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「トランジスタ」最新記事一覧

Intelの10nm、GFの7nm:
最先端プロセスの最新論文が一堂に IEDM 2017
2017年11月に米国で開催される「IEDM」では、IntelやGLOBALFOUNDRIES(GF)が、それぞれの最先端プロセスの詳細を発表するようだ。その他、FinFETに代わる次世代トランジスタ技術に関する論文発表などが相次ぐ。(2017/10/20)

福田昭のストレージ通信(79) 強誘電体メモリの再発見(23):
強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する(後編)
前編に続き、二酸化ハフニウム系強誘電体材料を使った強誘電体トランジスタ(FeFET)で多値メモリを実現する仕組みを解説する。特に、2つのドメインで構成されたFeFETの長期信頼性の評価に焦点を当てる。(2017/10/2)

福田昭のストレージ通信(78) 強誘電体メモリの再発見(22):
強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する(前編)
今回から2回にわたり、二酸化ハフニウム系強誘電体材料を使った強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する仕組みについて紹介する。(2017/9/26)

福田昭のストレージ通信(77) 強誘電体メモリの再発見(21):
二酸化ハフニウムを使った強誘電体トランジスタの研究開発(後編)
後編では、二酸化ハフニウム系強誘電体トランジスタ(FeFET)の特性について見ていこう。動作電圧やデータ書き込み時間などは十分に良い特性だが、長期信頼性については大幅な改善が必要になっている。(2017/9/21)

福田昭のストレージ通信(76) 強誘電体メモリの再発見(20):
二酸化ハフニウムを使った強誘電体トランジスタの研究開発(前編)
今回から、「二酸化ハフニウム系強誘電体材料」を使った強誘電体トランジスタ(FeFET)の研究開発状況を報告する。二酸化ハフニウム系強誘電体薄膜は、厚みがわずか7nm程度でも強誘電性を有することが確認されていて、このため、FeFETを微細化できることが大きな特長となっている。(2017/9/15)

福田昭のストレージ通信(75) 強誘電体メモリの再発見(19):
従来型材料を使った強誘電体トランジスタの研究開発(後編)
強誘電体トランジスタ(FeFET:Ferroelectric FET)の研究をけん引したのは、日本の産業技術総合研究所(産総研)だった。後編では、産総研が開発したFeFETと、強誘電体不揮発性メモリを、同研究所の成果発表に沿って紹介していこう。(2017/9/12)

磁気力によるイオン輸送を利用:
NIMS、磁場のみで動作するトランジスタ開発
物質・材料研究機構(NIMS)は、磁気でイオンを輸送するという、これまでとは異なる原理で動作するトランジスタを開発した。(2017/9/11)

福田昭のストレージ通信(74) 強誘電体メモリの再発見(18):
従来型材料を使った強誘電体トランジスタの研究開発(前編)
強誘電体トランジスタ(FeFET)の原理は比較的単純だが、トランジスタの設計と製造は極めて難しい。1990年代前半から開発が続く中、約30日というデータ保持期間を強誘電体トランジスタで初めて実現したのは、日本の産業技術総合研究所(産総研)だった。(2017/9/7)

福田昭のストレージ通信(73) 強誘電体メモリの再発見(17):
究極の高密度不揮発性メモリを狙う強誘電体トランジスタ
今回は、1個のトランジスタだけでメモリセルを構成できる「FeFET(Ferroelectric FET)」または「強誘電体トランジスタ」について解説する。FeFETは、構造はシンプルだが、トランジスタの設計はかなり複雑になる。(2017/9/5)

既存の微細プロセスを適用可能:
分子を用いた縦型共鳴トンネルトランジスタ
物質・材料研究機構(NIMS)らの研究グループは、分子を量子ドットとして用いた縦型共鳴トンネルトランジスターを作製し、その動作を実証することに成功した。(2017/8/4)

