ITmedia総合  >  キーワード一覧  >  R

  • 関連の記事

「RRAM」最新記事一覧

Resistance RAM

不揮発メモリの高容量化などが実現可能に:
酸化ハフニウム基強誘電体の基礎特性を解明
東京工業大学の清水荘雄特任助教らによる研究グループは、酸化ハフニウム基強誘電体の基礎特性を解明した。薄膜でも特性が劣化しない強誘電体の開発により、高速動作する不揮発メモリの高容量化や、強誘電体抵抗変化メモリの実用化が可能になるとみられている。(2016/9/13)

WDは不正会計問題についても言及:
東芝、3D NANDで世界獲るには「量産が課題」
東芝とウエスタンデジタルコーポ―レーションは、新製造棟「東芝四日市工場新第2製造棟(N-Y2)」の完成に伴い、3次元構造のNAND型フラッシュメモリに関する事業計画について説明した。(2016/7/20)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(14):
スピン注入型MRAMの不都合な真実
STT-MRAMの基礎を解説するシリーズ。最終回となる今回は、磁気トンネル接合(MTJ)を構成する固定層や磁性層に焦点を当てる。スピン注入型MRAMのMTJは、47層もの層で構成されている。これほどの層が必要なのにはきちんとした理由があるのだが、実は同時にそれがSTT-MRAMの弱点にもなっている。(2016/6/21)

「ITF 2016」で語られた半導体の未来(3):
FinFETサイズの物理的な限界は?
ベルギーで開催された「IMEC Technology Forum(ITF) 2016」では、2.5D(2.5次元)のチップ積層技術や、FinFETのサイズの物理的な限界についても触れられた。(2016/6/17)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(11):
スピン注入型MRAMの微細化(スケーリング)
STT-MRAMの記憶容量を拡大する最も基本的な方法が、微細化だ。現時点でSTT-MRAMは、研究レベルでかなりのレベルまで微細化できることが分かっている。実際の研究結果を交えて紹介しよう。(2016/6/7)

IMEC Technology Forum:
次世代メモリ、STT-MRAMが優勢か
IMECは、STT-MRAM(スピン注入磁化反転型磁気メモリ)を次世代メモリの最有力候補とみているようだ。(2016/6/2)

「VLSI技術シンポジウム 2016」プレビュー:
0.03μm2のSRAMから最先端のIII-V族FinFETまで
米国ハワイで2016年6月13〜16日に開催される「VLSI Symposia on VLSI Technology and Circuits(以下、VLSIシンポジウム)」は、最先端の半導体デバイス/回路技術が一堂に会する国際会議だ。VLSIシンポジウムを実行するVLSIシンポジウム委員会は4月20日、都内で記者説明会を開催し、同イベントの概要と注目論文を紹介した。(2016/4/25)

福田昭のデバイス通信 ARMが語る、最先端メモリに対する期待(16):
求む、「スーパーメモリ」
ARM Researchの講演内容を紹介してきたシリーズ。完結編となる今回は、ARMが「スーパーメモリ」と呼ぶ“理想的なメモリ”の仕様を紹介したい。現時点で、このスーパーメモリに最も近いメモリは、どれなのだろうか。(2016/4/14)

福田昭のデバイス通信(61):
IEDMで発表されていた3D Xpointの基本技術(後編)
前編に続き、IntelとMicron Technologyの次世代不揮発性メモリ「3D XPoint」について解説しよう。今回は、「オボニック・スレッショルド・スイッチ(OTS:Ovonic Threshold Switch)」と、材料について詳しく見ていきたい。(2016/2/1)

福田昭のデバイス通信(60):
IEDMで発表されていた3D XPointの基本技術(前編)
米国で開催された「ISS(Industry Strategy Symposium)」において、IntelとMicron Technologyが共同開発した次世代メモリ技術「3D XPoint」の要素技術の一部が明らかになった。カルコゲナイド材料と「Ovonyx」のスイッチを使用しているというのである。この2つについては、長い研究開発の歴史がある。前後編の2回に分けて、これらの要素技術について解説しよう。(2016/1/27)

