サムスン、8Gビット DDR4メモリの量産開始

[ITmedia]

3次元実装技術で最大128Gバイトのモジュールも

　サムスン電子は、20ナノメートルプロセスルールを導入した8ギガビットのDDR4メモリの量産を開始したと10月22日（現地時間）に発表した。新しい20ナノメートルプロセスルールを採用したことで、8Gビット DDR4メモリは、従来と比べて高い性能と電力効率を実現したと説明している。

20ナノメートルプロセスルールを導入した8ギガビットのDDR4メモリを実装した32Gバイトモジュール

　また、8GビットDDR4メモリを実装した32Gバイトモジュールの生産も10月中に開始する予定としている。このモジュールはRegistered DIMMで、ピンあたりの転送レートは2400Mbps相当と従来のDDR3の1866Mbpsと比べて29％の性能向上を実現する。駆動電圧は1.2ボルトで現時点のメモリでは最も低い電圧での動作が可能だ。

　サムスン電子では、32Gバイトメモリモジュールに続いて、8Gビット DDR4 DRAMをTSV（3D through silicon via）技術で実装することで最大128Gバイトのメモリも生産する計画だ。