NXP MRF13750H:
67%効率で750Wを出力できるパワートランジスタ
NXPセミコンダクターズは、50VシリコンLDMOSをベースにした、915MHzアプリケーション向けパワートランジスタ「MRF13750H」を発表した。915MHz時に、67%の効率で750W出力を提供できる。(2017/7/10)

NXP AFV10700H:
UAV用トランスポンダー向けRF LDMOSトランジスタ
NXPセミコンダクターズは、無人航空機(UAV)用のトランスポンダー向けRF LDMOSトランジスタ「AFV10700H」を発表した。サイズはクレジットカードの約半分と小型ながら、最大700W出力を可能にした。(2017/6/27)

FinFET代替なるか:
IBM、5nmナノシートで画期的成果を発表
IBMなどが積層シリコンナノシートをベースにした新しいトランジスタ(シリコンナノシートトランジスタ)アーキテクチャを開発した。5nmノードの実現に向けて、FinFETに代わる技術として注目される。(2017/6/12)

人工知能ニュース:
210億のトランジスタから構成される、第7世代のGPUアーキテクチャを発表
米NVIDIAは、210億のトランジスタから構成される第7世代のGPUアーキテクチャ「Volta」と、Voltaをベースとしたプロセッサ「NVIDIA Tesla V100 データセンター GPU」を発表した。(2017/5/29)

使い捨てできるほど安くなる?:
薄膜にTFTを印刷、安価なディスプレイが実現か
アイルランドの研究機関が、標準的な印刷プロセスを使って、薄膜にTFT(薄膜トランジスタ)を印刷する技術を開発したと発表した。グラフェンや金属カルコゲナイドなどの2次元物質を用いたもので、実用化されれば、使い捨てにできるほど安価なディスプレイを製造できる可能性がある。(2017/4/27)

NXP MRFX1K80:
最大65Vに対応する1800Wの連続波RFトランジスタ
NXPセミコンダクターズは、最大65Vまでの電源電圧に対応する新たなLDMOS技術を発表した。併せて、同技術をベースとした連続波(CW)RFトランジスタ「MRFX1K80」を開発し、サンプル提供を開始した。(2017/4/26)

AEC-Q101準拠GaNでいよいよ自動車にも:
PR:GaNで魅力をプラス! GaNパワートランジスタで差異化を図った製品が続々登場
GaNパワーデバイスを用いた機器の製品化が相次いでいる。先日開催された展示会「TECHNO-FRONTIER 2017」でも、GaNのメリットを生かした革新的な製品が披露され大きな注目を集めた。そこで本稿では、車載向け信頼性基準AEC-Q101準拠品なども登場しているGaNパワートランジスタを搭載した製品を詳しく見ていきながら、GaNの魅力や、GaNは本当に使えるデバイスなのかを確かめていく。(2017/4/24)

電気特性劣化の要因特定が可能に:
多結晶Siトランジスタの性能と結晶性の関係を評価
東芝は、薄膜多結晶シリコン(Si)トランジスタのチャネル(電流経路)部の性能と結晶性の関係を可視化する技術を開発した。その結果、個々の多結晶トランジスタの性能が結晶粒の平均的な大きさだけでなく、トランジスタのチャネル部を横断する結晶粒界の有無にも大きく依存することが明らかになった。(2017/4/10)

微細化の限界に備える:
半導体業界がポストCMOS開発に本腰
2017年3月に、「CMOSトランジスタの微細化は2024年ごろに終息する」との予測が発表された。半導体業界は今、ポストCMOSの開発をより一層加速しようとしている。(2017/4/3)

慶応大の黒田忠広氏が語る:
近接場結合を用いた3D集積、電力効率の1桁改善を
電力効率の改善なくして、性能改善なし。 慶応義塾大学の理工学部電子工学科で教授を務める黒田忠広氏は、講演内でこう語る。電力効率の改善には新しいトランジスタ構造などの導入が検討されているが、黒田氏が提案するのは「近接場結合」による3D集積技術である。(2017/3/1)

5.8K以下で電気抵抗ゼロに:
東大ら、単一ナノチューブで超伝導特性を初観測
東京大学らの研究グループは、二硫化タングステンナノチューブがトランジスタに動作し、超伝導特性が発現することを発見した。(2017/2/24)

