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「RRAM」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

Resistance RAM

IoTセキュリティ:
IoTデバイスや産業機器向けの多機能セキュアIC、IEC62443への対応が容易
パナソニック インダストリアルソリューションズ社は、IoTデバイスや産業機器向けに、独自のセキュリティ機能を有する多機能セキュアICを開発した。2020年2月よりサンプル出荷を開始する。(2020/2/20)

パナソニック MN67S3C0シリーズ:
内部で認証鍵の生成と消去ができるセキュアIC
パナソニックは、多機能セキュアIC「MN67S3C0」シリーズを発表した。IC内部で固有認証鍵の生成と消去ができることから、IoTや産業用機器に追加実装するだけで、重要データを保護できる。(2020/2/17)

市場の急成長はまだ先でも:
AI技術の進化で注目が高まるReRAM
次世代不揮発メモリの一つである抵抗変化メモリ(ReRAM)は、その大部分がまだ研究開発の段階にあるが、AI(人工知能)技術の進化で、注目が高まっている。(2020/1/20)

電子機器設計/組み込み開発メルマガ 編集後記:
UniPhier、有機CMOS、ReRAM……売却されたパナソニック半導体のこれまで
EDN Japan/EE Times Japanの過去掲載記事で振り返ります。(2019/12/2)

コスト競争力をどう実現するのか:
次世代メモリのPCM、「Optane」以外の動向は?
PCM(相変化メモリ)は2019年の初めに、注目すべき3つの新しいメモリ技術の一つとして取り上げられた。その主な理由は、Intelが「3D XPoint」メモリ(PCMであることが明らかになっている)を「Optane」ブランドで本格的に展開し始めたからだろう。では、3D XPoint以外のPCMについてはどうだろうか。(2019/11/20)

AIやセキュリティの製品も:
もはや単なる“メモリベンダー”ではないMicron
Micron Technologyが2019年10月24日(米国時間)に米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催した自社イベント「Micron Insight 2019」は、Micronが単なるメモリベンダーにはとどまらない、という決意が現れたものとなった。(2019/11/8)

EE Exclusive:
拡大基調が見え始めたMRAM、鍵はエコシステムと製造技術
MRAM(磁気抵抗メモリ)の採用が拡大基調に突入しようとしている。ただし、採用がすぐに進むかどうかは、製造技術の進歩と、ディスクリートおよび組み込みMRAMデバイスの技術をサポートするエコシステムの発展の両方にかかっている。(2019/9/30)

アプライド マテリアルズ:
次世代メモリの本格量産を可能にする新PVD装置
アプライド マテリアルズ ジャパンは、東京都内で記者説明会を行い、MRAM(磁気抵抗メモリ)やReRAM(抵抗変化型メモリ)など新型メモリの量産を可能にするPVD(物理蒸着)装置について、その特長などを紹介した。(2019/9/19)

復権する「ストレージ階層化」【前編】
枯れたはずの「ストレージ階層化」がフラッシュメモリの進化でよみがえる
一時は廃れたかと考えられた「ストレージ階層化」だが、いま再び注目を集めている。その陰にあるのは、多様な進化を遂げるフラッシュメモリの存在だ。(2019/9/12)

FMS 2019:
3D NANDの進化が目立つ、市場は回復基調との見方も
2019年8月6〜8日(米国時間)にかけて、米国カリフォルニア州サンタクララで14回目となるメモリ技術関連のカンファレンス「Flash Memory Summit(FMS)」が開催されたが、そこではNAND型フラッシュメモリのベンダーとパートナー各社の積極的な姿勢が目立った。(2019/8/23)

福田昭のストレージ通信(157) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(16):
次世代メモリの長所と短所を一覧する
本シリーズの最終回となる今回は、次世代メモリの長所と短所をまとめる。既存のメモリ技術ではDRAM、NANDフラッシュが主流であり、少なくとも今後5年間はその地位が揺らぐことはないだろう。(2019/8/2)

