Samsung Electronicsから最新世代のSSD製品「Samsung SSD 840 PRO」シリーズおよび「Samsung SSD 840」シリーズが登場した。先代の「Samsung SSD 830」シリーズから日本のリテール市場へと参入したSamsungが、同市場でのさらなるシェア拡大を目指すために送り出した意欲作だ。
それを示すように、先代のSSD 830は1つのシリーズであったのに対し、今回はターゲット別に2つのシリーズに分かれて展開される。SSD 840 PROがITプロフェッショナル/エンスージアスト向けのハイエンド製品、SSD 840が幅広いユーザー向けのメインストリーム製品という位置付けで、コストパフォーマンスも考慮されている。
Samsungは、ファームウェア、コントローラ、NANDフラッシュメモリ、DRAMキャッシュと、SSDを構成する主要なコンポーネントをすべて内製していることでも知られる。今回のSSD 840 PRO/SSD 840シリーズもそれは同様だが、仕様が全面的に強化された。
詳しいスペックは下表にまとめたが、3コア搭載MDXコントローラのコアをARM 9ベース(220MHz)からARM Cortex-R4ベース(300MHz)へ強化したほか、NANDフラッシュメモリのインタフェース速度を133Mbps(Toggle DDR)から400Mbps(Toggle DDR2.0)へ高速化。キャッシュメモリも省電力なLPDDR2 SDRAMとし、最大容量も512Mバイトと従来の2倍にしている。
Samsung SSD 840ファミリーの主なスペック | ||||||
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シリーズ | SSD 840 PRO | SSD 840 | ||||
容量 | 512Gバイト | 256Gバイト | 128Gバイト | 500Gバイト | 250Gバイト | 120Gバイト |
NANDフラッシュメモリ | 21nm Toggle DDR2.0(400Mbps) | |||||
コントローラ | Samsung MDX(300MHz/3コア) | |||||
DRAMキャッシュメモリ | LPDDR2 512Mバイト | LPDDR2 256Mバイト | LPDDR2 512Mバイト | LPDDR2 256Mバイト | ||
シーケンシャル読み出し最大 | 540Mバイト/秒 | 530Mバイト/秒 | 540Mバイト/秒 | 530Mバイト/秒 | ||
シーケンシャル書き込み最大 | 520Mバイト/秒 | 390Mバイト/秒 | 330Mバイト/秒 | 250Mバイト/秒 | 130Mバイト/秒 | |
4Kバイトランダム読み出しIOPS最大(QD32) | 10万IOPS | 9万7000IOPS | 9万8000IOPS | 9万6000IOPS | 8万6000IOPS | |
4Kバイトランダム書き込みIOPS最大(QD32) | 9万IOPS | 7万IOPS | 6万2000IOPS | 3万2000IOPS | ||
4Kバイト読み出しIOPS最大(QD1) | 9900IOPS | 9万8000IOPS | 7900IOPS | |||
4Kバイト書き込みIOPS最大(QD1) | 3万1000IOPS | 2万9000IOPS | ||||
TRIMサポート | ○ ※OSが対応している場合 | |||||
ガベージコレクション | ○ | |||||
S.M.A.R.T(自己診断機能) | ○ | |||||
暗号化 | AES 256ビット フルディスク暗号化(FDE) | |||||
WWN(World Wide Name) | ○ | |||||
LED Indicator対応 | ○ | |||||
インタフェース | Serial ATA 6Gbps | |||||
フォームファクタ | 7ミリ厚2.5インチHDD互換 | |||||
外形寸法 | 100×69.85×7ミリ | |||||
重量 | 62.5グラム | 61グラム | 62.5グラム | 61グラム | ||
耐衝撃性 | 1500G/0.5ms(ハーフサイズ) | |||||
耐振動性 | 動作時:ランダム2.17Grms(7〜800Hz)、非動作時:ランダム3.08Grms(7〜800Hz)、Sweptsine:20G peak @ 10〜2KHz | |||||
MTBF(平均故障間隔) | 150万時間 | |||||
消費電力 | 動作時:0.069ワット、待機時:0.054ワット(DIPMオン)/0.349ワット(DIPMオフ) | 動作時:0.071ワット、待機時:0.046ワット(DIPMオン)/0.279ワット(DIPMオフ) | ||||
保証期間 | 5年間 | 3年間 | ||||
SSD 840 PROは、SSD 830に比べてシーケンシャル書き込みやランダムアクセスの性能が大幅に強化されている。特にSamsungはランダムアクセスにフォーカスしたことを明言しており、ベンチマークテストの結果にも注目したい。
一方で、メインストリーム向けのSSD 840では、シーケンシャルリードやランダムアクセスの性能はSSD 840 PROに準じるものの、シーケンシャル書き込み性能では先代のSSD 830が勝る。これはSSD 840がTLC(トリプルレベルセル)のNANDフラッシュメモリチップを採用していることが大きいのだろう。
一般的なMLC(マルチレベルセル)ではメモリセル1つに2ビットのデータを記録するが、TLCでは3ビットのデータを記録することができる(3ビットも含めて2ビット以上の場合、すべてをMLCと呼ぶ場合もある)。メモリセル1つあたりに記録できる容量が増えるぶん、低コストで大容量化できるメリットがあるが、電圧の制御が複雑になるため書き込みは遅い傾向があり、書き込み可能回数も減るため、MLC以上に特有の性質を理解したコントローラの最適な管理が必要である。
Samsungではこれに関して、コントローラとNANDフラッシュ両方を内製している強みを強調しつつ、大容量キャッシュの搭載、オーバープロビジョニング領域(NANDフラッシュの管理に使う予備領域)の活用を含めたコントローラの最適化などによって高い信頼性を確保したとしている。SSD 840のほうがSSD 840 PROより少し容量が小さいのは、このオーバープロビジョニング領域があらかじめ確保されていることによる。Samsungによれば、NANDフラッシュ自体も選別された高品質なものだけを採用しているという。
SSD 840 PRO/SSD 840/SSD 830における250Gバイトクラスの比較 | |||
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シリーズ名 | SSD 840 PRO | SSD 840 | SSD 830 |
型番 | MZ7PD256HAFV | MZ7TD256HAFV | MZ7PC256HAFU |
容量 | 256Gバイト | 250Gバイト | 256Gバイト |
コントローラ | Samsung MDX(300MHz/3コア) | Samsung MCX(220MHz/3コア) | |
NANDフラッシュメモリ | 21nm Toggle DDR2.0(400Mbps) | 21nm Toggle DDR(133Mbps) | |
DRAMキャッシュメモリ | LPDDR2 512Mバイト | DDR2 256Mバイト | |
インタフェース | Serial ATA 6Gbps | ||
シーケンシャル読み出し最大 | 540Mバイト/秒 | 520Mバイト/秒 | |
シーケンシャル書き込み最大 | 520Mバイト/秒 | 250Mバイト/秒 | 400Mバイト/秒 |
4Kバイトランダム読み出しIOPS最大 | 10万IOPS | 9万6000IOPS | 8万IOPS |
4Kバイトランダム書き込みIOPS最大 | 9万IOPS | 6万2000IOPS | 3万6000IOPS |
平均故障間隔(MTBF) | 150万時間 | ||
動作時消費電力 | 0.069ワット | 0.071ワット | 0.127ワット |
アイドル時消費電力 | 0.054ワット | 0.046ワット | 0.078ワット |
保証期間 | 5年間 | 3年間 | |
質量 | 62.5グラム | ||
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