「NAND」最新記事一覧

ビジネスニュース 企業動向：
Samsung、70億ドルを投じて西安にNANDフラッシュ製造施設を建設へ
Samsungは、中国国内でNAND型フラッシュメモリを安定して供給すべく、製造施設を新設する。同社が韓国以外の製造工場に投資する額としては、最大規模になる見込みだという。（2012/4/5）

新iPadのRetina Display、原価は87ドル――iSuppliの分解調査
IHS iSuppliが新iPad分解価格調査結果を発表した。Samsung製の部品が多く、同社は東芝とともにNANDフラッシュも供給していることが分かった。（2012/3/19）

ビジネスニュース 市場動向：
2012年の半導体市場に明るい兆し、売上高は前年比4％増の見込み
アナリストによると、「2012年は、半導体市場にとって力強い成長が見込める年になりそうだ」という。特にメモリ分野では、DRAM価格の回復やNANDフラッシュ市場の成長など、堅調な伸びが期待できそうだ。（2012/3/16）

ビジネスニュース アナリストリポート：
タブレット向けNANDフラッシュの需要、2015年まではAppleがほぼ独占
Androidタブレットのシェアが増加するも、いまだにタブレット市場で優位性を維持している「iPad」。シェアが高い上に1台当たりの容量も大きいため、AppleがNAND型フラッシュメモリの需要を独占する状態が続いているという。（2012/3/15）

NEWS
最大容量2.4TバイトのNAND型フラッシュメモリを発表　Fusion-ioとTED
米Fusion-ioと東京エレクトロン デバイスが半導体ストレージ「ioDrive」の後継機種を発売した。従来機種に比べて、容量や処理性能が2倍以上向上したという。（2012/3/14）

ISSCC 2012：
東芝とSanDiskが128GビットNANDフラッシュを開発、サイズは1セントコイン以下
東芝とSanDiskは、容量が128GビットのNANDフラッシュメモリチップを開発した。3ビット/セル技術と19nmプロセスを用いて製造しており、チップサイズは1セントコインよりも小さい。（2012/2/24）

サンディスク、世界最小の128GビットNANDフラッシュメモリチップを開発
米SanDiskは、19ナノメートルプロセス技術による世界最小のNANDフラッシュメモリチップの開発に成功した。（2012/2/23）

ビジネスニュース 市場予測：
2012年の半導体市場、NANDフラッシュや32ビットマイコンは好調か
IC Insightsが発表した半導体の分野別の成長率予測によると、NANDフラッシュ市場は、スマートフォン/タブレット端末市場の成長を受け、大きく伸びるとみられる。一方でDRAM市場は縮小傾向が続き、ついにNANDフラッシュ市場と規模の逆転が起きそうだ。（2012/2/16）

NAND代替メモリ技術を徹底比較【後編】
フラッシュメモリ微細化の限界に挑戦するメーカーの取り組み
NAND型フラッシュメモリの微細化の限界は、業界全体の関心事だ。代替技術が台頭する中、NAND型フラッシュメモリの延命に取り組むメーカーも存在する。（2012/1/16）

NAND代替メモリ技術を徹底比較【前編】
NAND型フラッシュメモリの次を見据えるメーカーの思惑
次世代の不揮発性メモリとして最も有力といわれるNANDフラッシュメモリ。しかし、独自の特性を備えた複数の新技術の研究も進められており、今後どの技術が市場をリードするかはまだ分からない状況だ。（2012/1/10）

東芝 BENAND：
ECCを搭載したSLCタイプNANDフラッシュ、4Gビット品と8Gビット品を用意
東芝の「BENAND」は、ECC回路を搭載するSLCタイプのNAND型フラッシュメモリ製品である。ECC回路の訂正能力は、512バイト当たり4ビットとなっている。（2012/1/6）

ビジネスニュース 企業動向：
Samsung、中国にNANDフラッシュのウエハーファブを建設か
2011年9月に世界最大規模のNANDフラッシュウエハーファブの稼働を開始したSamsung。需要の急増にも対応できるよう、中国にファブを建設する計画があるという。（2011/12/12）

