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「FinFET」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「FinFET」に関する情報が集まったページです。

組み込み開発ニュース:
TSMCは2020年に5nmプロセスを量産、自動車向けロードマップも示す
TSMCは2019年6月28日、横浜市内で記者会見を開催し、同社半導体ファウンドリビジネスの概況やプロセス技術開発への取り組みなどを説明した。世界最大の専業ファウンドリである同社の収益は既に7nmプロセス(N7)がけん引役となっており、2020年から5nmプロセス(N5)を採用したチップの量産開始を予定する。(2019/7/2)

過去最高の出席者数で大盛況:
半導体業界のトレンドは「3次元化」が明確に VLSI 2019
2019年のVLSIシンポジウム(以下、VLSI)が6月9〜14日に、京都のリーガロイヤルホテルで開催された。今後の半導体業界の進む方向性を伺える内容が多かったのでレポートする。(2019/6/20)

湯之上隆のナノフォーカス(13):
Neuromorphicがブレイクする予感 ―― メモリ国際学会と論文検索から見える動向
2018年、2019年のメモリの学会「International Memory Workshop」(IMW)に参加し、見えてきた新メモリの動向を紹介したい。(2019/5/30)

TSMCとの差を縮める?:
Samsung、3nm GAAのリスク生産を2020年にも開始か
Samsung Electronicsのファウンドリー部門は、2019年5月14日(米国時間)に米国で開催した「Samsung Foundry Forum 2019 USA」において、次世代の3nm GAA(Gate-All-Around)技術に向けた最初のプロセスデザインキットを含め、プロセス技術のロードマップをアップデートした。(2019/5/17)

人工知能ニュース:
HPCとAI性能を両立したポスト「京」のCPU、ウエハーが初公開
富士通は2019年5月14日、同社のプライベートイベント「富士通フォーラム2019 東京」(2019年5月17日、東京国際フォーラム)の内覧会で、次世代スーパーコンピュータであるポスト「京」に搭載されるプロセッサ「A64FX」のウエハーが初公開された。(2019/5/15)

Arm最新動向報告(5):
ポスト「京」のプロセッサ「A64FX」はArmベースながら異彩放つ重厚系
「Arm TechCon 2018」では、Armのアーキテクチャライセンスを基に開発が進められている、次世代スーパーコンピュータのポスト「京」(Post-K)向けのプロセッサ「A64FX」に関する講演が行われた。(2019/5/7)

京都で2019年6月9〜14日開催:
VLSIシンポジウム 2019 開催概要を発表
2019年6月9〜14日に京都市で開催される半導体デバイス/回路技術に関する国際会議「VLSIシンポジウム」の開催概要に関する記者説明会が2019年4月17日、東京都内で開催された。(2019/4/19)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
車載向けで進む28nmプロセス採用――ルネサス、STマイクロを追従するカギはNVM
エレクトロニクス/組み込み業界の動向をウォッチする連載。今回は、2019年2月の業界動向の振り返りとして、ドイツ・ニュルンベルクで開催された「embedded world 2019」に絡めて“MCUの話題”を2つ紹介する。(2019/3/14)

ロジックへの統合が容易:
Samsung、28nm FD-SOIプロセス適用のeMRAMを出荷へ
Samsung Electronics(以下、Samsung)は、28nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター、以下FDS)プロセスをベースにした最初のeMRAM(組み込み型磁気抵抗メモリ)製品の量産を発表した。(2019/3/12)

14nm FinFETを採用した第2弾:
エッジ推論を意識、組み込みプロセッサ「i.MX 8M Nano」
NXP Semiconductorsは、組み込み技術の展示会「embedded world 2019」で、14nm FinFETプロセスを採用した第2弾組み込みプロセッサ「i.MX 8M Nano」や、車載用ゲートウェイに向けたチップセットを発表した。(2019/3/8)

ISSCC 2019:
Intel、22nm FinEFT適用MRAMの概要を発表
Intelは、22nm FinFETプロセス適用デバイスで採用する、組み込みSTT-MRAM(スピン注入磁化反転方式の磁気抵抗メモリ)向け技術について、詳細を明らかにした。(2019/2/22)

湯之上隆のナノフォーカス(9):
10nmで苦戦するIntel、問題はCo配線とRuバリアメタルか
Intelは2016年以降、今日に至るまで、10nmプロセスを立ち上げることができていない。一方で、配線ピッチは同等であるはずの、TSMCとSamsung Electronicsの7nmプロセスは計画通りに進んでいる。ではなぜ、Intelは10nmプロセスの立ち上げに苦戦しているのだろうか。(2019/2/18)

Arm最新動向報告(3):
Armは自動運転向けプロセッサの覇権を握れるか、本命は5nmプロセス
2018年後半に入って急激に動きを活発化させているArm。本連載では同社の最新動向について報告する。第3回のテーマは、「Arm TechCon 2018」でも地味ながらかなり力を入れていた自動車関連の取り組みを紹介する。(2019/2/14)

