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「RRAM」最新記事一覧

Resistance RAM

関連キーワード

「ムーアの法則」を超える新世代コンピューティングの鼓動:
電気がなくてもデータは消えない、メモリ技術の最新事情
前回は現在のコンピュータのアーキテクチャが抱える問題点とその回答の1つとして新しいアーキテクチャを紹介しました。今回は特にポイントとなる記憶領域について、詳しく解説します。(2016/12/2)

SnDアーキテクチャはもう限界だ:
PR:これからの組み込み機器のメモリ構成は「SRAM/FRAM+NORフラッシュ」
産業機器をはじめとした組み込み機器のメモリ構成が変わりつつある。これまで、組み込み機器のメモリは「DRAM+NANDフラッシュ」という構成が一般的だったが、今後組み込み向けの低容量、高信頼DRAM/NANDフラッシュの調達難が予想され、代替メモリへの切り替えが必要になっている。そこで、新たなメモリ構成として有力視されているのが、さらなる進化が見込まれるSRAM/FRAM、そしてNORフラッシュだ。(2016/12/1)

福田昭のストレージ通信(48) 抵抗変化メモリの開発動向(7):
SanDiskが語る、抵抗変化メモリの電気伝導メカニズム
今回は、抵抗変化メモリ(ReRAM)の記憶素子における電気伝導の原理について解説する。主な原理は7種類あるが、ReRAMの「高抵抗状態」と「低抵抗状態」を作り出すには、同じ原理が使われるとは限らないことも覚えておきたい。(2016/11/29)

福田昭のストレージ通信(47) 抵抗変化メモリの開発動向(6):
SanDiskが語る、抵抗変化メモリの消費電流と速度
今回は、抵抗変化メモリ(ReRAM)の主な性能に焦点を当てる。具体的にはスイッチング電流(書き込み電流)やスイッチング速度(動作速度)、スイッチング電圧という3つの観点から紹介する。(2016/11/22)

福田昭のストレージ通信 抵抗変化メモリの開発動向(5):
SanDiskが語る、抵抗変化メモリの多様な材料組成
今回から「抵抗変化メモリ(ReRAM)の研究開発動向」の本格的な解説に入る。まずは、過去の国際学会で発表された論文から、ReRAMの材料組成の傾向をみていく。(2016/11/14)

東芝、ディープラーニングを低消費電力で実現する「脳型プロセッサ」開発
東芝は、ディープラーニングを低消費電力で実行する、人間の脳を模した半導体回路を開発した。(2016/11/9)

「人間の脳を模した」:
東芝、深層学習を低消費電力で実現する半導体回路
東芝は2016年11月、ディープラーニング(深層学習)の処理を低い消費電力で実行する“人間の脳を模した”半導体回路「TDNN(Time Domain Neural Network)」を開発したと発表した。(2016/11/9)

富士通セミコン MB85AS4MT:
最大5MHz動作を可能にした4MビットのReRAM
富士通セミコンダクターは、メモリ容量4MビットのReRAMの提供を開始した。SPIインタフェースで最大5MHz動作を可能とし、5MHz動作時の読み出し動作電流は0.2mAとなっている。(2016/11/9)

福田昭のストレージ通信 抵抗変化メモリの開発動向(4):
SanDiskが語る、ストレージ・クラス・メモリの信頼性
SCMとはストレージ・クラス・メモリの略称で、性能的に外部記憶装置(ストレージ)と主記憶(メインメモリ)の間に位置するメモリである。前回は、SanDiskの講演から、SCMの性能とコストに関する比較をメモリセルレベルまで検討した。今回、信頼性について比較した部分をご紹介する。(2016/11/9)

福田昭のストレージ通信 抵抗変化メモリの開発動向(3):
SanDiskが語る、ストレージ・クラス・メモリの概要
ストレージ・クラス・メモリ(SCM)は、次世代の半導体メモリに最も期待されている用途である。今回は、このSCMの要件について、記憶密度やメモリアクセスの制約条件、メモリセルの面積の観点から紹介する。(2016/11/7)

