トランジスタに関する記事

「トランジスタ」最新記事一覧

関連キーワード

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版：
世界を包む電子の神経網“モノのインターネット”が秘める可能性――統合電子版2012年5月号
「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2012年5月号を発行しました。Cover Storyの「世界を包む電子の神経網、“モノのインターネット”が秘める可能性」や、「Intelの新型CPU「Ivy Bridge」を早速解剖、3DトランジスタのTEM画像公開」、「シリコンパワーMOSFETの性能改善、素子構造よりもパッケージが効く時代」など、幅広い話題を掲載しました。（2012/5/14）

パワー半導体：
電源から電力を取り出す逆転の発想とは？
サーバ用電源では効率向上が強く求められている。富士通研究所は電源内部で発生する性質の異なった2種類の損失を防ぐために、それぞれ新規開発の技術を適用、94.8％の最高効率を実現した。特にトランジスタ内で生じるスイッチング損失を、一種の「回生回路」で再利用する取り組みが新しい。さまざまな機器の電源に応用できる。（2012/5/11）

オペアンプ＋トランジスタ“ちょい足し”回路集（2）：
駆動能力が足りない！出力電流を手軽に稼ぐ法
オペアンプICに個別トランジスタを“ちょい足し”して性能を高めたり機能を拡充する定番回路集。今回は、オペアンプ単体の駆動能力を超える、大きな出力電流を負荷に供給する方法を紹介します。インピーダンスの低い安価なスピーカーを駆動するといったケースに活用できます。（2012/5/9）

Wired, Weird：
トランジスタも捨てたものではない
さまざまな機能の回路がIC化されて流通している現在、個別素子のトランジスタを使う機会は少ないという方もいるかもしれない。しかしトランジスタは応用範囲が広く、使いこなせばとても便利だ。今回は、通常はオペアンプICやコンパレータICを使って構成する回路を、わずか3個のトランジスタで作る方法を紹介しよう。（2012/5/8）

第3世代がやってきたぞー！：
インテル、“Ivy Bridge”こと「第3世代Core」を正式発表
22ナノメートルプロセスルールと3Dトライゲートトランジスタ技術を導入した、インテルの新世代CPUが登場する。デスクトップPC向けモデルのTDPは最高で77ワットとなった。（2012/4/24）

プロセッサ/マイコン：
Intel、22nm技術で製造する新型プロセッサ「Ivy Bridge」を正式発売
Intelは2012年4月23日（米国時間）、「Ivy Bridge」と呼んで開発を進めていた「第3世代インテルCoreプロセッサー・ファミリー」を正式に発売した。同社が22nm世代の半導体製造プロセス技術を初めて適用するチップで、3次元ゲート構造のトランジスタを採用する。（2012/4/24）

製品解剖プロセッサ/マイコン：
Intelの新型CPU「Ivy Bridge」を早速解剖、3DトランジスタのTEM画像公開
UBM TechInsightsは、まだ公式発売前のIntelの「Ivy Bridge」を入手し、分析に着手した。Ivy Bridgeは、Intelが22nmプロセスで3次元構造のトランジスタを使って製造する新型プロセッサである。今回は初期の分析結果の一部として、チップ写真と断面画像が公開された。（2012/4/12）

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版：
「若手育成」に「回路設計」…今日から使える2つの新連載スタート！――統合電子版2012年4月号
「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2012年4月号を発行しました。4月号では、エンジニアの皆さまの日々の業務に役立つ、2つの新連載を掲載しました。1つは「いまどきエンジニアの育て方」、もう1つは「オペアンプ＋トランジスタ “ちょい足し”回路集」と題した連載です。CoverStoryは「もはやSFではない、“サイボーグ”技術」と、盛りだくさんの話題を詰め込みました。（2012/4/9）

オペアンプ＋トランジスタ“ちょい足し”回路集（1）：
センサー励起や回路バイアスに使える定電流源
オペアンプICに個別トランジスタを“ちょい足し”して性能を高めたり機能を拡充する定番回路集。今回は、センサーの励起用や回路の電流バイアス用に使える、高安定かつ高精度の定電流源を紹介します。（2012/4/5）

