大解説！ IntelとMicronが提唱した次世代メモリ規格「3D Xpoint Technology」：画期的向上なれど詳細不明（1/2 ページ）
世代交代はゆっくりとした速度で
IntelはMicron Technology（以下、Micron）と共同で次世代不揮発性メモリ技術「3D XPoint Technology」（3D クロス・ポイント テクノロジ）を発表した。3D Xpoint Technologyで主要なポイントは以下の3点になる。
- NANDフラッシュメモリに比べて、1000倍高速
- DRAMと比べて、10倍高い記録密度
- NANDフラッシュメモリに比べて、1000倍長い書き換え寿命
この大幅に改善する性能から、Intelは、NANDフラッシュに代わる次世代不揮発性メモリの主力として推していく意向を示している。
この、3D XPoint Technologyは、3Dトランジスタ技術を生かして、ワード線と、それと交差するビット線の間にメモリセルを垂直に配し、これを2階建て構造とすることで高密度化を可能にした。試作チップでは、ダイあたり128Gビットのデータ格納量を実現したことをIntelは明らかにしている。
その一方で、IntelとMicronは、この3D XPoint Technologyについて詳細を明らかにしておらず、記者発表会の質疑応答において、抵抗変化メモリ（ReRAM）に類する技術に、独自の素材や要素技術を盛り込んだものであることを認めるに留まっている。
ただし、IntelもMicronも、この3D XPoint Technologyが、すぐNANDに代わって不揮発性メモリの主流になるとは思っていないようだ。両社は2015年3月にMLC技術で256Gビット、TLC技術で384Gビットの容量を実現した3D NANDチップを発表し、すでに顧客向けサンプル出荷を開始している。
このチップは、TSV（Through Silicon Via：シリコン貫通電極）を用いてメモリセルを32層に積層することで大容量を実現している。3D NANDチップでは、すでにSamsungが量産体制を確立し、SSDなどにもこのチップを採用しているが、東芝／SanDisk連合やIntel／Micron連合もこれに続く動きを見せている。SSDなどのコンシューマ製品の大容量化では、この3D NANDが主力になると予想する関係者は多い。
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