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「NAND」最新記事一覧

Not AND

差異化は難しくても:
DRAM、過酷な温度環境への対応で生き残る
3D NAND型フラッシュメモリや次世代不揮発性メモリの開発が進む中、DRAMはどのような方向に発展していくのだろうか。米Virtiumは、過酷な稼働環境への対応がその1つだと述べる。(2016/5/16)

NANDフラッシュとDRAMを手掛ける数少ないメーカー:
Micron、ストレージ分野の事業展開を強化
NAND型フラッシュメーカーやDRAMメーカーの数が減っていく中、両方を手掛けるMicron Technologyは、自社が「独自のポジションを築いている」と自負する。より差異化を図るべく、メモリメーカーというよりも、ストレージシステムのビジネスに力を入れていきたい考えだ。(2016/4/19)

電子ブックレット:
3D NANDフラッシュの競争は激化へ
EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、Micron Technologyが「ISSCC 2016」で発表した68Gビットの3次元(3D)NAND型フラッシュメモリについて紹介します。(2016/4/14)

前途多難なのか:
“メモリ大国”を目指す中国(前編)
中国がメモリ技術の開発に注力している。中国のファウンドリーであるXMCは、「3D NAND型フラッシュメモリでSamsung Electronicsに追い付く」と、非常に積極的な姿勢を見せている。(2016/4/14)

中国半導体業界のマイルストーンに?:
中国XMCが3D NANDフラッシュ工場建設ヘ
中国のファウンドリー企業であるXMCが、3次元NAND型フラッシュメモリを製造する工場の建設に2016年3月中にも着手するという。(2016/3/28)

3年間で約3600億円を投資へ:
東芝、3D NAND新工場建設を決定
東芝は2016年3月17日、3次元構造のNAND型フラッシュメモリ専用工程に対応する新工場建設を決めた。(2016/3/17)

Samsung、世界初15.36TBの2.5インチSSD「PM1633a」の出荷開始
Samsung Electronicsが2.5インチSSDとしては世界最大容量の15.36TBの「PM1633a」を発表した。V-NAND採用で、シーケンシャルな転送速度はSATA SSDの2倍以上としている。(2016/3/4)

Samsung、モバイル内蔵メモリ向け256GB高速NANDフラッシュの量産開始
Samsungが、モバイル端末の内蔵メモリ向けとしては最大の256GBのUFS 2.0準拠NANDフラッシュの量産を開始したと発表した。入出力速度は一般的なPC用SATA SSDより高速という。(2016/2/26)

福田昭のデバイス通信 ARMが語る、最先端メモリに対する期待(4):
メモリ・アーキテクチャの基礎
今回は、NANDフラッシュメモリ登場後のメモリ・アーキテクチャを見ていきながら、「CPUのメモリに対する要求」を考えていく。(2016/2/26)

リード3200MB/秒!:
5コアコントローラ+第3世代V-NANDの新製品も――日本サムスンが最新SSDを展示
日本サムスンが「2016 Samsung SSD Forum, Japan」を開催。2016年春の投入が見込まれる最新SSDを披露した。(2016/2/25)

Micronが「ISSCC 2016」で768Gビット品を発表:
3D NANDフラッシュの競争は激化へ
Micron Technologyは「ISSCC 2016」で、3ビット/セルのフローティングゲート方式を適用した、768Gビットの3次元(3D)NAND型フラッシュメモリを発表した。読み出し速度は、800Mバイト/秒だという。3D NANDフラッシュの競争が激化することが予想される。(2016/2/9)

OCZ、15nm TLC NAND採用のスタンダードSSD「Trion 150」を発表
OCZストレージソリューションは、メインストリーム向けとなる2.5インチSATA SSD「OCZ Trion 150」シリーズを発表した。(2016/2/5)

64層3D NANDで売価下落に対抗へ:
東芝、赤字転落の半導体事業は自主再建
東芝の電子デバイス部門の2015年度(2016年3月期)業績は、550億円の営業赤字を計上する見込みとなった。前年度に比べ2716億円減という大幅減益だ。NAND型フラッシュメモリ(NANDメモリ)事業を除き、ディスクリート、システムLSI、ストレージの3事業で赤字となり、事業構造の見直しを実施する。さらに2015年後半からの売価下落で利益幅が縮小しているNANDメモリも、高集積品の開発を急ぎ価格競争力を高めるなどし、電子デバイス事業として2016年度の黒字転換を目指す。(2016/2/5)

30億円で隣接地を取得:
東芝、3D NAND製造用に四日市工場の敷地を拡張
東芝は、3次元NAND型フラッシュメモリの製造に向け、四日市工場の敷地を拡張すべく、同工場の隣接地を取得すると発表した。(2016/2/2)