イノベーションは日本を救うのか 〜シリコンバレー最前線に見るヒント〜(11):
もしもショックレーがカリフォルニアに来なかったら
今回は、話をシリコンバレーの歴史に戻してみたい。現在のシリコンバレーに発展する源泉を作ったのは、トランジスタの発明者であるウィリアム・ショックレーであろう。では、彼がいなければ、シリコンバレーはどうなっていたのだろうか。(2017/2/3)

専門家が見解を披露:
ISS 2017で語られた半導体技術の今後(前編)
米国で開催された「Industry Strategy Symposium(ISS)」(2017年1月8〜11日)では、半導体技術の今後に関する議論が幾つか展開された。ナノワイヤトランジスタやGAA(Gate All Around)トランジスタといった次世代トランジスタ技術や、増加の一途をたどる設計コストなどについて、専門家たちが見解を披露している。(2017/1/19)

電子ブックレット(EDN):
GaNに対する疑念を晴らす
EDN Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、シリコンの限界を超えて設計を深化させることが可能なGaNパワートランジスタの本当の利点を引き出すために必要なことを解説します。(2017/1/1)

頭脳放談:
第199回 時代は再び真空管へ?
いまや真空管を見かけることはほとんどない。しかし、電気的な性能でトランジスタに負けていたわけではない。カリフォルニア大学サンディエゴ校が新しい真空管(?)を開発したという。その特徴は……。(2016/12/21)

3分の1スケーリングで実証:
東工大、微細化でIGBTのオン抵抗を半減
東京工業大学は、微細加工技術によりシリコンパワートランジスタの性能を向上させることに成功したと発表した。従来に比べオン抵抗を約50%低減できることを実証した。(2016/12/7)

トンネルFET:
新原理のトランジスタによるLSI動作実証に成功
産業技術総合研究所は2016年12月5日、新原理のトランジスタ「トンネルFET」を用いたLSIの動作実証に成功したことを明らかにした。(2016/12/6)

採用事例も紹介:
窒化ガリウム、D級オーディオの音質と効率を向上
窒化ガリウム(GaN)ベースのスイッチング・トランジスタを用いたD級オーディオ・アンプの実用化が始まっている。これまでD級オーディオシステムで用いられてきたシリコン(Si)ベースのトランジスタはどういった課題を抱えてきたのかを振り返りつつ、GaNベースのトランジスタを紹介する。(2016/12/9)

NXP Airfast 3 RFパワートランジスタ:
マクロ基地局向け高出力LDMOSパワートランジスタ
NXPセミコンダクターズは、1805M〜2690MHzで動作する携帯電話のマクロ基地局向けのLDMOSトランジスタ「Airfast 3 RFパワートランジスタ」を発表した。最大53%の効率を達成している。(2016/10/26)

ムーアの法則“延命”の鍵?:
ゲート長1nmのトランジスタ、CNT活用で米が開発
米国のローレンスバークレー国立研究所が、カーボンナノチューブ(CNT)をゲートに用いて、ゲート長がわずか1nmのトランジスタを開発した。(2016/10/17)

福田昭のデバイス通信(93):
「SEMICON West 2016」、Synopsysが予測する5nm世代のトランジスタ技術
Synopsysの講演では、5nm世代のトランジスタのシミュレーション評価結果が報告された。この結果からはFinFETの限界が明確に見えてくる。5nm世代に限らず、プロセスの微細化が進むと特に深刻になってくるのが、トランジスタ性能のばらつきだ。(2016/10/14)

ロボットをビジネスに生かすAI技術(3):
シンギュラリティ(技術的特異点)――人間の脳を超える「強いAI」はいつ生まれるのか
Pepperや自動運転車などの登場で、エンジニアではない一般の人にも身近になりつつある「ロボット」。ロボットには「人工知能/AI」を中心にさまざまなソフトウェア技術が使われている。本連載では、ソフトウェアとしてのロボットについて、基本的な用語からビジネスへの応用までを解説していく。今回は、シンギュラリティ、2045年問題、トランジスタと人間の脳、ムーアの法則について。(2016/12/5)