いろいろあった1年でした……:
2018年のエレクトロニクス業界を記事で振り返る
2018年のエレクトロニクス業界を、EE Times Japanに掲載した記事で振り返ります。(2018/12/28)

TechFactory 人気記事TOP10【2018年10月版】:
IoTやAIを活用しながら次世代モノづくりの実現を目指すパナソニック 新潟工場
TechFactoryオリジナル記事コンテンツの人気ランキングTOP10。2018年10月の第1位は工場取材シリーズの第7弾「LED照明市場の変化に合わせてモノづくり革新を推進するパナソニック 新潟工場」でした。IoT、AI、ロボティクス技術を活用した同工場の取り組みを詳しく紹介しています。その他、人気のコラム連載「GLOBALFOUNDRIESの7nmプロセス無期限延期と先端プロセス技術をめぐる競争の行方」や新連載「3D CAD選びで失敗しないために知っておきたい“6つ”のポイント」に注目が集まりました。(2018/11/27)

メモリ関連の論文も豊富:
ISSCC 2019の目玉はAIと5Gに、CPUの話題は少ない?
2019年2月17〜21日に米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催される半導体回路技術関連の国際学会「ISSCC 2019」は、発表内容のほとんどが、機械学習(マシンラーニング)や高速ネットワーク、メモリが主役となる“データ時代”に関するものとなりそうだ。(2018/11/26)

バラして見ずにはいられない:
5Gに向けた設計、異形のL字型バッテリー 分解して知る「iPhone XS/XS Max」の中身
「iPhone XS」と「iPhone XS Max」を分解。中身を見ると、前モデル「iPhone X」との違いも分かる。プロセッサ、バッテリー、基板、eSIMなどを中心に紹介する。(2018/11/22)

湯之上隆のナノフォーカス(6) ドライエッチング技術のイノベーション史(6):
アトミックレイヤーエッチングとドライエッチング技術の未来展望
ドライエッチング技術のイノベーション史をたどるシリーズの最終回は、アトミックレイヤーエッチング技術に焦点を当てる。さらに、今後の展望についても考察する。(2018/11/12)

積極投資する中国と協業すべき:
米国の対中国政策は“修正”が必要
ベテランの半導体アナリストであるHandel Jones氏は、中国から戻った際に、米国の技術政治の展開の仕方が気に入らないと不満を示した。(2018/10/23)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
GLOBALFOUNDRIESの7nmプロセス無期限延期と先端プロセス技術をめぐる競争の行方
「われわれの大口顧客からの7nmチップの需要はない」というメッセージを発し、7nm FinFETプロセス開発の無期限延期を発表したGLOBALFOUNDRIES。この決断が下されるまでの動き、そして今回の騒動と絡めて、昨今の先端プロセス技術をめぐる動向を紹介しよう。(2018/10/11)

7nm開発は中止したが:
GF、FD-SOIのデザインウィン獲得を着実に重ねる
GLOBALFOUNDRIES(GF)は、7nmプロセスの開発を中止してから初めての年次カンファレンスの中で、ある新規顧客が、GFの22nm FD-SOI(完全空乏化型シリコン・オン・インシュレータ)プロセス「22FDX」を用いて、少なくとも3種類のディープラーニング用組み込みチップを製造していることを明らかにした。(2018/10/3)

福田昭のデバイス通信(164) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(24):
光変調器を駆動する高速CMOS回路の試作事例
今回は、光変調器を高速で駆動する電気回路、すなわちシリコンCMOSのドライバ回路を試作した事例を説明する。(2018/9/26)

EUV専用ラインは2019年末に完成:
Samsung、ファウンドリー事業で業界第2位となる見通し
Samsung Electronics(サムスン電子)は、ファウンドリー事業で2018年度に100億米ドルを上回る売上高を見込む。これが達成できれば業界シェアで第2位のファウンドリー企業となる。(2018/9/5)

AMDはTSMCに委託先を切り替え:
GLOBALFOUNDRIES、7nm開発を無期限停止へ
最先端の半導体プロセス技術をめぐる競争は、今や3社に絞られた。GLOBALFOUNDRIESは、7nm FinFETプロセスの開発を無期限に延期すると発表した。(2018/8/29)

倍精度ピーク性能は2.7TFLOPS以上:
ベールを脱いだ「ポスト京」CPU、アーキと性能を見る
富士通は2018年8月22日、ポスト「京」に搭載するCPUの詳細を公開した。同社は、LSIに関するシンポジウム「Hot Chips 30」(2018年8月19日〜21日、米国カリフォルニア州シリコンバレー)で、同チップに関する講演を行っている。本稿では、公開された講演資料から読み取れるアーキテクチャや性能を紹介する。(2018/8/23)

