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「トランジスタ」最新記事一覧

NXP Airfast 3 RFパワートランジスタ:
マクロ基地局向け高出力LDMOSパワートランジスタ
NXPセミコンダクターズは、1805M〜2690MHzで動作する携帯電話のマクロ基地局向けのLDMOSトランジスタ「Airfast 3 RFパワートランジスタ」を発表した。最大53%の効率を達成している。(2016/10/31)

ムーアの法則“延命”の鍵?:
ゲート長1nmのトランジスタ、CNT活用で米が開発
米国のローレンスバークレー国立研究所が、カーボンナノチューブ(CNT)をゲートに用いて、ゲート長がわずか1nmのトランジスタを開発した。(2016/10/17)

福田昭のデバイス通信(93):
「SEMICON West 2016」、Synopsysが予測する5nm世代のトランジスタ技術
Synopsysの講演では、5nm世代のトランジスタのシミュレーション評価結果が報告された。この結果からはFinFETの限界が明確に見えてくる。5nm世代に限らず、プロセスの微細化が進むと特に深刻になってくるのが、トランジスタ性能のばらつきだ。(2016/10/14)

Arduinoで学ぶ基礎からのモーター制御:
基礎からのマイコンモーター制御(9):定番IC「TA7291A」でバイポーラ型ステッピングモーターを駆動する
ステッピングモーターを制御する時、トランジスタで回路を組んでもよいのですが、制御用ICなどを用いる方が便利です。今回は定番IC「TA7291A」でバイポーラ型ステッピングモーターを制御します。(2016/8/25)

新たな太陽電池や発光デバイスの開発へ:
両極性動作する有機モット転移トランジスタを実現
理化学研究所は2016年8月5日、有機物のモット絶縁体を利用して両極性動作する「モット転移トランジスタ」を実現したと発表した。軽量、柔軟で集積化が容易な有機モットトランジスタの開発に向けて1歩前進した。電圧だけでp型n型を制御できることから、モット絶縁体のpn接合が可能になれば、新たな太陽電池や発光デバイスの開発につながる可能性もあるという。(2016/8/8)

NXP Semiconductors A2G22S251-01Sなど:
携帯電話基地局向け48V窒化ガリウム(GaN)RFパワートランジスタ
NXPセミコンダクターズは、携帯電話基地局で使用されるドハティパワーアンプ向けに、48V窒化ガリウム(GaN)RFパワートランジスタを発表した。(2016/7/6)

日本TI CSD18541F5:
オン抵抗54mΩの60V パワーFemtoFETトランジスタ
日本テキサス・インスツルメンツは、60V動作のNチャネルパワーFemtoFETトランジスタを発表した。オン抵抗は54mΩで、従来のロードスイッチに比べ、システムの電力損失を90%削減できる。(2016/6/30)

単3電池1本で動作:
1000コア搭載のプロセッサ、米大学が披露
米国カリフォルニア大学デービス校工学部の学生たちが、6億2100万個のトランジスタを集積した1000コアのプロセッサを設計した。(2016/6/28)

「ITF 2016」で語られた半導体の未来(4):
FinFETの次なるトランジスタはナノワイヤ?
ベルギーで開催された「IMEC Technology Forum 2016(ITF 2016)」(2016年5月24〜25日)では、FinFETの次なるトランジスタとして、ナノワイヤが話題に上った。(2016/6/22)

NXP A2G22S251-01Sなど4種:
高周波数を実現したGaN RFパワートランジスタ
NXPセミコンダクターズは、携帯電話基地局で使用するドハティパワーアンプ向けに、48V窒化ガリウム RFパワートランジスタ4種を発表した。全体で1805MHz〜3600MHzの周波数をカバーする。(2016/6/21)

ホワイトペーパー:
Computer Weekly日本語版:新トランジスタで蘇るムーアの法則
巻頭特集は、半導体分野で生まれたブレークスルーを紹介。従来の性能を大幅に引き上げる可能性を秘めた新トランジスタとは? 他に、PowerShellが新たなセキュリティ脅威になった現状、関数型言語Erlang活用事例、医療分野にコスト革命を起こしたRaspberry Pi、オールフラッシュアレイ動向などをお届けする。(2016/5/23)

