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「10nmプロセス」最新記事一覧

この10年で起こったこと、次の10年で起こること(15):
TSMCの1強時代に幕? “2ファブ・オペレーション”が可能になった14/16nm世代
今回は昨今、発表が相次いでいる新しいGPUのチップ解剖から見えてくる微細プロセス、製造工場(ファブ)の事情を紹介する。チップ解剖したのはNVIDIAの新世代GPUアーキテクチャ「Pascal」ベースのGPUと、ゲーム機「PlayStation 4 Pro」にも搭載されているAMDのGPUだ。(2017/4/25)

スマホの在庫調整で:
TSMCがファウンドリー市場の見通しを下方修正
スマートフォン市場とPC市場の厳しい在庫調整を受け、TSMCが、ファウンドリー市場の成長見通しを下方修正した。(2017/4/19)

TechFactory通信 編集後記:
半導体の巨人が迫られる、コト売りへのシフト
AIの進化と普及は、半導体の巨人であるインテルにも「モノ売りからコト売りへのシフト」を迫っているように見えます。(2017/4/15)

競合に対する優位性を示す?:
Intelが10nmプロセスの詳細を明らかに
Intelは2017年に10nmチップ製造を開始する予定だ。さらに、22nmの低電力FinFET(FinFET low power、以下22nm FFL)プロセスも発表した。GLOBALFOUNDRIESなどが手掛けるFD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)に真っ向から挑み、ファウンドリービジネスで競い合う。(2017/4/4)

Galaxy S7 edgeとスペックを比較 「Galaxy S8/S8+」はココが進化した
(2017/3/30)

でもIntelはムーアの法則は有効と主張
ムーアの法則が破綻しても性能向上が続く理由
CES 2017で、Intelはムーアの法則が今後も有効であるとあらためて主張した。しかし、ムーアの法則はやはり限界に近づいており、そもそもムーアの法則は性能を語る際の尺度としては意義を失いつつあるという。(2017/3/29)

Intelも加えた三つどもえ戦で:
Samsung、10nmプロセス技術開発でTSMCをリード
半導体分野のアナリストによると、10nmプロセスの開発では、Intel、Samsung Electronics、TSMCが三つどもえ戦を繰り広げているが、現在はSamsungが一歩先を行っているようだ。(2017/3/28)

Galaxy S7 edgeと比較:
「Snapdragon 835」の性能はどこまで向上した? ベンチマークテストを試す
Qualcommの最新プロセッサ「Snapdragon 835」の性能を体験できる「Benchmarking Workshop」に参加。小型化や低消費電力化が特徴だが、CPUの性能はどこまで上がっているのだろうか。各種ベンチマークアプリで試してみた。(2017/3/22)

ARMサーバで稼働する「Windows Server」、MicrosoftとQualcommがOCPで発表
QualcommがMicrosoftと協力して開発したARMプロセッサ搭載のクラウドサーバの仕様をOCPに提供した。MicrosoftはOCP Summitでこのサーバで稼働する「Windows Server」を披露した。(2017/3/9)

製品分解で探るアジアの新トレンド(14):
中国スマホの進化で消えゆく日本の“スイートスポット”
中国のスマートフォン市場では相変わらず新興メーカーの台頭が目立っている。そうした若いメーカーが開発するスマートフォンを分解すると、アプリケーションプロセッサなどのプラットフォーム以外の場所でも、中国半導体メーカーの浸透が始まっていることが明らかになった。(2017/3/9)

MWC 2017:
スマホチップ大手の傾向で探る次期iPhoneのヒント
「MWC 2017」で、スマートフォン向けアプリケーションプロセッサを手掛けるQualcommやSamsung Electronics、MediaTekといった主要サプライヤーの最新製品を見ていると、Appleの次期「iPhone」に搭載される可能性が高い技術が見えてくる。(2017/3/1)