AI処理に向け整数演算性能も向上:
スパコン「京」の100倍の処理性能へ、富士通がArmベースのプロセッサを開発
富士通はスーパーコンピュータ「京」の後継機に実装するプロセッサ「A64FX」の詳細を公表した。Arm命令セットアーキテクチャを採用し、スーパーコンピュータ向けの拡張命令を実装した。半精度浮動小数点演算や整数演算性能も向上させた。(2018/8/23)

AMD、ワークステーション向けGPU「Radeon Pro WX 8200」を発表
999米ドルで、9月上旬に発売。(2018/8/14)

半導体開発だけではない:
製造装置の国産化を加速する中国
「中国製造2025」の一環として半導体産業の強化を掲げる中国。今、中国国内には巨大な半導体製造工場が立ち上がりつつある。半導体製造装置については日米欧の寡占状態にあるが、中国は製造装置の内製化も進めようとしている。中国による製造装置の国産化は、どの程度まで進んでいるのか。(2018/8/9)

第2世代「Ryzen Threadripper」は最大32コア・64スレッド 2018年第3四半期に投入
AMDは最大32コア・64スレッドを実現した第2世代「Ryzen Threadripper」を2018年第3四半期(7月〜9月)に投入する。(2018/6/6)

年間15億ユニットの出荷実績も:
MediaTekがASIC事業強化、7nmと豊富なIPで勝負
台湾MediaTekは、ASIC事業を強化する。システムの技術革新につながる最新IPコアの開発などにも取り組む。(2018/6/4)

Samsungは2018年内にも適用開始:
量産に向けた「EUV」の導入、最終段階へ
次世代のリソグラフィ技術を立ち上げようとする20年に及ぶ努力が、最終段階に入った。EUV(極端紫外線)ステッパーを量産向けに導入することについて、複雑な課題があるにもかかわらず、専門家らは楽観的な見方を維持している。(2018/6/1)

コストはFinFET SRAMと同等に:
EUVを適用した小型SRAMセル、imecらが発表
フラッシュメモリの発明者が率いる新興企業Unisantis Electronics Singapore(以下、Unisantis)が、ベルギーの研究機関imecと共同開発を進めてきた、小型SRAMセルに関する発表を行った。(2018/5/31)

18年後半にはEUV適用の7nmも:
Samsung、3nm「GAA FET」の量産を2021年内に開始か
Samsung Electronicsは、米国カリフォルニア州サンタクララで2018年5月22日(現地時間)に開催したファウンドリー技術の年次フォーラムで、FinFETの後継アーキテクチャとされるGAA(Gate All Around)トランジスタを2021年に3nmノードで量産する計画を発表した。(2018/5/25)

福田昭のストレージ通信(103) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(3):
埋め込みMRAM技術がフラッシュとSRAMを置き換えへ
今回は、GLOBALFOUNDRIESが提供する埋め込みMRAMマクロの概要を解説する。(2018/5/25)

新パッケージング技術の開発も:
TSMCがロードマップを発表、EUV導入は19年前半
TSMCは、7nmプロセスの量産を開始し、さらにEUV(極端紫外線)リソグラフィを導入したバージョンの生産を2019年前半にも開始する計画も発表した。さらに、同社は5nmノードに関する計画も明らかにした。(2018/5/10)

福田昭のデバイス通信(144) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(4):
シリコンフォトニクスの技術開発ロードマップ
今回は、シリコンフォトニクスの技術開発ロードマップを解説する。シリコンフォトニクスの性能向上とコストを、16/14nmから5nm、3nmの技術ノードに沿って見ていこう。(2018/4/24)

福田昭のストレージ通信(99)STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(12):
多層配線工程に記憶素子を埋め込む不揮発性メモリ技術(前編)
多層配線工程の中に記憶素子を作り込むタイプの埋め込み不揮発性メモリ技術について解説する。(2018/4/20)

VLSIシンポジウム2018プレビュー:
非接触心拍センサーから7nmプロセスまで、VLSIの今
「Symposium on VLSI Technology」と「Symposium on VLSI Circuits」が2018年も米国ハワイ州ホノルルで開催される。本稿では、両会議の概要と注目論文を紹介する。(2018/4/18)

Cadence imec:
Cadenceとimecが3nmチップを開発中、18年中にも完成
imecとCadence Design Systemsが、3nmプロセスを適用したチップの開発を進めている。早ければ2018年後半にも開発が完了する見込みだとしている。(2018/4/6)