メモリ/ストレージ技術 NAND型フラッシュメモリ：
指先にテラビットが載る、IntelとMicronが20nm世代のNANDフラッシュ量産
IntelとMicron Technologyは、20nm世代の半導体プロセス技術を適用した128GビットのNAND型フラッシュメモリの量産を2012年前半に始める。20nm世代の128Gビット品の量産は、業界初になる見通しだ。マルチチップ品の記録容量は1T（テラ）ビットに達する。（2011/12/8）

64Gビット版は量産開始：
IntelとMicron、20ナノメートルプロセス技術の128GビットNANDフラッシュメモリ
IntelとMicron Technologyは業界最小の20ナノメートルプロセスルールによる128GビットのNANDフラッシュメモリを発表した。（2011/12/7）

スマートフォンとタブレット端末がけん引：
モバイル機器の進化はメモリインタフェースとともに
スマートフォンとタブレット端末に代表されるモバイル機器は、市場が急激に拡大するととともに、PC並みの高い性能も要求されるようになっている。このため、モバイル機器向けメモリインタフェースの新たな規格を策定する動きが活発化している。本稿では、プロセッサの動作に不可欠なメインメモリとなるDRAMのインタフェースと、アプリケーションやデータを格納するのに用いるNANDフラッシュのインタフェース、それぞれの規格策定の最新動向を紹介する。（2011/10/18）

メモリ/ストレージ技術：
Samsung Electronics、20nmクラスの製造技術を適用したNANDフラッシュの量産を開始
Samsungが、20nmクラスのプロセス技術を採用したNANDフラッシュメモリの製造を開始した。来年には、10nmクラスの製造技術を用いたメモリの製造にも着手する予定だという。（2011/9/29）

メモリ/ストレージ技術 SSD：
【ESEC2011】TDKが1チップ型SSDを開発中、2011年12月量産へ
TDKは、NAND型フラッシュメモリと制御ICを1つのパッケージに封止した1チップ型SSDを開発し、ESEC2011に参考出品した。（2011/5/12）

マイクロン、リード最大415Mバイト／秒の高速SSD「Crucial m4 SSD」
マイクロン ジャパンは、25ナノメートルNANDフラッシュ採用の高速SSD「Crucial m4 SSD」を発売する。（2011/4/28）

ESEC2011 開催直前情報!!：
SSDの信頼性向上へ、TDKが新開発のNANDメモリ制御ICを出展
国内企業として唯一、NAND型フラッシュメモリ制御ICを外販しているTDK。ESEC2011では、新開発の制御IC「GBDriver RS3」を出展する。（2011/4/25）

メモリ/ストレージ技術 ReRAM：
ReRAMの開発進む、SEMATECHが新興企業と提携
ReRAMは書き込み時間が短く、書き込み時の消費電力が低く、大容量化にも適しているなど、NAND型フラッシュメモリの後継として期待されている。開発フェーズが初期段階にあるため、企業間提携が盛んである。（2011/4/22）

メモリ/ストレージ技術 NAND型フラッシュメモリ：
TDKのNAND型フラッシュメモリ制御IC、3Gビット/秒のシリアルATA Gen2に対応
TDKがNAND型フラッシュメモリ制御ICを拡充する。高速データ転送に加えて、SSDの信頼性を確保する機能を豊富に搭載したことが特徴。（2011/4/22）

10nm台に突入　東芝、世界初の19nmプロセスNANDフラッシュを開発
東芝は、世界初の19ナノメートル（nm）プロセスによる64GビットNANDフラッシュメモリを開発し、今年7〜9月期から量産出荷を開始すると発表した。（2011/4/21）

メモリ/ストレージ技術 NAND型フラッシュメモリ：
SanDiskが19nm世代のNANDフラッシュをサンプル出荷へ、2ビット/セルで64Gビット
SanDiskは19nmプロセス技術で製造するNAND型フラッシュメモリを今四半期中にサンプル出荷する。2011年の下半期には量産を始める予定だ。（2011/4/21）

IntelとMicron、20ナノメートルプロセス技術の8GバイトNANDフラッシュメモリ
米Intelと米Micron Technologyは、業界最小の20ナノメートルプロセスルールによる8GバイトMLC NANDフラッシュメモリのサンプル出荷を開始した。（2011/4/15）