フレキシブル基板上に、常温で有機TFT形成:
解像度1μmで回路を印刷、移動度も実用レベル
物質・材料研究機構(NIMS)の三成剛生氏らによる研究チームは、線幅/線間1μmの解像度で金属配線および薄膜トランジスター(TFT)を形成する印刷技術を開発した。フレキシブル基板上に素子を形成し、移動度が実用レベルであることも確認した。(2016/5/20)

モバイルデバイスに革命か!?
「ムーアの法則」の復権──消費電力を1/100にする新トランジスタの可能性
IBMが研究を進めている「圧電効果トランジスタ」は、消費電力を大幅に抑える可能性を秘めている。CPUの高速化、バッテリー寿命の延長、デバイスの小型化などが実現するかもしれない。(2016/5/17)

省電力デバイスへの応用期待:
低閾値電圧の有機Trを実現する化合物を安定合成
東京工業大学は2016年5月、閾(しきい)値電圧の低い有機トランジスタ(Tr)として機能する化合物を安定的に合成する手法を開発した。(2016/5/12)

Computer Weekly:
「ムーアの法則」の復権──消費電力を1/100にする新トランジスタの可能性
IBMが研究を進めている「圧電効果トランジスタ」は、消費電力を大幅に抑える可能性を秘めている。CPUの高速化、バッテリー寿命の延長、デバイスの小型化などが実現するかもしれない。(2016/5/11)

4月30日:ソニーが世界初のポータブルトランジスタテレビを発表
(2016/4/30)

NXP MRF1K50H/MRF1K50N:
高い耐反射/放熱特性を持つ1500W RFトランジスタ
NXPセミコンダクターズジャパンは、「いかなる周波数帯でも動作し、最高の出力を提供する」(同社)というRFトランジスタ「MRF1K50H」を発表した。MRF1K50Hは、50V時に1.50kW CWを提供。高出力RFアンプのトランジスタ数が削減でき、アンプサイズとBOMコストが低減する。(2016/4/28)

LSIの低消費電力と高速動作を両立:
グラフェンに勝る!? 新二次元材料でトランジスタ
東京工業大学(東工大)の宮本恭幸教授らによる共同研究チームは、新しい二次元材料である二硫化ハフニウムを用いたMOSトランジスタを開発した。二硫化ハフニウムが、電子デバイスを高速かつ低消費電力で動作させることが可能な新材料であることを示した。(2016/4/28)

GaNデバイスの潜在能力を最大限引き出す:
TIが600V動作GaN製品、駆動回路を内蔵
日本テキサス・インスツルメンツ(日本TI)は、動作電圧600V、オン抵抗70mΩのGaN(窒化ガリウム)FET(電界効果トランジスタ)とその駆動回路を、ワンパッケージに統合した出力電流12Aのパワーステージ「LMG3410」を開発、エンジニアリングサンプル(ES)品の出荷を始めた。(2016/4/26)

次世代の省電力・高速演算スピンデバイス実現へ:
2種類の永久スピンらせん状態間を電気的に制御
東北大学大学院工学研究科の吉住孝平氏らの研究グループは、スピン演算素子に必要な「永久スピンらせん状態」と「逆永久スピンらせん状態」間の電界制御に成功した。相補型電界効果スピントランジスターやスピン量子情報など、電子スピンを用いた次世代デバイスの実現に寄与する技術とみられている。(2016/4/12)

Wired, Weird:
“アナログ・プレゼンタイマー”の製作
今回は、オリジナル回路「シリアルオシレーター」と「シリアルタイマー」を組み合わせたプレゼンタイマーの作り方を紹介しよう。トランジスタの動作を理解するためにも良い回路であり、これから電子回路を学ぶ読者にオススメだ。(2016/4/8)