米で専門家が議論:
半導体プロセスの微細化は利益につながるのか
今後、半導体プロセスの微細化を進めていく上で、「微細化が本当に利益につながるのか」という疑問が出ているようだ。(2018/3/28)

embedded world 2018:
いよいよ組み込みプロセッサにFinFETを適用 NXP
NXP Semiconductorsは「embedded world 2018」で、14nm FinFETプロセスを適用した組み込み向けの汎用アプリケーションプロセッサ「i.MX 8M Mini」を発表した。NXPは、「これまで主にスマートフォン向けのプロセッサに使われてきたFinFETプロセスが、いよいよ組み込みプロセッサにも適用される」と強調する。(2018/3/7)

これまでの協業関係を維持:
Qualcomm、5G対応SnapdragonにSamsungの7nm EUVを適用
Qualcommは2018年2月、同社の5G(第5世代移動通信)チップセット「Snapdragon」に、Samsung ElectronicsのEUV(極端紫外線)リソグラフィを導入した7nm LPP(Low Power Plus)プロセス技術を適用することを発表した。(2018/2/27)

メモリベンダーとしての意地も:
Samsung、EUV SRAMでIntelを凌ぐ?
Samsung Electronicsは「ISSCC 2018」で、SRAMに適用するEUV(極端紫外線)技術に自信を見せた。一方のIntelは、EUVには相当慎重になっている。(2018/2/20)

Ampere Computing:
Intel元社長、サーバ向けArm SoCで再始動
2015年にIntelを退任した、元プレジデントのRenee James氏が、Ampere ComputingのCEOとして、データセンター向けサーバ向けArm SoC(System on Chip)を発表した。データセンター向けサーバ市場は現在、Intelの独占状態だ。(2018/2/20)

Intelの牙城を切り崩せるか:
Intelの元社長、サーバ向けArm SoCで再始動
2015年にIntelを退任した、元プレジデントのRenee James氏が、Ampere ComputingのCEOとして、データセンター向けサーバ向けArm SoC(System on Chip)を発表した。データセンター向けサーバ市場は現在、Intelの独占状態だ。(2018/2/7)

小型、低消費電力FPGAを強みに:
エッジコンピューティング、低電力でAI実現
AI(人工知能)技術をベースとしたエッジコンピューティングを次の成長ドライバーと位置付けるLattice Semiconductor。フォーカスする分野は消費電力が1W以下で、処理性能は1テラOPS(Operations Per Second)までのアプリケーションだ。(2018/2/5)

福田昭のデバイス通信(135) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(11):
技術講演の最終日午前(その4)、周波数を88倍に高めるクロック発生回路
「ISSCC 2018」最終日の技術講演から、セッション23〜25のハイライトをお届けする。周波数が300GHzと極めて高い発振器の他、GaNデバイスを駆動する電源回路技術、5GHzのクロックを発生する回路などが紹介される。(2018/1/31)

福田昭のデバイス通信(134) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(10):
技術講演の最終日午前(その3)、72Gサンプル/秒の8ビット超高速A-D変換回路
「ISSCC 2018」最終日午前の技術講演から、セッション21と22を紹介する。データ転送速度が10Gビット/秒で消費電力が150μWのシリコンフォトニクス送受信回路や、72Gサンプル/秒の8ビットSAR型A-D変換回路などについて、開発成果が披露される。(2018/1/25)

福田昭のデバイス通信(133) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(9):
技術講演の最終日午前(その2)、ついに1Tビットに到達した3D NANDフラッシュ
「ISSCC 2018」最終日午前の講演から、セッション19と20を紹介する。シリコン面積が0.00021平方mmと極めて小さな温度センサーや、3D(3次元) NANDフラッシュメモリの大容量化および高密度化についての論文が発表される。(2018/1/23)

福田昭のデバイス通信(131) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(7):
ISSCC技術講演の2日目午後ハイライト(その2)、低ジッタの高周波PLL、全天周撮影のカプセル内視鏡など
前回に続き、「ISSCC 2018」2日目午後の技術講演から、見どころを紹介する。低消費電力の2.4GHz帯無線端末用PLL回路や、全天周をVGA解像度で撮影するカプセル内視鏡などが登場する。(2018/1/15)



2013年のα7発売から5年経ち、キヤノン、ニコン、パナソニック、シグマがフルサイズミラーレスを相次いで発表した。デジタルだからこそのミラーレス方式は、技術改良を積み重ねて一眼レフ方式に劣っていた点を克服してきており、高級カメラとしても勢いは明らかだ。

言葉としてもはや真新しいものではないが、半導体、デバイス、ネットワーク等のインフラが成熟し、過去の夢想であったクラウドのコンセプトが真に現実化する段階に来ている。
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これからの世の中を大きく変えるであろうテクノロジーのひとつが自動運転だろう。現状のトップランナーにはIT企業が目立ち、自動車市場/交通・輸送サービス市場を中心に激変は避けられない。日本の産業構造にも大きな影響を持つ、まさに破壊的イノベーションとなりそうだ。