ハイパーコンバージドインフラが主流になるか
SSDだけではない、2020年までに劇的変化を遂げる“サーバ”未来予想図
サーバアーキテクチャは10年間の集大成として大きな変化が起こっている。サーバパフォーマンスが増強されれば、データセンターがストレージとネットワークにアプローチする方法も変わっていくだろう。(2015/12/28)

「IEDM 2015」基調講演で:
「ムーアの法則を進める必要がある」――ARM
2015年12月7〜9日に開催された「IEDM 2015」の基調講演で、ARMのシニアリサーチャーであるGreg Yeric氏は、「半導体チップの微細化は一段と困難になっているが、それでもムーアの法則を続ける必要がある」と語った。(2015/12/10)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(7):
不揮発性メモリを脳神経コンピューティングに活用
今回はセッション16〜18の講演を紹介する。セッション17では、不揮発性メモリを利用したニューロモルフィックシステム(脳神経系を模倣した低消費電力システム)の講演が相次いだ。(2015/11/17)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(5):
14/16nm世代のSRAMと第3の2Dデバイス材料
今回のプレビューでは、セッション10〜12の内容を紹介する。セッション11では、ルネサス エレクトロニクスやSamsung ElectronicsがSRAM関連の技術を発表する。セッション12では、第3の2Dデバイス材料として注目を集める黒リン関連の発表に注目したい。(2015/11/11)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(4):
抵抗変化メモリとGaNデバイス
今回のプレビューでは、セッション7〜9を紹介する。セッション7では抵抗変化メモリ(ReRAM)の信頼性に関する発表が相次ぐ。セッション8では、3次元集積回路の製造技術がテーマだ。セッション9では、富士通と東京工業大学が試作した、96GHzの周波数で出力が3W/mmと高いInAlGaN/GaN HEMTなどが発表される。(2015/11/10)

SSDなどのフラッシュストレージを業界団体SNIAメンバーが解説
読めば分かる! フラッシュストレージの基本
最近、普及が進む「フラッシュストレージ」。さらに深く理解するため、その種類や普及の背景、導入効果などの基本的解説をお届けする。(2015/10/6)

頭脳放談:
第183回 IntelとMicronの新メモリ「3D Xpoint」が世界を変える!
IntelとMicron Technologyが共同開発中の新メモリ「3D Xpoint」。「速い」「安い」「消えない」といいことづくめのこのメモリは、ストレージクラス メモリの新しいスタンダードになるかもしれない。3D Xpointは、ストレージの世界を変えるのか?(2015/8/26)

IDF 2015:
インテルが3D XPointをデモ、SSDは2016年に
インテルが、開催中の「IDF 2015」で、2015年7月に発表したばかりの不揮発メモリ技術「3D XPoint」を使ったSSDのデモを披露した。デモでは、40万2100IOPS(Input/Output Per Second)の処理性能が出ていた。(2015/8/19)

画期的向上なれど詳細不明:
大解説! IntelとMicronが提唱した次世代メモリ規格「3D Xpoint Technology」
1000倍高速で10倍密度が増えて1000倍寿命が延びるというが、具体的内容は不明。説明会のやり取りと関係者への聞き取りから、その正体と先の見通しを解説する。(2015/8/14)

臆測呼ぶIntel/Micronの新メモリ:
「3D XPoint」は相変化メモリか――特許から詮索
Intel(インテル)とMicron(マイクロン)がこのほど発表した不揮発性メモリ「3D XPoint」は本当に相変化メモリの1つなのか? 筆者が特許をウェブで検索したところ、この見方を裏付ける結果となった。(2015/8/5)