サンディスク、X3 NANDフラッシュを採用したエントリーSSD
サンディスクは、X3 NANDフラッシュ技術を採用する2.5インチSATA SSD「サンディスク ウルトラ II SSD」シリーズの出荷開始を発表した。(2016/1/15)

福田昭のデバイス通信 ISSCC 2016プレビュー(3):
シングルダイの記憶容量が100Gバイトに近づく半導体メモリ
セッション7のテーマは「不揮発性メモリのソリューション」だ。マイクロンジャパンとMicron Technology、Intelの共同チームが、768Gビットと極めて大きな記憶容量のNANDフラッシュメモリを発表するなど、注目の論文が相次ぐ。(2015/12/25)

東芝、「NANDフラッシュ事業分社化へ、上場検討」報道にコメント
東芝は、同社がNANDフラッシュメモリ事業を分社化し、株式を上場させる方向で検討に入ったと伝えた一部報道にコメントした。(2015/12/18)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(8):
折り曲げ可能なNANDフラッシュメモリ
カンファレンス2日目に予定されているセッション19〜21の内容を紹介しよう。セッション19では、折り曲げ可能なX線イメージング技術や、折り曲げ可能なNANDフラッシュメモリなど、さまざまなフレキシブルエレクトロニクス技術に関する講演が行われる。折り曲げ可能なNANDフラッシュメモリは、韓国の研究チームが発表するもので、30万回折り曲げた後でも、安定した電気接続を維持したという。(2015/11/20)

SATA Gen3に対応した制御ICを新たに開発:
MLC、pSLCフラッシュに対応した産業用SSD、TDK
TDKは、CFastカード形状の産業用SSD「CAS1Bシリーズ」の発売を2016年1月から開始すると発表した。同製品は、SATA Gen3に対応したNAND型フラッシュメモリ制御IC「GBDriver GS1」を搭載。信頼性を確保するとともに、高容量かつ堅牢なカード形状を実現したという。(2015/11/17)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(3):
3D NANDフラッシュの物理解析が進む
今回はセッション4〜6の講演を紹介する。セッション4では、人間の脳をモデルにした計算アーキテクチャなどが焦点となる。セッション5では3D NAND型フラッシュメモリ関連の発表が行われ、セッション6ではIGZO材料による20nmノードの高周波FETなどが発表される予定だ。(2015/11/6)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(2):
IV族レーザーと高密度3D NAND技術
今回は、「IEDM 2015」で開催される予定のセッションから、セッション2と3を紹介する。セッション2では、IV族元素でレーザーを試作した研究成果や、GeのナノワイヤでCMOS回路を試作した研究成果が発表される。セッション3では、主にメモリ技術がテーマとなる。(2015/11/4)

フラッシュストレージの4大進化【後編】
NANDフラッシュより“1000倍高速かつ耐久性に優れる”最新メモリ技術とは
フラッシュストレージ技術は進化を遂げている。間もなくNANDフラッシュに取って代わることが予想される最新技術を紹介する。(2015/10/26)

ウェアラブルなど組み込み向けNANDフラッシュ、東芝が発売
東芝がウェアラブルデバイスやプリンタ、産業用ロボットなど組み込み用途に向けて、SLC NAND型フラッシュメモリを投入する。SPI互換とすることでビットコストを意識するベンダーへ向ける。(2015/10/21)

身売り話浮上のSanDiskとの共同投資も正式合意:
東芝、3D NANDメモリ専用製造棟の一部が完成
東芝とSanDisk(サンディスク)の両社は2015年10月21日、NAND型フラッシュメモリの製造拠点である東芝四日市工場(三重県四日市市)で建設していた「新・第2製造棟」の建屋が一部完成し、同製造棟への設備投資を共同実施することで正式契約を締結したと発表した。(2015/10/21)

フラッシュストレージの4大進化【前編】
NANDフラッシュの多次元化で曖昧になるメモリとの境界線
メモリチャネルフラッシュ、3D、NVMe、NVDIMMは、間もなくNANDフラッシュに取って代わることが予想される最新のフラッシュストレージテクノロジーの進化だ。(2015/10/20)

福田昭のストレージ通信 フラッシュメモリの現在(1):
NANDフラッシュとSSDの市場動向
本シリーズでは、毎年8月に米国で開催される「フラッシュメモリサミット(FMS:Flash Memory Summit)」から、フラッシュメモリの最新動向に関する講演内容をお届けする。まずはNAND型フラッシュメモリの価格と、SSDの現状について見てみよう。(2015/10/9)

