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「相変化メモリ」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

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「ストレージクラスメモリ」の可能性と市場動向【後編】
次世代メモリ「SCM」に挑むMicron、キオクシア、Samsung Optaneを追うのは?
主要メモリベンダー各社が「ストレージクラスメモリ」(SCM)の開発を進めており、ストレージアレイやサーバへの採用も進む。市場はどう動くのか。(2020/7/23)

オートモーティブワールド2020:
28nm FD-SOI車載マイコンやSiCパワーデバイスを公開
STMicroelectronics(以下、ST)は2020年1月15日から東京ビッグサイトで開催されている展示会「オートモーティブ ワールド」(会期:1月17日まで)で、新しい車載マイコン製品群「Stellarファミリ」やSiC(炭化ケイ素)を用いたパワーデバイス製品などを展示している。(2020/1/16)

コスト競争力をどう実現するのか:
次世代メモリのPCM、「Optane」以外の動向は?
PCM(相変化メモリ)は2019年の初めに、注目すべき3つの新しいメモリ技術の一つとして取り上げられた。その主な理由は、Intelが「3D XPoint」メモリ(PCMであることが明らかになっている)を「Optane」ブランドで本格的に展開し始めたからだろう。では、3D XPoint以外のPCMについてはどうだろうか。(2019/11/20)

EE Exclusive:
拡大基調が見え始めたMRAM、鍵はエコシステムと製造技術
MRAM(磁気抵抗メモリ)の採用が拡大基調に突入しようとしている。ただし、採用がすぐに進むかどうかは、製造技術の進歩と、ディスクリートおよび組み込みMRAMデバイスの技術をサポートするエコシステムの発展の両方にかかっている。(2019/9/30)

アプライド マテリアルズ:
次世代メモリの本格量産を可能にする新PVD装置
アプライド マテリアルズ ジャパンは、東京都内で記者説明会を行い、MRAM(磁気抵抗メモリ)やReRAM(抵抗変化型メモリ)など新型メモリの量産を可能にするPVD(物理蒸着)装置について、その特長などを紹介した。(2019/9/19)

2020年からは好転の見通し:
DRAM価格、2019年に40%下落と予測、Yole
フランスの市場調査会社Yole Développementは6月、最新のメモリ市場に関する予測を発表した。同社は、2018年から続くメモリの供給過剰によって、「DRAMの価格が2019年に40%下落する。2020年までに再び上昇することはないだろう」としている。(2019/7/1)

福田昭のストレージ通信(149) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(10):
磁気抵抗メモリ(MRAM)の長所と短所
今回から磁気抵抗メモリ(MRAM)について解説する。まずはMRAMの構造と、長所、短所をそれぞれ説明しよう。(2019/6/11)

福田昭のストレージ通信(148) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(9):
「3D XPointメモリ」開発のオープン・モードとステルス・モード
今回は、「3D XPointメモリ」の研究開発が、オープン・モードで始まり、後半はステルス・モードとなっていたことを説明する。(2019/6/5)

福田昭のストレージ通信(147) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(8):
一度消えたPCMが「3D XPointメモリ」で劇的にカムバック
今回は、相変化メモリ(PCM)が市場から一度消えた後に、「3D XPointメモリ」で劇的に復活したことをご説明しよう。(2019/6/3)

湯之上隆のナノフォーカス(13):
Neuromorphicがブレイクする予感 ―― メモリ国際学会と論文検索から見える動向
2018年、2019年のメモリの学会「International Memory Workshop」(IMW)に参加し、見えてきた新メモリの動向を紹介したい。(2019/5/30)

福田昭のストレージ通信(146) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(7):
次世代メモリ技術の最有力候補はPCMとMRAM、ReRAM
今回は、次世代メモリの立ち位置を再確認した上で、相変化メモリ(PCM)、磁気抵抗メモリ(MRAM)、抵抗変化メモリ(ReRAM)という3つの最有力候補について解説する。(2019/5/22)

Micron Technology Sumit Sadana氏:
メモリを取り巻く状況、19年後半には改善へ Micron
2018年における半導体メーカー売上高ランキングで第4位、米国企業としてはIntelに次ぐ2位を獲得した、メモリメーカーのMicron Technology(以下、Micron)。同社で、Executive Vice President兼CBO(Chief Business Officer)を務めるSumit Sadana氏に、今後の投資予定や製品戦略などを聞いた。(2019/4/1)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
車載向けで進む28nmプロセス採用――ルネサス、STマイクロを追従するカギはNVM
エレクトロニクス/組み込み業界の動向をウォッチする連載。今回は、2019年2月の業界動向の振り返りとして、ドイツ・ニュルンベルクで開催された「embedded world 2019」に絡めて“MCUの話題”を2つ紹介する。(2019/3/14)