EUVの導入も検討か:
Intel、アリゾナのFab 42に70億ドルを投資へ
Intelが、アリゾナ州に保有する製造工場「Fab 42」に70億米ドルを投資する予定であることを明らかにした。Intelは2014年1月に、Fab 42の稼働を延期することを発表したが、7nmプロセスの実現に向け、EUV(極端紫外線)露光装置の導入なども検討しつつ、同工場への投資を進めるとみられる。(2017/2/15)

企業動向を振り返る 2016年12月版:
2017年のエレクトロニクス分野M&A、主戦場はアナログかセンサーか
過去1カ月間のエレクトロニクス関連企業の動向をピックアップしてお届けする「企業動向を振り返る」。さすがに12月の動きは鈍く、業界を騒がせるような大型M&Aは見られませんでしたが、その予兆は既に現れているとの見方もあります。(2017/1/25)

専門家が見解を披露:
ISS 2017で語られた半導体技術の今後(前編)
米国で開催された「Industry Strategy Symposium(ISS)」(2017年1月8〜11日)では、半導体技術の今後に関する議論が幾つか展開された。ナノワイヤトランジスタやGAA(Gate All Around)トランジスタといった次世代トランジスタ技術や、増加の一途をたどる設計コストなどについて、専門家たちが見解を披露している。(2017/1/19)

CES 2017:
Quick Charge 4.0や下り1GbpsのLTE通信に対応――「Snapdragon 835」発表
Qualcommがモバイル端末向けの最新プロセッサ「Snapdragon 835」を発表。Snapdragon 820と比べて小型化や低消費電力を実現。モバイル通信やWi-Fi通信の性能も向上している。(2017/1/5)

Windows 10対応でIntelに脅威?:
Qualcommの新Snapdragon、10nmプロセスを採用
Qualcommが「CES 2017」(2017年1月5〜8日)に合わせて、最新SoC「Snapdragon 835」を発表した。10nm FinFETプロセスを採用した、初のアプリケーションプロセッサとなる。(2017/1/5)

クイズで振り返る2016年:
半導体メーカー売り上げ上位20位を当ててみよう
2016年のエレクトロニクス業界のニュースを振り返る年末企画。今回は、米国のIC Insightsが発表した半導体メーカー売上高上位20社の予想からクイズを出題します(難易度:易)。(2016/12/20)

早ければ2022年にも生産開始:
TSMC、3nmチップの工場建設計画を発表
TSMCが5nmおよび3nmチップの製造工場を新たに建設する計画を発表した。大手ファウンドリー各社のプロセス開発競争は激化の一途をたどっている。(2016/12/15)

市場活性化につながるのか:
Qualcomm、10nmプロセスのARMサーバチップを発表
Qualcomm(クアルコム)が、10nmプロセスを適用したARMサーバプロセッサ「Centriq 2400」を発表した。同チップの登場は、いまひとつ勢いがないARMサーバ市場の活性化につながるのだろうか。(2016/12/9)

IEDM 2016:
進む7nmプロセスの開発、TSMCとIBMが成果を発表
米サンフランシスコで開催された「IEDM 2016」では、TSMCとIBMがそれぞれ最新プロセス技術について発表し、会場を大いに沸かせたようだ。(2016/12/8)

Qualcommのモバイル向けSoC:
次世代Snapdragon、Samsungの10nmプロセスを適用
Qualcommは、同社のSoC(System on Chip)「Snapdragon 835」に、Samsung Electronicsの10nmプロセスを適用すると発表した。QualcommはSamsungとの間で、ファウンドリー契約を10年延長している。(2016/11/21)

MediaTek Helio X30:
MediaTek、10nmプロセスSoCを2017年Q2に出荷へ
MediaTekが、10nmプロセスを適用したスマートフォン向けSoC(System on Chip)「Helio X30」を2017年第2四半期から出荷する予定だという。ファウンドリーはTSMCを利用する。(2016/11/16)