新しいトランジスタのアイデアも:
FinFETの父、「半導体業界は次の100年も続く」
“FinFETの父”と呼ばれる研究者のChenming Hu氏は、Synopsysのユーザー向けイベントで、「半導体業界が次の100年も続くと確信している」と述べ、業界の未来が決して暗いものではないと主張した。同氏は新しいトランジスタのアイデアとして、NC-FET(負性容量トランジスタ)についても言及した。(2016/4/7)

もはや「次世代」ではなくなった!:
PR:高効率を求めるなら、迷わず「GaN」を選ぶ時代が到来
GaNパワートランジスタの本格的な普及が始まった。長く実用化を阻んできた品質/信頼性面の課題がクリアされ、2015年から量産がスタートした。従来のシリコンパワートランジスタを大きく上回る高い変換効率を求め、サーバやエアコンの電源、太陽光発電パワーコンディショナーへの搭載が進んでいる。“次世代パワーデバイス”から“実用的な最新パワーデバイス”へと進化したGaNパワーデバイスを紹介していこう。(2016/4/4)

量子コンピュータ/スピン演算素子に向け成果:
電子スピンを長距離輸送する技術を開発
NTTと東北大学は2016年3月、半導体中の電子スピンの向きをより安定に操作できる技術を開発した。両者は、「量子コンピュータや電界効果型スピントランジスタなどの電子スピンを用いた演算素子の実現に大きく貢献すると考えられる」としている。(2016/3/16)

約6億円を投じる3カ年計画:
欧州、III-V族半導体の開発プログラムを始動
欧州が、III-V族化合物半導体の開発に本腰を入れる。IBMをはじめ、ドイツやフランスの研究機関、イギリスの大学など、欧州の知識を集結させて、III-V族半導体を用いたトランジスタの研究開発を進める。(2016/3/9)

Q&Aで学ぶマイコン講座(21):
マイコン周辺部品の選び方――トランジスタ/MOSFET編
マイコンユーザーのさまざまな疑問に対し、マイコンメーカーのエンジニアがお答えしていく本連載。今回は、初級者の方からよく質問される「マイコンの周辺部品であるトランジスタやMOSFETなどのICの選び方」です。(2015/12/21)

三重富士通セミコン、IoTによる需要拡大に備え:
独自低消費電力プロセスの40nm版、2017年量産へ
三重富士通セミコンダクターは2015年12月16〜18日の会期で開催されている展示会「WORLD OF IOT」(併催:SEMICON Japan2015)で、独自トランジスタ構造「DDC(Deeply Depleted Channel)トランジスタ」を使用した低消費電力CMOSプロセス技術に関する展示を実施。同技術を用いた40nmプロセスによる受託量産を2017年から開始する方針を明かした。(2015/12/16)

効率は87%を達成:
GaNの「最小」ACアダプター、充電時間も1/3に
富士通研究所は、窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)パワーデバイスを用いて、モバイル端末などの急速充電を可能にする12W出力の小型ACアダプターを開発したと発表した。(2015/12/9)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(13):
スピン論理で低消費・高密度の回路を構築
13回にわたりお届けしてきたIEDM 2015のプレビューは、今回が最終回となる。本稿ではセッション32〜35を紹介する。折り曲げられるトランジスタや、電子のスピンを利用した論理回路、疾患を素早く検知する人工知能ナノアレイ技術などに関連する研究成果が発表される。(2015/12/4)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(9):
究極の低電圧・低消費を目指すスティープスロープFET
2015年12月8日に開催されるセッション22のテーマは「スティープスロープ・トランジスタ」だ。このトランジスタの実現手法に関する研究成果がIntelなどから発表される。同日夜のパネルディスカッションでは、オンチップの相互接続技術や、CMOS技術が直面している課題について議論が行われる予定だ。(2015/11/25)

IBM、カーボンナノチューブ製トランジスタでさらなる半導体小型化に向けて前進
IBMが、シリコンに代わるカーボンナノチューブ製トランジスタの開発で大きく前進したと発表。性能を落とさずに半導体をさらに小型化できるようになるとしている。(2015/10/5)