スマホの駆動時間も飛躍的に延びる!?:
超低消費デバイスが作製できる強誘電体薄膜
東京工業大学の清水荘雄特任助教らの研究グループは、強誘電体の極薄単結晶膜の作製に成功した。極薄膜でも安定した特性の強誘電体膜が得られ、超高密度メモリやスマートフォンなどで消費電力を極めて小さくすることができる新型トランジスタの製造が可能だという。(2015/7/31)

5分でわかる最新キーワード解説:
SSDの限界を超える「ReRAM搭載SSD」
NAND型メモリの後継として期待されている「ReRAM(Resistive Random Access Memory)」とSSDを組み合わせることで、大容量高速化とエラー発生低減を狙う動きがあります。このSSDの限界を超える「ReRAM搭載SSD」について解説します。(2015/7/23)

福田昭のデバイス通信(27):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(16)〜次世代メモリへの期待
今回はSRAMの消費電力に視点を移す。CPUの電源電圧の低下に伴うSRAMビット不良や、待機時と動作時で大きく異なるSRAMの消費電力に焦点を当て、なぜ、次世代の不揮発性メモリ「スーパーメモリ」に期待がかかっているのかを説明しよう。(2015/6/2)

ビジネスニュース 業界動向:
“次世代メモリ”の域を出ないFRAM、量産規模を上げて低価格化を
SRAMやDRAM、EEPROMを置き換えるとして大いに期待されていたFRAMは、量産こそ始っているものの、完全に普及しているとはいえず、いまだに“次世代メモリ”の域を出ない。だが、一定のニーズはある。(2015/5/21)

自然エネルギー:
熱エネルギーを永続保存できる蓄熱素材を発見、損失ゼロの太陽熱発電実現に期待
東京大学大学院理学系研究科の大越慎一教授と筑波大学数理物質系の所裕子准教授らの研究グループは、永続的に熱エネルギーを保存できるセラミックス「蓄熱セラミックス(heat storage ceramics)」という新概念の物質を発見した。太陽熱発電システムや廃熱エネルギーの再生利用素材としての活用が期待される。(2015/5/14)

VLSIシンポジウム 2015 プレビュー(2):
デバイス技術の注目論文 〜7nm以降を狙う高移動度トランジスタ
今回は、メモリ分野、先端CMOS分野、非シリコン分野における採択論文の概要を紹介する。抵抗変化メモリ(ReRAM)や3次元縦型構造の相変化メモリ(PCM)に関する論文の他、GaNやSiGe、InGaAsなど、次世代の高移動度の化合物半導体を用いたトランジスタに関する技術論文の概要が紹介された。(2015/4/28)

2015 VLSIシンポジウム概要:
14nm SoCや新規メモリなどの研究成果を発表へ――日本の採択論文数は米国に次ぐ計27件
2015年6月に開催される国際学会「VLSI Technologyシンポジウム」と「VLSI Circuitsシンポジウム」の概要が明らかになった。IoT(モノのインターネット)社会の実現に向けたLSIのデバイス技術と回路技術などに関して、最先端の研究成果が披露される予定である。(2015/4/22)

ビジネスニュース 業界動向:
次世代メモリ市場、2020年には70億米ドル規模に
ReRAMやMRAMといった不揮発RAM市場は、今後急成長を遂げ、2020年には70億米ドル規模に拡大すると見られている。NAND型フラッシュメモリやDRAMに取って代わるには、微細化とビット当たりの価格が鍵になりそうだ。(2015/2/27)

徹底プレビュー「ISSCC2015の歩き方」(11):
メモリ編:次世代大容量フラッシュと次世代高速DRAMに注目
今回は、大容量化と高速化が進む半導体メモリに焦点を当てる。メモリ市場の二大勢力となっているDRAMとNANDフラッシュメモリについての講演が多い。15nmプロセスを採用したNANDフラッシュメモリや、車載マイコン向けフラッシュメモリ技術、次世代のDRAMインタフェースなどに関する発表がある。(2015/1/19)

