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» 2014年10月22日 19時48分 UPDATE

サムスン、8Gビット DDR4メモリの量産開始

20ナノメートルプロセスルールを採用したこのメモリは従来から29%の性能向上を1.2ボルトという駆動電圧で実現するという。

[ITmedia]

3次元実装技術で最大128Gバイトのモジュールも

 サムスン電子は、20ナノメートルプロセスルールを導入した8ギガビットのDDR4メモリの量産を開始したと10月22日(現地時間)に発表した。新しい20ナノメートルプロセスルールを採用したことで、8Gビット DDR4メモリは、従来と比べて高い性能と電力効率を実現したと説明している。

kn_smsngddr4_01.jpg 20ナノメートルプロセスルールを導入した8ギガビットのDDR4メモリを実装した32Gバイトモジュール

 また、8GビットDDR4メモリを実装した32Gバイトモジュールの生産も10月中に開始する予定としている。このモジュールはRegistered DIMMで、ピンあたりの転送レートは2400Mbps相当と従来のDDR3の1866Mbpsと比べて29%の性能向上を実現する。駆動電圧は1.2ボルトで現時点のメモリでは最も低い電圧での動作が可能だ。

 サムスン電子では、32Gバイトメモリモジュールに続いて、8Gビット DDR4 DRAMをTSV(3D through silicon via)技術で実装することで最大128Gバイトのメモリも生産する計画だ。

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