福田昭のストレージ通信 抵抗変化メモリの開発動向(2):
SanDiskが語る、コンピュータのメモリ階層
今回は、SanDiskが語る“メモリ階層”について紹介する。2000年頃と2010年頃のメモリ階層を比較してみるとともに、2020年頃のメモリ階層を予想する。(2016/11/1)

福田昭のストレージ通信 抵抗変化メモリの開発動向(1):
SanDiskが語る、半導体不揮発性メモリの開発史
今回からは、国際学会で語られたSanDiskの抵抗変化メモリ(ReRAM)の研究開発動向について紹介していく。まずは、約60年に及ぶ「不揮発性メモリの歴史」を振り返る。(2016/10/28)

狙いはモバイルクラウド:
4DS Memoryが40nmプロセス適用のReRAMを開発
オーストラリアの4DS Memoryが、40nmプロセスを適用したReRAMを開発した。モバイルクラウドの分野をターゲットとする。(2016/10/24)

既存品の1万分の1以下:
消費電力0.01mWの水素センサー、ReRAMがヒントに
パナソニックは「CEATEC JAPAN 2016」(2016年10月4〜7日、千葉・幕張メッセ)で、現在開発中の水素検知センサーを展示した。水素検知センサーは、パナソニックが開発した新しい検出原理を採用したもので、既存品と感度は同等だが、消費電力が1万分の1以下となっている。(2016/10/6)

プロセス微細化を精力的に進める:
TSMCの7nm FinFET、2017年4月には発注可能に?
TSMCは米国カリフォルニア州サンノゼで開催されたイベントで、7nm FinFETプロセス技術について言及した。3次元(3D)パッケージングオプションを強化して、数カ月後に提供を開始する計画だという。(2016/9/28)

不揮発メモリの高容量化などが実現可能に:
酸化ハフニウム基強誘電体の基礎特性を解明
東京工業大学の清水荘雄特任助教らによる研究グループは、酸化ハフニウム基強誘電体の基礎特性を解明した。薄膜でも特性が劣化しない強誘電体の開発により、高速動作する不揮発メモリの高容量化や、強誘電体抵抗変化メモリの実用化が可能になるとみられている。(2016/9/13)

WDは不正会計問題についても言及:
東芝、3D NANDで世界獲るには「量産が課題」
東芝とウエスタンデジタルコーポ―レーションは、新製造棟「東芝四日市工場新第2製造棟(N-Y2)」の完成に伴い、3次元構造のNAND型フラッシュメモリに関する事業計画について説明した。(2016/7/20)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(14):
スピン注入型MRAMの不都合な真実
STT-MRAMの基礎を解説するシリーズ。最終回となる今回は、磁気トンネル接合(MTJ)を構成する固定層や磁性層に焦点を当てる。スピン注入型MRAMのMTJは、47層もの層で構成されている。これほどの層が必要なのにはきちんとした理由があるのだが、実は同時にそれがSTT-MRAMの弱点にもなっている。(2016/6/21)

「ITF 2016」で語られた半導体の未来(3):
FinFETサイズの物理的な限界は?
ベルギーで開催された「IMEC Technology Forum(ITF) 2016」では、2.5D(2.5次元)のチップ積層技術や、FinFETのサイズの物理的な限界についても触れられた。(2016/6/17)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(11):
スピン注入型MRAMの微細化(スケーリング)
STT-MRAMの記憶容量を拡大する最も基本的な方法が、微細化だ。現時点でSTT-MRAMは、研究レベルでかなりのレベルまで微細化できることが分かっている。実際の研究結果を交えて紹介しよう。(2016/6/7)

IMEC Technology Forum:
次世代メモリ、STT-MRAMが優勢か
IMECは、STT-MRAM(スピン注入磁化反転型磁気メモリ)を次世代メモリの最有力候補とみているようだ。(2016/6/2)