3DやInFOで微細化を補う:
ムーアの法則の“新たな意味”とは
台湾半導体産業協会の専門家は、今後ムーアの法則は、「半導体の集積率の向上」というよりも、より実質的な意味を持つようになると指摘する。3次元構造やTSMCの「InFO」のようなパッケージング技術によって性能の向上を図っていくというものである。(2016/11/14)

InFOが決定的な武器に?:
TSMC、Apple「A10/A11」をほぼ独占的に製造か
TSMCは、Appleの「iPhone」向けプロセッサ「A10」および「A11」(仮称)の製造を、ほぼ独占的に製造することになるとみられている。もう1つのサプライヤーであるSamsung Electronics(サムスン電子)に対する優位性をもたらしたのは、独自のパッケージング技術「InFO」だという。(2016/11/2)

Galaxy発火事故で大打撃も:
Samsung、スマホ業績の悪化を半導体事業が補てん
Samsung Electronicsの2016年第3四半期の業績は、スマートフォンの事業は大幅に悪化したものの、好調な半導体事業がそれを補う形となった。(2016/11/1)

Intelが追い抜かれる勢い?:
7nmプロセス開発、ファウンドリー間の競争激化
2016年12月に米国で開催される、最先端電子デバイスの研究開発に関する国際学会「IEDM 2016」で、TSMCが7nmプロセスに関する発表を行う。7nmプロセスの研究開発では、TSMC、GLOBALFOUNDRIES(GF)、Samsung Electronics(サムスン電子)が火花を散らしている。(2016/10/26)

福田昭のデバイス通信(95):
「SEMICON West 2016」、imecが展望する5nm世代の配線技術(後編)
前回に続き、5nm世代のロジック配線プロセスを展望したimecの講演を紹介する。後編となる今回は、微細化に対応して配線抵抗(R)と配線容量(C)を最適化する方法について解説する。(2016/10/24)

「Galaxy 8」に搭載予定:
Samsung、10nm SoCの量産を2016年内にも開始か
Samsung Electronics(サムスン電子)が10nm FinFETプロセスを適用したSoC(System on Chip)の量産体制を着々と整えているようだ。「Galaxy Note 7」の発火問題で同社のファンドリー事業も停滞するとみられているが、最先端プロセスの実用化に向け、開発を進めている。(2016/10/19)

福田昭のデバイス通信(94):
「SEMICON West 2016」、imecが展望する5nm世代の配線技術(前編)
imceによる、5nm世代のロジック配線プロセスを展望した講演を、前後編の2回にわたりお届けする。前半では、配線抵抗(R)、配線容量(C)、RC積という配線のパラメータの特徴を紹介する。さらに、10nm世代、7nm世代、5nm世代と微細化が進むと、配線抵抗(R)、配線容量(C)、RC積がどのように変化していくかを解説する。(2016/10/19)

福田昭のデバイス通信(93):
「SEMICON West 2016」、Synopsysが予測する5nm世代のトランジスタ技術
Synopsysの講演では、5nm世代のトランジスタのシミュレーション評価結果が報告された。この結果からはFinFETの限界が明確に見えてくる。5nm世代に限らず、プロセスの微細化が進むと特に深刻になってくるのが、トランジスタ性能のばらつきだ。(2016/10/14)

福田昭のデバイス通信(92):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(Applied Materials編)
Applied Materialsの講演では、MOSFETの微細化ロードマップと、微細化の手法および課題が解説された。7nm世代のFinFETでは、フィンを狭く、高くするとともにコンタクト用の金属材料を変える必要が出てくる。FinFETの限界が見え始める5nm世代では、微細化の手法として主に2つの選択肢がある。(2016/10/7)

Huamiのスマートウォッチ:
ソニー製チップの採用でFD-SOIへの関心高まる?
28nm FD-SOIプロセスを採用したソニーのGPSチップが、中国のスマートウォッチに搭載された。FD-SOIプロセスに対する関心が高まる可能性がある。(2016/10/6)

