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「タフネス」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

最新記事一覧

TORRASは日本参入10年目を迎え、事業戦略発表会で今後の日本市場への投資強化と新製品群を公表した。同社は日常の不便を解消する「Ostand」ケースを投入し、ケースによってスマートフォンとの関わり方や使用体験を進化させる「スマホケース3.0」を掲げる。体験会では耐衝撃ケースや半固体電池搭載バッテリーなど、生活の質を高める注目の最新ギアが展示された。

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ルネサス エレクトロニクスが、同社初となる低耐圧窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスとして、100V耐圧のエンハンスメントモード(Eモード)GaN FETを発表した。AIデータセンターの電源システムやヒューマノイドロボット、産業用モーターなどをターゲットとする。

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シャープは、スマートフォン「AQUOS wish6」(形名「SH-M36」)のオープンマーケット向けSIMフリーモデルを発表した。薄さと強度を両立した構造や防水・防塵・耐衝撃性能、5000mAhバッテリーを採用したほか、防犯アラートやAIを活用した電話サポート機能など、安心して使える機能も備えている。価格はオープンだが、市場想定価格は5万円前後だ。

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KDDIが3月に発売した京セラ製「TORQUE G07」は、多くの要望を反映した最新のタフネススマホだ。耐泥水試験のクリアや衛星通信への最適化に加え、着せ替えパネルによる全5色のカラー展開など進化点は多い。ITmedia Mobileは開発陣4人にインタビューを行い、厳しい環境下での製品の進化と開発の裏側に迫った。

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Navitas Semiconductorは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」(2026年6月9〜11日/ドイツ・ニュルンベルク)において、高耐圧SiC MOSFET用の新パッケージ「UHV-TO-247-4-ISO」を初公開した。絶縁構造を組み込むことで、1200〜3300VクラスのディスクリートSiC MOSFETをヒートシンクに直接リフロー実装可能にした。

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東芝デバイス&ストレージ(東芝D&S)は2026年5月21日、1200V耐圧トレンチゲート型炭化ケイ素(SiC)MOSFET「TW007D120E」を発表した。独自のトレンチゲート構造の採用によって「単位面積当たりで、業界トップクラスの低オン抵抗」(同社)を実現し、既存製品と比較してオン抵抗を約58%削減している。

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東京大学とNTTは、損失が極めて小さい窒化アルミニウム(AlN)系ショットキーバリアダイオード(SBD)を開発し、動作実証に成功した。作製した素子は、AlN系デバイスの中で世界最小となるオン抵抗0.34mΩcm2および、逆方向耐圧400V(最大破壊電界8MV/cm)を達成した。この値はSiCやGaNの理論限界に迫るものだという。

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