Micronがメモリ／ストレージの最新動向をアピール 176層NANDに1αnmのLPDDR4X／DDR5など（1/2 ページ）

[マルオマサト，ITmedia]

　COMPUTEX TAIPEI 2021の会期に合わせて、Micron Technologyがオンラインで基調講演を行い、176層3D NANDフラッシュメモリ搭載のSSDや1αnmプロセスルールのLPDDR4xなど、新製品や次世代製品への取り組みが紹介された。PC関連で気になるトピックを中心にレポートしよう。

176層3D NANDを搭載したSSDを発表

　クライアント向けのSSDでは、新製品として「Micron 3400」「Micron 2450」が発表された。どちらも現行で業界最多層となる176層3D NANDフラッシュメモリを搭載し、インタフェースはPCIe 4.0 x4に対応する。

　ハイエンドのMicron 3400は、従来品（Micron 2300）に比べて読み出しスループットが2倍、書き込みスループットが最大85％向上しているという。

　なお、Micron 2300のシーケンシャルリードは毎秒3300MB、シーケンシャルライトは最大毎秒2700MBだ。これから単純計算すると、読み出しは毎秒6600MB、書き込みは最大毎秒4995MBということになる。

　一方、Micron 2450 SSDはメインストリーム向けで、一般的なType 2280に加え、小型の2230、2242と3種類のフォームファクターで提供され、柔軟な設計に対応できる。

ハイエンドモデルのMicron 3400。176層の3D TLC NANDを搭載したPCIe 4.0 x4インタフェースのSSDだ

こちらは普及価格帯モデルのMicron 2450。3400と同様に176層3D TLC NANDフラッシュメモリを搭載し、PCIe 4.0 x4インタフェースに対応する。3種類のフォームファクターが用意されており、写真はもっとも小さいType 2230だ

Micron 3400とMicron 2450の特徴をまとめたスライド

PC市場では既にPCIe 4.0のエコシステムが確立されつつあり、今後はPCIe 4.0へと速やかに移行していくだろうという見方が示された

バッテリー駆動時間の延長をもたらす1αnm

　一方のDRAMについては、まず1αnmプロセスルールが紹介された。DRAM業界ではプロセスルールについて具体的な数字で呼称することを避けており、20nm以下の10nm台のプロセスルールは、これまで「1x」「1y」「1z」と進化してきて、「1α」は4世代目となる。

　今回はこの1αnmプロセスルールに関して、既に量産出荷が開始されているDDR4に続き、LPDDR4Xの量産出荷が開始されたことがアナウンスされた。同社によれば、これは世界初であり、1α世代のLPDDR4Xは、1znm世代に比べて消費電力が15％低いという。

　LPDDR4Xは、スマートフォンやタブレット、2in1タイプのノートPCなど特にモビリティーの高いデバイスで採用されており、バッテリー駆動時間の延長に貢献しそうだ。

1αnmプロセスルールのLPDDR4X。先代の1znm世代に対して、消費電力が15％低いという

DDR4についても既に1αnmが導入されている。1znmに対し、記録密度は40％向上している

実効帯域も上がるDDR5　エコシステムの整備へ着々

　DRAM分野では、DDR4の次世代規格であるDDR5の市場投入が2022年に予定されている。

　DDR5では最大バースト長が現行の8から16へと拡張され、最大データレート6400Mbpsを実現する。また、転送効率が改善されることで実効帯域が向上し、DDR5-3200の実効帯域は、現行のDDR4-3200の1.36倍に向上するという。

　同社はDDR5プラットフォームを速やかに、広範に導入するためのプログラム「DDR5 Technical Enablement Program（TEP）」を展開し、エコシステムの整備へ取り組んでいる。100社以上のテクノロジー企業から250名以上の設計リーダーが参加しているという。

　この取り組みにより、2022年にDDR5対応プラットフォームが市場投入されるとともに、DDR5の普及、DDR4からの以降がスムースに進むと思われる。

次世代のDDR5 SDRAMについても、2022年の市場投入に向けて着々と準備が進んでいることが明らかにされた

DDR5では、長く8であったバースト長が16となる。理論転送速度が2倍に高速化するとともに、転送効率が改善されて実効帯域も向上する

　最後に組み込み向けのUniversal Flash Storageを見ていこう。