「VLSI技術シンポジウム 2016」プレビュー:
0.03μm2のSRAMから最先端のIII-V族FinFETまで
米国ハワイで2016年6月13〜16日に開催される「VLSI Symposia on VLSI Technology and Circuits(以下、VLSIシンポジウム)」は、最先端の半導体デバイス/回路技術が一堂に会する国際会議だ。VLSIシンポジウムを実行するVLSIシンポジウム委員会は4月20日、都内で記者説明会を開催し、同イベントの概要と注目論文を紹介した。(2016/4/25)

福田昭のデバイス通信 ARMが語る、最先端メモリに対する期待(16):
求む、「スーパーメモリ」
ARM Researchの講演内容を紹介してきたシリーズ。完結編となる今回は、ARMが「スーパーメモリ」と呼ぶ“理想的なメモリ”の仕様を紹介したい。現時点で、このスーパーメモリに最も近いメモリは、どれなのだろうか。(2016/4/14)

福田昭のデバイス通信(61):
IEDMで発表されていた3D Xpointの基本技術(後編)
前編に続き、IntelとMicron Technologyの次世代不揮発性メモリ「3D XPoint」について解説しよう。今回は、「オボニック・スレッショルド・スイッチ(OTS:Ovonic Threshold Switch)」と、材料について詳しく見ていきたい。(2016/2/1)

福田昭のデバイス通信(60):
IEDMで発表されていた3D XPointの基本技術(前編)
米国で開催された「ISS(Industry Strategy Symposium)」において、IntelとMicron Technologyが共同開発した次世代メモリ技術「3D XPoint」の要素技術の一部が明らかになった。カルコゲナイド材料と「Ovonyx」のスイッチを使用しているというのである。この2つについては、長い研究開発の歴史がある。前後編の2回に分けて、これらの要素技術について解説しよう。(2016/1/27)

ハイパーコンバージドインフラが主流になるか
SSDだけではない、2020年までに劇的変化を遂げる“サーバ”未来予想図
サーバアーキテクチャは10年間の集大成として大きな変化が起こっている。サーバパフォーマンスが増強されれば、データセンターがストレージとネットワークにアプローチする方法も変わっていくだろう。(2015/12/28)

「IEDM 2015」基調講演で:
「ムーアの法則を進める必要がある」――ARM
2015年12月7〜9日に開催された「IEDM 2015」の基調講演で、ARMのシニアリサーチャーであるGreg Yeric氏は、「半導体チップの微細化は一段と困難になっているが、それでもムーアの法則を続ける必要がある」と語った。(2015/12/10)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(7):
不揮発性メモリを脳神経コンピューティングに活用
今回はセッション16〜18の講演を紹介する。セッション17では、不揮発性メモリを利用したニューロモルフィックシステム(脳神経系を模倣した低消費電力システム)の講演が相次いだ。(2015/11/17)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(5):
14/16nm世代のSRAMと第3の2Dデバイス材料
今回のプレビューでは、セッション10〜12の内容を紹介する。セッション11では、ルネサス エレクトロニクスやSamsung ElectronicsがSRAM関連の技術を発表する。セッション12では、第3の2Dデバイス材料として注目を集める黒リン関連の発表に注目したい。(2015/11/11)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(4):
抵抗変化メモリとGaNデバイス
今回のプレビューでは、セッション7〜9を紹介する。セッション7では抵抗変化メモリ(ReRAM)の信頼性に関する発表が相次ぐ。セッション8では、3次元集積回路の製造技術がテーマだ。セッション9では、富士通と東京工業大学が試作した、96GHzの周波数で出力が3W/mmと高いInAlGaN/GaN HEMTなどが発表される。(2015/11/10)

SSDなどのフラッシュストレージを業界団体SNIAメンバーが解説
読めば分かる! フラッシュストレージの基本
最近、普及が進む「フラッシュストレージ」。さらに深く理解するため、その種類や普及の背景、導入効果などの基本的解説をお届けする。(2015/10/6)

頭脳放談:
第183回 IntelとMicronの新メモリ「3D Xpoint」が世界を変える!
IntelとMicron Technologyが共同開発中の新メモリ「3D Xpoint」。「速い」「安い」「消えない」といいことづくめのこのメモリは、ストレージクラス メモリの新しいスタンダードになるかもしれない。3D Xpointは、ストレージの世界を変えるのか?(2015/8/26)