富士通セミコンダクター:
容量8MビットのReRAMを製品化
富士通セミコンダクターは2019年7月30日、抵抗変化型メモリ(以下、ReRAM)として8Mビット容量品を2019年9月から販売すると発表した。同社では「ReRAMの量産製品としては世界最大容量」としている。(2019/7/30)

3年プロジェクトが発足:
エッジAI向け低電力チップ、EUが総力を挙げて開発へ
ベルギーの研究機関imecをはじめとする19の研究機関および企業が、EUの3年間プログラム「TEMPO(Technology & hardware for nEuromorphic coMPuting)」で、複数の新しいメモリ技術をベースとした低消費電力のエッジAIチップの開発を進めているという。(2019/7/11)

福田昭のストレージ通信(153) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(14):
次々世代の不揮発性メモリ技術「カーボンナノチューブメモリ(NRAM)」
次世代メモリの有力候補入りを目指す、カーボンナノチューブメモリ(NRAM:Nanotube RAM)について解説する。NRAMの記憶原理と、NRAMの基本技術を所有するNanteroの開発動向を紹介しよう。(2019/7/2)

福田昭のストレージ通信(152) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(13):
抵抗変化メモリ(ReRAM)の製品化動向と製造コスト見通し
抵抗変化メモリ(ReRAM)の製品化動向と製造コスト見通しを紹介する。特に、ReRAMの製品化で大きな役割を果たしているベンチャー企業各社を取り上げたい。(2019/6/24)

福田昭のストレージ通信(151) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(12):
クロスポイント化に期待がかかる抵抗変化メモリ(ReRAM)
今回は抵抗変化メモリ(ReRAM)を解説する。ReRAMの原理の他、記憶密度を向上させる手段について説明する。(2019/6/19)

福田昭のストレージ通信(149) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(10):
磁気抵抗メモリ(MRAM)の長所と短所
今回から磁気抵抗メモリ(MRAM)について解説する。まずはMRAMの構造と、長所、短所をそれぞれ説明しよう。(2019/6/11)

福田昭のストレージ通信(147) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(8):
一度消えたPCMが「3D XPointメモリ」で劇的にカムバック
今回は、相変化メモリ(PCM)が市場から一度消えた後に、「3D XPointメモリ」で劇的に復活したことをご説明しよう。(2019/6/3)

湯之上隆のナノフォーカス(13):
Neuromorphicがブレイクする予感 ―― メモリ国際学会と論文検索から見える動向
2018年、2019年のメモリの学会「International Memory Workshop」(IMW)に参加し、見えてきた新メモリの動向を紹介したい。(2019/5/30)

福田昭のストレージ通信(146) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(7):
次世代メモリ技術の最有力候補はPCMとMRAM、ReRAM
今回は、次世代メモリの立ち位置を再確認した上で、相変化メモリ(PCM)、磁気抵抗メモリ(MRAM)、抵抗変化メモリ(ReRAM)という3つの最有力候補について解説する。(2019/5/22)

京都で2019年6月9〜14日開催:
VLSIシンポジウム 2019 開催概要を発表
2019年6月9〜14日に京都市で開催される半導体デバイス/回路技術に関する国際会議「VLSIシンポジウム」の開催概要に関する記者説明会が2019年4月17日、東京都内で開催された。(2019/4/19)

福田昭のストレージ通信(139) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(2):
NANDフラッシュメモリのスケーリング論
2018年8月に開催された「フラッシュメモリサミット」から、半導体メモリの技術動向に関する講演の内容を紹介するシリーズ。今回は、次世代メモリが期待される3つの理由のうち、スケーリング(微細化または高密度化)について解説する。(2019/3/25)