SEMICON West 2015リポート(12):
ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演(5)〜インプリント装置の開発ロードマップ
今回は、ナノインプリント・リソグラフィ技術の開発ロードマップを紹介しよう。キヤノンは現在、インプリント装置の第1世代機の開発を終えたところで、今後5年間で第2および第3世代機の開発に取り組んでいく予定だ。インプリント装置のターゲットは、NAND型フラッシュメモリとDRAM、ロジックICである。(2015/9/18)

OCZ、TLC NANDを採用したエントリーSSD「Trion 100」シリーズの販売を開始
OCZストレージソリューションズは、東芝のA19ナノメートルプロセス技術を採用したTLC NAND搭載するエントリーグレードの2.5インチSATA SSD「Trion 100」シリーズを発表した。(2015/8/31)

日本サムスン、3D V-NAND採用2.5インチSSD「850 PRO」「850 EVO」に2Tバイトモデルを追加
日本サムスンは、同社製2.5インチSATA SSD「850 PRO」「850 EVO」シリーズのラインアップに2Tバイトモデルを追加した。(2015/8/7)

256GB容量、11日から米国で試作品を展示へ:
TSV用いた16段積層NANDを開発――東芝「世界初」
東芝は2015年8月6日、TSV(Through Silicon Via/シリコン貫通ビア)技術を用いてNAND型フラッシュメモリチップを積層した試作品を開発したと発表した。(2015/8/6)

SanDisk、世界初となる3ビットセル採用の48層3D NANDチップを開発――パイロット生産を開始
米SanDiskは、世界初となる3ビットセル採用の256Gビット48層3D NANDチップを開発したと発表した。(2015/8/4)

BiCS技術用い、四日市工場で:
東芝とサンディスク、256Gb 3D NANDの生産開始
サンディスクは、48層積層プロセスを用いた256Gビットの3ビット/セル3次元NANDフラッシュメモリを開発し、パイロット生産を開始した。東芝も同時に製品を発表した。(2015/8/4)

「NANDよりも1000倍高速」:
IntelとMicronの新不揮発メモリ「3D XPoint」
IntelとMicron Technologyが、不揮発メモリ「3D XPoint(クロスポイント)」を発表した。NAND型フラッシュメモリよりも1000倍高速で、DRAMよりも8〜10倍、記憶密度が高いという。両社は、25年ぶりに新しい不揮発メモリのカテゴリを作り出したとしている。(2015/7/29)

IntelとMicron、“NANDより1000倍速い”新不揮発メモリ技術「3D XPoint」発表
IntelとMicronが、“1989年のNANDフラッシュ以来”の新カテゴリーとする不揮発メモリ「3D Xpoint」を発表した。NANDより1000倍速く、1000倍耐久性があり、メモリデンシティは従来の10倍で、1つのダイに128Gビットのデータを保存できるという。(2015/7/29)

ADATA、“MLC plus”NANDフラッシュを採用したゲーミングSSD「XPG SX930」
台湾ADATAは、SATA 6Gb/s接続に対応する2.5インチSSD「XPG SX930」シリーズを発表した。(2015/7/23)

5分でわかる最新キーワード解説:
SSDの限界を超える「ReRAM搭載SSD」
NAND型メモリの後継として期待されている「ReRAM(Resistive Random Access Memory)」とSSDを組み合わせることで、大容量高速化とエラー発生低減を狙う動きがあります。このSSDの限界を超える「ReRAM搭載SSD」について解説します。(2015/7/23)

電子ブックレット:
プレーナ型NANDフラッシュの微細化の限界
EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、微細化が限界といわれているプレーナ型NANDフラッシュについて考察します。(2015/7/15)

OCZ、東芝TLC NAND採用の2.5インチエントリーSSD「Trion 100」を発表
アスクは、OCZ Storage Solutions製となるエントリー向け2.5インチSSD「Trion 100」シリーズの取り扱いを発表した。(2015/7/10)

メモリ各社の製品から探る:
プレーナ型NANDフラッシュの微細化の限界
最近になって、1Xnm世代のプロセスを適用したプレーナ(平面)型のNAND型フラッシュメモリが市場に投入され始めた。だが、プレーナ型NANDフラッシュの微細化は限界だといわれている。各社の1Xnm世代NANDフラッシュを見ながら、微細化技術について考察してみたい。(2015/6/23)

企業動向:
NRAMの早期実用化を目指す、Nanteroが資金集めを加速
カーボンナノチューブを使ったメモリ「NRAM」を手掛けるNanteroが、NRAMの実用化に向けて積極的に資金集めを行うことを明らかにした。NRAMは、読み書き性能がNAND型フラッシュメモリに比べて100倍高速で、耐性も優れているという。(2015/6/11)

