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「3Dメモリ」最新記事一覧

関連キーワード

256Gビット 3ビットセル:
東芝、64層の3D NANDをサンプル出荷 「世界初」
東芝は2016年7月26日、64層の3次元構造のNAND型フラッシュメモリ(3D NAND)「BiCS FLASH」のサンプル出荷を開始すると発表した。256Gビット 3ビットセルチップで、今後はチップ単体で0.5Tビットの製品まで提供予定。量産出荷は、2016年第4四半期に開始する見込みという。(2016/7/27)

「3D XPoint」の出荷を控え:
Intel、PC部門は不振もメモリ事業に明るい兆し
Intelの2016年度第2四半期の決算が発表された。売上高は前年同期比でわずかに増加したものの、利益は、再編計画関連の費用を計上したことから51%減となった。ただし、「3D XPoint」を含め、メモリ事業の見通しは明るいようだ。(2016/7/25)

メルマガバックナンバー:
モノづくり総合版 メールマガジン 2016/07/21
「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」編集部が毎週木曜日にお届けしている『モノづくり総合版 メールマガジン』の内容をご紹介!(メルマガ配信日:2016年7月21日)(2016/7/22)

WDは不正会計問題についても言及:
東芝、3D NANDで世界獲るには「量産が課題」
東芝とウエスタンデジタルコーポ―レーションは、新製造棟「東芝四日市工場新第2製造棟(N-Y2)」の完成に伴い、3次元構造のNAND型フラッシュメモリに関する事業計画について説明した。(2016/7/20)

2016年上期に64層品のサンプル出荷を開始予定:
東芝とWD、18年までに3D NANDに約1.4兆円投資へ
東芝とウエスタンデジタルコーポ―レーション(WD)は2016年7月15日、3次元構造のNAND型フラッシュメモリを製造する四日市工場新第2製造棟「N-Y2」(三重県四日市市)の完成イベントを開催した。(2016/7/15)

2016年は微増か:
世界半導体装置市場規模、2017年410億ドル超へ
SEMIは2016年7月12日(米国時間)、2016年年央時点の半導体製造装置市場予測を発表した。(2016/7/13)

電子ブックレット:
“メモリ大国”を目指す中国
EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、メモリ技術の開発に注力する中国の動向について紹介します。(2016/7/10)

IoTによる200mmファブの需要拡大を予想:
「日本の半導体業界の将来は明るい」 SEMI語る
SEMIジャパンは、SEMIの活動に関する説明会を都内で開催した。SEMIジャパン代表の中村修氏は、「IoTによる200mmファブの需要拡大で、日本の半導体業界の将来は明るい」と語る。(2016/7/6)

古田雄介のアキバPickUp!:
品薄だけどラインアップは充実してきたGTX 1080/1070カード
GeForce GTX 1080/1070搭載グラフィックスカードの盛り上がりと品薄具合は相変わらず。しかし、主要メーカーのオリジナルクーラーモデルが複数出回るようになり、「選びがいはいまが一番かも」との声も聞かれる。(2016/6/20)

速いだけのストレージなら要らない
オールフラッシュストレージベンダーが熱望される「とんでもなくすごい」機能とは
オールフラッシュストレージが企業ITシステムにおいてごく当たり前の存在となる中、IT管理者はデータアクセスの効率化だけでなく、アナリティクスやデータ保護といった高度な機能も必要としている。(2016/6/17)

SEMIが予測を公表:
16〜17年半導体製造工場/ラインの着工数は19件
SEMIは2016〜2017年にかけて、新規ファブおよびラインの建設着工が19件予想されることを発表した。これにより、半導体製造装置の投資が2016年末にかけて加速することが予測される。(2016/6/10)

差異化は難しくても:
DRAM、過酷な温度環境への対応で生き残る
3D NAND型フラッシュメモリや次世代不揮発性メモリの開発が進む中、DRAMはどのような方向に発展していくのだろうか。米Virtiumは、過酷な稼働環境への対応がその1つだと述べる。(2016/5/16)

設備投資は10nmプロセスと3D NANDに:
Intelの再編、メモリとIoTに舵を切る
最大で1万2000人の人員削減を行うと発表したばかりのIntel。現在、全製品を見直し、どのように構造改革を行っていくかを検討している段階だという。アナリストの中には、Intelの再編の動きを評価する声もある。(2016/4/25)