福田昭のストレージ通信(134) 半導体メモリの勢力図(5):
既存のメモリと次世代のメモリを比較する
今回は、DRAMやNANDフラッシュメモリなど既存のメモリと、MRAM(磁気抵抗メモリ)やReRAM(抵抗変化メモリ)といったエマージング・メモリ(次世代メモリ)の特徴を比較する。(2019/2/8)

オートモーティブ ワールド2019:
STのイメージセンサー、運転手の集中度を検知
STマイクロエレクトロニクスは、「オートモーティブ ワールド2019」で、自動車の電子化や電動化の流れを加速させる「Smart Driving」向け半導体ソリューションを紹介した。(2019/1/18)

車載半導体:
組み込み型相変化メモリ内蔵の車載マイコン、サンプル出荷を開始
STマイクロエレクトロニクスは、組み込み型相変化メモリ「ePCM」を内蔵した車載マイコンのサンプル出荷を開始した。AEC-Q100 Grade 0準拠のePCMを組み込んだ同マイコンは、高温下でもデータの安全性を確保する。(2019/1/9)

どちらもコンピュータの記憶領域
メモリとストレージは何が違うのか?
メモリとストレージがそれぞれコンピュータに対して果たす役割は似ているが、両者は別物だ。その違いは、コンピュータの電源が切れた時に、それぞれの保存データがそのまま保持されるかどうかにある。(2019/1/8)

28nm FD-SOI技術で製造:
ST、相変化メモリ搭載の車載用マイコンを出荷
STMicroelectronics(STマイクロエレクトロニクス)は、組み込み型相変化メモリ(ePCM)を内蔵した車載用マイコンのサンプル出荷を始めた。このマイコンは28nm FD-SOI技術を用いて製造される。(2018/12/21)

DNNの学習を成功:
IBMの8ビットAIに向けた取り組み
IBMは、「8ビットの浮動小数点数を使用して、深層学習モデルとデータセットのスペクトル精度を完全に維持した深層ニューラルネットワーク(DNN)のトレーニングを初めて成功させた」とするAIチップを披露した。(2018/12/11)

NANDフラッシュの世代交代はいつ?
3D XPointだけじゃない NANDやDRAMに代わる新たなメモリテクノロジー
NANDフラッシュはメモリ市場で優位に立っている。だが、コストとスケーリングの限界により、徐々にIntelの「3D XPoint」などの新たなテクノロジーにその立場を明け渡すことになるだろう。(2018/11/9)

スイッチング電流の測定技術確立:
STT-MRAMの不良解析を高精度・高効率で実現
東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター(CIES)の遠藤哲郎センター長らによる研究グループは、アドバンテストと共同でスピン注入型磁気ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)のスイッチング電流を、高い精度で高速に測定する技術を確立した。(2018/11/5)

福田昭のストレージ通信(100) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(13):
多層配線工程に記憶素子を埋め込む不揮発性メモリ技術(後編)
後編では、多層配線工程の中に記憶素子を作り込むタイプの埋め込み不揮発性メモリについて、その利点と、メモリセルの記憶素子を実現する技術を解説する。(2018/4/27)

「ユーザーが置き去りになる」という意見も
大手ストレージベンダー9社が予測する2018年は? 新メモリ技術、NVMeに注目
NVMe、NVMe over Fabrics、そして新しいメモリテクノロジーが2018年以降のストレージ業界をかき乱すだろうというのが、ストレージ担当の企業幹部や業界アナリストの予測だ。(2018/3/14)

次期社長兼CEOらが戦略説明:
有機的成長を図るST、2018年日本市場で2桁成長へ
STMicroelectronics(以下、ST)は2018年3月、同社社長兼最高経営責任者(CEO)のCarlo Bozotti氏と、次期社長兼CEO(2018年第2四半期就任予定)のJean-Marc Chery氏が出席し、都内で会見を開催し、成長戦略などを説明した。(2018/3/12)

低電力で高速にデータ書き換え:
東北大学ら、次世代相変化メモリの新材料を開発
東北大学は、従来の材料とは逆の電気特性を示す相変化材料を開発したと発表した。この新材料を相変化メモリに適用すれば、データ書き換え時の消費電力小さく、高速動作を可能とする次世代不揮発性メモリを実現することができる。(2018/1/16)

「3D XPoint」アーキテクチャを採用
高速メモリ技術「Intel Optane」を巡る揺るぎない事実とは
「3D XPoint」アーキテクチャを採用した「Intel Optaneメモリ」が市場に投入された今、高速メモリの未来は明るいように見える。だがOptaneメモリは、これまでにIntelが主張してきた通りの製品に仕上がっているのだろうか。(2017/12/12)

