毎秒7GBに速度アップでも温度上がらず！ 新型SSD「Samsung 990 EVO Plus」を試して分かったこと（1/3 ページ）
Samsung Electronics（サムスン電子）のSSDに、新製品「990 EVO Plus」が追加された。HMB（Host Memory Buffer）を用いるDRAMレス設計を採用しており、1TBあたり100ドルというメインストリーム価格帯に投入される製品だ。
大容量4TBモデルを追加 毎秒7GBクラスの速度に向上！
この990 EVO Plusと2024年1月にリリースされた「990 EVO」を比べると、HMBを採用するところは同じだが、4TBの大容量モデルがラインアップに加わったことがまず1つ目の違いだ。
990 EVO Plusでは第8世代V-NANDが採用されているとされる。今回、990 EVO Plusと990 EVOそれぞれ2TBモデルを借用したが、990 EVOはNANDが2チップ、990 EVO Plusは1チップと実装枚数が異なっていた。
また、990 EVO Plusは連続読み出しで最大毎秒7.25GB、同書き込みで最大毎秒6.3GBとされている。990 EVOはここが読み出しで最大毎秒5GB、書き込みが最大毎秒4.2GBだったので、公式が言うには読み出しで45％向上、書き込みで50％向上したとのことだ。
スペックをよく見ていくと、ランダム読み出し／書き込みも向上しており、実売価格や容量単価はさておき、同セグメントのSSDでより速いモデルを求める方にはここがポイントになる。
| 990 EVO Plus／990 EVO比較表（ラインアップや基本スペック） | ||
|---|---|---|
| モデル名 | 990 EVO Plus | 990 EVO |
| 容量ラインアップ | 4TB／2TB／1TB | 2TB／1TB |
| インタフェース | PCIe 5.0 x2／PCIe 4.0 x4 | |
| 最大連続読み出し | 毎秒7250MB／7250MB／7150MB | 毎秒5000MB／5000MB |
| 最大連続書き込み | 毎秒6300MB／6300MB／6300MB | 毎秒4200MB／4200MB |
| ランダム読み出し（4KQD32） | 105万IOPS／100万IOPS／85万IOPS | 70万IOPS／68万IOPS |
| ランダム書き込み（4KQD32） | 140万IOPS／135万IOPS／135万IOPS | 80万IOPS／80万IOPS |
その他、990 EVOの段階でも電力効率を高めたとされていたが、990 EVO Plusもこれを受け継ぎ、同じ容量モデルでの比較ではいわゆる稼働時、平均消費電力が引き下げられている。
同社が言うには電力効率が70％以上改善し、同じ電力でデータをより高速に転送できるとのことだ。特に2TBモデルの読み出し時は990 EVOが5.5Wだったのに対し、990 EVO Plusは4.6Wで0.9Wも低く、発熱面の改善も期待できそうなので今回入手したサンプルで調べてみよう。
| 990 EVO Plus／990 EVO比較表（電力や保証） | |||
|---|---|---|---|
| モデル名 | 990 EVO Plus | 990 EVO | |
| 容量ラインアップ | 4TB／2TB／1TB | 2TB／1TB | |
| 平均消費電力（読み出し） | 5.5W／4.6W／4.3W | 5.5W／4.9W | |
| 平均消費電力（書き込み） | 4.8W／4.2W／4.2W | 4.7W／4.5W | |
| アイドル時 | 60mW | ||
| 省電力モード時 | 5mW | ||
| 製品保証 | 5年間または2400TBW／1200TBW／600TBW | 5年間または1200TBW／600TBW | |
| MTBF | 150万時間 | ||
ちなみに、今回の990 EVO Plusのリリースでは「第8世代V-NANDと5nmコントローラー」の採用が大々的にうたわれている。990 EVOのリリース時にこのあたりの情報が抜けていたので推測になるが、同じ容量モデルでNANDのチップ数が違うことからNANDも990 EVOと990 EVO Plusでは異なる可能性があり、コントローラーもわざわざ5nmとアピールしていることから新型と思われる。
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