バラして見ずにはいられない:
iPhone 5s/6sと何が違う? 「iPhone SE」を分解してみた
iPhone 5sと同じデザイン・サイズで、iPhone 6s相当のスペックとなった「iPhone SE」。中身はどうなっているのか分解してみた。(2016/4/20)

元エルピーダ社長の動きにも注目:
“メモリ大国”を目指す中国(後編)
メモリ技術の開発に積極的な中国だが、話はそれほど簡単ではない。中国では、元エルピーダメモリ社長の坂本幸雄氏がDRAMメーカーを立ち上げるなど、注目に値する動きも出てきている。(2016/4/19)

電子ブックレット:
3D NANDフラッシュの競争は激化へ
EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、Micron Technologyが「ISSCC 2016」で発表した68Gビットの3次元(3D)NAND型フラッシュメモリについて紹介します。(2016/4/14)

前途多難なのか:
“メモリ大国”を目指す中国(前編)
中国がメモリ技術の開発に注力している。中国のファウンドリーであるXMCは、「3D NAND型フラッシュメモリでSamsung Electronicsに追い付く」と、非常に積極的な姿勢を見せている。(2016/4/14)

プライマリーストレージほどフラッシュを活用
「HDDはいつ消えるか?」が議論に、ハイエンド製品で進むSSD全面移行
2016年に入ってオールフラッシュアレイが数多く登場している。それどころか、プライマリーストレージの選択肢がフラッシュだけになりつつある。かつての主役HDDの居場所はコールドストレージにしかもうない。(2016/4/13)

DRAMの価格下落で:
Micron、2016Q2は売上高が30%減に
メモリに対する強い価格圧力は続いているようだ。Micron Technologyの2016年度第2四半期における売上高は、前年同期比で30%減少した。ただし、Micronは、長期的な視野で見ると、DRAM業界には健全性が戻ってくるとしている。(2016/4/8)

次世代フラッシュ、リアルタイムOLTP、DRAMに近いスループットを実現:
オラクル、最新世代の高速データベースマシン「Oracle Exadata X6」を発表
米オラクルが高速データベースマシンの最新版「Oracle Exadata X6」を発表。Exadata X6とOracle Databaseを従量制/サブスクリプションライセンスで使えるクラウドサービス「Oracle Database Exadata Cloud Service」も用意する。(2016/4/6)

福田昭のデバイス通信 ARMが語る、最先端メモリに対する期待(12):
DDR4とHBMの長所と短所
今回は、HBM(High Bandwidth Memory)とDDR4 DRAMを、データ転送速度やパッケージングなどの点から比較してみる。後半は、埋め込みDRAM(eDRAM)の説明に入る。ARM ReserchのRob Aitken氏は、eDRAMが「ニッチな市場にとどまる」と予想しているが、それはなぜだろうか。(2016/3/29)

中国半導体業界のマイルストーンに?:
中国XMCが3D NANDフラッシュ工場建設ヘ
中国のファウンドリー企業であるXMCが、3次元NAND型フラッシュメモリを製造する工場の建設に2016年3月中にも着手するという。(2016/3/28)

メルマガバックナンバー:
モノづくり総合版 メールマガジン 2016/03/24
「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」編集部が毎週木曜日にお届けしている『モノづくり総合版 メールマガジン』の内容をご紹介!(メルマガ配信日:2016年3月24日)(2016/3/25)

エネルギー、社会インフラ、ストレージに注力:
東芝、18年度売上高5.5兆円に向けた事業計画
東芝は2016年3月18日、2016年度(2017年3月期)事業計画説明会を開催し、2016年度に全事業を黒字化させるという経営再建策の進み具合と、2018年度売上高5兆5000億円、純利益1000億円を暫定目標に据えた成長戦略を発表した。(2016/3/18)

春のPCパワーアップ計画:
ポータブルHDDを最新SSDに替えたら爆速になる? 「Portable SSD T3」の場合
PCの内蔵ストレージはSSDでも、ポータブルストレージはHDDというユーザーは少なくないだろう。今回はUSB接続のHDDをSSDに乗り換えると、どれだけ快適になるのか性能を比較してみた。(2016/3/18)

3年間で約3600億円を投資へ:
東芝、3D NAND新工場建設を決定
東芝は2016年3月17日、3次元構造のNAND型フラッシュメモリ専用工程に対応する新工場建設を決めた。(2016/3/17)

深刻なトラブルを引き起こす可能性も
ストレージ階層化を活用するために知っておくべき5つのポイント
データの使用頻度や用途に応じて適切なストレージメディアにデータを配置するストレージ階層化。コストとパフォーマンスを両立する機能だが、その特性を理解しておかないとトラブルが生じる可能性がある。(2016/3/15)