IDF 2015:
インテルが3D XPointをデモ、SSDは2016年に
インテルが、開催中の「IDF 2015」で、2015年7月に発表したばかりの不揮発メモリ技術「3D XPoint」を使ったSSDのデモを披露した。デモでは、40万2100IOPS(Input/Output Per Second)の処理性能が出ていた。(2015/8/19)

画期的向上なれど詳細不明:
大解説! IntelとMicronが提唱した次世代メモリ規格「3D Xpoint Technology」
1000倍高速で10倍密度が増えて1000倍寿命が延びるというが、具体的内容は不明。説明会のやり取りと関係者への聞き取りから、その正体と先の見通しを解説する。(2015/8/14)

臆測呼ぶIntel/Micronの新メモリ:
「3D XPoint」は相変化メモリか――特許から詮索
Intel(インテル)とMicron(マイクロン)がこのほど発表した不揮発性メモリ「3D XPoint」は本当に相変化メモリの1つなのか? 筆者が特許をウェブで検索したところ、この見方を裏付ける結果となった。(2015/8/5)

スマホの駆動時間も飛躍的に延びる!?:
超低消費デバイスが作製できる強誘電体薄膜
東京工業大学の清水荘雄特任助教らの研究グループは、強誘電体の極薄単結晶膜の作製に成功した。極薄膜でも安定した特性の強誘電体膜が得られ、超高密度メモリやスマートフォンなどで消費電力を極めて小さくすることができる新型トランジスタの製造が可能だという。(2015/7/31)

5分でわかる最新キーワード解説:
SSDの限界を超える「ReRAM搭載SSD」
NAND型メモリの後継として期待されている「ReRAM(Resistive Random Access Memory)」とSSDを組み合わせることで、大容量高速化とエラー発生低減を狙う動きがあります。このSSDの限界を超える「ReRAM搭載SSD」について解説します。(2015/7/23)

福田昭のデバイス通信(27):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(16)〜次世代メモリへの期待
今回はSRAMの消費電力に視点を移す。CPUの電源電圧の低下に伴うSRAMビット不良や、待機時と動作時で大きく異なるSRAMの消費電力に焦点を当て、なぜ、次世代の不揮発性メモリ「スーパーメモリ」に期待がかかっているのかを説明しよう。(2015/6/2)

ビジネスニュース 業界動向:
“次世代メモリ”の域を出ないFRAM、量産規模を上げて低価格化を
SRAMやDRAM、EEPROMを置き換えるとして大いに期待されていたFRAMは、量産こそ始っているものの、完全に普及しているとはいえず、いまだに“次世代メモリ”の域を出ない。だが、一定のニーズはある。(2015/5/21)

自然エネルギー:
熱エネルギーを永続保存できる蓄熱素材を発見、損失ゼロの太陽熱発電実現に期待
東京大学大学院理学系研究科の大越慎一教授と筑波大学数理物質系の所裕子准教授らの研究グループは、永続的に熱エネルギーを保存できるセラミックス「蓄熱セラミックス(heat storage ceramics)」という新概念の物質を発見した。太陽熱発電システムや廃熱エネルギーの再生利用素材としての活用が期待される。(2015/5/14)

VLSIシンポジウム 2015 プレビュー(2):
デバイス技術の注目論文 〜7nm以降を狙う高移動度トランジスタ
今回は、メモリ分野、先端CMOS分野、非シリコン分野における採択論文の概要を紹介する。抵抗変化メモリ(ReRAM)や3次元縦型構造の相変化メモリ(PCM)に関する論文の他、GaNやSiGe、InGaAsなど、次世代の高移動度の化合物半導体を用いたトランジスタに関する技術論文の概要が紹介された。(2015/4/28)