福田昭のストレージ通信(138) 半導体メモリ技術動向を総ざらい(1):
現行世代メモリと次世代メモリの違い
フラッシュメモリとその応用製品に関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット(FMS:Flash Memory Summit)」。最近のFMS(2018年8月に開催)で公表された情報の1つに、半導体市場調査会社MKW Venture Consulting, LLCでアナリストを務めるMark Webb氏が「Annual Update on Emerging Memories」のタイトルで述べた、半導体メモリの技術動向に関する講演がある。その内容が興味深かったので、講演の概要をシリーズでお届けする。(2019/3/15)

次世代はビデオ向け:
新興企業Syntiant、オーディオ用AIチップを発表
新興企業Syntiantは、オーディオタスクに向けた低消費電力のニューラルネットワークアクセラレータ「NDP100」と「NDP101」を発表した。PIM(Processor In Memory)を適用したという。NDP100/同101は、200μW未満の低い消費電力でサウンドパターンを検出できるため、幅広い種類のデバイス上でスピーチインタフェースを実現することが可能だ。(2019/2/28)

ISSCC 2019:
Intel、22nm FinEFT適用MRAMの概要を発表
Intelは、22nm FinFETプロセス適用デバイスで採用する、組み込みSTT-MRAM(スピン注入磁化反転方式の磁気抵抗メモリ)向け技術について、詳細を明らかにした。(2019/2/22)

福田昭のストレージ通信(134) 半導体メモリの勢力図(5):
既存のメモリと次世代のメモリを比較する
今回は、DRAMやNANDフラッシュメモリなど既存のメモリと、MRAM(磁気抵抗メモリ)やReRAM(抵抗変化メモリ)といったエマージング・メモリ(次世代メモリ)の特徴を比較する。(2019/2/8)

メモリ関連の論文も豊富:
ISSCC 2019の目玉はAIと5Gに、CPUの話題は少ない?
2019年2月17〜21日に米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催される半導体回路技術関連の国際学会「ISSCC 2019」は、発表内容のほとんどが、機械学習(マシンラーニング)や高速ネットワーク、メモリが主役となる“データ時代”に関するものとなりそうだ。(2018/11/26)

NANDフラッシュの世代交代はいつ?
3D XPointだけじゃない NANDやDRAMに代わる新たなメモリテクノロジー
NANDフラッシュはメモリ市場で優位に立っている。だが、コストとスケーリングの限界により、徐々にIntelの「3D XPoint」などの新たなテクノロジーにその立場を明け渡すことになるだろう。(2018/11/9)

スイッチング電流の測定技術確立:
STT-MRAMの不良解析を高精度・高効率で実現
東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター(CIES)の遠藤哲郎センター長らによる研究グループは、アドバンテストと共同でスピン注入型磁気ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)のスイッチング電流を、高い精度で高速に測定する技術を確立した。(2018/11/5)

SCMの時代がやって来た(前編)
期待のストレージクラスメモリ、Z-NAND、3D XPoint、MRAMを理解しよう
不揮発性で既存のSSDよりもはるかに高速な「ストレージクラスメモリ」。IntelとMicronの3D XPointを筆頭に、Z-NANDやMRAMなどが市場に登場している。有望な技術はどれだろうか。(2018/6/27)

ReRAMを応用して高電力効率に:
エッジでAIの学習も、アナログ素子で脳型回路を開発
新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)らは、アナログ抵抗変化素子(RAND)を用いた、AI(人工知能)半導体向け脳型情報処理回路を開発した。エッジ側で学習と推論処理が可能となる。(2018/6/26)

普及加速の原動力になるか:
CrossbarがMicrosemiにReRAMライセンスを供与
Microsemiが、ReRAM(抵抗変化メモリ)を手掛けるCrossbarから、ReRAMのライセンス供与を受ける契約を締結した。メモリ業界のアナリストたちは、この契約が、ReRAMの幅広い普及に向けた道を切り開く、重要な触媒として機能するとみているようだ。(2018/5/25)

