「相変化メモリ」最新記事一覧

メモリ/ストレージ技術 ReRAM：
マイコンの進化を不揮発メモリが助ける、パナソニックが「ReRAM」を採用
新規の不揮発メモリが次々と最終製品への応用段階に進み始めた。SSD向けの「MRAM」、携帯電話機向けの「PRAM」、そして今度はマイコン向けの「ReRAM」だ。ReRAMは少ない電力で動作し、高密度化も可能な優れた性質を備える。パナニックはReRAMマイコンで、低消費電力が求められるスマートメーターやスマートフォン市場を狙う。（2012/5/15）

NAND代替メモリ技術を徹底比較【後編】
フラッシュメモリ微細化の限界に挑戦するメーカーの取り組み
NAND型フラッシュメモリの微細化の限界は、業界全体の関心事だ。代替技術が台頭する中、NAND型フラッシュメモリの延命に取り組むメーカーも存在する。（2012/1/16）

NAND代替メモリ技術を徹底比較【前編】
NAND型フラッシュメモリの次を見据えるメーカーの思惑
次世代の不揮発性メモリとして最も有力といわれるNANDフラッシュメモリ。しかし、独自の特性を備えた複数の新技術の研究も進められており、今後どの技術が市場をリードするかはまだ分からない状況だ。（2012/1/10）

電子ブックレット：
相変化メモリの機器への採用始まる、まずは携帯電話機
相変化メモリ（PRAM、PCM）を内蔵したマルチチップモジュールの機器への採用が始まったようだ。技術コンサルタント企業であるUBM TechInsightsがある携帯電話機を分解した結果、PRAMを採用した部品が見つかった。今回の携帯電話機に搭載されていたPRAMは、サムスン電子のNOR型フラッシュメモリと互換性を備えているという。（2011/2/15）

メモリ/ストレージ技術：
1GビットPRAMの開発に遅れ、Numonyxはいまだにサンプル出荷もできず
（2010/4/26）

メモリ/ストレージ技術：
Numonyx、相変化メモリーの新製品2製品を発表
（2010/4/26）

デジモノ家電を読み解くキーワード：
「PCM」――近々ブレイク？のメモリ
DRAMは高速だが、電源を切ればデータは消える。フラッシュメモリは電源を切ってもデータは残るが、速度はDRAMにかなわない。今回は、双方のすき間を埋める存在となりうる次世代メモリ「PCM」を取りあげる。（2009/11/13）

IntelとNumonyx、相変化メモリの新技術を開発
IntelとNumonyxが、複数のメモリセルをプロセッサダイ上で重ねることで高密度PCMを実現する技術を開発した。（2009/10/29）

メモリ/ストレージ技術 NAND型フラッシュ・メモリ：
SanDisk社CEOが明かしたNAND型フラッシュ・メモリー業界に関する8項目の予測
（2009/8/21）

メモリ/ストレージ技術 ReRAM：
台湾ITRI、PRAMを見限りReRAMを不揮発メモリーの主力に
（2009/6/30）

IntelとSTMicroの合弁Numonyx、ようやく設立
銀行からの融資額引き下げなどで予定より遅れていた合弁企業が、ようやく設立の運びとなった。（2008/4/1）

IntelとSTMicro、相変化メモリのサンプル出荷を開始
IntelとSTMicroelectronicsが、2003年から共同開発に取り組んできた相変化メモリ技術によるプロトタイプのサンプル出荷をいよいよ開始した。（2008/2/7）

元麻布春男のWatchTower：
Silverthorneは「1ワット2GHz駆動」を目指す
まもなく始まるISSCC（国際固体回路会議）でIntelは多数の論文を発表する。そのなかには、“Silverthorne”に言及するものも用意される。（2008/2/4）

元麻布春男のWatchTower：
限りない“膨張”を強いられるフラッシュメモリメーカー
Intelは巨大だ。1人で何でもできるし1人で何でもやっつけてしまえる。しかし、その巨人でもフラッシュメモリ事業では1人で生き残ることはできないのだ。（2007/6/28）

Intel Developers Forum 北京 2007：
Intelにとっての「You」は中国……か
Intel CTOのジャスティン・ラトナー氏による基調講演では、中国とIntelの密接な関係を示すデモが数多く行われた。（2007/4/18）

組み込みギョーカイの常識・非常識（5）：
CPU・MPUはどうやって動く？ 〜 RAMとクロック
「クロックがないと何も動かない」の意味は、メモリの読み込み動作を理解すれば納得がいく。メモリはクロックに同期しているのだ（2006/12/23）

IBM、Macronix、Qimonda、相変化メモリ技術で成果
IBMほか2社が、不揮発性メモリ技術「相変化メモリ」のプロトタイプ化に成功。IEEEが主催する国際電子デバイス会議（IEDM）で研究成果を発表する。（2006/12/12）

Samsung、PRAMのワーキングプロトタイプを開発
次世代不揮発性メモリ「PRAM」は、従来のフラッシュメモリより30倍高速で寿命は10倍以上。2008年に登場する見込みだ。（2006/9/11）

混載用「相変化メモリ」セルを試作　日立とルネサス
（2005/12/13）

InfineonとIBM、相変化メモリ技術を共同研究
InfineonとIBMは、無形物質や結晶構造といった特殊素材の状態を変化させることでデータを保存するメモリ新技術の共同研究に取り組む。（2005/5/24）

相変化膜を半導体メモリに　エルピーダ、米社技術を導入
（2005/2/3）