Arduinoで学ぶ基礎からのモーター制御:
基礎からのマイコンモーター制御(9):定番IC「TA7291A」でバイポーラ型ステッピングモーターを駆動する
ステッピングモーターを制御する時、トランジスタで回路を組んでもよいのですが、制御用ICなどを用いる方が便利です。今回は定番IC「TA7291A」でバイポーラ型ステッピングモーターを制御します。(2016/8/25)

新たな太陽電池や発光デバイスの開発へ:
両極性動作する有機モット転移トランジスタを実現
理化学研究所は2016年8月5日、有機物のモット絶縁体を利用して両極性動作する「モット転移トランジスタ」を実現したと発表した。軽量、柔軟で集積化が容易な有機モットトランジスタの開発に向けて1歩前進した。電圧だけでp型n型を制御できることから、モット絶縁体のpn接合が可能になれば、新たな太陽電池や発光デバイスの開発につながる可能性もあるという。(2016/8/8)

NXP Semiconductors A2G22S251-01Sなど:
携帯電話基地局向け48V窒化ガリウム(GaN)RFパワートランジスタ
NXPセミコンダクターズは、携帯電話基地局で使用されるドハティパワーアンプ向けに、48V窒化ガリウム(GaN)RFパワートランジスタを発表した。(2016/7/6)

日本TI CSD18541F5:
オン抵抗54mΩの60V パワーFemtoFETトランジスタ
日本テキサス・インスツルメンツは、60V動作のNチャネルパワーFemtoFETトランジスタを発表した。オン抵抗は54mΩで、従来のロードスイッチに比べ、システムの電力損失を90%削減できる。(2016/6/30)

単3電池1本で動作:
1000コア搭載のプロセッサ、米大学が披露
米国カリフォルニア大学デービス校工学部の学生たちが、6億2100万個のトランジスタを集積した1000コアのプロセッサを設計した。(2016/6/28)

「ITF 2016」で語られた半導体の未来(4):
FinFETの次なるトランジスタはナノワイヤ?
ベルギーで開催された「IMEC Technology Forum 2016(ITF 2016)」(2016年5月24〜25日)では、FinFETの次なるトランジスタとして、ナノワイヤが話題に上った。(2016/6/22)

NXP A2G22S251-01Sなど4種:
高周波数を実現したGaN RFパワートランジスタ
NXPセミコンダクターズは、携帯電話基地局で使用するドハティパワーアンプ向けに、48V窒化ガリウム RFパワートランジスタ4種を発表した。全体で1805MHz〜3600MHzの周波数をカバーする。(2016/6/21)

ホワイトペーパー:
Computer Weekly日本語版:新トランジスタで蘇るムーアの法則
巻頭特集は、半導体分野で生まれたブレークスルーを紹介。従来の性能を大幅に引き上げる可能性を秘めた新トランジスタとは? 他に、PowerShellが新たなセキュリティ脅威になった現状、関数型言語Erlang活用事例、医療分野にコスト革命を起こしたRaspberry Pi、オールフラッシュアレイ動向などをお届けする。(2016/5/23)

フレキシブル基板上に、常温で有機TFT形成:
解像度1μmで回路を印刷、移動度も実用レベル
物質・材料研究機構(NIMS)の三成剛生氏らによる研究チームは、線幅/線間1μmの解像度で金属配線および薄膜トランジスター(TFT)を形成する印刷技術を開発した。フレキシブル基板上に素子を形成し、移動度が実用レベルであることも確認した。(2016/5/20)

モバイルデバイスに革命か!?
「ムーアの法則」の復権──消費電力を1/100にする新トランジスタの可能性
IBMが研究を進めている「圧電効果トランジスタ」は、消費電力を大幅に抑える可能性を秘めている。CPUの高速化、バッテリー寿命の延長、デバイスの小型化などが実現するかもしれない。(2016/5/17)