福田昭のストレージ通信(87):
半導体メモリの専門学会「国際メモリワークショップ(IMW)」が日本で開催へ
2008〜2017年まで主に米国で開催されてきた「国際メモリワークショップ(IMW)」が、2018年は日本の京都で開催される。今回はIMWの概要を紹介しよう。(2017/12/6)

ARM TechConで技術者らが主張:
IoTでは50セントのチップを実現する技術が必要だ
IoT向けに使われるSoC(System on Chip)は、50米セント以下で実現できるようにする必要がある――。「ARM TechCon 2017」では、技術者らがそのような議論を行った。(2017/11/8)

主要ベンダーと製品も紹介
いまさら聞けない次世代メモリ技術「3D XPoint」とは
IntelとMicron Technologyが共同開発した次世代メモリ/ストレージ技術「3D XPoint」。両社によれば、DRAMとNANDフラッシュメモリの間を埋める新しい技術になるという。(2017/8/24)

IHSアナリスト「未来展望」(1):
エレクトロニクス産業を動かす“3大潮流”
変化の激しいエレクトロニクス産業の未来をIHS Markit Technologyのアナリストが予測する。連載第1回は、これからのエレクトロニクス産業を動かしていくであろう“3大潮流”を解説する。(2017/4/7)

SnDアーキテクチャはもう限界だ:
PR:これからの組み込み機器のメモリ構成は「SRAM/FRAM+NORフラッシュ」
産業機器をはじめとした組み込み機器のメモリ構成が変わりつつある。これまで、組み込み機器のメモリは「DRAM+NANDフラッシュ」という構成が一般的だったが、今後組み込み向けの低容量、高信頼DRAM/NANDフラッシュの調達難が予想され、代替メモリへの切り替えが必要になっている。そこで、新たなメモリ構成として有力視されているのが、さらなる進化が見込まれるSRAM/FRAM、そしてNORフラッシュだ。(2016/12/1)

福田昭のストレージ通信 抵抗変化メモリの開発動向(4):
SanDiskが語る、ストレージ・クラス・メモリの信頼性
SCMとはストレージ・クラス・メモリの略称で、性能的に外部記憶装置(ストレージ)と主記憶(メインメモリ)の間に位置するメモリである。前回は、SanDiskの講演から、SCMの性能とコストに関する比較をメモリセルレベルまで検討した。今回、信頼性について比較した部分をご紹介する。(2016/11/9)

福田昭のストレージ通信 抵抗変化メモリの開発動向(3):
SanDiskが語る、ストレージ・クラス・メモリの概要
ストレージ・クラス・メモリ(SCM)は、次世代の半導体メモリに最も期待されている用途である。今回は、このSCMの要件について、記憶密度やメモリアクセスの制約条件、メモリセルの面積の観点から紹介する。(2016/11/7)

福田昭のストレージ通信 抵抗変化メモリの開発動向(2):
SanDiskが語る、コンピュータのメモリ階層
今回は、SanDiskが語る“メモリ階層”について紹介する。2000年頃と2010年頃のメモリ階層を比較してみるとともに、2020年頃のメモリ階層を予想する。(2016/11/1)

福田昭のストレージ通信 抵抗変化メモリの開発動向(1):
SanDiskが語る、半導体不揮発性メモリの開発史
今回からは、国際学会で語られたSanDiskの抵抗変化メモリ(ReRAM)の研究開発動向について紹介していく。まずは、約60年に及ぶ「不揮発性メモリの歴史」を振り返る。(2016/10/28)

“1000倍速い”とまでは、いかなかったが:
Micron、3D XPointベースのSSDのデモを披露
IntelとMicron Technologyが2015年7月に発表した不揮発メモリ「3D XPoint」は、「NANDフラッシュよりも1000倍高速」とのうたい文句で大きな話題を呼んだ。ただし、SSDにした時の性能はさすがに“1000倍”とは、いかなかったようだ。(2016/8/18)

相変化メモリの課題が解決
フラッシュメモリより高速な不揮発性メモリ「PCM」実用化
フラッシュメモリより高速で1万倍の耐久力があり、DRAMより低コストで不揮発性。それが相変化メモリ(PCM)だ。フラッシュストレージよりさらに高速なストレージが、もうすぐ登場するかもしれない。(2016/8/9)

Computer Weekly:
フラッシュメモリより高速な不揮発性メモリ「PCM」がいよいよ実用化
フラッシュメモリより高速で1万倍の耐久力があり、DRAMより低コストで不揮発性。それが相変化メモリ(PCM)だ。フラッシュストレージよりさらに高速なストレージが、もうすぐ登場するかもしれない。(2016/8/3)