SEMICON Japan 2014:
日立ハイテク、先端のシリコンエッチング装置などをアピール
日立ハイテクノロジーズは、「SEMICON Japan 2014」(2014年12月3〜5日)で、シリコン用エッチング装置などの製造プロセスソリューションや高分解能FEB測長装置をはじめとした計測・検査ソリューションなどを披露した。(2014/12/12)

ビジネスニュース 企業動向:
サンディスクが256GBのCFカード発表、読み取り速度は最大160Mバイト/秒
サンディスクは、読み取り転送速度が最大160Mバイト/秒と高速で、記憶容量が256Gバイトのコンパクトフラッシュ(CF)カードを開発した。2013年12月より出荷を始める。フルHD(1920×1080画素)や4k(4096×2160画素)動画など、映像の高品質化が進む中で、メディアに要求される高いデータレートと大容量化に対応した。新製品の発売に合わせ、それ以外のCFカードについても転送速度の高速化を図った。(2013/11/11)

ビジネスニュース:
Intelは9nm以降の技術を発表、IEDMのプログラムが決まる
2013年12月に開催される半導体素子の国際学会「IEDM 2013」では、FinFETとFDSOIに注目が集まりそうだ。TSMCは16nm FinFETの他、14nmのFDSOIについて論文を発表するという。Intelは、9nm以降で用いるトンネル電界効果トランジスタのモデリングについて説明するようだ。(2013/10/10)

ビジネスニュース:
DRAMに代わるカーボンナノチューブベースの不揮発性メモリ、開発加速へ
カーボンナノチューブ(CNT)を利用する不揮発性メモリ「NRAM」の開発を手掛ける米国のNanteroが、投資ラウンドで500万米ドルの追加資金を獲得した。DRAMに代わるメモリとしてNRAMの開発を進める同社への注目は、高まっているという。(2013/9/25)

EE Times Japan Weekly Top10:
COMPUTEX 2013でみたSSDの最新動向
EE Times Japanで先週(2013年7月7日〜7月13日)に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2013/7/16)

宮崎 仁のマイコン基礎の基礎:
PR:第6回 さまざまなメモリ・デバイス - RAMとROMそれぞれの進化 -
(2013/3/25)

ビジネスニュース 業界動向:
次世代不揮発性メモリ市場が成長、MRAMとPCMは2016年に10億ドル規模へ
NAND型フラッシュメモリの微細化と大容量化は限界に近づいている。メモリセルを垂直に積み上げる3次元構造のNANDフラッシュの開発も進んでいるが、MRAMやPCMといった次世代不揮発性メモリが、NANDフラッシュに代わって大きく伸びることが予測されている。(2013/2/22)

EE Times Japan Weekly Top10:
Appleよりも有利? 中国最大手の通信キャリアと提携したNokia
EE Times Japanで先週(2012年12月9日〜15日)に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2012/12/17)

ISSCC 2013プレビュー:
メモリ関連の論文は“量より質”にシフト
2013年2月に開催される「ISSCC 2013」では、メモリに関する論文の比率が従来よりもわずかに減少するとみられる。しかし、東芝やSanDisk、パナソニックらによるReRAMの研究開発成果の発表をはじめ、メモリ分野の論文の内容自体は、依然として魅力的だ。(2012/11/27)

EE Times Japan Weekly Top10:
SoCに託されたルネサスの未来
EE Times Japanで先週(2012年11月18日〜11月24日)に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2012/11/26)

ET2012:
パナソニックがReRAMマイコンを展示、 書き換え時間がフラッシュマイコンの1/5に
パナソニックが、抵抗変化型RAM(ReRAM:Resistive RAM)を搭載したマイコンを参考出品した。フラッシュマイコンに比べて5倍のデータ書き換え速度を実現しており、0.9Vの低電圧で動作するという。(2012/11/19)

知財ニュース:
企業の特許ランキング――電気ではパナソニック、東芝、三菱電機が強い
個々の特許に対するスコアリングと特許の寿命を掛け合わせることで、企業の保有する特許の資産規模を算出できる。パテント・リザルトは特許資産規模上位10社を発表した。(2012/10/22)