東芝 THGBMHG7C2LBAIL/THGBMHG8C4LBAIRなど:
eMMC 5.1準拠の組み込みNANDメモリ――15nmプロセス採用で最大128GB容量
東芝は、eMMC Version 5.1に準拠した組み込み式NAND型フラッシュメモリを発表した。オプショナル機能として規定されたコマンドキューイング機能とセキュアライトプロテクション機能に対応している。(2015/4/2)

容量はサムスン、東芝の3倍!:
インテルとマイクロン、384Gビット容量の3D NANDを発表――年内量産へ
インテルとマイクロン テクノロジーは2015年3月26日(米国時間)、1ダイで384Gビット容量を実現した3次元積層構造を用いたNAND型フラッシュメモリ(以下、3D NAND)を共同開発したと発表した。(2015/3/27)

IntelとMicron、SSD容量を3倍にする新型の3次元NANDフラッシュメモリを開発
IntelとMicron Technologyは、従来の3倍の容量となる3次元NAND型フラッシュメモリの発表を行った。(2015/3/27)

ビジネスニュース 企業動向:
東芝、3次元NAND「BiCS」の製品化を発表――サムスン上回る48層構造
東芝は2015年3月26日、「BiCS」と呼ぶ3次元積層構造を用いたNAND型フラッシュメモリ(以下、3D NAND)を開発し、同日サンプル出荷を開始したと発表した。(2015/3/26)

OCZ、東芝NANDフラッシュ採用の2.5インチSSD「Vector 180」
アスクは、OCZ Storage Solutions製の2.5インチ内蔵型SATA SSD「Vector 180」シリーズの取り扱いを発表した。(2015/3/25)

アーク、秋葉原店舗に“ナゾのSSD”を展示――3月18日より
パソコンショップアークは、シグリード製のNANDフラッシュメモリテスタ「SigNASII」など2製品の展示を発表した。(2015/3/16)

ビジネスニュース 業界動向:
次世代メモリ市場、2020年には70億米ドル規模に
ReRAMやMRAMといった不揮発RAM市場は、今後急成長を遂げ、2020年には70億米ドル規模に拡大すると見られている。NAND型フラッシュメモリやDRAMに取って代わるには、微細化とビット当たりの価格が鍵になりそうだ。(2015/2/27)

メモリ/ストレージ技術:
NANDフラッシュ、売価下落も市場規模は拡大――2014年10〜12月
DRAMeXchangeによると、2014年第四半期におけるNAND型フラッシュメモリの世界市場は、全体として好調だったようだ。ただし、価格の下落は続いている。今後、Samsung Electronics(サムスン電子)は3次元NANDフラッシュ、東芝は15nmプロセスへの移行を加速させると見られている。(2015/2/6)

徹底プレビュー「ISSCC2015の歩き方」(11):
メモリ編:次世代大容量フラッシュと次世代高速DRAMに注目
今回は、大容量化と高速化が進む半導体メモリに焦点を当てる。メモリ市場の二大勢力となっているDRAMとNANDフラッシュメモリについての講演が多い。15nmプロセスを採用したNANDフラッシュメモリや、車載マイコン向けフラッシュメモリ技術、次世代のDRAMインタフェースなどに関する発表がある。(2015/1/19)

東芝 MQ02ABD100H/MQ02ABF050H:
19nm第2世代NAND搭載、2.5型SSHD
東芝は、2.5型のソリッドステートハイブリッドドライブ(SSHD)として、「MQ02ABD100H」と「MQ02ABF050H」を商品化した。19nm第2世代プロセスのMLC型NANDフラッシュメモリを搭載している。(2015/1/14)



7月29日で無料アップグレード期間が終了する、Microsoftの最新OS。とんでもないレベルで普及している自社の基幹製品を無料でアップグレードさせるというビジネス上の決断が、今後の同社の経営にどのような影響をもたらすのか、その行方にも興味が尽きない。

ドイツ政府が中心となって推進する「第四次産業革命」。製造業におけるインターネット活用、スマート化を志向するもので、Internet of Things、Industrial Internetなど名前はさまざまだが、各国で類似のビジョンの実現を目指した動きが活発化している。

資金繰りが差し迫る中、台湾の鴻海精密工業による買収で決着がついた。寂しい話ではあるが、リソースとして鴻海の生産能力・規模を得ることで、特にグローバルで今後どのような巻き返しがあるのか、明るい話題にも期待したい。