は、これからのエレクトロニクス産業を動かしていくであろう“3大潮流”を解説する。(2017/4/7)

SnDアーキテクチャはもう限界だ:
PR:これからの組み込み機器のメモリ構成は「SRAM/FRAM+NORフラッシュ」
産業機器をはじめとした組み込み機器のメモリ構成が変わりつつある。これまで、組み込み機器のメモリは「DRAM+NANDフラッシュ」という構成が一般的だったが、今後組み込み向けの低容量、高信頼DRAM/NANDフラッシュの調達難が予想され、代替メモリへの切り替えが必要になっている。そこで、新たなメモリ構成として有力視されているのが、さらなる進化が見込まれるSRAM/FRAM、そしてNORフラッシュだ。(2016/12/1)

福田昭のストレージ通信(45) 抵抗変化メモリの開発動向(4):
SanDiskが語る、ストレージ・クラス・メモリの信頼性
SCMとはストレージ・クラス・メモリの略称で、性能的に外部記憶装置(ストレージ)と主記憶(メインメモリ)の間に位置するメモリである。前回は、SanDiskの講演から、SCMの性能とコストに関する比較をメモリセルレベルまで検討した。今回、信頼性について比較した部分をご紹介する。(2016/11/9)

福田昭のストレージ通信(44) 抵抗変化メモリの開発動向(3):
SanDiskが語る、ストレージ・クラス・メモリの概要
ストレージ・クラス・メモリ(SCM)は、次世代の半導体メモリに最も期待されている用途である。今回は、このSCMの要件について、記憶密度やメモリアクセスの制約条件、メモリセルの面積の観点から紹介する。(2016/11/7)

福田昭のストレージ通信(43) 抵抗変化メモリの開発動向(2):
SanDiskが語る、コンピュータのメモリ階層
今回は、SanDiskが語る“メモリ階層”について紹介する。2000年頃と2010年頃のメモリ階層を比較してみるとともに、2020年頃のメモリ階層を予想する。(2016/11/1)

福田昭のストレージ通信(42) 抵抗変化メモリの開発動向(1):
SanDiskが語る、半導体不揮発性メモリの開発史
今回からは、国際学会で語られたSanDiskの抵抗変化メモリ(ReRAM)の研究開発動向について紹介していく。まずは、約60年に及ぶ「不揮発性メモリの歴史」を振り返る。(2016/10/28)

“1000倍速い”とまでは、いかなかったが:
Micron、3D XPointベースのSSDのデモを披露
IntelとMicron Technologyが2015年7月に発表した不揮発メモリ「3D XPoint」は、「NANDフラッシュよりも1000倍高速」とのうたい文句で大きな話題を呼んだ。ただし、SSDにした時の性能はさすがに“1000倍”とは、いかなかったようだ。(2016/8/18)

相変化メモリの課題が解決
フラッシュメモリより高速な不揮発性メモリ「PCM」実用化
フラッシュメモリより高速で1万倍の耐久力があり、DRAMより低コストで不揮発性。それが相変化メモリ(PCM)だ。フラッシュストレージよりさらに高速なストレージが、もうすぐ登場するかもしれない。(2016/8/9)


サービス終了のお知らせ

この度「質問!ITmedia」は、誠に勝手ながら2020年9月30日(水)をもちまして、サービスを終了することといたしました。長きに渡るご愛顧に御礼申し上げます。これまでご利用いただいてまいりました皆様にはご不便をおかけいたしますが、ご理解のほどお願い申し上げます。≫「質問!ITmedia」サービス終了のお知らせ

にわかに地球規模のトピックとなった新型コロナウイルス。健康被害も心配だが、全国規模での臨時休校、マスクやトイレットペーパーの品薄など市民の日常生活への影響も大きくなっている。これに対し企業からの支援策の発表も相次いでいるが、特に今回は子供向けのコンテンツの無料提供の動きが顕著なようだ。一方産業面では、観光や小売、飲食業等が特に大きな影響を受けている。通常の企業運営においても面会や通勤の場がリスク視され、サーモグラフィやWeb会議ツールの活用、テレワークの実現などテクノロジーによるリスク回避策への注目が高まっている。