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» 2014年07月04日 11時30分 UPDATE

SATA 6Gbps SSDの限界へ:「Samsung SSD 850 PRO」徹底検証――“3D V-NAND”で10年保証を実現した先進SSDの実力は? (1/4)

コンシューマー向けSSDに初めて3次元NANDフラッシュメモリを採り入れた「Samsung SSD 850 PRO」が登場。先代モデルと同条件でテストし、その実力を明らかにする。

[鈴木雅暢,ITmedia]
ココが「○」
・QD1の4Kランダムアクセスが高速
・ライト時の消費電力が低い
・3D V-NANDで耐久性2倍、10年保証
ココが「×」
・インタフェースがSATA 6Gbps
・先代機からの性能向上は小幅

3次元構造のNANDフラッシュメモリを採用した新型SSD

 既報の通り、Samsung Electronicsから最新の2.5インチSerial ATA 6Gbps SSD「Samsung SSD 850 PRO」シリーズが登場した。クライアントPC向けSSDでは初めて3次元構造のNANDフラッシュメモリ「3D V-NAND」を記録媒体に採用していることが最大の特徴だ。

 3D V-NANDは、平面方向の微細化のみで記録容量を増やしてきた従来の(プレーナ型)NANDフラッシュと異なり、メモリセルを縦方向に積層することで大容量化を実現する。記録容量の増大に加えて、高速な書き込み性能、優れた電力効率、耐久性(書き換え可能回数)および信頼性の向上といったメリットがあるという。

 この850 PROは、7月21日から世界各国で順次発売される(日本では販売代理店のITGマーケティングが7月下旬から8月上旬に発売する見込みだ)。参考価格(USドルベース)は、128Gバイトで129.99ドル、256Gバイトで199.99ドル、512Gバイトで399.99ドル、1Tバイトで699.99ドルとなっており、1Tバイトが加わるとともに、特に大容量モデルが先代の「Samsung SSD 840 PRO」から低価格化した。日本での価格設定が気になるところだ。

 今回は発売に先駆けて、量産前のサンプルを入手できたので、性能や消費電力を検証しよう。

tm_1407_ssd850pro_01.jpgtm_1407_ssd850pro_02.jpg 「Samsung SSD 850 PRO」のカバーデザインは、従来の「Samsung SSD 840 PRO」のイメージを引き継いでいる(写真=左)。表面のサンドブラスト加工、エッジのダイヤモンドカット加工は共通だが、アクセントカラーが従来のオレンジからレッドに変更された(写真=右)
tm_1407_ssd850pro_03.jpgtm_1407_ssd850pro_04.jpg ひっくり返したラベル面(写真=左)。カバーの固定には星型(5角、ペンタグローブ)のネジ3本(うち2本はラベルの下)が使われている。内部基板は非常に小さい(写真=右)。コントローラとDRAMキャッシュ、NANDフラッシュメモリが4枚(うち2枚は裏面)実装されている
tm_1407_ssd850pro_05.jpgtm_1407_ssd850pro_06.jpg コントローラの型番は「S4LN045X01-8030」で、2013年にリリースされた「Samsung SSD 840 EVO」に使われているものと同じだ(写真=左)。DRAMキャッシュの型番は「K4P4G324EQ-FGC2」とある。4Gビットチップ(512Mバイト)のLPDDR2だ。3次元構造を採用した「3D V-NAND」フラッシュメモリが表裏に2枚ずつ、合計4枚実装されている(写真=右)。こちらの型番は「K9HQGY8S5M」とプリントされている。原稿執筆時点ではSamsung ElectronicsのWebページ含めてどこにも情報がない。単純計算すれば、1枚あたりの容量は512Gビットとなる

実利用の快適さにフォーカスし、QD1のランダムアクセス性能を向上

 850 PROの容量別スペックは下表にまとめた。参考までに、先代モデルにあたるSamsung SSD 840 PROのスペックも掲載した。

Samsung SSD 850 PROの主な仕様
容量 128Gバイト 256Gバイト 512Gバイト 1Tバイト (1024Gバイト)
コントローラ Samsung 3-core MEX(400MHz)
NAND Samsung 32layer 3D V-NAND
キャッシュ LPDDR2 256Mバイト LPDDR2 512Mバイト LPDDR2 1Gバイト
シーケンシャルリード(Mバイト/秒) 550
シーケンシャルライト(Mバイト/秒) 470 520
4K、QD1ランダムリード(IOPS) 10000
4K、QD1ランダムライト(IOPS) 36000
4K、QD32ランダムリード(IOPS) 100000
4K、QD32ランダムライト(IOPS) 90000
セキュリティ AES 256ビット FDE、TCG/Opal V2.0(IEEE1667)
アイドル時消費電力 0.4ワット/2ミリワット(デバイススリープ時)
動作時消費電力 3.3ワット(リード時平均)/3ワット(ライト時平均) ※いずれも1Tバイトモデルの数値
TBW 150TBW
保証期間 10年間
重量 最大66グラム

Samsung SSD 840 PROの主な仕様
容量 128Gバイト 256Gバイト 512Gバイト
コントローラ Samsung MDX(300MHz)
NAND 21nm Samsung Toggle DDR 2.0
キャッシュ LPDDR2 256Mバイト LPDDR2 512Mバイト
シーケンシャルリード(Mバイト/秒) 530 540
シーケンシャルライト(Mバイト/秒) 390 520
4K、QD1ランダムリード(IOPS) 9800 9900
4K、QD1ランダムライト(IOPS) 31000
4K、QD32ランダムリード(IOPS) 100000 97000
4K、QD32ランダムライト(IOPS) 90000
セキュリティ AES 256ビット
アイドル時消費電力 0.349ワット/0.054ワット(DIPMオン時)
動作時消費電力 0.069ワット(※Mobile Mark 2007での測定値)
TBW 73TBW
保証期間 5年間
重量 61グラム 62.5グラム

 性能面では、128Gバイトモデルのシーケンシャルライトが大きく改善され、これは3D V-NANDを採用したメリットの1つとして挙げられている。また、全モデルでQD1のランダムリード/ライト性能が向上した。同社はPC向けのOSやアプリケーションの大半のコマンドがQD1で構成されていることを挙げ、これはPCの実利用時の快適さにフォーカスした改良とアピールしている。

 消費電力については、840 PROの公式スペックとは測定方法が共通ではないので単純に比較できないが、7月1日に行われた850 PROの発表会で紹介された資料において、840 PROのアイドル時におけるデバイススリープ時の電力は10ミリワットと公表されており、850 PROでは1/5に削減された。また、動作時の消費電力も最大38%削減されている。

 耐久性の目安となるTBW(Total Byte Written=総書き込み可能容量)は150TBWと、従来の2倍以上に向上していることが分かる。保証期間も2倍に延長され、コンシューマー向けSSDとしては異例の10年保証となっているのも見逃せない。

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