ITmedia総合  >  キーワード一覧  > 

「相変化メモリ」最新記事一覧

関連キーワード

その性能は全てに置いて「1000倍」
SSDを過去に追いやる「次世代メモリ技術」がHDDの追い風になる
SSDはその転送速度と同様に企業システムでも導入が急速に進んでいるが、3D XPointや相変化メモリといったさらに高速なストレージ技術もSSDを超える性能を実現すべく、現在開発が進んでいる。(2016/7/14)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(14):
スピン注入型MRAMの不都合な真実
STT-MRAMの基礎を解説するシリーズ。最終回となる今回は、磁気トンネル接合(MTJ)を構成する固定層や磁性層に焦点を当てる。スピン注入型MRAMのMTJは、47層もの層で構成されている。これほどの層が必要なのにはきちんとした理由があるのだが、実は同時にそれがSTT-MRAMの弱点にもなっている。(2016/6/21)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(11):
スピン注入型MRAMの微細化(スケーリング)
STT-MRAMの記憶容量を拡大する最も基本的な方法が、微細化だ。現時点でSTT-MRAMは、研究レベルでかなりのレベルまで微細化できることが分かっている。実際の研究結果を交えて紹介しよう。(2016/6/7)

IMEC Technology Forum:
次世代メモリ、STT-MRAMが優勢か
IMECは、STT-MRAM(スピン注入磁化反転型磁気メモリ)を次世代メモリの最有力候補とみているようだ。(2016/6/2)

100万回の耐久性試験を実施:
IBM、3ビット/セルのPCMの研究成果を発表
IBMチューリッヒ研究所が、3ビット/セルのPCM(相変化メモリ)の研究成果を、パリで開催された「IEEE International Memory Workshop(IMW 2016)」で発表した。(2016/5/19)

「VLSI技術シンポジウム 2016」プレビュー:
0.03μm2のSRAMから最先端のIII-V族FinFETまで
米国ハワイで2016年6月13〜16日に開催される「VLSI Symposia on VLSI Technology and Circuits(以下、VLSIシンポジウム)」は、最先端の半導体デバイス/回路技術が一堂に会する国際会議だ。VLSIシンポジウムを実行するVLSIシンポジウム委員会は4月20日、都内で記者説明会を開催し、同イベントの概要と注目論文を紹介した。(2016/4/25)

福田昭のデバイス通信(61):
IEDMで発表されていた3D Xpointの基本技術(後編)
前編に続き、IntelとMicron Technologyの次世代不揮発性メモリ「3D XPoint」について解説しよう。今回は、「オボニック・スレッショルド・スイッチ(OTS:Ovonic Threshold Switch)」と、材料について詳しく見ていきたい。(2016/2/1)

福田昭のデバイス通信(60):
IEDMで発表されていた3D XPointの基本技術(前編)
米国で開催された「ISS(Industry Strategy Symposium)」において、IntelとMicron Technologyが共同開発した次世代メモリ技術「3D XPoint」の要素技術の一部が明らかになった。カルコゲナイド材料と「Ovonyx」のスイッチを使用しているというのである。この2つについては、長い研究開発の歴史がある。前後編の2回に分けて、これらの要素技術について解説しよう。(2016/1/27)

ハイパーコンバージドインフラが主流になるか
SSDだけではない、2020年までに劇的変化を遂げる“サーバ”未来予想図
サーバアーキテクチャは10年間の集大成として大きな変化が起こっている。サーバパフォーマンスが増強されれば、データセンターがストレージとネットワークにアプローチする方法も変わっていくだろう。(2015/12/28)

「IEDM 2015」基調講演で:
「ムーアの法則を進める必要がある」――ARM
2015年12月7〜9日に開催された「IEDM 2015」の基調講演で、ARMのシニアリサーチャーであるGreg Yeric氏は、「半導体チップの微細化は一段と困難になっているが、それでもムーアの法則を続ける必要がある」と語った。(2015/12/10)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(7):
不揮発性メモリを脳神経コンピューティングに活用
今回はセッション16〜18の講演を紹介する。セッション17では、不揮発性メモリを利用したニューロモルフィックシステム(脳神経系を模倣した低消費電力システム)の講演が相次いだ。(2015/11/17)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(2):
IV族レーザーと高密度3D NAND技術
今回は、「IEDM 2015」で開催される予定のセッションから、セッション2と3を紹介する。セッション2では、IV族元素でレーザーを試作した研究成果や、GeのナノワイヤでCMOS回路を試作した研究成果が発表される。セッション3では、主にメモリ技術がテーマとなる。(2015/11/4)