Wired, Weird：
トランジスタの“落とし穴”はブレークダウンにあり
電子回路に広く利用されているトランジスタは、長期間使用しているとブレークダウンに起因する劣化や破損を起こすことがある。ブレークダウンの要因は基板内に隠れていて見つけにくいが、絶対最大定格のある項目に注意を払うことで問題を解決できることがある。（2012/3/6）

ISSCC 2012 電源設計：
マイクロ波でモーター駆動の絶縁電源と光カプラを不要に、パナソニック開発
モーター用インバータなどに使う大電力トランジスタの絶縁型ゲート駆動回路を、1/10以下に小型化できるという。駆動用PWM信号で5.8GHzの搬送波を変調し、非接触で大電力トランジスタ側に伝える。ゲート駆動回路の絶縁電源とフォトカプラが不要になり、1個の半導体チップに回路全体を集積できるようになる。（2012/2/29）

ISSCC 2012：
Intelが「Ivy Bridge」の技術を発表、160mm2に14億のトランジスタを集積
Intelは、「Sandy Bridge」の後継となる「Ivy Bridge」の技術的な詳細をISSCC 2012で発表した。同社が描く「テラスケールクラスのクライアント」への一歩になる。（2012/2/23）

Analog ABC（アナログ技術基礎講座）：
第36回　「相対ばらつき」も考慮してBand Gap Referenceを設計
第33回以降、「Band Gap Reference（BGR）」について解説してきました。第33回ではBGR回路の基本原理、第34回と第35回では温度変化や電源雑音への対策を紹介しました。今回はBGR回路編の最終回として、「トランジスタの相対ばらつきと、BGR回路の起動」に焦点を当てます。（2012/2/22）

パワー半導体：
未来の省エネ材料に新候補、“酸化ガリウム”のトランジスタ動作が初実証
酸化ガリウムは、SiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）といった現在注目を集めるパワー半導体に比べ、バンドギャップが広いという特徴がある。酸化ガリウムを使った研究開発は始まったばかりだが、将来のパワー半導体材料としてさまざまな特徴がある。（2012/1/5）

プロセス技術タイミングデバイス：
「MEMSトランジスタ」をCMOSチップ上に作製、フィルタや発振器が集積可能に
CMOS技術で製造する半導体チップ上に、ギガヘルツオーダーの高周波信号源を集積し、タイミング生成機能を組み込めるという。研究チームによれば、これを応用することで、通信チャネル選択用フィルタや発振器などを、その他のCMOS回路とともに1枚のシリコンチップに搭載できるようになる。（2011/12/14）

プログラマブルロジック FPGA：
世界人口に相当するトランジスタが45mm角に、Xilinxが最大規模のFPGA出荷
単一のパッケージに複数のFPGAチップを納める独自技術を適用することで実現した最大規模品である。ロジック規模はASICゲート換算で2000万～4000万ゲートに相当し、トランジスタ数は68億個に達する。出荷を開始したのはエンジニアリングサンプル品で、量産品の出荷は2012年第4四半期の予定だ。（2011/10/26）

ラックスマン、トランジスタ式プリメインアンプ「505シリーズ」の最新モデル「L-505uX」を発売
ラックスマン、トランジスタ式プリメインアンプ「Xシリーズ」の第3弾として、電子制御アッテネーターLECUA搭載の「L-505uX」を発売。（2011/10/14）

Analog ABC（アナログ技術基礎講座）：
第32回　MOSFETのオペアンプを改善～裏返し回路で入出力特性向上～
第29回以降、バイポーラトランジスタの替わりに、MOSFETを使ってオペアンプを設計してきました。今回は、いよいよMOSFETを使ったオペアンプ設計編の最終回です。電源電圧付近で出力電圧が入力に追従できないという問題は前回解決しました。そこで、残されたGND側の特性の改善に取り組みましょう。（2011/8/30）

Analog ABC（アナログ技術基礎講座）：
第31回　MOSFETのオペアンプを改善～FETを変えず回路の工夫で特性向上～
今回は、前回に続いて、MOSFETを使ったオペアンプの特性の改善を進めます。前回は、オペアンプをボルテージフォロアとして使うと、出力電圧が電源電圧まで達しない原因を説明し、その対策として出力段のトランジスタの寸法を変えるという方法を紹介しました。今回は、トランジスタの寸法を変更しない改善方法を解説します。（2011/7/7）

