　Crucialは、半導体大手のMicronが展開するメモリ／ストレージ製品のオフィシャルブランドだ。SSDの記録媒体であるNANDフラッシュメモリのメジャーサプライヤーでもあるMicronの純正ブランドだけに、信頼性が高く、コストパフォーマンスにも優れると定評がある。「RealSSD C300」「m4」「MX100」など、これまでも各世代を代表する定番モデルをリリースしてきた。

「Crucial MX200」（左）と「Crucial BX100」（右）

　2014年にバリュークラスのモデルとしてリリースしたMX100は、いち早く16ナノメートルプロセスルール世代のNANDフラッシュメモリを採用したことにより、驚異的なコストパフォーマンスを実現し、ベストセラーモデルとなったことは記憶に新しい。

　今回は、そのMX100の後継となるBX100、そしてそのBX100の上位モデルとなるMX200を同じタイミングで投入してきた。評価用製品を入手したので早速性能と消費電力を検証していこう。

耐久性が向上したMX200、BX100は新コントローラを採用

　MX200とBX100のスペックは表にまとめた。それぞれ位置付け的に先代モデルにあたるM550、MX100のスペックも併記した。

　MX200とBX100は、ともにMicronの16ナノメートルプロセスルールで製造されるのMLC NANDフラッシュメモリを採用しているが、コントローラはMX200がMarvellの「88SS9189」、BX100にはSilicon Motionの「SM2246EN」を採用している。

　先代モデルとの比較を見ると、MX200については、250Gバイトクラスのモデル以外は性能向上は地味だが、総書き込み容量が増えた。特に1TバイトモデルではM550に比べて4.4倍も増えており、信頼性に重きを置いていることが分かる。

上位モデルのMX200。耐久性が向上しており、総書き込み容量は320TBW（1Tバイトモデル）に達する（写真＝左）。MX200のラベル面。光沢があり、滑らかな手触りに仕上げられており、BX200より上質な印象を受ける（写真＝右）

MX200のカバーを開けたところ。カバーは側面のツメのみで固定されている。基板はネジを1本外せばカバーから外せる（写真＝左）。MX200の基板表面。メインのチップ構成は、コントローラ、DRAM、NANDフラッシュメモリ8枚という内容だ（写真＝右）

コントローラはMarvellの「88SS9189-BLD2」。キャッシュメモリには「4YA18」「D9RLT」というマーキングがある。NANDフラッシュメモリのマーキングは上段が「4YC22」、下段が「NW662

　一方、BX100のほうは、MX100と比べると性能面はリード、ライトとも低い。位置付け的にはMX200はM550の後継だが、アーキテクチャやスペックからするとMX100の正統な後継がMX200であり、BX100はさらにバリュー向けに追加されたモデルと考えたほうがよいのかもしれない。

　また、BX100は、特に容量が少ないモデルでの書き込み性能が低いが、これは他社製品も含めてよくあることで、NANDフラッシュメモリ自体の特性によるところが大きい。特にプロセスルールの微細化が進んだ近年では、書き込みプロセスが複雑化しており、NANDフラッシュメモリチップ単体では余計に読み込みとの差が大きくなっている。容量の大きいモデルでは並列書き込みなどコントローラのアルゴリズムでカバーできるが、容量が少ないモデルでは最適化の余地が少なく、性能が低くなることが多い。

バリューモデルのBX100。120Gバイトから1Tバイトまで幅広い容量ラインアップを用意する（写真＝左）。BX100のラベル面。カバーはサンドブラスト風の加工がされているが、MX200と比べると少し安っぽく見える（写真＝右）

BX100のカバーを外したところ。こちらもツメのみで固定されているが、MX200のような分かりやすい場所になく、カバーの隙間にドライバーなどを押し入れて力ずくで外すしかない。基板とカバーもツメ固定されており、外すには慎重を要する（写真＝左）。MX100の基板。メインのチップ構成は、MX200と同様、コントローラ、DRAM、NANDフラッシュメモリ8枚という内容だ（写真＝右）

コントローラは、Silicon Motionの「SM2246EN」。キャッシュメモリのマーキングは上段が「4PE77」、下段のFPGAコードは「D9QLJ」で、検索すると256MbitのDDR3と思われる型番「MT41K256M16HA-125 M:E」がヒットした。NANDフラッシュメモリのマーキングは上段「4VC22」、下段が「NW744」だ

　MX200では、MLCのNANDフラッシュをSLCモードで動作させてライトキャッシュとして利用する「Dynamic Write Acceleration Technology」（DWAT）により、250Gバイトモデルでの書き込み性能低下を防いでいる。1セルに2ビットの情報を記録できるMLCよりも1セルに1ビットの情報を記録するSLCでは、電圧管理がシンプルで書き込み性能を向上させやすく、耐久性にも有利なため、キャッシュ用途には向く。Samsungがバリューモデルの840 EVOや850 EV0に導入している「TurboWrite Technology」に似ているが、DWATではキャッシュ領域を固定せずに動的に確保するという。