Intel、「SSD 320シリーズ」発表　25ナノプロセス採用、最大3割安価に
インテルがSSDの新製品「SSD 320シリーズ」を発表。25ナノNANDフラッシュを搭載し、従来製品「X25-M」から最大30％低価格化。300Gバイト、600Gバイトモデルも。（2011/4/12）

メモリ/ストレージ技術　NAND型フラッシュメモリ：
NANDフラッシュの標準化団体、メモリインタフェース規格の新版を発表
NAND型フラッシュメモリの標準化団体「Open NAND Flash Interface（ONFi） Working Group」は2011年3月15日（米国時間）、NANDメモリインタフェース規格の新版「ONFi 3.0」を発表した。（2011/3/18）

メモリ/ストレージ技術　NAND型フラッシュメモリ：
PCI Express接続のSSD、推進団体が標準仕様「NVM Express 1.0」を策定
NAND型フラッシュメモリの推進団体である「NVMHCI（Non-Volatile Memory Host Controller Interface）Working Group」は、フラッシュメモリ利用のSSD（Solid State Drive）の利用拡大を狙った仕様「NVM Express 1.0」を策定した。（2011/3/10）

メモリ/ストレージ技術　NAND型フラッシュメモリ：
マイクロン、25nm世代のNANDフラッシュ採用のSDDを発売
マイクロン テクノロジーは、25nm世代のNAND型フラッシュメモリを採用したSSD「RealSSD C400」を発表した。「業界最先端の製造プロセスを採用したSSDである。（2011/2/25）

電子ブックレット：
強誘電体NANDの電源を大幅に下げる、次世代SSDの可能性を開く新技術
SSDの処理速度を上げるには、複数のNAND型フラッシュメモリを並列に処理させればよい。しかし、複数のNAND 型フラッシュメモリを同時に動かすとその分、消費電力が大きくなってしまう。SSDの処理性能を高めるためとはいえ、消費電力が大きく増えてしまうことは許されない。NAND型フラッシュメモリの消費電力がSSDの処理性能を高める足かせとなってしまっている。（2011/2/15）

電子ブックレット：
開発進む不揮発メモリーReRAM、新材料からチップ化まで技術がそろう
高速で書き換え可能な大容量の不揮発メモリを求める声が機器設計者の間で高まっている。NAND型フラッシュメモリは大容量だが、高速に書き換えできないため、DRAMと組み合わせる必要がある。ReRAMは高速に書き換えでき、書き込み動作に必要な電圧もNAND型フラッシュメモリの1/10程度と低い。フラッシュメモリを置き換える可能性がある不揮発メモリとして期待を集めている。（2011/2/15）

電子ブックレット：
過熱するNAND型フラッシュの開発競争、リソグラフィ技術巡り先端技術の採用競う
NAND型フラッシュメモリ市場は、半導体業界で最も競争が激しい市場だろう。競争に勝ち抜くには、チップコストの低減が特に重要だ。各メーカーは、1枚のウエハーで製造できるチップ数を増やすことと、製造プロセスや材料構成を簡素化することの両方を追及している。各社は製造プロセスの微細化を進めるため、先進リソグラフィ技術を積極的に投入し、メーカー間の開発競争が過熱している。（2011/2/15）

NANDフラッシュ市場は2011年に18％成長へ、アイサプライが予測
NAND型フラッシュメモリは、タブレットなどのデバイスの人気により、記憶媒体のデファクトスタンダードになってきているという。（2011/1/24）

2011年のNAND型フラッシュ市場成長率は16％、アナリストが分析
2011年のNAND型フラッシュメモリ市場は平均価格は下落するが、ビット換算の出荷量が伸びる見通しという。（2010/12/27）

メモリ/ストレージ技術 NAND型フラッシュメモリ：
東芝が24nm製造技術でNAND型フラッシュを量産
NAND型フラッシュメモリは、2Xnm世代での競争が激しくなっている。東芝は2ビット/セル品としては最もチップサイズが小さいと主張する容量64GビットのNAND型フラッシュメモリの製造を開始した。（2010/8/31）