2015 VLSIシンポジウム概要:
14nm SoCや新規メモリなどの研究成果を発表へ――日本の採択論文数は米国に次ぐ計27件
2015年6月に開催される国際学会「VLSI Technologyシンポジウム」と「VLSI Circuitsシンポジウム」の概要が明らかになった。IoT(モノのインターネット)社会の実現に向けたLSIのデバイス技術と回路技術などに関して、最先端の研究成果が披露される予定である。(2015/4/22)

ビジネスニュース 業界動向:
次世代メモリ市場、2020年には70億米ドル規模に
ReRAMやMRAMといった不揮発RAM市場は、今後急成長を遂げ、2020年には70億米ドル規模に拡大すると見られている。NAND型フラッシュメモリやDRAMに取って代わるには、微細化とビット当たりの価格が鍵になりそうだ。(2015/2/27)

徹底プレビュー「ISSCC2015の歩き方」(11):
メモリ編:次世代大容量フラッシュと次世代高速DRAMに注目
今回は、大容量化と高速化が進む半導体メモリに焦点を当てる。メモリ市場の二大勢力となっているDRAMとNANDフラッシュメモリについての講演が多い。15nmプロセスを採用したNANDフラッシュメモリや、車載マイコン向けフラッシュメモリ技術、次世代のDRAMインタフェースなどに関する発表がある。(2015/1/19)

SEMICON Japan 2014:
日立ハイテク、先端のシリコンエッチング装置などをアピール
日立ハイテクノロジーズは、「SEMICON Japan 2014」(2014年12月3〜5日)で、シリコン用エッチング装置などの製造プロセスソリューションや高分解能FEB測長装置をはじめとした計測・検査ソリューションなどを披露した。(2014/12/12)

ビジネスニュース 企業動向:
サンディスクが256GBのCFカード発表、読み取り速度は最大160Mバイト/秒
サンディスクは、読み取り転送速度が最大160Mバイト/秒と高速で、記憶容量が256Gバイトのコンパクトフラッシュ(CF)カードを開発した。2013年12月より出荷を始める。フルHD(1920×1080画素)や4k(4096×2160画素)動画など、映像の高品質化が進む中で、メディアに要求される高いデータレートと大容量化に対応した。新製品の発売に合わせ、それ以外のCFカードについても転送速度の高速化を図った。(2013/11/11)

ビジネスニュース:
Intelは9nm以降の技術を発表、IEDMのプログラムが決まる
2013年12月に開催される半導体素子の国際学会「IEDM 2013」では、FinFETとFDSOIに注目が集まりそうだ。TSMCは16nm FinFETの他、14nmのFDSOIについて論文を発表するという。Intelは、9nm以降で用いるトンネル電界効果トランジスタのモデリングについて説明するようだ。(2013/10/10)

ビジネスニュース:
DRAMに代わるカーボンナノチューブベースの不揮発性メモリ、開発加速へ
カーボンナノチューブ(CNT)を利用する不揮発性メモリ「NRAM」の開発を手掛ける米国のNanteroが、投資ラウンドで500万米ドルの追加資金を獲得した。DRAMに代わるメモリとしてNRAMの開発を進める同社への注目は、高まっているという。(2013/9/25)

EE Times Japan Weekly Top10:
COMPUTEX 2013でみたSSDの最新動向
EE Times Japanで先週(2013年7月7日〜7月13日)に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2013/7/16)

宮崎 仁のマイコン基礎の基礎:
PR:第6回 さまざまなメモリ・デバイス - RAMとROMそれぞれの進化 -
(2013/3/25)



多くの予想を裏切り、第45代アメリカ合衆国大統領選挙に勝利。貿易に関しては明らかに保護主義的になり、海外人材の活用も難しくなる見込みであり、特にグローバル企業にとっては逆風となるかもしれない。

携帯機としても据え置き機としても使える、任天堂の最新ゲーム機。本体+ディスプレイ、分解可能なコントローラ、テレビに接続するためのドックといった構成で、特に携帯機としての複数人プレイの幅が広くなる印象だ。

アベノミクスの中でも大きなテーマとされている働き方改革と労働生産性の向上。その実現のためには人工知能等も含むITの活用も重要であり、IT業界では自ら率先して新たな取り組みを行う企業も増えてきている。