SAIMEMORY(サイメモリー)は2月3日、次世代メモリ技術「ZAM(Z-Angle Memory)」の実用化に向けてIntelと協業契約を締結したと発表した。
同社は2027年中にZAMのプロトタイプの生産、2029年度中に実用化を目指しており、Intelが米エネルギー省の支援を受けて進めている「AMT(Advanced Memory Technology)プログラム」で確立された次世代メモリ技術の基盤技術や、Intelが主導して進めている「NGDB(Next Generation DRAM Bonding)イニシアティブ」で実証された技術的知見を活用して研究開発を進めているという。
インテル(Intelの日本法人)が2月3日に開催したイベント「Intel Connection Japan 2026」の基調講演では、SAIMEMORYの山口秀哉社長が登壇し、聴講者にZAMの概要を説明した。
ZAMは、名前の通り「Z方向(縦方向)に積層したメモリ」で、山口社長の言葉を借りると「熱と性能の限界を突破するための技術」だ。
従来のメモリは平面積層で容量を“稼いで”きたが、これには物理的限界が近づきつつあるとされる。これを打破するためにZ方向に積層をしよう……というところなのだが、Z方向積層はメモリの放熱面でも有利なのだという。
SAIMEMORYはIntelの知見を生かしつつ、今後発表する予定だという「協業パートナー」と共にZAMの実用化を加速する方針だ。
SAIMEMORYは、2024年12月にソフトバンクが中心となりIntelと東京大学が参画する形で設立されたメモリ設計メーカーで、2025年5月7日に現在の社名となり、翌6月から事業を本格的に開始した。現在はソフトバンクの完全子会社となっている。
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