「Raspberry Pi 3」は“買い”か、公式サイトベンチマーク結果を読み解く
4周年を迎えた日に発表された「Raspberry Pi 3」、国内販売はまだ行われていないが公式サイトではベンチマーク結果が掲載されている。新製品は果たして“買い”なのか、結果を読み解く。(2016/3/1)

リード3200MB/秒!:
5コアコントローラ+第3世代V-NANDの新製品も――日本サムスンが最新SSDを展示
日本サムスンが「2016 Samsung SSD Forum, Japan」を開催。2016年春の投入が見込まれる最新SSDを披露した。(2016/2/25)

EE Times Japan Weekly Top10:
GoogleやFacebookが“キャリア”になったなら
EE Times Japanで2016年2月13〜19日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2016/2/20)

EE Times Japan Weekly Top10:
今回の注目は東芝の決算
EE Times Japanで2016年2月6〜12日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2016/2/13)

Micronが「ISSCC 2016」で768Gビット品を発表:
3D NANDフラッシュの競争は激化へ
Micron Technologyは「ISSCC 2016」で、3ビット/セルのフローティングゲート方式を適用した、768Gビットの3次元(3D)NAND型フラッシュメモリを発表した。読み出し速度は、800Mバイト/秒だという。3D NANDフラッシュの競争が激化することが予想される。(2016/2/9)

64層3D NANDで売価下落に対抗へ:
東芝、赤字転落の半導体事業は自主再建
東芝の電子デバイス部門の2015年度(2016年3月期)業績は、550億円の営業赤字を計上する見込みとなった。前年度に比べ2716億円減という大幅減益だ。NAND型フラッシュメモリ(NANDメモリ)事業を除き、ディスクリート、システムLSI、ストレージの3事業で赤字となり、事業構造の見直しを実施する。さらに2015年後半からの売価下落で利益幅が縮小しているNANDメモリも、高集積品の開発を急ぎ価格競争力を高めるなどし、電子デバイス事業として2016年度の黒字転換を目指す。(2016/2/5)

150人規模の合理化も:
東芝がHDD事業でリストラ策発表、PC向け縮小へ
東芝は2016年2月4日、HDD事業の構造改革策を発表した。国内HDD事業に関わる人員について、150人規模の再配置および早期退職優遇制度を実施する。(2016/2/4)

30億円で隣接地を取得:
東芝、3D NAND製造用に四日市工場の敷地を拡張
東芝は、3次元NAND型フラッシュメモリの製造に向け、四日市工場の敷地を拡張すべく、同工場の隣接地を取得すると発表した。(2016/2/2)

量産の実現には12〜18カ月かかる見込み:
3D XPoint、開発から製造へ
IntelとMicron Technologyが開発した「3D XPoint」は、製造の段階へと移る見込みだ。量産には12〜18カ月かかるとみられている。また、3D XPointでは、カルコゲナイド材料と「Ovonyx」スイッチが使われていることが明らかになった。(2016/1/25)

防滴/防じん性を備えた製品も:
サンディスク、850MB/秒のポータブルSSDを発表
サンディスク(SanDisk)は、2種類のポータブルSSDを発表した。1つ目は、「ポータブルSSDとして世界最速の850Mバイト/秒を実現」(同社)した製品。2つ目は最大430Mバイト/秒の転送速度で、IP55に対応した防滴/防じん性を備えたポータブルSSDである。(2016/1/19)

大容量SSD時代へ加速:
TLC採用で最安値クラスの容量単価に!! 「Crucial BX200」シリーズSSDを試す
普及価格帯の大容量SSD「BX 200」シリーズを徹底検証。BX100と比較して何が変わったのか。(2016/1/6)

Type-C、WiGig、AirFuel……:
2016年に期待のPCテクノロジー“5選”
2015年のPCはWindows 10と第6世代Coreで盛り上がったが、2016年はその周辺技術が熱そうだ。(2016/1/4)

福田昭のデバイス通信 ISSCC 2016プレビュー(3):
シングルダイの記憶容量が100Gバイトに近づく半導体メモリ
セッション7のテーマは「不揮発性メモリのソリューション」だ。マイクロンジャパンとMicron Technology、Intelの共同チームが、768Gビットと極めて大きな記憶容量のNANDフラッシュメモリを発表するなど、注目の論文が相次ぐ。(2015/12/25)