5分でわかる最新キーワード解説:
ハイヒールで踏んでも壊れない「CNTゴムトランジスタ」って何?
「ハイヒールで踏んでも壊れないトランジスタ」を実現したのは、カーボンナノチューブ(CNT)でした。ねじりや引っ張りにも強い“柔らかなトランジスタ”の特徴を解説します。「ハイヒールでの踏みつけ」にも意味はあります。(2015/10/5)

電子のスピンも調整可能:
グラフェン超えの2次元電子機能を結晶で実現
東京工業大学笹川崇男准教授らは、二セレン化タングステンでグラフェンを超える2次元電子機能を容易に実現できる手法を開発したと発表した。スピンや光を利用するトランジスタ応用につながる新技術だという。(2015/9/25)

ハイヒールで踏んでも壊れない柔らかトランジスタが誕生 これなら落としても大丈夫!
洗濯しても壊れません。(2015/8/12)

柔らかくて、洗濯もOK!:
ヒールで踏まれても壊れないトランジスタ
ヒールで踏んでも壊れない柔軟なトランジスタを開発したと産業総合研究所が発表した。今後、衣服同様、身に着けてもストレスを与えないセンサーなどに応用する。(2015/8/12)

衣類のように柔らかく、ハイヒールで踏んでも壊れないトランジスタ 産総研が開発
衣類のように柔らかく、曲げや衝撃など負荷をかけても壊れないトランジスタを産総研が開発した。単層カーボンナノチューブなど柔らかい材料だけで構成している。(2015/8/12)

福田昭のデバイス通信(36):
次々世代のトランジスタを狙う非シリコン材料(4)〜CMOSの実現手法と試作例
本シリーズは、次々世代のMOSFETで非シリコン材料がチャンネル材料の候補になっていることを説明してきた。最終回は、本シリーズのまとめであるCMOSデバイスの実現手法と試作例を紹介する。従来と同様のCMOSデバイスを非シリコン材料で実現する手法は2つある。(2015/8/7)

福田昭のデバイス通信(35):
次々世代のトランジスタを狙う非シリコン材料(3)〜III-V族半導体の「新たなる希望」
前回は、ゲルマニウム(Ge)をチャンネル材料とするMOSFETの研究開発の歴史と現状を紹介した。今回はもう1つの材料であるインジウム・ガリウム・ヒ素(InGaAs)である。InGaAsの歴史と背景にあるIII-V族化合物半導体とともに、研究開発の状況を解説する。(2015/8/5)

福田昭のデバイス通信(34):
次々世代のトランジスタを狙う非シリコン材料(2)〜ゲルマニウムの復活
前回は、シリコン(Si)を代替する半導体材料の候補を紹介した。今回はゲルマニウム(Ge)をチャンネル材料とするMOSFETの研究開発の歴史と現状を紹介する。歴史上、初めてのトランジスタの材料はシリコンではなく、ゲルマニウムだった。(2015/8/3)

スマホの駆動時間も飛躍的に延びる!?:
超低消費デバイスが作製できる強誘電体薄膜
東京工業大学の清水荘雄特任助教らの研究グループは、強誘電体の極薄単結晶膜の作製に成功した。極薄膜でも安定した特性の強誘電体膜が得られ、超高密度メモリやスマートフォンなどで消費電力を極めて小さくすることができる新型トランジスタの製造が可能だという。(2015/7/31)

福田昭のデバイス通信(33):
次々世代のトランジスタを狙う非シリコン材料(1)〜なぜ非シリコンなのか
今回からは、非シリコン材料を使ったMOSFET開発に焦点を当てる。微細化技術が行き詰まりを見せている中、非シリコンへの注目が高まっている。それはなぜなのか。また、非シリコン材料の候補には何があるのだろうか。(2015/7/30)

福田昭のデバイス通信(31):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(20)〜まとめ:CPU設計の将来像
シリーズ最終回となる今回は、これまでの内容をまとめてみよう。トランジスタの将来像から、消費電力と性能のバランスの取り方、微細化(スケーリング)の余地の拡大まで、ひと通り振り返る。(2015/7/14)