福田昭のストレージ通信(100) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(13):
多層配線工程に記憶素子を埋め込む不揮発性メモリ技術(後編)
後編では、多層配線工程の中に記憶素子を作り込むタイプの埋め込み不揮発性メモリについて、その利点と、メモリセルの記憶素子を実現する技術を解説する。(2018/4/27)

VLSIシンポジウム2018プレビュー:
非接触心拍センサーから7nmプロセスまで、VLSIの今
「Symposium on VLSI Technology」と「Symposium on VLSI Circuits」が2018年も米国ハワイ州ホノルルで開催される。本稿では、両会議の概要と注目論文を紹介する。(2018/4/18)

福田昭のデバイス通信(137) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(13):
技術講演の最終日午後(その2)、東芝が次世代無線LAN用トランシーバーを発表
「ISSCC 2018」の技術講演を紹介するシリーズ、最終回となる今回は、最終日のセッション28〜31を紹介する。東芝グループは次世代の無線LAN技術「802.11ax」に対応する送受信SoC(System on a Chip)を発表する。その他、114本の短針プローブによって脳神経信号を並列に取得するシステムや、カーボンナノチューブFETとReRAMによる脳型コンピューティング回路などが発表される。(2018/2/8)

富士通セミコンダクター システムメモリカンパニー長 松宮正人氏:
PR:不揮発性RAMで、社会に新たな価値を提供し続ける富士通セミコンダクター
富士通セミコンダクターは、省電力、高速動作を特長とするFRAMを扱うシステムメモリ事業で、IoT(モノのインターネット)時代のニーズに応じたソリューションの提案を加速させる。2018年は、RFIDによる無線給電技術とFRAM技術を組み合わせた“バッテリーレスソリューション”が実用化される見通し。「省電力の不揮発性RAMへの期待はますます大きくなっている。新製品開発やソリューション開発で、それらの期待に応えたい」という富士通セミコンダクター システムメモリカンパニー長の松宮正人氏に事業戦略を聞いた。(2018/1/16)

快適・安心な水素社会を支える:
水素の炎を可視化、漏れを検知、流量を計測
パナソニックは、「SEMICON Japan 2017」の特別展「WORLD OF IOT」で、水素エネルギー社会の「安全と安心」を支える水素デバイスソリューションとして、開発中の3製品を紹介した。(2017/12/20)

福田昭のストレージ通信(87):
半導体メモリの専門学会「国際メモリワークショップ(IMW)」が日本で開催へ
2008〜2017年まで主に米国で開催されてきた「国際メモリワークショップ(IMW)」が、2018年は日本の京都で開催される。今回はIMWの概要を紹介しよう。(2017/12/6)

福田昭のデバイス通信(123) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(7):
IEDM 2017の講演3日目(12月6日)午前:10nm世代と7nm世代の半導体量産技術
12月6日午前のセッションから、注目講演を紹介する。メモリセルと論理演算を統合することで脳神経回路を模倣する研究の成果や、10nm/7nm世代のCMOSロジック量産技術についての発表が行われる。(2017/11/28)

「The Next Platform」で読むグローバルITトレンド(15):
ハードウェアはこれからのデータベースの在り方をどう変えるか――ストーンブレーカー氏に聞いた
データベースの世界において、次々に革新を生み出してきたマイケル・ストーンブレーカー氏には、最近のハードウェアの進化がどう見えているのだろうか。SSDや3D Xpointなどの新ハードウェアがデータベースに与える影響について、同氏へ行ったインタビューの前編をお届けする。(2017/11/14)

福田昭のデバイス通信(118) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(2):
IEDM 2017の技術講演初日、高密度ReRAMと紙基板の2次元トランジスタ
技術講演初日である2017年12月4日から、注目の講演を紹介する。抵抗変化メモリ(ReRAM)や、折り曲げ可能な電子回路(フレキシブルエレクトロニクス)関連で、興味深い講演が多い。(2017/11/9)