ビジネスニュース市場予測：
パワートランジスタ市場は2011年に9％成長へ、IC Insightsが予測
パワートランジスタ市場の成長が著しい。2010年に44％成長した後、2015年まで成長し続ける見込みだ。IGBTモジュールと耐圧200V以下のFETが市場全体を引っ張る形だ。（2011/6/27）

プロセス技術：
「ムーアの法則はまだまだ継続」、Intelが3次元ゲート構造を22nmプロセスから採用
Intelは、「Tri-Gate」と呼ぶ独自の3次元ゲート構造のトランジスタ製造技術を、22nm世代の製造プロセスから採用すると発表した。（2011/5/6）

電子部品　タイミングデバイス：
シリコンタイミング～水晶市場を狙う新提案が続々
半世紀ほど前に、電子部品の世界で大きな世代交代が起きた。かつて主役を担った真空管に取って代わって、Si（シリコン）技術で製造するトランジスタがその座に着いたのである。「発振器にも、同じ変革が起きる」――。これまで発振器の市場では、水晶発振器が絶対的な地位を築いてきた。今その交代劇をもくろむのは、シリコン技術で製造するMEMS発振器やCMOS発振器を手掛ける半導体ベンダーだ。シリコン化の最新動向を紹介する。（2011/3/8）

電子ブックレット：
高周波GaN次世代素子が存在感、旧来素子からの移行が本格化
GaN（窒化ガリウム）材料を使う高周波信号増幅用の大電力トランジスタの普及が、さまざまな分野で着実に進んでいる。かつては、防衛分野をはじめとした限られた領域でしか利用されていなかったが、近年になって航空管制用レーダー装置や衛星通信基地局、気象レーダー装置、医療機器などの分野でも採用が進み始めた。さらに、携帯電話の基地局にも、すでに数多くの搭載事例がある。（2011/2/15）

電子ブックレット：
単分子トランジスタを試作、20年後の主力技術目指す
Si半導体技術の後を引き継ぐ候補の1つが分子デバイスだ。既存の微細化技術をいくら改良しても、分子1個分の寸法まで素子を小さくすることはできない。一方、分子デバイスであれば可能だ。分子デバイスのうち、最初に研究が進んだのが、C（炭素）だけからなるカーボンナノチューブである。カーボン・ナノチューブ以外にも論理回路自体を分子で構築しようという試みも進んでいる。（2011/2/15）

電子ブックレット：
微細化の限界に挑む
半導体の微細化を続けてきた結果、トランジスタの物性に起因する問題が顕在化し、これまでの技術の延長では、微細化を推し進めることが難しくなってきた。従来の研究開発を概観した後、これまでロジック回路の世界では使われてこなかった、磁性材料や強誘電体材料をロジック回路に導入する動きを解説する。（2011/2/15）

Analog ABC（アナログ技術基礎講座）：
第26回　MOSFETで増幅器を設計（2）
本連載では、第24回以降バイポーラトランジスタからMOSFETに話題を移し、アナログ回路設計の基本を紹介してきました。今回は、前回に引き続き、MOSFETを使った増幅器の設計方法を解説しましょう。（2011/2/8）

ラックスマン、トランジスタ式プリメインアンプ第2弾「L-550AX」
ラックスマン、トランジスタ式プリメインアンプのXシリーズ第2弾として、純A級増幅方式を採用した「L-550AX」を発表した。（2011/1/28）

無線通信技術 GaNデバイス：
高周波GaN次世代素子が存在感、旧来素子からの移行が本格化へ
高周波信号の大電力増幅に用いる素子（デバイス）として、GaN（窒化ガリウム）材料を使うトランジスタが存在感を増している。これまで電子管やGaAs(ガリウム・ヒ素) FET、Si（シリコン） LDMOSといったデバイスが使われていた応用分野で、GaNトランジスタへの移行が進む条件が整い始めているのだ。GaNデバイスの魅力とは。置き換えが進む条件とは。製品の開発状況は。背景や動向をまとめた。（2011/1/11）

