Intelが新プロセス「Intel 3」の詳細を発表 消費電力当たりの性能を最大18％向上

[井上翔，ITmedia]

　Intelは米ハワイ州で6月16日〜20日（ハワイ時間）まで開催される国際学会「VLSIシンポジウム2024」に合わせて、半導体生産の次世代プロセスノード「Intel 3」の詳細を発表した。同社によると、Intel 3は同じプロセッサ（CPU）を「Intel 4」プロセスで作る場合と比べて、消費電力（ワット）当たりの性能が最大で18％改善するという。

Intel 3の概要

Intel 3ってどんなプロセス？

　Intel 3は、Core Ultraプロセッサ（シリーズ1）で使われているIntel 4プロセスの改良版で、2024年6月から順次製品が登場する「Xeon 6プロセッサ」で初採用された。

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Intel 3は、Intel 4の改良版プロセスとして登場する

Intel 3は既に「Xeon 6プロセッサ」で採用されており、高効率コア（Eコア）のコンパクト版（Xeon 6 6700Eシリーズ）の出荷は始まっている。他のXeon 6シリーズも「大量生産」が進められている

　Intel 3は、半導体の受託生産（ファウンドリー）事業「Intel Foundry」でも使われることもあり、派生ノードが3種類用意されている。それぞれの特徴は以下の通りだ。

• Intel 3-T：複数の演算コンポーネントやメモリコンポーネントを一体化しやすいように、ダイ同士を3Dスタッキングで直結できる貫通ビアを設置（クライアント／サーバ向けCPUでの利用を想定）
• Intel 3-E：外部インタフェースやアナログ／ミックス信号の入出力セットを増設（チップセットやストレージ向け半導体での利用を想定）
• Intel 3-PT：Inte 3-T／3-Eの両方の特徴を具備（AI／HPC向け統合型プロセッサなどでの利用を想定）

Intel 3は、Intel 4の改良版プロセスという位置付けで、多用途で使ってもらうべく派生ノードも設定されている

　HPC（ハイパフォーマンスコンピューティング）での利用を想定して、Intel 3は低電圧（0.65V未満）と高電圧（1.3V超）どちらでも大丈夫な設計としており、冒頭で触れた通り、Intel 4比で消費電力当たりの性能が最大で18％改善する。

HPCでの利用も想定し、Intel 3は低電圧と高電圧どちらにも対応できるようになっているという

　いわゆるワッパの改善ができたのは、「フィンの幅と特性の改善」「トランジスタのコンタクト部の改善」「フロントエンドのロジックの信頼性改善」「インターコネクトにおけるゲートビアやコンタクトの変更」といった構造の改良の積み重ねによるものだ。

FEOLオシレーターにおけるパフォーマンスは15％向上している

フィンの幅やプロファイルを改善することで、低電力稼働時のパフォーマンスを改善した

トランジスターの「コンタクト」「ゲート」「ゲートビア」の設計を見直し、コンタクトラインの抵抗値は25％、オーバーラップ電気容量は20％低減した

ロジックトランジスターのIV（電流／電圧）特性を比較すると、同一駆動電流のリーク（漏電）を5倍低減できているという

Intel 3-Tでは1.2Vの入出力にネイディブ対応している

インターコネクトの抵抗値やキャパシタンス（静電容量）も改善している