フラッシュストレージの4大進化【後編】
NANDフラッシュより“1000倍高速かつ耐久性に優れる”最新メモリ技術とは
フラッシュストレージ技術は進化を遂げている。間もなくNANDフラッシュに取って代わることが予想される最新技術を紹介する。(2015/10/26)

電子ブックレット:
「3D XPoint」は相変化メモリか――特許から詮索
EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、IntelとMicronが発表した不揮発性メモリ「3D XPoint」について紹介します。3D XPointは、本当に相変化メモリの1つなのでしょうか?(2015/9/20)

EE Times Japan Weekly Top10:
ARMをうならせた中国の無名企業
EE Times Japanで2015年8月29〜9月4日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/9/5)

Intelは今、何を考えているのか:
3D XPointから7nmプロセスまで――Intel CEOに聞く
2015年8月18〜20日に開催された「IDF(Intel Developer Forum) 2015」において、Intel CEOのBrian Krzanich氏にインタビューする機会を得た。新メモリ技術として注目を集めた「3D XPoint」からAltera買収まで、率直に話を聞いてみた。(2015/8/28)

IDF 2015:
インテルが3D XPointをデモ、SSDは2016年に
インテルが、開催中の「IDF 2015」で、2015年7月に発表したばかりの不揮発メモリ技術「3D XPoint」を使ったSSDのデモを披露した。デモでは、40万2100IOPS(Input/Output Per Second)の処理性能が出ていた。(2015/8/19)

臆測呼ぶIntel/Micronの新メモリ:
「3D XPoint」は相変化メモリか――特許から詮索
Intel(インテル)とMicron(マイクロン)がこのほど発表した不揮発性メモリ「3D XPoint」は本当に相変化メモリの1つなのか? 筆者が特許をウェブで検索したところ、この見方を裏付ける結果となった。(2015/8/5)

『EE Times Japan 10周年』特別編集:
EE Times Japanは、創刊10周年を迎えました
2015年6月、EE Times Japanは、読者の皆さまに支えられて、創刊10周年を迎えることができました。紙媒体から出発し、オンラインニュースサイトとして落ち着くまでに紆余曲折はありましたが、次の10年に向けて、日本のエレクトロニクス業界の発展に少しでも貢献すべく、まい進していきたいと思います。(2015/6/24)

ビジネスニュース 業界動向:
“次世代メモリ”の域を出ないFRAM、量産規模を上げて低価格化を
SRAMやDRAM、EEPROMを置き換えるとして大いに期待されていたFRAMは、量産こそ始っているものの、完全に普及しているとはいえず、いまだに“次世代メモリ”の域を出ない。だが、一定のニーズはある。(2015/5/21)

VLSIシンポジウム 2015 プレビュー(2):
デバイス技術の注目論文 〜7nm以降を狙う高移動度トランジスタ
今回は、メモリ分野、先端CMOS分野、非シリコン分野における採択論文の概要を紹介する。抵抗変化メモリ(ReRAM)や3次元縦型構造の相変化メモリ(PCM)に関する論文の他、GaNやSiGe、InGaAsなど、次世代の高移動度の化合物半導体を用いたトランジスタに関する技術論文の概要が紹介された。(2015/4/28)

ビジネスニュース 業界動向:
次世代メモリ市場、2020年には70億米ドル規模に
ReRAMやMRAMといった不揮発RAM市場は、今後急成長を遂げ、2020年には70億米ドル規模に拡大すると見られている。NAND型フラッシュメモリやDRAMに取って代わるには、微細化とビット当たりの価格が鍵になりそうだ。(2015/2/27)

徹底プレビュー「ISSCC2015の歩き方」(11):
メモリ編:次世代大容量フラッシュと次世代高速DRAMに注目
今回は、大容量化と高速化が進む半導体メモリに焦点を当てる。メモリ市場の二大勢力となっているDRAMとNANDフラッシュメモリについての講演が多い。15nmプロセスを採用したNANDフラッシュメモリや、車載マイコン向けフラッシュメモリ技術、次世代のDRAMインタフェースなどに関する発表がある。(2015/1/19)

メモリ/ストレージ技術:
次世代ストレージ、10個の注目技術
3次元DRAMの量産が始まり、相変化メモリ(PCM)、スピン注入磁気メモリ(STT-MRAM)など次世代メモリの技術開発がさかんになっている。ここでは、注目のメモリ技術を10個紹介する。(2014/9/29)

