東芝は3月26日、世界で初めて48層積層プロセスを用いた128Gビット(16Gバイト)の2ビット/セル(MLC)3次元フラッシュメモリ「BiCS」を開発、サンプル出荷を開始した。SSDを中心としたストレージ製品に採用していく。
最先端の48層積層プロセスを用いたフラッシュメモリ。現行製品と比べて書き込み速度の高速化、書き換え寿命などの信頼性向上を実現した。BiCSは2016年前半に竣工予定の同社四日市工場新・第2製造棟でも生産を行う予定だ。
同日、パートナー企業として東芝と同製品を共同開発したSanDiskからも同様の発表が行われた。
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世界初15nmプロセスのNANDフラッシュメモリ――東芝とSanDiskからCopyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.