Wi-Fi内蔵SDカード普及へ、東芝が新団体設立
Wi-Fi通信機能を内蔵したSDカードの共通規格策定を進める業界団体を東芝が設立。NANDフラッシュの新アプリケーションとして市場開拓を進める。（2010/6/23）

メモリ/ストレージ技術　SSD：
強誘電体NANDの電源を大幅に下げる、次世代SSDの可能性を開く新技術
SSDの弱み、「アキレス腱」は何か。それは、SSD内部に使うNAND型フラッシュメモリの消費電力をなかなか下げられていないことのようだ。（2010/6/9）

メモリ/ストレージ技術　ReRAM：
開発進む不揮発メモリReRAM、新材料からチップ化まで技術がそろう
ReRAM（Resistive Random Access Memory：抵抗変化メモリ）は高速に書き換えでき、書き込み動作に必要な電圧もNAND型フラッシュ・メモリの1/10程度と低い。フラッシュ・メモリを置き換える可能性がある不揮発メモリとして期待を集めている。（2010/4/15）

IntelとMicron、“世界初の”25nmフラッシュメモリを発表
新NANDフラッシュは前世代の半分のチップ数で同容量のストレージを実現でき、スマートフォンやSDDの容量増大が可能になるとしている。（2010/2/2）

NEWS
IBM、x86サーバおよびブレードサーバ向けNAND型SSDを発表
日本IBMが、同社のx86サーバおよびブレードサーバで使用可能なSSDを発表。1万5000回転SAS HDDの約8倍の入出力性能を持ち、I/O負荷の高いアプリケーションの実行に最適だという。（2009/6/4）

32nmプロセスのNANDフラッシュ　東芝が世界初
東芝は4月27日、32ナノメートル（nm）プロセスを採用したNAND型フラッシュメモリを世界で初めて開発し、サンプル出荷を始めた。容量は32Gビット。（2009/4/28）

SanDisk、64GビットNANDフラッシュを発表
SanDiskが、43nmの64GビットNANDフラッシュと、32nmの32GビットNANDフラッシュを発表した。（2009/2/12）

東芝、NAND型フラッシュ減産
東芝は、NAND型フラッシュメモリやシステムLSI、ディスクリート製品などを減産する。（2008/12/17）

Intelと日立GST、エンタープライズ向けSSDを共同開発
IntelのNAND型フラッシュメモリを使った企業向けSSDを2010年に投入し、日立GSTが独占販売する。（2008/12/2）

IntelとMicron、34nmプロセスの32GビットNAND型フラッシュを量産開始
IntelとMicronの合弁企業が、172平方ミリのSSD向けNAND型フラッシュの量産を開始した。（2008/11/25）

東芝4〜9月期は235億円の営業赤字　半導体不振で
東芝の上期は235億円の営業赤字に。NANDフラッシュの大幅な価格下落などが響いた。（2008/10/30）

Samsung決算、純利益は前年同期比44％の大幅減
NAND型フラッシュメモリの供給過剰など、メモリ市況の悪化から、Samsungの7〜9月期は44％の減益に。（2008/10/25）

東芝、SanDiskからNANDフラッシュ生産設備一部買収で合意
東芝は、SanDiskと合弁で運営するNANDフラッシュ生産設備の一部を買い取ることで合意した。SanDiskをめぐっては、NANDフラッシュ首位のSamsungが買収を提案していた。（2008/10/20）

Micron、NAND型フラッシュ事業の縮小と人員削減を発表
供給過剰によるNAND型フラッシュメモリの価格下落を受け、Micronは生産量を縮小する。（2008/10/10）

東芝、通期業績見通しを大幅下方修正　半導体不振
東芝は通期の連結業績予想を大幅に下方修正した。NAND型フラッシュメモリの価格が想定以上に下落するなど半導体事業が不振だったため。（2008/9/22）

「未練を断ち切り」東芝、光ディスクに頼らない新映像事業戦略　HDD・半導体・高画質で勝負
HD DVD撤退発表から7カ月。東芝が「記録メディアに依存しない」新映像事業戦略を発表し、超解像技術を採用した「REGZA」など新製品を発表した。高画質化技術、半導体技術、HDD、NANDなど、東芝の強みを束ねて「断トツに差異化」する狙いだ。（2008/9/18）