Samsung、初のDDR3 DRAM試作品開発
» 2005年02月18日 08時36分 公開
[ITmedia]
韓国のSamsung Electronicsは2月16日、DDR3 DRAMデバイスの試作品を開発したと発表した。1066Mbpsのデータ処理速度を備えた512MビットのDDR3 DRAMを2006年初頭にリリース予定。
Samsungによれば、今回開発したDDR3の試作品は、わずか1.5ボルトで稼働する初のメモリチップ。80ナノメートル製造技術を利用し、ドライバ自己調整やデータ同期化といった新技術を組み込む予定。
DDR3はノートPC、デスクトップPC、サーバに使われる次世代の超高速・低電圧メモリチップの標準になるとSamsungは解説。速度はDDR2に比べて2倍、DDRに比べると4倍となり、ギガビットレートのデータ処理に道を開くものだと説明している。
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