世界初15nmプロセスのNANDフラッシュメモリ――東芝とSanDiskから

[ITmedia]

東芝が開発した15nmプロセスのNANDフラッシュメモリ

　東芝は4月23日、世界初という15nm（ナノメートル）プロセスによる2ビット／セルの128Gビット（16Gバイト）NANDフラッシュメモリを開発したと発表した（2014年4月23日現在で世界初／同社調べ）。4月末から同社四日市工場の第5製造棟にて、現行世代の19nm第2世代品から切り替えて順次量産する。現在建設中の第5製造棟（第2期分）の完成後、2014年秋には同棟でも製造する。

　15nmプロセスルールの適用とともに、周辺回路の工夫により世界最小クラスのチップサイズを実現。19nm第2世代品と比較した場合、書き込み速度はほぼ同等、データ転送速度は1.3倍の533Mビット／秒となる。

　本プロセスを採用した3ビット／セル製品も第1四半期中の量産開始を計画しており、並行して開発中の新NANDコントローラを組み合わせてスマートフォンやタブレットPCなどに展開する予定だ。また、ノートPC用SSDの開発も進める。

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　なお、米SanDiskも4月22日（現地時間）、世界初をうたう15nm（ナノメートル）プロセスによるNANDフラッシュメモリの出荷を開始したと発表した。同社1Z世代のフラッシュメモリとして、2ビットセル（X2）と3ビットセル（X3）両方を提供する。量産立ち上げは2014年後半の予定だ。