その性能は全てに置いて「1000倍」
SSDを過去に追いやる「次世代メモリ技術」がHDDの追い風になる
SSDはその転送速度と同様に企業システムでも導入が急速に進んでいるが、3D XPointや相変化メモリといったさらに高速なストレージ技術もSSDを超える性能を実現すべく、現在開発が進んでいる。(2016/7/14)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(14):
スピン注入型MRAMの不都合な真実
STT-MRAMの基礎を解説するシリーズ。最終回となる今回は、磁気トンネル接合(MTJ)を構成する固定層や磁性層に焦点を当てる。スピン注入型MRAMのMTJは、47層もの層で構成されている。これほどの層が必要なのにはきちんとした理由があるのだが、実は同時にそれがSTT-MRAMの弱点にもなっている。(2016/6/21)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(11):
スピン注入型MRAMの微細化(スケーリング)
STT-MRAMの記憶容量を拡大する最も基本的な方法が、微細化だ。現時点でSTT-MRAMは、研究レベルでかなりのレベルまで微細化できることが分かっている。実際の研究結果を交えて紹介しよう。(2016/6/7)

IMEC Technology Forum:
次世代メモリ、STT-MRAMが優勢か
IMECは、STT-MRAM(スピン注入磁化反転型磁気メモリ)を次世代メモリの最有力候補とみているようだ。(2016/6/2)

100万回の耐久性試験を実施:
IBM、3ビット/セルのPCMの研究成果を発表
IBMチューリッヒ研究所が、3ビット/セルのPCM(相変化メモリ)の研究成果を、パリで開催された「IEEE International Memory Workshop(IMW 2016)」で発表した。(2016/5/19)

「VLSI技術シンポジウム 2016」プレビュー:
0.03μm2のSRAMから最先端のIII-V族FinFETまで
米国ハワイで2016年6月13〜16日に開催される「VLSI Symposia on VLSI Technology and Circuits(以下、VLSIシンポジウム)」は、最先端の半導体デバイス/回路技術が一堂に会する国際会議だ。VLSIシンポジウムを実行するVLSIシンポジウム委員会は4月20日、都内で記者説明会を開催し、同イベントの概要と注目論文を紹介した。(2016/4/25)

福田昭のデバイス通信(61):
IEDMで発表されていた3D Xpointの基本技術(後編)
前編に続き、IntelとMicron Technologyの次世代不揮発性メモリ「3D XPoint」について解説しよう。今回は、「オボニック・スレッショルド・スイッチ(OTS:Ovonic Threshold Switch)」と、材料について詳しく見ていきたい。(2016/2/1)

福田昭のデバイス通信(60):
IEDMで発表されていた3D XPointの基本技術(前編)
米国で開催された「ISS(Industry Strategy Symposium)」において、IntelとMicron Technologyが共同開発した次世代メモリ技術「3D XPoint」の要素技術の一部が明らかになった。カルコゲナイド材料と「Ovonyx」のスイッチを使用しているというのである。この2つについては、長い研究開発の歴史がある。前後編の2回に分けて、これらの要素技術について解説しよう。(2016/1/27)

ハイパーコンバージドインフラが主流になるか
SSDだけではない、2020年までに劇的変化を遂げる“サーバ”未来予想図
サーバアーキテクチャは10年間の集大成として大きな変化が起こっている。サーバパフォーマンスが増強されれば、データセンターがストレージとネットワークにアプローチする方法も変わっていくだろう。(2015/12/28)

「IEDM 2015」基調講演で:
「ムーアの法則を進める必要がある」――ARM
2015年12月7〜9日に開催された「IEDM 2015」の基調講演で、ARMのシニアリサーチャーであるGreg Yeric氏は、「半導体チップの微細化は一段と困難になっているが、それでもムーアの法則を続ける必要がある」と語った。(2015/12/10)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(7):
不揮発性メモリを脳神経コンピューティングに活用
今回はセッション16〜18の講演を紹介する。セッション17では、不揮発性メモリを利用したニューロモルフィックシステム(脳神経系を模倣した低消費電力システム)の講演が相次いだ。(2015/11/17)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(2):
IV族レーザーと高密度3D NAND技術
今回は、「IEDM 2015」で開催される予定のセッションから、セッション2と3を紹介する。セッション2では、IV族元素でレーザーを試作した研究成果や、GeのナノワイヤでCMOS回路を試作した研究成果が発表される。セッション3では、主にメモリ技術がテーマとなる。(2015/11/4)


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にわかに地球規模のトピックとなった新型コロナウイルス。健康被害も心配だが、全国規模での臨時休校、マスクやトイレットペーパーの品薄など市民の日常生活への影響も大きくなっている。これに対し企業からの支援策の発表も相次いでいるが、特に今回は子供向けのコンテンツの無料提供の動きが顕著なようだ。一方産業面では、観光や小売、飲食業等が特に大きな影響を受けている。通常の企業運営においても面会や通勤の場がリスク視され、サーモグラフィやWeb会議ツールの活用、テレワークの実現などテクノロジーによるリスク回避策への注目が高まっている。