福田昭のデバイス通信(91):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(Samsung編)
Samsung Semiconductorの講演では、「ムーアの法則」の現状認識から始まり、同社が考える微細化のロードマップが紹介された。Samsungは28nm世代と10nm世代が長く使われると予想している。さらに同社は、EUVリソグラフィが量産レベルに達するのは2018年で、7nm/5nm世代のチップ製造に導入されるとみている。(2016/9/30)

プロセス微細化を精力的に進める:
TSMCの7nm FinFET、2017年4月には発注可能に?
TSMCは米国カリフォルニア州サンノゼで開催されたイベントで、7nm FinFETプロセス技術について言及した。3次元(3D)パッケージングオプションを強化して、数カ月後に提供を開始する計画だという。(2016/9/28)

福田昭のデバイス通信(90):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(imec編)
imecは次世代のリソグラフィ技術を展望するフォーラムの講演で、半導体デバイスの微細化ロードマップを披露した。このロードマップでは、微細化の方向が3つに整理されている。シリコンデバイスの微細化、シリコン以外の材料の採用、CMOSではないデバイスの採用だ。imecは、CMOSロジックを微細化していく時の課題についても解説した。(2016/9/27)

ギガビット未満の混載MRAMもサポート:
GFの7nm FinFETプロセス、2018年にも製造開始へ
GLOBALFOUNDRIES(GF)が、7nm FinFETプロセスの開発計画を発表した。2018年後半には同プロセスでの製造を開始する予定だという。さらに、同じく2018年には、22nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)プロセスで製造するチップにおいて、ギガビット未満の低容量の混載MRAM(磁気抵抗メモリ)をサポートする予定だ。(2016/9/21)

頭脳放談:
第196回 なぜIntelがARMプロセッサの受託製造を始めるのか
ARMプロセッサの製造をIntel Custom Foundryで行えるようになるという。世界最先端のIntelのファブで製造できれば、他を圧倒するようなARMプロセッサができるはず。でも、なぜIntelがARMプロセッサの製造を行うのだろうか?(2016/9/21)

2025年までは28nm FinFETが優勢だが:
半導体プロセス技術、開発競争が過熱
FinFETの微細化が進む一方で、FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)にも注目が集まっている。専門家によれば、2025年までは28nm FinFETプロセスが優勢だとするが、それ以降はFD-SOIが伸びる可能性もある。(2016/9/15)

10nm FinFETプロセスを超える性能?:
GF、12nm FD-SOIプロセス「12FDX」を発表
GLOBALFOUNDRIES(GF)が、22nmプロセスを用いたFD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ)のプラットフォーム「22FDX」の後継となる次世代FD-SOIプロセス「12FDX」を発表した。GFによると、「10nm FinFETプロセスを超える性能を提供することが可能」とし、2019年の製造開始を計画する。(2016/9/14)

福田昭のデバイス通信(86):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(ニコン編)
90nm世代から商業化が始まったArF液浸スキャナーだが、3xnm世代に入ると、解像力は限界に達する。そこで、コスト増というデメリットは伴うものの、マルチパターニングによって解像力の向上が図られてきた。加えて、7nm世代向けのArF液浸スキャナーでは新しいリソグラフィ技術の導入も必要だとされている。この場合、コスト面ではダブルパターニングと電子ビーム直接描画の組み合わせが有利なようだ。(2016/9/6)

AlteraからIntel FPGAへ「需要は高く、好循環だ」
Intelに買収されたFPGA大手のAlteraだが、これはIntelの事業領域変化に起因すると考えられる。同社幹部は「好循環といえる状態だ」と現状を高く評価する。(2016/9/1)