メモリ/ストレージ技術:
「HMCが今後のトレンドに」――マイクロンの技術者が語る
米国で行われた「DesignCon 2014」で、マイクロンのチーフテクノロジストが、同社の次世代メモリ技術「Hybrid Memory Cube(HMC)」を含む、DRAMの後継技術について見解を語った。(2014/2/4)

メモリ/ストレージ技術:
活気づくNANDメモリ市場、各社の1Xnm世代製品を振り返る
ストレージや組み込みシステムの分野において、NAND型フラッシュメモリの重要性が高まっている。東芝、サムスン電子、SK Hynix、Micronといったベンダーの、最新プロセスを用いた製品を振り返ってみたい。(2013/12/6)

ビジネスニュース:
Intelは9nm以降の技術を発表、IEDMのプログラムが決まる
2013年12月に開催される半導体素子の国際学会「IEDM 2013」では、FinFETとFDSOIに注目が集まりそうだ。TSMCは16nm FinFETの他、14nmのFDSOIについて論文を発表するという。Intelは、9nm以降で用いるトンネル電界効果トランジスタのモデリングについて説明するようだ。(2013/10/10)

ビジネスニュース 業界動向:
次世代不揮発性メモリ市場が成長、MRAMとPCMは2016年に10億ドル規模へ
NAND型フラッシュメモリの微細化と大容量化は限界に近づいている。メモリセルを垂直に積み上げる3次元構造のNANDフラッシュの開発も進んでいるが、MRAMやPCMといった次世代不揮発性メモリが、NANDフラッシュに代わって大きく伸びることが予測されている。(2013/2/22)

ISSCC 2013プレビュー:
メモリ関連の論文は“量より質”にシフト
2013年2月に開催される「ISSCC 2013」では、メモリに関する論文の比率が従来よりもわずかに減少するとみられる。しかし、東芝やSanDisk、パナソニックらによるReRAMの研究開発成果の発表をはじめ、メモリ分野の論文の内容自体は、依然として魅力的だ。(2012/11/27)

メモリ/ストレージ技術 ReRAM:
マイコンの進化を不揮発メモリが助ける、パナソニックが「ReRAM」を採用
新規の不揮発メモリが次々と最終製品への応用段階に進み始めた。SSD向けの「MRAM」、携帯電話機向けの「PRAM」、そして今度はマイコン向けの「ReRAM」だ。ReRAMは少ない電力で動作し、高密度化も可能な優れた性質を備える。パナニックはReRAMマイコンで、低消費電力が求められるスマートメーターやスマートフォン市場を狙う。(2012/5/15)

NAND代替メモリ技術を徹底比較【後編】
フラッシュメモリ微細化の限界に挑戦するメーカーの取り組み
NAND型フラッシュメモリの微細化の限界は、業界全体の関心事だ。代替技術が台頭する中、NAND型フラッシュメモリの延命に取り組むメーカーも存在する。(2012/1/16)

NAND代替メモリ技術を徹底比較【前編】
NAND型フラッシュメモリの次を見据えるメーカーの思惑
次世代の不揮発性メモリとして最も有力といわれるNANDフラッシュメモリ。しかし、独自の特性を備えた複数の新技術の研究も進められており、今後どの技術が市場をリードするかはまだ分からない状況だ。(2012/1/10)

電子ブックレット:
相変化メモリの機器への採用始まる、まずは携帯電話機
相変化メモリ(PRAM、PCM)を内蔵したマルチチップモジュールの機器への採用が始まったようだ。技術コンサルタント企業であるUBM TechInsightsがある携帯電話機を分解した結果、PRAMを採用した部品が見つかった。今回の携帯電話機に搭載されていたPRAMは、サムスン電子のNOR型フラッシュメモリと互換性を備えているという。(2011/2/15)

メモリ/ストレージ技術:
1GビットPRAMの開発に遅れ、Numonyxはいまだにサンプル出荷もできず
(2010/4/26)

メモリ/ストレージ技術:
Numonyx、相変化メモリーの新製品2製品を発表
90nm製造技術を適用し、記録容量は128Mビット。既存のNOR型フラッシュ・メモリーと比べて、書き込み時間は300倍以上速く、書き換え回数は10倍以上多いという。(2010/4/26)

デジモノ家電を読み解くキーワード:
「PCM」――近々ブレイク?のメモリ
DRAMは高速だが、電源を切ればデータは消える。フラッシュメモリは電源を切ってもデータは残るが、速度はDRAMにかなわない。今回は、双方のすき間を埋める存在となりうる次世代メモリ「PCM」を取りあげる。(2009/11/13)