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版:
太陽光を無駄なく使う、201X年の技術――統合電子版2012年07・08月合併号
「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2012年07・08月合併号を発行しました。Cover Storyの「太陽光を無駄なく使う」や、「Samsungの最新スマホ「GALAXY S III」を分解」、「4Gの時代はもう来たのか、モバイルで1Gビット/秒実現へ」など、幅広い話題を掲載しました。(2012/7/9)

デジタルIC 基礎の基礎:
PR:第9回 メモリ
(2012/6/25)

エネルギー技術 エネルギーハーベスティング:
塗るだけで発電する「ペンキ」の実現か
環境中から取り出せる微量のエネルギーを電力に変える環境発電技術。この環境発電技術が大きく前進しそうだ。NECと東北大学は液体材料を塗りつけて薄い膜を作り、微弱な温度差で発電することに成功した。大面積化に向き、曲面にも対応できる。開発品で利用したスピンゼーベック効果について併せて解説する。(2012/6/20)

EE Times Japan Weekly Top10:
「モノのインターネット」の多様なアイデアを写真でチェックしよう!
EE Times Japanで先週(2012年6月10日〜6月16日)に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2012/6/18)

メモリ/ストレージ技術 SSD:
データセンター用SSDのコストが1/7に、ReRAM活用の新技術を中央大が開発
SSDのコストを劇的に削減しながら、性能と寿命も飛躍的に向上させられる技術が登場した。フラッシュメモリに新世代メモリ素子であるReRAMを組み合わせるハイブリッド型のSSDである。この成果を達成できたのは、これらメモリ素子自体の改良ではなく、データの読み書きを制御するコントローラを工夫したためである。(2012/6/12)

EE Times Japan Weekly Top10:
業界初を伝えるニュースに人気、「ReRAMマイコン」や「802.11ac対応Wi-Fi製品」など
EE Times Japanで先週(2012年5月13日〜5月19日)に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2012/5/21)

メモリ/ストレージ技術 ReRAM:
マイコンの進化を不揮発メモリが助ける、パナソニックが「ReRAM」を採用
新規の不揮発メモリが次々と最終製品への応用段階に進み始めた。SSD向けの「MRAM」、携帯電話機向けの「PRAM」、そして今度はマイコン向けの「ReRAM」だ。ReRAMは少ない電力で動作し、高密度化も可能な優れた性質を備える。パナニックはReRAMマイコンで、低消費電力が求められるスマートメーターやスマートフォン市場を狙う。(2012/5/15)

EE Times Japan Weekly Top10:
新たなメモリ技術「MRAM」の製品動向に注目集まる
EE Times Japanで先週(2012年5月6日〜5月12日)に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2012/5/14)

メモリ/ストレージ技術 SSD:
業界初のMRAM搭載SSD、バッファローが産業向けに製品化
バッファローメモリは、MRAM(磁気抵抗変化メモリ)をキャッシュメモリに使ったSSDを初めて製品化した。電源遮断に対する耐性が高いことや、起動スピードを高速化できることなどが特徴だ。(2012/5/8)



7月6日に米国等で、遅れて22日に日本でも配信を開始したスマホ向け位置情報ゲーム。街でスマホを持つ人がすべてポケモンGOプレイヤーに見えてしまうくらいの大ブームとなっているが、この盛り上がりがどれだけ継続するのか、この次に来る動きにも注目したい。

Oculus Riftに続く形で各社から次々と発表されたVRゴーグル。まだマニア向けという印象だが、ゲーム用途を中心に実用段階に進んでおり、決定打になるようなコンテンツが出てくれば、一気に普及が進む可能性もある。

ソフトバンクが買収を発表した半導体企業。既にスマホ市場では圧倒的なリーダーだが、今後IoTの時代が到来することで、ネットにつながるデバイスが爆発的に増加することが予測されており、そこでもスマホ同様のシェアを押さえられるのなら、確かにその成長性には期待が持てる。