省電力デバイスへの応用期待:
低閾値電圧の有機Trを実現する化合物を安定合成
東京工業大学は2016年5月、閾(しきい)値電圧の低い有機トランジスタ(Tr)として機能する化合物を安定的に合成する手法を開発した。(2016/5/12)

4月30日:ソニーが世界初のポータブルトランジスタテレビを発表
(2016/4/30)

NXP MRF1K50H/MRF1K50N:
高い耐反射/放熱特性を持つ1500W RFトランジスタ
NXPセミコンダクターズジャパンは、「いかなる周波数帯でも動作し、最高の出力を提供する」(同社)というRFトランジスタ「MRF1K50H」を発表した。MRF1K50Hは、50V時に1.50kW CWを提供。高出力RFアンプのトランジスタ数が削減でき、アンプサイズとBOMコストが低減する。(2016/4/28)

LSIの低消費電力と高速動作を両立:
グラフェンに勝る!? 新二次元材料でトランジスタ
東京工業大学(東工大)の宮本恭幸教授らによる共同研究チームは、新しい二次元材料である二硫化ハフニウムを用いたMOSトランジスタを開発した。二硫化ハフニウムが、電子デバイスを高速かつ低消費電力で動作させることが可能な新材料であることを示した。(2016/4/28)

GaNデバイスの潜在能力を最大限引き出す:
TIが600V動作GaN製品、駆動回路を内蔵
日本テキサス・インスツルメンツ(日本TI)は、動作電圧600V、オン抵抗70mΩのGaN(窒化ガリウム)FET(電界効果トランジスタ)とその駆動回路を、ワンパッケージに統合した出力電流12Aのパワーステージ「LMG3410」を開発、エンジニアリングサンプル(ES)品の出荷を始めた。(2016/4/26)

次世代の省電力・高速演算スピンデバイス実現へ:
2種類の永久スピンらせん状態間を電気的に制御
東北大学大学院工学研究科の吉住孝平氏らの研究グループは、スピン演算素子に必要な「永久スピンらせん状態」と「逆永久スピンらせん状態」間の電界制御に成功した。相補型電界効果スピントランジスターやスピン量子情報など、電子スピンを用いた次世代デバイスの実現に寄与する技術とみられている。(2016/4/12)

Wired, Weird:
“アナログ・プレゼンタイマー”の製作
今回は、オリジナル回路「シリアルオシレーター」と「シリアルタイマー」を組み合わせたプレゼンタイマーの作り方を紹介しよう。トランジスタの動作を理解するためにも良い回路であり、これから電子回路を学ぶ読者にオススメだ。(2016/4/8)

新しいトランジスタのアイデアも:
FinFETの父、「半導体業界は次の100年も続く」
“FinFETの父”と呼ばれる研究者のChenming Hu氏は、Synopsysのユーザー向けイベントで、「半導体業界が次の100年も続くと確信している」と述べ、業界の未来が決して暗いものではないと主張した。同氏は新しいトランジスタのアイデアとして、NC-FET(負性容量トランジスタ)についても言及した。(2016/4/7)



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意欲的なメディアミックスプロジェクトとしてスタートしたものの、先行したスマホゲームはあえなくクローズ。しかしその後に放映されたTVアニメが大ヒットとなり、多くのフレンズ(ファン)が生まれた。動物園の賑わい、サーバルキャットの写真集完売、主題歌ユニットのミュージックステーション出演など、アニメ最終回後もその影響は続いている。

ITを活用したビジネスの革新、という意味ではこれまでも多くのバズワードが生まれているが、デジタルトランスフォーメーションについては競争の観点で語られることも多い。よくAmazonやUberが例として挙げられるが、自社の競合がこれまでとは異なるIT企業となり、ビジネスモデルレベルで革新的なサービスとの競争を余儀なくされる。つまり「IT活用の度合いが競争優位を左右する」という今や当たり前の事実を、より強調して表現した言葉と言えるだろう。