IntelとNumonyx、相変化メモリの新技術を開発
IntelとNumonyxが、複数のメモリセルをプロセッサダイ上で重ねることで高密度PCMを実現する技術を開発した。(2009/10/29)

メモリ/ストレージ技術 NAND型フラッシュ・メモリ:
SanDisk社CEOが明かしたNAND型フラッシュ・メモリー業界に関する8項目の予測
(2009/8/21)

メモリ/ストレージ技術 ReRAM:
台湾ITRI、PRAMを見限りReRAMを不揮発メモリーの主力に
(2009/6/30)

メモリ/ストレージ技術:
不揮発メモリ新時代(後編)
現在のDRAMやNAND型フラッシュメモリの用途に向けた次世代不揮発メモリの候補は4種類ある。FeRAM、MRAM、PRAM、ReRAMだ。ただし、どれか1つの不揮発メモリで全用途に対応することは難しそうだ。これはどの不揮発メモリにも何らかの欠点が存在するからだ。後編では不揮発メモリの用途や各不揮発メモリの性能向上策、技術動向について解説する。(2009/2/1)

メモリ/ストレージ技術:
不揮発メモリ新時代(前編)
今後、メモリは全て不揮発になる。機器の機能向上につれて、増えたシステム全体の消費電力を抑えるのに、メモリの不揮発化が役立つからだ。メモリが不揮発化すれば、ほかのメリットも生じる。例えばデジタル家電を瞬時に起動できるようになる。PCの起動やシャットダウン操作が不要になる。(2009/2/1)

IntelとSTMicroの合弁Numonyx、ようやく設立
銀行からの融資額引き下げなどで予定より遅れていた合弁企業が、ようやく設立の運びとなった。(2008/4/1)

IntelとSTMicro、相変化メモリのサンプル出荷を開始
IntelとSTMicroelectronicsが、2003年から共同開発に取り組んできた相変化メモリ技術によるプロトタイプのサンプル出荷をいよいよ開始した。(2008/2/7)

元麻布春男のWatchTower:
Silverthorneは「1ワット2GHz駆動」を目指す
まもなく始まるISSCC(国際固体回路会議)でIntelは多数の論文を発表する。そのなかには、“Silverthorne”に言及するものも用意される。(2008/2/4)

元麻布春男のWatchTower:
限りない“膨張”を強いられるフラッシュメモリメーカー
Intelは巨大だ。1人で何でもできるし1人で何でもやっつけてしまえる。しかし、その巨人でもフラッシュメモリ事業では1人で生き残ることはできないのだ。(2007/6/28)

Intel Developers Forum 北京 2007:
Intelにとっての「You」は中国……か
Intel CTOのジャスティン・ラトナー氏による基調講演では、中国とIntelの密接な関係を示すデモが数多く行われた。(2007/4/18)

組み込みギョーカイの常識・非常識(5):
CPU・MPUはどうやって動く? 〜 RAMとクロック
「クロックがないと何も動かない」の意味は、メモリの読み込み動作を理解すれば納得がいく。メモリはクロックに同期しているのだ(2006/12/23)

IBM、Macronix、Qimonda、相変化メモリ技術で成果
IBMほか2社が、不揮発性メモリ技術「相変化メモリ」のプロトタイプ化に成功。IEEEが主催する国際電子デバイス会議(IEDM)で研究成果を発表する。(2006/12/12)

Samsung、PRAMのワーキングプロトタイプを開発
次世代不揮発性メモリ「PRAM」は、従来のフラッシュメモリより30倍高速で寿命は10倍以上。2008年に登場する見込みだ。(2006/9/11)

混載用「相変化メモリ」セルを試作 日立とルネサス
(2005/12/13)



7月29日で無料アップグレード期間が終了する、Microsoftの最新OS。とんでもないレベルで普及している自社の基幹製品を無料でアップグレードさせるというビジネス上の決断が、今後の同社の経営にどのような影響をもたらすのか、その行方にも興味が尽きない。

ドイツ政府が中心となって推進する「第四次産業革命」。製造業におけるインターネット活用、スマート化を志向するもので、Internet of Things、Industrial Internetなど名前はさまざまだが、各国で類似のビジョンの実現を目指した動きが活発化している。

資金繰りが差し迫る中、台湾の鴻海精密工業による買収で決着がついた。寂しい話ではあるが、リソースとして鴻海の生産能力・規模を得ることで、特にグローバルで今後どのような巻き返しがあるのか、明るい話題にも期待したい。