ARM TechConで技術者らが主張:
IoTでは50セントのチップを実現する技術が必要だ
IoT向けに使われるSoC(System on Chip)は、50米セント以下で実現できるようにする必要がある――。「ARM TechCon 2017」では、技術者らがそのような議論を行った。(2017/11/8)

現実味を増す“ソフトウェア定義メモリ”
徹底解説:次世代メモリ技術「NVDIMM」、不揮発性メモリはストレージをどう変える?
さまざまな次世代メモリ技術の発展により、ストレージとメモリを統合するハイブリッドアプローチが登場している。その結果「ソフトウェア定義メモリ」というアイデアが現実味を帯び始めている。(2017/5/16)

IHSアナリスト「未来展望」(1):
エレクトロニクス産業を動かす“3大潮流”
変化の激しいエレクトロニクス産業の未来をIHS Markit Technologyのアナリストが予測する。連載第1回は、これからのエレクトロニクス産業を動かしていくであろう“3大潮流”を解説する。(2017/4/7)

キーパーソンインタビュー
HPE首席アーキテクトに聞く、次世代サーバ「The Machine」
HPが2014年6月の発表から3年弱、同社が「メモリドリブンコンピューティング」と呼ぶ「The Machine」はどうなっているのか? HPE首席アーキテクトにノイマン型の限界とThe Machineが目指すものを聞いた。(2017/3/28)

企業動向を振り返る 2017年2月版:
成長に自信を見せるルネサス、前途多難な東芝
東芝が解体へのカウントダウンを刻む中、一時は経営が危ぶまれたルネサスが好調な業績見込みを発表しています。(2017/3/23)

Weekly Top 10:
ソニーのDRAM積層CMOSイメージセンサーに高い関心
EE Times Japanで2017年2月4〜10日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2017/2/14)

2018年にサンプル出荷へ:
パナソニックとUMC、40nm ReRAMの共同開発で合意
パナソニック セミコンダクターソリューションズは、半導体ファウンドリである台湾UMCと、40nm量産プロセスの抵抗変化メモリ(ReRAM)共同開発に合意したと発表した。(2017/2/1)

不揮発性メモリの用途拡大へ:
産総研、電流ノイズからReRAMの挙動を解明
産業技術総合研究所(産総研)の馮ウェイ研究員らは、幅広い電流レンジでノイズを計測する手法を開発。この技術を用いて抵抗変化メモリ(ReRAM)が極めて小さい消費電力で動作する時の挙動を解明した。環境発電や人工知能デバイスなどに対する不揮発性メモリの用途拡大が期待される。(2017/1/17)

福田昭のストレージ通信(54) 抵抗変化メモリの開発動向(13):
SanDiskが語る、抵抗変化メモリのセル選択スイッチ技術(後編)
「抵抗変化メモリの開発動向」シリーズの最終回となる今回は、セル選択スイッチ技術の中でも有望な、しきい電圧を有するスイッチ(スレッショルド・スイッチ)を紹介する。代表的な4種類のスレッショルド・スイッチと、それらの特性を見ていこう。(2016/12/28)



2013年のα7発売から5年経ち、キヤノン、ニコン、パナソニック、シグマがフルサイズミラーレスを相次いで発表した。デジタルだからこそのミラーレス方式は、技術改良を積み重ねて一眼レフ方式に劣っていた点を克服してきており、高級カメラとしても勢いは明らかだ。

言葉としてもはや真新しいものではないが、半導体、デバイス、ネットワーク等のインフラが成熟し、過去の夢想であったクラウドのコンセプトが真に現実化する段階に来ている。
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これからの世の中を大きく変えるであろうテクノロジーのひとつが自動運転だろう。現状のトップランナーにはIT企業が目立ち、自動車市場/交通・輸送サービス市場を中心に激変は避けられない。日本の産業構造にも大きな影響を持つ、まさに破壊的イノベーションとなりそうだ。