フリースケール開発者会議(FTF)レポート(6):
インターネットの明日を詰め込んだ大型トレーラー「IoT Truck」(後編)
今回は、先進運転システムやスマート・シティ向けのIoT技術の他、ベンチャー企業が開発したバッテリ内蔵リュックサックや、スマートフォンに取り付ける赤外線カメラが展示された。別のコーナーでは、RFパワートランジスタを採用した電子レンジや、生ビールの残量をモニタリングするプレートなど、ちょっと変わった開発品も並んだ。(2015/7/10)

電子工作“超”入門(6):
トランジスタの役割を知る
簡単なポータブルアンプの製作を目標として、電子回路に親しんでもらうこの連載。今回はポタアンのキモ、トランジスタの役割について学びます。はんだ付けまであと少しですよ!(2015/6/8)

福田昭のデバイス通信(25):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(14)〜次々世代の異次元トランジスタ
今回は、トランジスタ密度をFinFETに比べて、より高められる素子の構造について触れる。代表的なものが、円筒状のチャンネルをウエハー表面と平行に配置する「ホリゾンタルナノワイヤ(HNW)」と、垂直に配置する「バーチカルナノワイヤ(VNW)」である。(2015/5/26)

パワー半導体 GaNデバイス:
8×8mm表面実装パッケージ採用、耐圧600VのGaNパワートランジスタ
パナソニックは、耐圧600VのエンハンスメントモードGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタを発表した。小型の表面実装型パッケージを採用しており、実装面積の省スペース化と高速スイッチングを可能とした。(2015/5/19)

福田昭のデバイス通信(23):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(12)〜トランジスタ構造の展望
今回は、トランジスタ構造の展望を、2つの軸に沿って見ていこう。1つ目はプレーナFETからFinFETへの移行、2つ目は14nm世代から5nm世代にかけてのトランジスタ仕様である。FinFETの登場は、プレーナFETにはなかった新たな課題をもたらしている。(2015/5/18)

東芝 TLP383:
従来比約45%薄型化を実現、低入力電流駆動のトランジスタ出力フォトカプラ
東芝の「TLP383」は、薄型パッケージを採用した低入力電流駆動タイプのトランジスタ出力フォトカプラである。従来製品に比べて約45%の薄型化を実現した。(2015/4/28)

プロセス技術:
Intelの10nmチップ、鍵はIII-V族半導体と量子井戸構造か
Intelは10年近くにわたり、量子井戸電界効果トランジスタ(QWFET)の研究を進めてきた。ある半導体アナリストは、Intelの10nmチップは、III-V族半導体、具体的にはInGaAs(インジウム・ガリウム・ヒ素)とGe(ゲルマニウム)を用いたQWFETになると予測している。(2015/4/28)

VLSIシンポジウム 2015 プレビュー(2):
デバイス技術の注目論文 〜7nm以降を狙う高移動度トランジスタ
今回は、メモリ分野、先端CMOS分野、非シリコン分野における採択論文の概要を紹介する。抵抗変化メモリ(ReRAM)や3次元縦型構造の相変化メモリ(PCM)に関する論文の他、GaNやSiGe、InGaAsなど、次世代の高移動度の化合物半導体を用いたトランジスタに関する技術論文の概要が紹介された。(2015/4/28)



多くの予想を裏切り、第45代アメリカ合衆国大統領選挙に勝利。貿易に関しては明らかに保護主義的になり、海外人材の活用も難しくなる見込みであり、特にグローバル企業にとっては逆風となるかもしれない。

携帯機としても据え置き機としても使える、任天堂の最新ゲーム機。本体+ディスプレイ、分解可能なコントローラ、テレビに接続するためのドックといった構成で、特に携帯機としての複数人プレイの幅が広くなる印象だ。

アベノミクスの中でも大きなテーマとされている働き方改革と労働生産性の向上。その実現のためには人工知能等も含むITの活用も重要であり、IT業界では自ら率先して新たな取り組みを行う企業も増えてきている。