「Kaby Lake」搭載品は2016年秋にも登場か:
Intel、14nm+適用のCoreプロセッサを正式発表
Intelが、「Kaby Lake」のコード名で開発してきた第7世代Coreプロセッサを正式に発表した。14nm+プロセスを適用したもので、ビデオエンジンが改良されている。同プロセッサを搭載した製品は、2016年秋にも登場するとIntelはみている。(2016/9/1)

買収から半年経過:
Alteraから「Intel FPGA」に向けて積極投資
2015年にFPGA大手Alteraを買収したIntel。2016年8月30日にIntelのFPGA事業を担当する幹部が来日し、今後の製品開発方針やIntelとしてのFPGA事業の位置付けなどについて語った。(2016/8/31)

「IDF 2016」:
Intelの工場でARMベースのチップが作れる
Intelは、開発者会議「Intel Developer Forum 2016(IDF 2016)」で、10nmプロセス技術開発においてARMと協業することを発表した。(2016/8/19)

Intel、ソフトバンク傘下になるARMベースのSoC製造へ
Intelが、長年のライバルで7月にソフトバンクが買収すると発表したARMの設計ベースのSoCを自社の10nmプロセスで製造すると発表した。Intelは4月の大規模リストラの際、モバイルプロセッサ「Atom」の開発を中止すると報じられている。(2016/8/17)

予測よりも高い需要で:
MediaTek、モデムチップの供給が追い付かず
スマートフォン用ベースバンドチップ(モデムチップ)においてQualcommの最大の競合先であるMediaTekは、ファウンドリーに委託するチップ製造量を低く見積もっていたことから、3Gおよび4Gスマートフォン向けチップの需要を満たせなくなっていることを明らかにした。(2016/8/5)

まだまだ光源に開発余地残るが:
2020年、5nm世代でEUV時代が到来か
ASMLは2016年4〜6月にEUV(極端紫外線)リソグラフィ装置を4台受注し、2017年には12台を販売する計画を明かした。これを受けて業界では、EUV装置によるチップ量産が、5nmプロセス世代での製造が見込まれる2020年に「始まるかも」との期待感が広がっている。(2016/7/26)

「3D XPoint」の出荷を控え:
Intel、PC部門は不振もメモリ事業に明るい兆し
Intelの2016年度第2四半期の決算が発表された。売上高は前年同期比でわずかに増加したものの、利益は、再編計画関連の費用を計上したことから51%減となった。ただし、「3D XPoint」を含め、メモリ事業の見通しは明るいようだ。(2016/7/25)

「ITF 2016」で語られた半導体の未来(3):
FinFETサイズの物理的な限界は?
ベルギーで開催された「IMEC Technology Forum(ITF) 2016」では、2.5D(2.5次元)のチップ積層技術や、FinFETのサイズの物理的な限界についても触れられた。(2016/6/17)

「ITF 2016」で語られた半導体の未来(1):
わずかな微細化、見合わぬ労力
「IMEC Technology Forum(ITF) 2016」では、半導体業界の将来に関する基調講演やインタビューが多数行われた。GLOBALFOUNDRIESのCTOを務めるGary Patton氏は、「2年ごとにコストを35%ずつ下げ、性能を20%ずつ上げることのできた時代は20nmプロセスで終わった」と述べる。(2016/6/8)



多くの予想を裏切り、第45代アメリカ合衆国大統領選挙に勝利。貿易に関しては明らかに保護主義的になり、海外人材の活用も難しくなる見込みであり、特にグローバル企業にとっては逆風となるかもしれない。

携帯機としても据え置き機としても使える、任天堂の最新ゲーム機。本体+ディスプレイ、分解可能なコントローラ、テレビに接続するためのドックといった構成で、特に携帯機としての複数人プレイの幅が広くなる印象だ。

アベノミクスの中でも大きなテーマとされている働き方改革と労働生産性の向上。その実現のためには人工知能等も含むITの活用も重要であり、IT業界では自ら率先して新たな取り組みを行う企業も増えてきている。