IntelとMicron、20ナノメートルプロセス技術の8GバイトNANDフラッシュメモリ

[ITmedia]

　米Intelと米Micron Technologyは4月14日（現地時間）、20ナノメートルプロセスルールによる8GバイトMLC NANDフラッシュメモリのサンプル出荷を開始した。量産出荷は2011年後半の予定だ。小型で大容量のストレージが求められるスマートフォン、タブレット端末、SSD、デジタル家電などへの採用を想定している。両社は16Gバイト版のサンプル出荷も行う予定だ。

20ナノメートルプロセスによるMLC NANDフラッシュメモリのダイ（写真＝左）。プロセスルールによるMLC NANDフラッシュメモリのサイズ比較（写真＝右）

　今回両社がサンプル出荷を開始したのは、業界最小の20ナノメートルプロセス技術を開発し、約118平方ミリのダイサイズで8Gバイトの容量を実現したMLC NANDフラッシュメモリ。従来の25ナノメートルプロセスによる8GバイトMLC NANDフラッシュメモリと比較して、ボード面積で30〜40％（パッケージの種類によって異なる）の削減が可能で、性能と耐久性は同等を維持したという。また、従来技術に比べて、Gバイト換算で約50％高い工場の生産性を達成できるとする。