Analog ABC（アナログ技術基礎講座）：
第24回　MOSFETの基本を理解する
今回からは、バイポーラトランジスタよりも広く使われている「CMOSトランジスタ」に注目して、特徴や利点、欠点などを紹介していきます。（2010/12/10）

完全新設計：
ラックスマン、トラディショナル・プリメインアンプ「L-590AX」
ラックスマンは、トランジスター式プリメインアンプのXシリーズ第一弾として、純A級増幅方式を採用した「L-590AX」を発表した。（2010/9/10）

IBM、5.2GHzの世界最速プロセッサ発表
IBMの「z196」プロセッサは14億個のトランジスタを集積し、同社の新しいメインフレームに搭載される。（2010/9/3）

脳型コンピューター、テレパシー、平均寿命200歳――孫社長が語った「最後の大ぼら」
「私が現役社長として行う一番大事なスピーチ」――。ソフトバンクが行った「新30年ビジョン発表会」で、孫社長が300年後の世界と今後30年のビジョンを語った。孫氏は、CPUのトランジスタ数が2018年には大脳の神経細胞の総数を超え、100年後には1垓（がい）倍になると予想。人智を超えた脳型コンピューターが生まれると話す。（2010/6/28）

プロセス技術：
【VLSI 2010】東芝、16nm以降で役立つナノワイヤトランジスタを高性能化
（2010/6/22）

製造プロセス：
単分子トランジスタを試作、20年後の主力技術目指す
Si（シリコン）半導体技術の限界はどこにあるのだろうか。Si半導体技術の限界は見えるところまで来ている。Si半導体技術の後を引き継ぐ候補の1つが分子デバイスだ。（2010/5/12）

プロセス技術：
微細化の限界に挑む、Siと新材料の融合で新たな展望も
半導体製品、特にSi（シリコン）材料を使ったトランジスタの歴史を振り返るとき、「微細化」が重要なキーワードであることは間違いない。微細化に伴って、50年あまりの間にトランジスタの処理性能は劇的に高まり、寸法は小さくなった。ところが、2000 年代に入り、状況が変わってきた。ところが、2000 年代に入り、状況が変わってきた。（2010/3/2）

IBM、100GHzグラフェントランジスタを開発
IBMが、シリコンではなくグラフェンという新素材を使って、最高速のトランジスタを開発した。（2010/2/8）

Analog ABC（アナログ技術基礎講座）：
第8回　エミッタ接地回路にばらつき対策施す
前回はエミッタ接地回路の温度特性の改善方法を紹介しました。温度変化に対して安定した特性を得られたので、これで良しとしたいところですが、まだ検討しなければならないことがあります。それは、トランジスタの個性、すなわち「製造ばらつき」への対策です。（2009/10/9）

Analog ABC（アナログ技術基礎講座）：
第6回　エミッタ接地回路の定数を決める
前回は、トランジスタには3つの接地方式があることを紹介しました。今回はそのうちの1つ「エミッタ接地回路」を取り上げます。（2009/9/9）

Analog ABC（アナログ技術基礎講座）：
第5回　トランジスタには接続方法が3つ
アナログ回路を設計する上で、トランジスタの基本的な動作や特性、接続方法を理解するのは大切なことです。本連載でも、トランジスタを活用したさまざまな回路を紹介する予定です。まずはその前準備として、トランジスタの動作や接続方法について大まかに説明します。（2009/8/20）

日曜日の歴史探検：
Beyond CMOS――有機分子がシリコンを駆逐する日
トランジスタの主流を占めるシリコン系CMOS。このまま高集積化を進めることは困難になりつつあります。半導体業界が1つのコンセプトとして示している「Beyond CMOS」では、シリコンから有機分子に軸足が移っていくかもしれません。（2009/7/5）

SiGeが切り開く半導体の未来
SiGe（シリコンゲルマニウム）を用いた半導体製造プロセスでは、シリコンのみを用いた場合よりも低ノイズでより高速なトランジスタを実現できる。このことによって、アナログ回路の設計者は、多くのメリットを享受することができる。本稿では、今後さらに重要になるであろうSiGe半導体技術について解説する。（2009/7/1）