バンプレスTSV技術と併用で配線長1/10も可能に:
メモリの薄化限界は4μm! 2μm台で劣化を確認
東京工業大学とWOWアライアンスは2015年12月15日、300mmシリコンウエハーの厚さを2μmにすることで、DRAMの特性が劣化することを確認し、シリコンウエハーの薄化は4μm程度が実用的であるとの研究成果を発表した。(2015/12/16)

ハイブリッドストレージ構成に対応、データ保護ソリューションも拡充:
日本HPE、オールフラッシュデータセンター化を推進する製品ラインアップを発表
日本ヒューレット・パッカード(日本HPE)は、ストレージ製品「HPE 3PAR StoreServ」向けのソリューションを発売した。さらにHPE 3PAR StoreServを、バックアップツール「HPE StoreOnce」とテープ装置「HPE StoreEver」製品ラインアップに統合し、データ保護を強化するという。(2015/12/11)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(5):
14/16nm世代のSRAMと第3の2Dデバイス材料
今回のプレビューでは、セッション10〜12の内容を紹介する。セッション11では、ルネサス エレクトロニクスやSamsung ElectronicsがSRAM関連の技術を発表する。セッション12では、第3の2Dデバイス材料として注目を集める黒リン関連の発表に注目したい。(2015/11/11)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(3):
3D NANDフラッシュの物理解析が進む
今回はセッション4〜6の講演を紹介する。セッション4では、人間の脳をモデルにした計算アーキテクチャなどが焦点となる。セッション5では3D NAND型フラッシュメモリ関連の発表が行われ、セッション6ではIGZO材料による20nmノードの高周波FETなどが発表される予定だ。(2015/11/6)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(2):
IV族レーザーと高密度3D NAND技術
今回は、「IEDM 2015」で開催される予定のセッションから、セッション2と3を紹介する。セッション2では、IV族元素でレーザーを試作した研究成果や、GeのナノワイヤでCMOS回路を試作した研究成果が発表される。セッション3では、主にメモリ技術がテーマとなる。(2015/11/4)

フラッシュストレージの価格破壊に挑戦!:
サンディスクが単価1ドル/GB以下の「InfiniFlash」
サンディスク(SanDisk)は、エンタープライズ向けオールフラッシュストレージプラットフォーム「InfiniFlash」について、日本市場でも2015年11月中旬より供給を始める。3Uサイズの筐体で最大容量512TB(テラバイト)を可能にするとともに、ギガバイト単価を1米ドル以下にするなど低コストを実現した。(2015/10/27)

EE Times Japan Weekly Top10:
半導体業界再編に待ったなし? 相次ぐ買収報道
EE Times Japanで2015年10月17〜23日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/10/24)

身売り話に急展開:
Western Digital、SanDiskを190億ドルで買収
“身売り話”が浮上していたSanDiskを、米Western Digitalが買収する。買収総額は約190億米ドル(約2兆2800億円)。(2015/10/22)

身売り話浮上のSanDiskとの共同投資も正式合意:
東芝、3D NANDメモリ専用製造棟の一部が完成
東芝とSanDisk(サンディスク)の両社は2015年10月21日、NAND型フラッシュメモリの製造拠点である東芝四日市工場(三重県四日市市)で建設していた「新・第2製造棟」の建屋が一部完成し、同製造棟への設備投資を共同実施することで正式契約を締結したと発表した。(2015/10/21)

フラッシュストレージの4大進化【前編】
NANDフラッシュの多次元化で曖昧になるメモリとの境界線
メモリチャネルフラッシュ、3D、NVMe、NVDIMMは、間もなくNANDフラッシュに取って代わることが予想される最新のフラッシュストレージテクノロジーの進化だ。(2015/10/20)



7月29日で無料アップグレード期間が終了する、Microsoftの最新OS。とんでもないレベルで普及している自社の基幹製品を無料でアップグレードさせるというビジネス上の決断が、今後の同社の経営にどのような影響をもたらすのか、その行方にも興味が尽きない。

ドイツ政府が中心となって推進する「第四次産業革命」。製造業におけるインターネット活用、スマート化を志向するもので、Internet of Things、Industrial Internetなど名前はさまざまだが、各国で類似のビジョンの実現を目指した動きが活発化している。

資金繰りが差し迫る中、台湾の鴻海精密工業による買収で決着がついた。寂しい話ではあるが、リソースとして鴻海の生産能力・規模を得ることで、特にグローバルで今後どのような巻き返しがあるのか、明るい話題にも期待したい。