「Samsung SSD 850 EVO」徹底検証――“3D V-NAND”搭載で5年保証の主力モデルは買いか？：先代の840 EVOとじっくり比較（1/4 ページ）

[鈴木雅暢，ITmedia]

ココが「○」
・書き込み性能が改善
・3D V-NANDで耐久性向上、5年保証
・TurboWriteでTLCながら高性能

ココが「×」
・先代からの性能アップは小幅

TLCの3D V-NANDを内蔵した最新主力SSDが日本上陸

　Samsung Electronicsから最新の2.5インチSerial ATA 6Gbps SSD「Samsung SSD 850 EVO」シリーズが登場した。日本では正規代理店のITGマーケティングが、2014年12月中旬に販売を開始する予定だ。

「Samsung SSD 850 EVO」

　2014年夏に登場した個人向けハイエンドSSD「Samsung SSD 850 PRO」の下位に位置付けられる製品で、2013年夏に発売された個人向け主力SSD「Samsung SSD 840 EVO」の後継となる同社売れ筋のモデルだ。

　850 PROではNANDフラッシュメモリに3次元構造を持つ「3D V-NAND」が初めて採用されたが、850 EVOでもこれを搭載しており、3D V-NANDの特徴である長期耐久性と書き込み時消費電力の低下を実現している。普及価格帯を意識したSSDながら、総書き込み容量は最大150TBW（1Tバイトモデル）、5年間の長期保証が付与されるのは見逃せない。

　メモリセルあたり3ビットの情報を記録するTLC（3ビットMLC）を採用しつつ、一部をSLCモードで使用して高速なキャッシュとする「TurboWrite Technology」を導入することで、低コストと高パフォーマンスを両立している点は先代の840 EVOと同様だ。今回は最大容量となる1Tバイトのサンプルを入手したので、性能や消費電力をチェックしよう。

ボディカラーはブラックで、アクセントカラーにグレーを使った渋い仕上がりだ（写真＝左）。裏返したラベル面（写真＝右）。カバーの固定には星型（5角、ペンタグローブ）のネジが3本（うち2本はラベル下）使われている

内部基板には、NANDフラッシュメモリが表裏4枚ずつ実装されていた（写真＝左）。基板の裏にはコントローラと1GバイトのDRAMキャッシュを搭載する（写真＝右）

コントローラの型番は、840 EVOおよび850 PROと同一の「S4LN045X01-8030」を採用（写真＝左）。DRAMキャッシュの型番は「K4P8G304EQ-FGC2」とある。LPDDR2の8Gビット（＝1Gバイト）チップだ。先代モデルの840 EVOを左に、850 EVOを右に並べた様子（写真＝右）。840 EVOの細かいパターンは塗装で、表面がツルツルしているのに対し、850 EVOはサンドブラスト風の加工がしてあり、見た目にもより上質感がある（写真＝右）

ランダム書き込み性能と耐久性が向上

　Samsung SSD 850 EVOの容量別スペックを下表にまとめた。参考までに先代モデルにあたる840 EVOのスペックも掲載した。

Samsung SSD 850 EVOの主なスペック
製品名	Samsung SSD 850 EVO
容量	120Gバイト	250Gバイト	500Gバイト	1Tバイト
コントローラ	Samsung MGX			Samsung MEX
NAND	Samsung 32layer 3D V-NAND
キャッシュ	LPDDR2 256Mバイト	LPDDR2 512Mバイト		LPDDR2 1Gバイト
シーケンシャルリード（Mバイト／秒）	540
シーケンシャルライト（Mバイト／秒）	520
4K、QD1ランダムリード（IOPS）	10000
4K、QD1ランダムライト（IOPS）	40000
4K、QD32ランダムリード（IOPS）	94000	97000	98000
4K、QD32ランダムライト（IOPS）	88000		90000
セキュリティ	AES 256ビットFDE、TCG/Opal V2.0、Encrypted Drive（IEEE1667）
アイドル時消費電力（Device Sleep）	0.002ワット			0.004ワット
アイドル時消費電力（最大）	0.05ワット
動作時消費電力（平均）	リード3.7ワット／ライト4.4ワット（ともに1Tバイトモデル）
TBW	75TBW		150TBW
保証期間	5年間
重量	66グラム（1Tバイトモデル）

Samsung SSD 840 EVOの主なスペック
製品名	Samsung SSD 840 EVO
容量	120Gバイト	250Gバイト	500Gバイト	750Gバイト／1Tバイト
コントローラ	Samsung MEX
NAND	Samsung Toggle DDR 2.0（19ナノメートル）
キャッシュ	LPDDR2 256Mバイト	LPDDR2 512Mバイト		LPDDR2 1Gバイト
シーケンシャルリード（Mバイト／秒）	540
シーケンシャルライト（Mバイト／秒）	520
4K、QD1ランダムリード（IOPS）	10000
4K、QD1ランダムライト（IOPS）	33000
4K、QD32ランダムリード（IOPS）	94000	97000	98000
4K、QD32ランダムライト（IOPS）	35000	66000	90000
セキュリティ	AES 256ビット
アイドル時消費電力	0.045ワット（DIPMオン時）
動作時消費電力	0.1ワット
TBW	44TBW
保証期間	3年間
重量	最大53グラム

　先代と比べると、シーケンシャルリード／ライトの性能は変わっていないが、4K（QD1）ランダムライトの性能が向上している。また、従来大容量モデルに比べて数値が低かった120Gバイトモデルと250Gバイトモデルの4K（QD32）ランダムライトも大きく向上している。

　極端な微細化をしなくとも容量が増やせる3D V-NANDは、ベリファイを含めた書き込みシーケンスがシンプルで書き込みのパフォーマンスを向上しやすく、消費電力も低くて済むという特徴があるが、その恩恵によるところが大きいのだろう。

　また、500Gバイト以下のモデルでコントローラが「MGX」と一世代新しくなっているが、1Tバイトモデルのみは先代と同じ「MEX」を採用している。小容量モデルの書き込みパフォーマンス改善にはこれも貢献しているのだろう。

　消費電力については、840 EVOの公式スペックとは測定方法が共通ではないので単純に比較できないが、プレス向けに配布された資料に記載されていたデータでは、500Gバイトで0.9ワット、250Gバイトと120Gバイトで0.8ワットとそれぞれ書き込み時の消費電力が減っている。ただ、1Tバイトモデルでは0.5ワットと小幅で、コントローラの差もありそうだ。

　耐久性の目安となるTBW（Total Byte Written＝総書き込み可能容量）は、120／250Gバイトモデルが75TBW、500Gバイトモデル以上では150TBWと、大幅に向上している。コンシューマー向けのバリューモデルに属する製品としては相当に高い数値であり、保証期間も上級製品並の5年間に延長されている。